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    Lección 6 Transistores Fet y Mosfet

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    El documento describe los transistores FET y MOSFET, incluyendo sus configuraciones de polarización y ecuaciones. Explica que el FET controla la corriente de drenaje ID variando el voltaje de compuerta VGS, mientras que el MOSFET funciona de manera similar pero usando voltaje positivo. También incluye tablas con las configuraciones de polarización y fórmulas para la impedancia de entrada Zp, impedancia de salida Zo y ganancia Av de diferentes circuitos con FET.

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    Lección 6 Transistores Fet y Mosfet

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    El documento describe los transistores FET y MOSFET, incluyendo sus configuraciones de polarización y ecuaciones. Explica que el FET controla la corriente de drenaje ID variando el voltaje de compuerta VGS, mientras que el MOSFET funciona de manera similar pero usando voltaje positivo. También incluye tablas con las configuraciones de polarización y fórmulas para la impedancia de entrada Zp, impedancia de salida Zo y ganancia Av de diferentes circuitos con FET.

    Título original

    LECCIÓN 6 TRANSISTORES FET Y MOSFET

    Derechos de autor

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    El documento describe los transistores FET y MOSFET, incluyendo sus configuraciones de polarización y ecuaciones. Explica que el FET controla la corriente de drenaje ID variando el voltaje de compuerta VGS, mientras que el MOSFET funciona de manera similar pero usando voltaje positivo. También incluye tablas con las configuraciones de polarización y fórmulas para la impedancia de entrada Zp, impedancia de salida Zo y ganancia Av de diferentes circuitos con FET.

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    LECCIN 6 TRANSISTORES FET Y MOSFET

    TRANSISTOR FET FET (Field Efect Transistor): transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta). Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente IDdisminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS. En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley: ID = IDSS (1 - (VGS/VP)) IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3donde el punto de trabajo se da por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del circuito. Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0. En la Tabla No. 4 se especifican las frmulas de Zi, Zo y Av para cada uno de los circuitos amplificadores.

    TABLA No. 3 Configuraciones polarizacin de FET

    TIPO

    CONFIGURACIN

    ECUACIONES PERTINENTES

    SOLUCIN GRFICA

    JFET Con polarizacin fija

    VGSQ = - VGG VDS = VDD - IDRS

    JFET Con autopolarizacin

    VGSQ = - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

    JFET Con polarizacin mediante divisor de voltaje

    VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

    Compuerta comn JFET

    VGSQ = Vss - IDRS VDS =VDD+Vss-ID(RD+ RS)

    JFET (VGSQ = 0 V)

    VGSQ = 0 V IDQ = Iss

    VGSQ = -IDRS JFET (RD = 0 ) VD = VDD VS = IDRS VDS =VDD - IDRS

    MOSFET De tipo decremental (todas las configuraciones arriba de los casos positivos donde = + voltaje) polarizacin Fija

    VGSQ = + VGG VDS = VDD - IDRS

    MOSFET de tipo decremental polarizacin mediante divisor de voltaje

    VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - ISRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

    MOSFET de tipo incremental configuracin por retroalimentacin

    VGSQ = VDS VDS = VDD - IDRS

    MOSFET de tipo incremental Polarizacin mediante divisor de voltaje

    VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG - IDRS

    TABLA No. 4: Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET

    CONFIGURACIN

    Zp

    Zo Media (2 K)

    Av = Vo/Vi Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

    Alta (10 M) = RG

    =RD || rd RD (rd 10RD)

    Alta (10 M) = RG

    Media (2 K) =RD || rd RD (rd 10RD)

    Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

    Alta (10 M) = RG

    Media (2 ) = RD/(1 + gmRs + (RD+Rs)/rd) RD/(1 + gmRs) (rd 10(RD+Rs ))

    Media (-2) = - gmRs/(1 + gmRs + (RD+Rs)/rd) - gmRs/(1 + gmRs) (rd 10(RD+Rs ))

    Alta (10 M) = R1 || R2

    Media (2 K) =RD || rd RD (rd 10RD)

    Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

    Alta (10 M) = RG

    Baja (100 k) = rd || RS || 1/gm RS || 1/gm (rd 10RS)

    Baja (<1) = gm(rd || RS)/(1 + gm(rd || RS)) gmRS/(1 + gmRS) (rd 10RS)

    Baja (1 k)

    Media (2 K) = RD || rd RD

    Media (+10)

    = (gmRD + (RD/rd))/(1+ (RD/rd)) gmRD (rd 10RD)

    RS || 1/gm (rd 10RD)

    (rd 10RD)

    Media (1 k) = (RF + rd || RD)/(1+gm(rd | | RD))

    Media (2 K) = RF || rd || RD RD

    Media (-10) = - gm (RF || rd || RD)

    RF/(1+gmRD) (R r 10R ) F d D

    - gmRD (RF rd 10RD)

    Media (1 M) = R1 || R2

    Media (2 K) =RD || rd RD (rd 10RD)

    Media (-10) = -gm (rd || RD) -gm RD (rd 10RD)

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