„Gunndiode“ – Versionsunterschied
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Genau genommen ist die Gunndiode gar keine Diode. Es hat sich jedoch etabliert, von [[Anode]] und [[Kathode]] zu sprechen, um zwischen den Kontakten + und − zu unterscheiden. In der Literatur wird daher häufig der Begriff '''Gunnelement''' verwendet. |
Genau genommen ist die Gunndiode gar keine Diode. Es hat sich jedoch etabliert, von [[Anode]] und [[Kathode]] zu sprechen, um zwischen den Kontakten + und − zu unterscheiden. In der Literatur wird daher häufig der Begriff '''Gunnelement''' verwendet. |
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Eine Gunndiode besteht nur aus [[Dotierung|n-dotierten]] Halbleiterbereichen, meist aus [[Galliumarsenid]] (GaAs), [[Galliumnitrid]] (GaN) oder [[Indiumphosphid]] (InP). Die Bereiche sind hintereinander angeordnet und unterschiedlich stark [[Dotierung|dotiert]]. Der größte Teil der Betriebsspannung (etwa 10 V) fällt über einer schmalen, schwach dotierten mittleren Schicht ab, die durch den Gunneffekt einen [[Differentieller Widerstand|negativen differentiellen Widerstand]] zeigt: Die Elektronenbeweglichkeit nimmt mit steigender Feldstärke ab. Durch die damit verbundene Instabilität wandern Zonen geringer Elektronenbeweglichkeit und hoher Feldstärke durch diese Schicht. Die Laufzeit und damit die erzeugte Frequenz hängt primär von den Abmessungen des Kristalls ab, kann aber durch den umgebenden [[Hohlraumresonator]] geringfügig verändert werden. Gunndioden können Frequenzen von 1,5 bis ca. 200 [[Hertz (Einheit)|GHz]] erzeugen (GaN bis 3 [[Terahertz|THz]])<ref>{{Literatur | Autor = Viktor Gružinskis, Jian H. Zhao, P. Shiktorov, E. Starikov | Titel = Gunn Effect and THz Frequency Power Generation in n+- n - n+ GaN Structures | Sammelwerk = Materials Science Forum | Band = 297–298 | Jahr = 1999 | Datum = 1999| Seiten = 341–344| DOI= 10.4028/www.scientific.net/MSF.297-298.341}}</ref><ref>{{Literatur | Autor = Z. S. Gribnikov, R. R. Bashirov, V. V. Mitin | Titel = Negative effective mass mechanism of negative differential drift velocity and terahertz generation | Sammelwerk = IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics | Band = 7 | Jahr = 2001 | Datum = 2001-08| Nummer = 4| Seiten = 630–640| DOI= 10.1109/2944.974235}}</ref>. Die Effizienz ist dabei relativ groß, die Leistung dagegen gering: bei tiefen Frequenzen man |
Eine Gunndiode besteht nur aus [[Dotierung|n-dotierten]] Halbleiterbereichen, meist aus [[Galliumarsenid]] (GaAs), [[Galliumnitrid]] (GaN) oder [[Indiumphosphid]] (InP). Die Bereiche sind hintereinander angeordnet und unterschiedlich stark [[Dotierung|dotiert]]. Der größte Teil der Betriebsspannung (etwa 10 V) fällt über einer schmalen, schwach dotierten mittleren Schicht ab, die durch den Gunneffekt einen [[Differentieller Widerstand|negativen differentiellen Widerstand]] zeigt: Die Elektronenbeweglichkeit nimmt mit steigender Feldstärke ab. Durch die damit verbundene Instabilität wandern Zonen geringer Elektronenbeweglichkeit und hoher Feldstärke durch diese Schicht. Die Laufzeit und damit die erzeugte Frequenz hängt primär von den Abmessungen des Kristalls ab, kann aber durch den umgebenden [[Hohlraumresonator]] geringfügig verändert werden. Gunndioden können Frequenzen von 1,5 bis ca. 200 [[Hertz (Einheit)|GHz]] erzeugen (GaN bis 3 [[Terahertz|THz]])<ref>{{Literatur | Autor = Viktor Gružinskis, Jian H. Zhao, P. Shiktorov, E. Starikov | Titel = Gunn Effect and THz Frequency Power Generation in n+- n - n+ GaN Structures | Sammelwerk = Materials Science Forum | Band = 297–298 | Jahr = 1999 | Datum = 1999| Seiten = 341–344| DOI= 10.4028/www.scientific.net/MSF.297-298.341}}</ref><ref>{{Literatur | Autor = Z. S. Gribnikov, R. R. Bashirov, V. V. Mitin | Titel = Negative effective mass mechanism of negative differential drift velocity and terahertz generation | Sammelwerk = IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics | Band = 7 | Jahr = 2001 | Datum = 2001-08| Nummer = 4| Seiten = 630–640| DOI= 10.1109/2944.974235}}</ref>. Die Effizienz ist dabei relativ groß, die Leistung dagegen gering: bei tiefen Frequenzen kann man nur etwa 200 bis 300 [[Watt (Einheit)|mW]] mit einem Gunnoszillator erreichen, mit steigender Frequenz sinkt die Ausgangsleistung von leistungsoptimierten Gunndioden proportional zu 1/''f''². Ein Gunnoszillator besteht aus nur wenigen Bauteilen – dem Gunnelement und einem Schwingkreis. Dieser ist – genau genommen – nicht einmal erforderlich, er vermindert aber das [[Phasenrauschen]] und die spektrale Breite des erzeugten Signals und erleichtert die Auskopplung der Hochfrequenzenergie. Bei Frequenzen von einigen Terahertz ist kein Resonator mehr realisierbar, er wäre zu winzig. |
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Version vom 20. Januar 2014, 11:46 Uhr
Die Gunndiode ist ein Halbleiter-Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird. Grundlage ist der 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckte Gunneffekt.
Aufbau
Genau genommen ist die Gunndiode gar keine Diode. Es hat sich jedoch etabliert, von Anode und Kathode zu sprechen, um zwischen den Kontakten + und − zu unterscheiden. In der Literatur wird daher häufig der Begriff Gunnelement verwendet.
Eine Gunndiode besteht nur aus n-dotierten Halbleiterbereichen, meist aus Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) oder Indiumphosphid (InP). Die Bereiche sind hintereinander angeordnet und unterschiedlich stark dotiert. Der größte Teil der Betriebsspannung (etwa 10 V) fällt über einer schmalen, schwach dotierten mittleren Schicht ab, die durch den Gunneffekt einen negativen differentiellen Widerstand zeigt: Die Elektronenbeweglichkeit nimmt mit steigender Feldstärke ab. Durch die damit verbundene Instabilität wandern Zonen geringer Elektronenbeweglichkeit und hoher Feldstärke durch diese Schicht. Die Laufzeit und damit die erzeugte Frequenz hängt primär von den Abmessungen des Kristalls ab, kann aber durch den umgebenden Hohlraumresonator geringfügig verändert werden. Gunndioden können Frequenzen von 1,5 bis ca. 200 GHz erzeugen (GaN bis 3 THz)[1][2]. Die Effizienz ist dabei relativ groß, die Leistung dagegen gering: bei tiefen Frequenzen kann man nur etwa 200 bis 300 mW mit einem Gunnoszillator erreichen, mit steigender Frequenz sinkt die Ausgangsleistung von leistungsoptimierten Gunndioden proportional zu 1/f². Ein Gunnoszillator besteht aus nur wenigen Bauteilen – dem Gunnelement und einem Schwingkreis. Dieser ist – genau genommen – nicht einmal erforderlich, er vermindert aber das Phasenrauschen und die spektrale Breite des erzeugten Signals und erleichtert die Auskopplung der Hochfrequenzenergie. Bei Frequenzen von einigen Terahertz ist kein Resonator mehr realisierbar, er wäre zu winzig.
Funktion
Die Bandstruktur mancher Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid besteht aus drei Energiebändern. Dieses zusätzliche Band ist normalerweise frei von Leitungselektronen und isoliert deshalb. Führt man (bei der Gunndiode: durch Vergrößern der elektrischen Spannung) ausreichend Energie zu, können Elektronen die Bandlücke überwinden und aus dem Valenzband in dieses dritte Band angehoben werden, das dadurch elektrisch leitfähig wird.
Bei Spannungserhöhung erreichen immer mehr Elektronen des Valenzbandes die nötige Energie, um in das dritte Band zu springen. Dort ist aber die Driftgeschwindigkeit der Elektronen geringer als im Valenzband und der Strom sinkt. Auf diese Weise entsteht ein negativer differentieller Widerstand.[3]. Der leitfähige Bereich des dritten Bandes füllt aber nicht die gesamte Distanz (einige Mikrometer) zwischen Kathode und Anode aus, sondern bildet eine dünne „Scheibe“ parallel zur Kathodenfläche, die sich ablöst und mit bestimmter, materialabhängiger Geschwindigkeit zur Anode wandert. Bis zur Ankunft ist die Spannung zwischen Kathode und Anode verkleinert. Sobald die Scheibe die Anode erreicht, springt die Spannung wieder auf den vorhergehenden, höheren Wert und an der Kathode bildet sich die nächste Scheibe. Ein drastischer Vergleich wäre ein Maschinengewehr, bei dem sich nach jedem Anoden-Treffer spontan ein neuer Schuss an der Kathode bildet.
Es muss vermieden werden, dass sich die neuen Scheiben irgendwo zwischen Kathode und Anode bilden, weil dann aufeinanderfolgende Laufzeiten ungleich wären. Nur bei Verwendung des richtigen Kathodenmaterials entstehen alle neuen Scheiben unmittelbar am Kathodenanschluss und alle Lauflängen entsprechen dem Elektrodenabstand, wodurch die erzeugte Frequenz auch ohne externen Resonantor konstant ist. Aus diesem Grund dürfen Anode und Kathode nicht vertauscht werden. Sobald sich eine Scheibe gebildet hat, sinkt die Spannung zwischen den Elektroden schlagartig, was die Bildung zusätzlicher Scheiben unterbindet.
Der Zusammenhang zwischen Leitfähigkeit und Feldstärke kann durch einen Vergleich mit einem mehrschichtigen Aufbau aus Metall- und Isolierplatten veranschaulicht werden: Wenn eine Scheibe den Strom gut leitet, ist die interne Feldstärke gering. Wenn eine Scheibe den Strom schlecht leitet, ist die interne Feldstärke hoch wie im Dielektrikum eines Kondensators. Im GaAs-Kristall ist der Leitfähigkeitsunterschied erheblich geringer, dafür können die Scheiben wandern.
Im unteren Bild stellt die grüne Scheibe die Zone verringerter Elektronenbeweglichkeit und erhöhter Feldstärke dar. Da diese Scheibe mit Elektronen "gefüllt" ist, wandert sie zur Anode. Sie ist umgeben von zwei Bereichen verringerter Feldstärke, in denen sich keine neuen Scheiben bilden können.
Verwendung
Gunndioden sind relativ preiswert und werden in vielen Oszillatoren eingesetzt, falls einige Milliwatt ausreichen:
- Sender zur Mikrowellen-Datenübertragung
- kleine Radargeräte (Dauerstrichradar) zur Zugangskontrolle oder zur Abstandswarnung an Kraftfahrzeugen
- Amateurfunksender
- Überlagerungsoszillator in LNBs zum Empfang von Satellitensignalen
Das Bild zeigt schematisch den Aufbau eines einfachen, mechanisch abstimmbaren Gunnoszillators in Hohlleitertechnik. Der Abstand des Kurzschlussschiebers wird so gewählt, dass die Gunndiode mit einem Parallelschwingkreis belastet wird, also etwa einem Viertel der Wellenlänge. Das Koppelloch zusammen mit der Abstimmschraube dienen zur Anpassung an den Wellenwiderstand des Hohlleiters.
Weblinks
Einzelnachweise
- ↑ Viktor Gružinskis, Jian H. Zhao, P. Shiktorov, E. Starikov: Gunn Effect and THz Frequency Power Generation in n+- n - n+ GaN Structures. In: Materials Science Forum. Band 297–298, 1999, S. 341–344, doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.297-298.341.
- ↑ Z. S. Gribnikov, R. R. Bashirov, V. V. Mitin: Negative effective mass mechanism of negative differential drift velocity and terahertz generation. In: IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. Band 7, Nr. 4, 2001, S. 630–640, doi:10.1109/2944.974235.
- ↑ B. K. Ridley, T. B. Watkins: The Possibility of Negative Resistance Effects in Semiconductors. In: Proceedings of the Physical Society. 78. Jahrgang, Nr. 2, 1961, S. 293, doi:10.1088/0370-1328/78/2/315, bibcode:1961PPS....78..293R.