臨界角の英語

上記入射角を臨界角θｃｒが含まれる範囲で変化させる。例文帳に追加

The incident angle is changed within a range including a critical angle θcr. - 特許庁

臨界電流密度の磁場角度依存性に優れた超電導体例文帳に追加

SUPERCONDUCTOR EXHIBITING EXCELLENT MAGNETIC FIELD ANGLE DEPENDENCY OF CRITICAL CURRENT DENSITY - 特許庁

隔壁８の側面８ａは臨界角より小さい傾斜角θに設定する。例文帳に追加

The side faces 8a of the partitions 8 are set to a tilt angle θsmaller than a critical angle. - 特許庁

光線１０６の位置Ｑ５に対する入射角は臨界角に近くなるように設定している。例文帳に追加

An incident angle of the light beam 106 to the position Q5 is to be set nearly at a critical angle. - 特許庁

続いてプリズム底面１４１に対する入射角θ_ｉを前記臨界角θ_Ｃ１に固定する。例文帳に追加

Subsequently, the incidence angle θ_i into the prism bottom face 141 is fixed to the critical angle θ_C1. - 特許庁

コンピュータ１１は、ステージコントローラ１４を介して、界面Ｆへの光束の入射角θを、臨界角θｃを超える第１の角度θ１と、臨界角θｃ未満の第２の角度θ２との間の範囲で調整する。例文帳に追加

A computer 11 adjusts an entry angle θ of the light flux into the interface F within a range between a first angle θ1 exceeding a critical angle θc and a second angle θ2 less than the critical angle θc through a stage controller 14. - 特許庁

臨界角以上の入射角度に対する反射率特性に影響を与えることなく、臨界角未満の入射角度に対する透過率特性を改善した全反射プリズムを提供する。例文帳に追加

To provide a total reflection prism in which transmissivity properties to an incidence angle less than a critical angle are improved without exerting influence on reflectivity properties to an incidence angle equal to or more than a critical angle. - 特許庁

圧電素子制御手段１４は、式θｃ＝０．５１λ√ρから全反射臨界角θｃを求める。例文帳に追加

The control means 14 finds the critical total reflection angle θc from the expression: θc=0.51λ√ρ. - 特許庁