Universidad Nacional Experimental del

Táchira
Departamento de Electrónica

AMPLIFICADORES DE
ALTAS FRECUENCIAS
BANDA ANCHA

Jonathan Valduz Numero 25

 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
BANDA ANCHA

El diseño de amplificadores banda ancha trae consigo nuevas

dificultades,
para resolverlos se necesita experiencia y cuidado.
En principio se debe compensar la transferencia de frecuencia, Por
medio del parámetro S21, Incorporando un sistema de
retroalimentación o de acoplamiento adecuado.
Para el diseño de problemas simples se hace uso de Programas CAD
y CAE (Computer Aided Education).
Se puede determinar un compromiso entre:
• Superficialidad del amplificador, ruido, estabilidad, Impedancia
de entrada y de salida.
Usando uso de procedimientos de optimización adecuados, como:
• Método Monte-Carlo.
• Determinación del Gradiente.
• Optimización evolutiva.
 Comportamiento típico de la dependencia de
frecuencia de los parámetros |S12|, |S21| y |S12S21|
 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS BANDA
ANCHA.
SISTEMAS DE ACOPLAMIENTO COMPENSADOS

Genera para la frecuencia central un determinado grado de

desacoplamiento en la entrada y salida de los transistores.
• Dentro de la función de transferencia correspondiente al sistema
permanece
la amplificación aproximadamente constante dentro de un
determinado
rango de frecuencia.
• La causa de la generación del grado de desacoplamiento es:
• Un incremento de la frecuencia para un buen dimensionamiento
del sistema que significa una disminución del parámetro |S21|,
mejora el acoplamiento.

Esta mejora se aprecia:

• En que una gran parte de la potencia se entrega al¨transistor, y
• Una gran parte de potencia también entrega el transistor a la carga.
• Al contrario el desacoplamiento se incrementa al disminuir la
frecuencia.
La desventaja de un diseño simplificado se presenta en que:
Necesariamente la entrada y la salida del amplificador tendrán un determinado
grado de desacoplamiento. Para superar esta desventaja, se plantean diseños
como el amplificador banda ancha de dos etapas.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
BANDA ANCHA. CON ACOPLAMIENTO NEGATIVO

Es posible lograr un incremento de la

Ganancia de Amplificación, para un
producto Ganancia de amplificación
por ancho de banda constante, si se
hace uso de dos transistores npn como
Amplificador integrado Darlington,
Este circuito consiste en Colectores
interconectados para los dos
transistores que incorpora el sistema
de retroalimentación negativa.

Como efecto se aprecia un incremento

del Coeficiente de Ruido mayor que el
que aparece para un transistor solo,
esto se debe al desacoplamiento leve
interno.
 AMPLIFICADORES DE149 AMPLIFICADORES DE
ALTAS FRECUENCIAS BANDA ANCHA.
BALANCEADO CON LÍNEA ACOPLADORA DE 3dB
BRANCH
ALTAS FRECUENCIAS
DE DOS PUERTOS
Un amplificador balanceado de acuerdo a la figura a continuación es otro método
para ampliar el ancho de banda:
• Donde se conectan en paralelo dos amplificadores tanto del lado de entrada como
de salida, A través de una línea acopladora de Branch de
3dB o acoplador híbrido de 900 Con esto el acoplador de longitud λ/4 de entrada,
divide equitativamente la potencia de entrada entre ambos amplificadores.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE DOS
PUERTOS

Con esta técnica se amplía el proceso clásico de amplificación banda ancha.

Para determinar la Ganancia Independiente del número de etapas n así como
de los parámetros del circuito. Se hace uso del circuito equivalente
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS BANDA
ANCHA. DISTRIBUIDOS DE ONDAS DE PASO.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
UN PUERTO

Dentro de los diseños de Amplificadores de

Microondas, así como se usan sistemas de tres y
cuatro polos activos, sistemas activos de un puerto o
dos polos también encuentran aplicación.

Los sistemas activos de un puerto, muestran una

componente real negativa en la Impedancia de sus
bornes,
Bajo determinadas condiciones de operación.

Se conocen en este grupo de componentes:

• El diodo túnel,
• El diodo IMPATT,
• El elemento Gunn,
• El diodo VARACTOR.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
UN PUERTO

Las condiciones de estabilidad exigen, que se cumpla:

Rn<Rsi+RL, en la práctica se considera como válidas las siguientes relaciones:

Rn≤0,9.(Rsi+RL) y GT≤100(20dB).
Este tipo de amplificador puede operar acoplado, Ya sea en la entrada, para la condición:
Rsi≈RL-Rn, O bien, en la salida, para la condición: RL≈Rsi-Rn.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
UN PUERTO

Usualmente se diseñan amplificadores como sistemas activos de

un puerto, como amplificadores de reflexión.

En estos sistemas se separan unos de otros, con un circulador,

el cual es un elemento de transmisión asimétrico, Generador,
Impedancia de carga, y Resistencia negativa.

De esta forma el sistema amplificador de un puerto, se amplía

convirtiéndose en un sistema amplificador de dos puertos.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
UN PUERTO
La resistencia negativa –Rn, Genera un
Factor de Reflexión con el módulo, |r2|>1,
en el puerto 2 del Circulador. La potencia
entregada al puerto 1 por el generador de
señales, se alimenta, agregando Ganancia
de amplificación, a la resistencia de
carga RL a través del puerto 3. En el
puerto 4 se cierra el circulador, conectando
una resistencia libre de reflexión Zo. Esto
se hace para evitar los efectos de una
retroalimentación del puerto 3 hacia el
puerto 1.

Representación básica de un amplificador

de reflexión.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL
Los diodos túnel están formados por
uniones pn de semiconductores
tipo p o n altamente dopados, entre
1019-1020 átomos/cm3.

El punto de trabajo A se ubica

según la curva característica
siguiente, en la región de caída de
la curva.

UH: Tensión de protuberancia

UT: Tensión de depresión

1: Efecto túnel directo

2: Efecto túnel indirecto. A través de niveles de Trap.
3: Curva característica de flujo de Shockley.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL

Circuito equivalente de pequeña señal de un Diodo Túnel

En un amplio rango de operación en la región de las microondas, la

resistencia negativa dinámica –Rn con Rn>0, es independiente de la
frecuencia.

La respuesta de operación queda limitada para las altas frecuencias por:

• La Capacidad de bloqueo superficial Cj,
• La Resistencia de trayectoria RB.
• LS representa la inductividad de conductividad Interna.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL

Circuito básico de un amplificador de diodo

túnel en circuitos series.

Circuito equivalente de
pequeña señal del amplificador
de diodo túnel
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL

Circuito equivalente de pequeña señal del amplificador de diodo túnel con circulador
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL
 AMPLIFICADORES DE REFLEXIÓN CON
ELEMENTO GUNN Y DIODO DE AVALANCHA

Con el diodo IMPATT: Impact Avalanche Transit Time.

Con diodos TRAPATT: Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit.
Se pueden alcanzar altas potencias de salida, en modo de operación de
pulsos, como la que se necesita en aplicaciones de RADAR.

Amplificador de reflexión con Diodo TRAPATT.

 AMPLIFICADORES DE REFLEXIÓN CON
ELEMENTO GUNN Y DIODO DE AVALANCHA

b) Configuración de un sistema de transformación con líneas de transformación en

serie.
c) Configuración de un sistema de transformación con acopladores con λ/4 en técnica
Microstrip.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
PARAMÉTRICO DE REACTANCIA

El amplificador paramétrico se usa como amplificador de bajo ruido,

debido a que básicamente es un elemento reactivo, no genera Ruido
Térmico.

Se usa junto a ferritas en la generación de efectos no lineales.

También encuentra aplicación con diodos VARACTO capacitivos. la mas

importante aplicación se encuentra como Amplificador de muy alta
sensibilidad en la región superior de las ondas ultra cortas y de
microondas.

Son altamente utilizados para:

•En equipos de radar,
•En la radio astronomía en las mediciones de las radiaciones
interestelares.
•Actualmente el desarrollo de transistores semiconductores modernos a
desplazado totalmente la aplicación de los amplificadores paramétricos de
microondas,
• Los bajos coeficientes de ruido que se alcanzan con los amplificadores
paramétricos para,
• Frecuencias de bombeo muy altas, y
• Frecuencias y amplitudes críticas de ajuste, exactas
• Muchas veces con uso de disipadores de calor.
• Se pueden realizar hoy con FETs.
• Los amplificadores paramétricos se usan hoy en la región de los THz y en la
tecnología óptica.
• El proceso mecánico descrito anteriormente es lineal,
• Sin embargo, los procesos en reactancias variables reales son no lineales,
• Por ejemplo un diodo capacitivo presenta una capacidad no lineal,
• Por lo tanto tiene una relación no lineal entre tensión y carga,
• Este efecto no lineal asegura que se pueda bombear energía para frecuencias mas
altas como fp=2fs,
• Un análisis más preciso muestra,
• Que para fp más elevadas, se mejora la respuesta de ruido.
• Se utilizan osciladores de bombeo hasta fp=9fs.
Aprovechando la característica de amplificación,
• Se obtiene el Amplificador Directo,
• En el cuál la frecuencia de entrada y de salida son iguales.
• Si además la frecuencia de bombeo es exáctamente 2fs,
• Se denomina Amplificador degenerado.
• La característica no lineal del componente reactivo de un amplificador
paramétrico,
• Se puede usar como Mezclador de bajo ruido,
• Con un circuito externo y elección adecuada de la frecuencia de bombeo.