magnetized filmとは 意味・読み方・使い方

A 2nd intrasurface magnetized layer comprises an intrasurface magnetized film having its Curie temperature Tc4 near the transition temperature Tp3.例文帳に追加

第２の面内磁化層は、上記遷移温度Ｔｐ３近傍にキュリー温度Ｔｃ４を有する面内磁化膜からなる。 - 特許庁

The magnetic mask layer is a magnetic film which becomes an in-plane magnetized state at room temperature and a perpendicularly magnetized state at a predetermined temperature or higher.例文帳に追加

磁気マスク層は、室温において面内磁化状態であり所定温度以上で垂直磁化状態となる磁性膜である。 - 特許庁

A first magnetic film 111, having magnetized orientation slanted to a vertical direction of the film face in a zero magnetic field and in non-exchange force with another magnetic body, a second magnetic film 112 as a vertically magnetized film, a non-magnetic film 113, and a third magnetic film 114 as a vertically magnetized film, are formed sequentially.例文帳に追加

零磁場中でかつ他の磁性体との交換力が働いていない状態で磁化が膜面垂直方向から傾いた方向に向いている磁性膜である第一の磁性膜111、垂直磁化膜である第二の磁性膜112、非磁性膜113および垂直磁化膜である第三の磁性膜114が順次形成されている。 - 特許庁

A first magnetic layer 1 that is magnetized in a film surface vertical direction, a first non-magnetic layer N1, a second magnetic layer 2 that is magnetized in the film surface vertical direction, a second non-magnetic layer N2, and a third magnetic layer N3 that is magnetized in a film surface vertical direction, are laminated in order.例文帳に追加

膜面垂直方向に磁化した第１磁性層１と、第１非磁性層Ｎ１と、膜面垂直方向に磁化した第２磁性層２と、第２非磁性層Ｎ２と、膜面垂直方向に磁化した第３磁性層Ｎ３とを順に積層する。 - 特許庁

The layer 3 is a perpendiculary magnetized film as a simple substance and is formed to bring into contact with the layer 4.例文帳に追加

再生層３は、単体では垂直磁化膜であり、中間層４に接して形成される。 - 特許庁

As the result, the magnetic layer becomes a ferromagnetic thin film having an easily-magnetized axis in a direction parallel to a surface of a substrate.例文帳に追加

その結果、磁性層は、基板面に平行方向に磁化容易軸を有する強磁性薄膜となる。 - 特許庁

A recording layer 9 makes magnetostatic bonding with the reproducing layer 7 and the reproduction assistance layer 22 and consists of a perpendicularly magnetized film.例文帳に追加

記録層９は、再生層７及び再生補助層２２と静磁結合し、垂直磁化膜からなる。 - 特許庁

Consequently the bulk scattering effect of the 2nd magnetized fixed film 233 which acts so as to cancel a resistance variation generated between the magnetized free layer 25 and the 1st magnetized fixed film 231 can be suppressed, a resistance change rate ΔR/R can be improved and magnetic information which is recorded by higher recording density can be read out.例文帳に追加

これにより、磁化自由層２５と第１の固着膜２３１との間で発生する抵抗変化量を打ち消すように作用する第２の磁化固着膜２３３によるバルク散乱効果が抑制され、抵抗変化率ΔＲ／Ｒが向上し、より高い記録密度で記録された磁気情報の読み出しが可能となる。 - 特許庁