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酸素欠損量の英語
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「酸素欠損量」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
酸素を欠損させたターゲットを使用し、微量に窒素を添加してスパッタリングを行うことにより窒素含有酸化物薄膜を作製する。例文帳に追加
A nitrogen-containing oxide thin film is made by sputtering an oxygen-deficient target in the presence of a small amount of added nitrogen. - 特許庁
強誘電体金属酸化膜132は、複数の金属元素のうちの一の金属元素と酸素元素との化学量論的結合を、一の金属元素と酸素元素との酸素欠損を含む結合よりも多く含む。例文帳に追加
The ferroelectric substance metal oxide film 132 contains more stoichiometric bonds each between one metallic element out of the multiple metallic elements and oxygen element than bonds each including an oxygen defect between one metallic element and oxygen element. - 特許庁
電子部品の再酸化状態を直接的かつ適切に評価でき、再酸化処理に起因する酸素欠損量を定量化できる電子部品の製造方法および評価方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing an electronic component and a method of evaluating the same, directly and appropriately evaluating a re-oxidized state of the electronic component and quantifying an oxygen deficiency amount caused by a re-oxidizing process. - 特許庁
前記無機レジスト層は、少なくともタングステン、モリブデンのいずれかを含むことが好ましく、特に、化学量論組成から酸素が欠損したタングステン若しくはモリブデンの酸化物を含むことが好ましい。例文帳に追加
The inorganic resist layer preferably contains at least tungsten or molybdenum, and especially preferably contains a tungsten oxide or a molybdenum oxide having a composition in which oxygen is lost from a stoichiometric composition. - 特許庁
水素透過性の陽極基材の一方の面上に、プロトン伝導性酸化物層が配置され、該酸化物層の上にさらに酸素イオン欠損量の少ない酸化物からなる介在層が配置されたプロトン伝導体である。例文帳に追加
The proton conductor is formed by placing a proton conductive oxide layer on one surface of a hydrogen permeable cathode substrate, and placing an interposing layer comprising an oxide having a low oxygen ion deficiency on the oxide layer. - 特許庁
酸素欠損量の変動を抑制することによって、品質のばらつきが少なく、歩留まりを向上させることが可能な電子部品の製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing an electronic component for less variations in quality and improved yield by suppressing fluctuation in oxygen deficit quantity. - 特許庁
半導体装置の高集積化と供に、メモリ装置のキパシタで容量値の確保のために、酸素欠損のない高誘電率膜を形成する装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a high-dielectric-constant film free from an oxygen defect so as to highly integrate the semiconductor device and to secure a capacitance value of a capacitor of a memory device. - 特許庁
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「酸素欠損量」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 17件
また、水素化窒化シリコン膜11の上に導電性酸化膜により形成された下部電極12を介して強誘電体膜13を設けることにより、強誘電体容量素子層の酸素濃度を高く保つことができ、強誘電体膜13における酸素欠損の発生を防止できる。例文帳に追加
Also, a ferrorelectric film 13 is provided on the film 11 via a lower electrode 12 formed of a conductive oxide film, thereby enabling to keep oxygen concentration of a ferroelectric capacitance element layer high and the generation of oxygen missing in the film 13 can be prevented. - 特許庁
このような酸素欠損量を有する圧電体薄膜を備えた圧電体素子は、化学量論組成の酸化状態にある酸化物圧電体薄膜の場合に比して大きな圧電性を有し、かつこのような条件で作製することにより成膜速度を大きくできるので量産性を改善することができる。例文帳に追加
The piezoelectric element equipped with a piezoelectric thin film having such an oxygen loss has stronger piezoelectric properties compared to an oxide piezoelectric thin film in an oxidized state of the stoichiometric composition, and the film forming speed can be increased if manufactured under these conditions, therefore, the mass productivity can be improved. - 特許庁
本発明では、プラズマディスプレイパネルの誘電体保護層に酸素欠損部を形成することによって、保護層に捕獲できる電子の量を増大することができ、プラズマディスプレイパネルの放電特性を安定させるためのエージング処理を省く、あるいは大幅に短縮することを可能としている。例文帳に追加
By forming an oxygen lacking part in a dielectric protection layer of the plasma display panel, the quantity of electrons capable of being caught in the protection layer can be increased, the aging process for stabilizing the discharge characteristic of the plasma display panel can be eliminated or remarkably shortened. - 特許庁
透明基板上に透光性の無機レジスト層(化学量論組成から酸素が欠損したW又はMoの酸化物を含むものである)を積層し、該無機レジスト層に露光及び現像を行い、ピット又は案内溝を形成し、次いで、基板及び無機レジストを加熱処理する。例文帳に追加
A light transmissible inorganic resist layer (containing an oxygen defect oxide of W or Mo from a stoichiometric composition) is layered on a transparent substrate, exposure and development are performed to the inorganic resist layer to form pits or guide grooves and then the substrate and the inorganic resist are subjected to heat treatment. - 特許庁
また、Ta_2O_5誘電体膜を不活性雰囲気中で後熱処理することにより、下地の酸化を抑制しながらTa_2O_5誘電体膜中の酸素欠損を修復できるため、キャパシタ容量のヒステリシスと電圧による変化を低減することができる。例文帳に追加
Since an MIM structure capacitor employing a Ta_2O_5 film having a high permittivity can be formed on the Cu-interconnect, a high integration, low cost LSI for mix installment can be realized. - 特許庁
光触媒は、炭素あるいは炭素源とチタンアルコキシド等を乾燥雰囲気下で混合して加水分解させた後、この混合物を400℃以上好ましくは500℃から700℃で焼成してなる炭素含量0.01%から数%の酸素欠損型酸化チタンである。例文帳に追加
The photocatalyst is an oxygen-deficient titanium oxide that is formed by mixing carbon or a carbon source with a titanium alkoxide and the like under a dry atmosphere to perform the hydrolysis and then baking this mixture at ≥400°C, preferably at 500°C-700°C and that has a carbon content of 0.01 percent to several percents. - 特許庁
また本発明の変換システムは、酸素イオン伝導性を有し、かつ可逆的な酸素欠損を有する金属酸化物と、高炉ガス又は転炉ガスから分離した二酸化炭素とを加熱下に接触させ、この二酸化炭素を化学量論反応によって還元して一酸化炭素を生成させ、かつ加熱の熱源として製鉄所から発生した廃熱を利用することを特徴とする。例文帳に追加
The conversion system is also characterized in that the metal oxide having oxygen ion conductivity and reversible oxygen deficiency is brought into contact with carbon dioxide separated from a blast furnace gas or from a converter furnace gas while heating to reduce the carbon dioxide through the stoichiometric reaction, thereby producing carbon monoxide, and that the waste heat produced from the ironworks is utilized as the heat source for the heating. - 特許庁
本発明の変換システムは、酸素イオン伝導性を有し、かつ可逆的な酸素欠損を有する金属酸化物と、高炉ガス又は転炉ガスとを加熱下に直接接触させ、該高炉ガス又は該転炉ガス中の二酸化炭素を化学量論反応によって還元して一酸化炭素を生成させ、かつ加熱の熱源として製鉄所から発生した廃熱を利用することを特徴とする。例文帳に追加
The conversion system is characterized in that a metal oxide having oxygen ion conductivity and reversible oxygen deficiency is directly brought into contact with a blast furnace gas or a converter furnace gas while heating to reduce carbon dioxide in the blast furnace gas or in the converter furnace gas through a stoichiometric reaction, thereby producing carbon monoxide, and that waste heat produced from the ironworks is utilized as a heat source for the heating. - 特許庁
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