グルダの英語

この上にシングルダマシン法を用いて、交差部４ａ又は接続部３ａで交差する上層配線６を形成する。例文帳に追加

On this, using single damascene method, an upper layer interconnection 6 is formed which intersects in the intersection 4a or in the connection 3a. - 特許庁

第１配線層部３３は、シングルダマシン構造であり、第２配線層部３２は、デュアルダマシン構造である。例文帳に追加

The first wiring layer 33 is a single damascene structure, and the second wiring layer 32 is a dual damascene structure. - 特許庁

これにより、リセスなどの欠陥のないシングルダマシン構造のビアコンタクトをアッシング工程を活用して容易に形成できる。例文帳に追加

Thus, a via contact of single damascene structure without defects such as the recess can be formed utilizing the ashing process. - 特許庁

携帯通信端末１は、地上波ディジタルテレビジョン放送（ＤＴＴＢ）のフルセグ放送波又はワンセグ放送波を、アンテナダイバーシチ受信又はシングル（ダイバーシチを行わない）受信の条件で受信することができる。例文帳に追加

A portable communication terminal 1 receives the full segment broadcast wave or one-segment broadcast wave of a digital terrestrial television broadcasting (DTTB) under the condition of antenna diversity reception or single reception (without diversity). - 特許庁

次に、ここにＣｕなどの導電物質を蒸着し、それをＣＭＰ工程を利用して平坦化することによって、リセスのないシングルダマシン構造のビアコンタクトを形成する。例文帳に追加

Next, a conductive material such as Cu is vapor-deposited on the dual damascene structure, and by flattening this by using a CMP process, a via contact of single damascene structure without a recess is formed. - 特許庁

低誘電率膜を層間絶縁膜として用い、シングルダマシン法により形成した、信頼性の高い多層配線を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a low dielectric constant film is used as an interlayer insulating film, and highly reliable multi-layer wiring formed by a single damascene method is arranged. - 特許庁

シングルダマシン及びデュアルダマシンプロセスにおけるＣＭＰ後に、表面のスラリー粒子を除去でき、且つ腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ、ＴｉＮ等の基板や金属に対する低腐食性を備えた洗浄液を提供する。例文帳に追加

To provide cleaning agent which can remove slurry particles on a surface after CMP in single damascene and dual damascene processes and which is provided with low corrosiveness with respect to the substrate of Al, Al-Cu, Cu and TiN and metal, which easily corrode. - 特許庁

シングルダマシンプロセスにおいて、配線幅が０．５μｍ以上の大きな配線溝においてもＣＤシフトを抑制でき、配線とホールとが良好なコンタクトを得ることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same capable of suppressing a CD shift even in a large wiring groove having a wiring width of 0.5 μm or more and obtaining a good contact of the wiring with a hole in a single Damascene process. - 特許庁