TIPOS DE MEMORIA USADAS PARA SISTEMAS INFORMTICOS Ms. Ing. Jairo E. Mrquez D.

Este documento es una recopilacin y adaptacin de informacin segn normas GPL, donde se citan las fuentes de consulta para efectos de verificacin y reconocimiento de las mismas. DRAM [1] DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinmica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad.

Fig. DRAM La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construccin de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un

transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador. Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las lneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las lneas verticales conectadas a los canales de los FET son las columnas. Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se envan por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la direccin de la fila y despus la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingls Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la direccin. Los pasos principales para una lectura son: Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lgico. Esto es posible ya que las lneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor ms alto que la de los condensadores en las celdas. Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la direccin y la seal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexin elctrica entre las lneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance

de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeo, ya que la lnea de columna es un condensador ms grande que el de la celda. El cambio es medido y amplificado por una seccin que contiene circuitos de realimentacin positiva: si el valor a medir es menor que la mitad del voltaje de 1 lgico, la salida ser un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo. La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la direccin, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la seal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva. La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada a un valor indicado por la lnea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una lnea gruesa en el grfico. A-RAM A-RAM (Advanced-Random Access Memory) es un tipo de memoria DRAM basada en celdas de un solo transistor. Esta tecnologa ha sido inventada en la Universidad de Granada (Espaa) en colaboracin con el Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS (Francia). La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias DRAM convencionales, no necesita de ningn elemento extrnseco de almacenamiento de la informacin (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseado. A medida que la tecnologa de circuitos semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [2], es de esperar que la tecnologa convencional de almacenamiento no-voltil DRAM encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los transistores de silicio-sobre-aislante (Silicon-on-insulator). Estas memorias conocidas como memorias de un solo transistor (1T-DRAM) incluyen a las tecnologas A-RAM, TT-RAM y Z-RAM [3].

DDR SDRAM [4] En informtica, DDR (del ingls double data rate, en espaol doble tasa de transferencia de datos) es una tecnologa que permite a ciertos mdulos de memoria RAM compuestos por memorias sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de transferir simultneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).

Fig. Mdulo de memoria DDR. Fueron primero adoptadas de sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permiti competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un front-side bus de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz. Se utiliza la nomenclatura PC-XXXX, dnde se indica el ancho de banda del mdulo y pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de clculo para PC1600: 100 MHz x 2 datos por ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes por segundo

Fig. Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para estaciones de trabajo. Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos: Single memory channel: todos los mdulos de memoria intercambian informacin con el bus a travs de un solo canal, para ello slo es necesario introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots. Dual memory channel: se reparten los mdulos de memoria entre los dos bancos de ranuras diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.

Fig. Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para computadoras porttiles. SIPP: Es el acrnimo ingls de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Lnea Simple) y consiste en un circuito impreso (tambin llamado mdulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposicin de pines correlativa (de ah su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexin de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por mdulo. Se us en sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las SIMM, ms fciles de instalar y que proporcionan 8 o 32 bits por mdulo (segn si son de 30 o de 72 contactos).

SIMM: (siglas de Single In-line Memory Module), Es un formato para mdulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se inserta en zcalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras estn interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el nmero JESD-21C. fig. SIMM de 30 pines y 72 pines (tercera y cuarta desde arriba). Su gran ventaja es que elimina casi la mitad de la placa madre, convierte los conectores en independientes del formato de chip de memoria utilizado, y aporta ms seguridad a la hora del mantenimiento y las ampliaciones. Vienen adems nominados en Bytes en lugar de en bits como los chips de memoria. Las primeras placas requieren insertarlos a presin, pero al poco se generaliza el formato actual de insercin por giro. El factor de forma de memoria RAM utilizado en PC es una presentacin de los mdulos de memoria que fue utilizado en los sistemas cuyos buses de datos eran de 32 bits o menos. A partir del uso de buses de 64 bits

han sido reemplazados por los DIMM, que son el nuevo factor de forma estndar para los mdulos de memoria usados en ordenadores personales, en los que la capacidad de almacenamiento ya se mide en gigabytes. Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit para chequeo, o control, de paridadad, en 9 chips de memoria RAM dinmica) como memoria de ocho bits sin paridad. DIMM: [5] (sigla en ingls de dual in-line memory module, traducido como mdulo de memoria en lnea doble) son mdulos de memoria RAM utilizados en las comnputadoras personales. Se trata de un pequeo circuito impreso que contiene circuitos integrados de memoria, y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado estn unidos con los del otro. Los mdulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium tomaron dominio del mercado. Un DIMM puede comunicarse con la cach a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los 32 bits de los SIMM. El hecho de que los mdulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qu no necesitan emparejamiento. Los mdulos DIMM poseen circuitos de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Adems de ser de mayores dimensiones que los mdulos SIMM (130x25 mm), estos mdulos poseen una segunda muesca que evita confusiones. Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su insercin, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector. Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeo), diseados para computadoras porttiles. Los mdulos SO DIMM slo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits. Especificacin de los mdulos DIMM DIMM de 168 contactos, SDR SDRAM (tipos: PC66, PC100, PC133...). DIMM de 184 contactos, DDR SDRAM (tipos: PC1600 (DDR-200), PC2100 (DDR-266), PC2400 (DDR-300), PC2700 (DDR-333), PC3000 (DDR-366), PC3200 (DDR-400), PC3500 (DDR-433), PC3700 (DDR-466), PC4000

(DDR-500), PC4300 (DDR-533), PC4800 (DDR-600); hasta 1 GiB por mdulo). DIMM de 240 contactos, DDR2 SDRAM (tipos: PC2-3200 (DDR2-400), PC2-3700 (DDR2-466), PC2-4200 (DDR2-533), PC2-4800 (DDR2-600), PC2-5300 (DDR2-667), PC2-6400 (DDR2-800), PC2-8000 (DDR2-1000), PC2-8500 (DDR2-1066), PC2-9200 (DDR2-1150) y PC2-9600 (DDR21200); hasta 4 GiB por mdulo). DIMM de 240 contactos, DDR3 SDRAM (tipos: PC3-6400 (DDR3-800), PC3-8500 (DDR3-1066), PC3-10.600 (DDR3-1333), PC3-13.300 (DDR31666), PC3-14.400 (DDR3-1800), PC3-16.000 (DDR3-2000); hasta 4 GiB por mdulo).

Fig. Mdulos de memoria en formato DIMM (dos mdulos SDRAM PC133). Correccin de errores Los ECC DIMM son aquellos que tienen un mayor nmero de bits de datos, los cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizs el ms comn es el Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa

un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los mdulos ECC estn formados normalmente por mltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo ms usual. Organizacin La mayora de mdulos DIMM se construyen usando "x4" (de 4) los chips de memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits. En el caso de los DIMM x4, la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que necesita. En este caso, el mdulo de doble cara es nico en la clasificacin. Para los DIMM x8, cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador de memoria slo se refiere a un lado a la vez (el mdulo de dos caras es de doble clasificacin). Filas de los mdulos Las filas no pueden ser accedidas simultneamente como si compartieran el mismo camino de datos. El diseo fsico de los chips [DRAM] en un mdulo DIMM no hace referencia necesariamente al nmero de filas. Las DIMM frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado", refirindose a la ubicacin de los chips de memoria que estn en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos trminos pueden causar confusin ya que no se refieren necesariamente a cmo estn organizados lgicamente los chips DIMM o a qu formas hay de acceder a ellos. Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de entrada/salida, solo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o recibir una escritura en los 64 bits. En la mayora de sistemas electrnicos, los controladores de memoria son diseados para acceder a todo el bus de datos del mdulo de memoria. En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Slo una de las filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de los DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM. Las filas son accedidas mediante seales chip select (CS). Por lo tanto para un mdulo de dos filas, las dos DRAM con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una seal CS por DRAM.

RIMM: [6] acrnimo de Rambus Inline Memory Module(Mdulo de Memoria en Lnea Rambus), designa a los mdulos de memoria RAM que utilizan una tecnologa denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los aos 1990 con el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos aos. Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metlica que recubre los chips del mdulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y estn disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tena un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un mdulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.

Fig. Mdulo de memoria Rambus. Inicialmente los mdulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura mdulos RIMM si no que tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el principal fabricante de stos. A pesar de tener la tecnologa RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la tecnologa SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnologa no tuvo gran aceptacin en el mercado de PC. Su momento lgido tuvo lugar durante el periodo de introduccin del Pentium 4 para el cual se disearon las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos ms econmicos decidi lanzar placas base con soporte para SDRAM y ms adelante para DDR RAM desplazando esta ltima tecnologa a los mdulos RIMM del mercado que ya no ofrecan ninguna ventaja. DDR2: [7] es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.

Fig. Un mdulo DDR2 de 1 GB con disipador Los mdulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla fuera del mdulo de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de memoria. Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fcil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los mdulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la informacin. Caractersticas Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.

Terminacin de seal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminacin integrada" u ODT) para evitar errores de transmisin de seal reflejada. Estndares Mdulos Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMM con 240 pines y una localizacin con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su mxima capacidad de transferencia, llamado ancho de banda.

Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica el ancho de banda terico (aunque suele estar redondeado). El ancho de banda se calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2 (como la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y por ltimo por 2 (doble tasa de transferencia), esto se empez a usar para mostrar la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran ms rpidas en sus ciclos de reloj operacin, pero solo eran de 16 bits Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de PC2-5300. Al menos un fabricante ha reportado que esto refleja pruebas satisfactorias a una velocidad ms rpida que la normal. La variante GDDR2 El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnologa GDDR2 fue la tarjeta grfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas grficas (llamada oficialmente GDDR2) no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantsimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI Technologies (ahora AMD) posteriormente ha desarrollado an ms el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es ms parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque con varios aadidos especficos para tarjetas grficas.

Tras la introduccin de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950 volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450 MHz (en comparacin con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800 Ultra). La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versin de 128 MiB) usaba tambin GDDR2, porque esta memoria necesita menos pines que la DDR. La memoria de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB slo va 20 MHz ms rpida que la versin de 128 MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento causado por su mayor latencia y su mayor nmero de chips. La siguiente tarjeta, la Radeon 9800 XT, volvi a usar DDR, y posteriormente ATI comenz a utilizar GDDR3 en su lnea de tarjetas Radeon X800 hasta la mayora de la serie Radeon HD 4000. Actualmente, las tarjetas de nueva generacin usan el formato GDDR5; por parte de ATi, las tarjetas de alto rendimiento, algunas series HD4000 (solo la hd4870, hd4890 y la hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y HD6000, utilizan GDDR5. Por parte de Nvidia, las tarjeta grficas de gama alta de las series 400 y 500. Integracin DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266 MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor rendimiento que sus equivalentes en DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta dos veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a velocidades por encima de los 266 MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600, pero la JEDEC ha afirmado que no se estandarizarn. Estos mdulos son, principalmente, optimizaciones de los fabricantes, que utilizan mucha ms energa que los mdulos con un reloj ms lento, y que no ofrecen un mayor rendimiento. Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2 en procesadores de la plataforma AM2 introducidos en el 2006. Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de SDR 168. DDR3: [8] es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM. El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos ms rpido,y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus ms altas que las versiones DDR2 anteriores.

Sin embargo, no hay una reduccin en la latencia, la cual es proporcionalmente ms alta. Adems la DDR3 permite usar integrados de 512 MiB a 8 GiB, siendo posible fabricar mdulos de hasta 16 GiB. Tambin proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminucin global de consumo elctrico.

Se prev que la tecnologa DDR3 puede ser dos veces ms rpida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcin para la combinacin de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 ncleos por microprocesador). Las tensiones ms bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solucin trmica y energtica ms eficientes. Estos son los estndares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:

GDDR3: La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnologa completamente distinta, ha sido usada durante varios aos en tarjetas grficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada

como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3". DDR4 SDRAM: [9] es una abreviatura de double data rate type four synchronous dynamic random-access memory es un tipo de memoria de acceso aleatorio (Memoria RAM) de la familia de las DRAM usadas ya desde principios de 1970 y sucesora de la DDR3 SDRAM, no es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz fsica y otros factores, Tienen un gran ancho de banda en comparacin con sus versiones anteriores y an estn en fase de desarrollo, se espera su lanzamiento sobre el ao 2012.

Sus principales ventajas en comparacin con DDR2 y DDR3 son una tasa ms alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparacin con DDR3 de 800M a 2.133MT/s. La tensin es tambin menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR33) DDR4 tambin apunta un cambio en la topologa descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria est conectado a un mdulo nico. VRAM [10] Memoria grfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador grfico para poder manejar toda la informacin visual que le manda la CPU del sistema. La principal caracterstica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultnea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe informacin en ella,

mientras se leen los datos que sern visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razn tambin se clasifica como Dual-Ported.

En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba as a la memoria slo accesible directamente por el procesador grfico, debiendo la CPU cargar los datos a travs de l. Poda darse el caso de equipos con ms memoria VRAM que RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KiB de RAM y 128 KiB de VRAM). Tipos SAM (serial access memory): el mdulo SAM (usualmente en la forma de un registro linear) no es cambiado por los clculos y contiene los datos que van a ser utilizados por el RAMDAC. Esto lo convierte en memoria secuencial, que al contrario de la RAM de datos slo puede ser evaluada sucesivamente (de un modo similar a una casete). La SAM puede seleccionarse mucho ms rpidamente que la RAM, pues en principio no necesita clculos de direccionamiento. WRAM (Window RAM): es un tipo de VRAM equipada con lneas separadas de lectura y escritura, que ofrece sin embargo tiempos rpidos de acceso y es barata de producir. Por ejemplo, las tarjetas grficas Matrox MGA Millennium y la Number Nine Revlution 3D "Ticket to Ride" usan WRAM. SGRAM (Synchronous Graphics RAM): es una tecnologa relacionada con la SDRAM single-ported. Accesos simultneos de lectura y escritura no son posibles. Ofrece extensas funciones grficas (por ejemplo lecturas y escrituras bloque a bloque) y altas frecuencias de reloj.

MDRAM (Multi-bank DRAM): est desarrollado como bancos de memoria independientes, que estn conectados a un bus comn. Con esa estructura es posible un alto grado de paralelismo. La tarjeta grfica Hrcules Dynamite 128 (GPU: TSENG ET6000) tiene 4 MB MDRAM. CDRAM (Cache DRAM): es una mezcla de memoria esttica (SRAM) y memoria dinmica (DRAM). Similar a la cach de los modernos procesadores, en la CDRAM los datos frecuentemente usados se almacenan en la rpida SRAM, lo que incrementa el rendimiento. 3D RAM: es un desarrollo de Mitsubishi consistente en mdulos de memoria que adems integran una Unidad aritmtico lgica. Esto permite que algunas operaciones grficas (por ejemplo test de Z-Buffer) puedan ejecutarse directamente en la memoria grfica. Se puede encontrar este tipo de memoria en los UltraSparc de Sun Microsystems. GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM): es una memoria grfica basada en DDR SDRAM, que se caracteriza por sus tiempos optimizados de acceso y las altas frecuencias de reloj, es el tipo ms comn de memoria grfica a da de hoy. RAM extendida: En la actualidad, es frecuente ver equipos PC con la tarjeta grfica incorporada en placa base o en el propio procesador, que en lugar de disponer de un banco propio de memoria, se les asigna parte de los bancos de memoria de la RAM de procesador. Suelen ser equipos orientados a tareas ofimticas o servidores, donde la rapidez de los grficos no es algo crucial, como en las estaciones CAD o los equipos para videojuegos. No obstante, pueden presentar velocidades mayores que las de la anterior generacin de tarjetas grficas. RAMDAC [11] Un Random Access Memory Digital-to-Analog Converter (RAMDAC o convertidor digital-analgico de RAM) es el encargado de transformar las seales digitales con las que trabaja el ordenador en una salida analgica que pueda ser interpretada por el monitor. Est compuesto de tres DACs rpidos con una pequea SRAM usada en adaptadores grficos para almacenar la paleta de colores y generar una seal analgica (generalmente una amplitud de voltaje) para posteriormente mostrarla en un monitor a color. El nmero de color lgico de la memoria de pantalla es puesto en las direcciones de entrada de la SRAM para seleccionar un valor de la paleta que aparece en la salida de la SRAM. Este valor se descompone en tres valores separados que corresponden a los tres componentes (rojo, verde,

y azul) del color fsico deseado. Cada componente del valor alimenta a un DAC separado, cuya salida analgica va al monitor, y en ltima instancia a uno de sus tres caones de electrones (o sus equivalentes en las pantallas sin tubo de rayos catdicos).

La longitud de una palabra en el DAC oscila generalmente en un rango de 6 a 10 bits. La longitud de la palabra de la SRAM es tres veces el de la palabra del DAC. La SRAM acta como una tabla de bsqueda de color (Color LookUp Table o CLUT en ingls). Tiene generalmente 256 entradas (lo que nos da una direccin de 8 bits). Si la palabra del DAC es tambin de 8 bits, tenemos 256 x 24 bits de la SRAM lo que nos permite seleccionar entre 256 a 16777216 colores posibles para la pantalla. El contenido de la SRAM puede cambiar mientras que la pantalla no est activa (durante los tiempos de blanqueo de la pantalla). La SRAM puede usualmente ser puenteada y cargar los DACs directamente con los datos de pantalla, para los modos de color verdadero. De hecho ste es el modo habitual de operar del RAMDAC desde mediados de los 90, por lo que la paleta programable se conserva como una prestacin heredada para asegurar la compatibilidad con el viejo software. En la mayora de tarjetas grficas modernas, puede programarse el RAMDAC con altas frecuencias de reloj en modos de color verdadero, durante los cuales no se usa la SRAM. En los modernos PC, los RAMDAC VGA estn integrados en el chip de vdeo, que a su vez puede ir montado en tarjetas de ampliacin o directamente en la placa madre del PC, como chip independiente o formando parte del chipset de la placa (como ocurre con numerosos chipsets de Intel o NVIDIA), incluso de la propia CPU (un chip de Cyrix). El propsito original del RAMDAC, proporcionar unos modos grficos basados en CLUT, se utiliza raramente hoy en da, habiendo sido sustituido por los modos true color. A medida que ganan popularidad y

prestaciones las pantallas TFT, LCD y otras tecnologas de pantallas digitales, ms obsoleta se vuelve la parte DAC de los RAMDAC. SRAM [12] Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).

Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la ltima posicin de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit.1 2 3 Esto es utilizado para implementar ms de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video.

Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms celdas en una misma oblea de silicio. Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores4 5 o uno solo se estara hablando de memoria DRAM, no SRAM. El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los mrgenes de ruido. A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha seal, mientras que la estructura simtrica permite detectar pequeas variaciones de voltaje con mayor precisin. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de direccin al mismo tiempo. El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de datos es 2m palabras, o 2m n bits. Modos de operacin de una SRAM Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria. Reposo: Si bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 M4 mantendrn los datos almacenados, en tanto dure la alimentacin elctrica. Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego activa WL y los transistores de control. A continuacin, los valores almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a travs de M1 y M5 al 0 lgico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.

Escritura: El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.

Aplicaciones y usos La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales. Frecuencia de reloj y potencia: El consumo elctrico de una SRAM vara dependiendo de la frencuencia con la cual se accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a DRAM cuando es usada en alta frecuencia, y algunos circuitos integrados pueden consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por otra parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante menor, del orden de micro-vatios. Usos de las SRAM Como producto de propsito general:

Con interfaces asncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip. Con interfaces sncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que requieran transferencias rpidas, de hasta 18Mbit por chip. Integrados en chip: Como memoria RAM o de cache en micro-controladores. Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia x86. Para almacenar los registros de microprocesadores. En circuitos integrados. En FPGAs y CPLDs.

Usos integrados en productos Las SRAM se utilizan en sistemas cientficos e industriales, electrnica del automvil, y similares. Tambin se pueden encontrar en prcticamente todos los productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrnica de usuario. Tambin se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales, estaciones de trabajo, routers y la gran mayora de perifricos. Uso de aficionados Los aficionados a la electrnica prefieren las memorias SRAM debido a su sencilla interfaz, ya que es mucho ms fcil trabajar con SRAM que con DRAM, al no existir ciclos de refresco, y poder acceder directamente a los buses de direccin y de datos en lugar de tener que utilizar multiplexores. Adems, las SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM sncronas, se tiene adems la seal de reloj (CLK) Tipos de SRAM SRAM no voltiles: Las memorias SRAM no voltiles (NVRAM) presentan el funcionamiento tpico de las RAM, pero con la caracterstica distintiva de que los datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la alimentacin elctrica. Se utilizan en situaciones donde se

requiere conservar la informacin almacenada sin necesidad de alimentacin alguna, normalmente donde se desea evitar el uso de bateras (o bien no es posible). SRAM asncrona: Las SRAM asncronas estn disponibles en tamaos desde 4Kb hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de comunicaciones, como switches, routers, telfonos IP, tarjetas DSLAM, y en electrnica de automocin. Por tipo de transistor: Transistor Bipolar de Unin o BJT (de tipo TTL o ECL) muy rpidos, pero con un consumo muy alto. MOSFET (de tipo CMOS) consumo reducido, los ms utilizados actualmente. Por funcin: Asncronas independientes de la frecuencia de reloj. Sncronas todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema. Memoria FRAM [13] La memoria FRAM (RAM Ferroelctrica) es una memoria de estado slido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un funcionamiento ms parecido a las antiguas memorias de ferrita. Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscpico condensador, contiene dentro molculas que preservan la informacin por medio de un efecto ferroelctrico. Caractersticas Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para trabajar como memoria principal con la mayora de los microprocesadores. Lectura destructiva: como todas las memorias ferroelctricas, la lectura es destructiva. Esto no representa un problema, ya que el chip se encarga de reescribir los datos luego de una lectura. No voltiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la alimentacin para la retencin de datos.

Encapsulados: se consiguen hoy en da tanto en variedades para trabajo en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como memoria de apoyo). Memoria de solo lectura [14] La memoria de slo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite slo la lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos. En su sentido ms estricto, se refiere slo a mscara ROM -en ingls, MROM- (el ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, aun siendo descritos como "memoria de slo lectura" (ROM). La razn de que se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual las antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007. Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versin de mscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se ha utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas para la evaluacin de funciones matemticas y lgicas. Esto era especialmente eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y la ROM era barata en comparacin con la RAM. De hecho, una razn de que todava se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya que los discos siguen siendo ms lentos. Y lo que es an ms importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la

BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM. No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propsito general, mientras que la memoria Flash ha ido ocupando este puesto. Velocidad Velocidad de lectura: Aunque la relacin relativa entre las velocidades de las memorias RAM y ROM ha ido variando con el tiempo, desde el ao 2007 la RAM es ms rpida para la lectura que la mayora de las ROM, razn por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM, desde donde es leda cuando se utiliza. Velocidad de escritura: Para los tipos de ROM que puedan ser modificados elctricamente, la velocidad de escritura siempre es mucho ms lenta que la velocidad de lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto, movimiento de jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos especiales de desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la ms alta velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM reprogramable, escribiendo grandes bloques de celdas de memoria simultneamente, y llegando a 15 MB/s. La RAM Tiene una capacidad Mxima de 128 MB UCV.

Memoria flash [15] Esta memoria es derivada de la memoria EEPROM, y permite la lecto-escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive. En el ao 2011, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y por completo silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado.

Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado.

Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND. Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extrable.

Otra caracterstica ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C. Las aplicaciones ms habituales son: El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio. Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos. Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware. Funcionalidades Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin. Memoria flash de tipo NOR: En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se

detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. Memorias flash de tipo NAND: Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados. La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND.

El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo. Tarjetero flash Un tarjetero flash es un perifrico que lee o escribe en memoria flash. Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen leer varios tipos de tarjetas. Sistemas de archivos para memorias flash Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de

NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido. Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques errneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben manejar unos y otros sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le quiera dar al sistema. Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS (Yet Another Flash File System), ExFAT es la opcin de Microsoft. Antecedentes de la memoria flash Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura. Memorias de slo lectura. ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Memorias de sobre todo lectura. EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es

completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. Memorias de Lectura/Escritura (RAM) DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras. El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en coste. En apariencia, esto no pareca muy factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturizacin y densidad de las memorias flash estaba todava lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista fsico. Pero con la aparicin del MEMRISTOR el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. El desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de memoria sorprendentemente rpido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estndares de comunicacin de estas memorias, de especial forma en la comunicacin con los PC son notablemente inferiores, lo que puede retrasar los avances conseguidos. La apuesta de gigantes de la informtica de consumo como AMD y Fujitsu en formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como Spansion en julio de 2003 auguran fuertes inversiones en investigacin, desarrollo e innovacin en un mercado que en 2005 sigue creciendo y que ya registr en 2004 un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dlares (despus de haber superado la burbuja tecnolgica del llamado boom punto com) segn el analista de la industria Gartner, que avala todas estas ideas.

Fig. Memristor flexible

Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, est dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una tcnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologas reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se estn invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. Sin embargo, la memoria flash se seguir especializando fuertemente, aprovechando las caractersticas de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeo dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo rfaga segn la compaa con un costo energtico nfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente asequible. Slo quedara reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles.

Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefona mvil o un sistema mdico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVD porttiles. La reduccin del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos sern los problemas que sufren hoy en da los procesadores por su miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (Concurrent Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. La integracin con sistemas inalmbricos permitir unas condiciones propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la Agencia Espacial Brasilea, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit (rover de la NASA, gemelo de Opportunity), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como bien se puede recordar. Esto slo es el principio. Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PC, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc., en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. En la actualidad TDK est fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2,5 pulgadas, similares a los discos duros de los porttiles con una velocidad de 33,3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb.

La expansin de la memoria flash es infinita. A finales del 2009 Kingston lanz una memoria flash (DATATRAVELER 300) de una capacidad de 256 Gb la cual podra almacenar 51000 imgenes, 54 DVD o 365 CD. Apple present el 20 de octubre del 2010 una nueva versin de la computadora porttil MacBook Air en el evento denominado De vuelta al Mac (Back to the Mac), en su sede general de Cupertino, en California (Estados Unidos). Una de las caractersticas ms resaltantes de este nuevo equipo es que no tiene disco duro, sino una memoria flash, lo que la hace una mquina ms rpida y ligera. Segn David Cuen, un especialista consultado por la BBC Mundo, la memoria flash es una apuesta interesante pero arriesgada. La pregunta es: est el mercado preparado para deshacerse de los discos duros? Apple parece pensar que s.

MEMORIA HOLOGRFICA [16] Antes de hablar de la memoria holografa, toca hablar del holograma, que es bsicamente una tcnica ptica, que consiste en registrar la imagen de un objeto mediante la interseccin de dos haces de rayo lser, que se aplican sobre el objeto, de forma ortogonal hasta cubrir sus dimensiones tridimensionales. Las interferencias producidas se plasman de manera redundante sobre la superficie y en el interior de un soporte o volumen (generalmente fotopolmeros o cristal). 1

La memoria hologrfica o almacenamiento de datos hologrficos es una nueva y potente tecnologa dentro del rea del almacenamiento de datos de gran capacidad actualmente dominada por el convencional almacenamiento de datos
1

NA.

pticos y magnticos, estos dispositivos se basan en bits individuales que son almacenados magnticamente o a travs de cambios pticos en la superficie del soporte de grabacin. La memoria hologrfica supera estas limitaciones grabando la informacin a lo largo de todo el soporte y es capaz de almacenar mltiples imgenes en la misma zona usando luz y ngulos diferentes. Adicionalmente, mientras que los soportes que almacenan datos pticos y magnticos graban un bit de informacin en una vez de forma lineal, los hologrficos son capaces de grabar y leer millones de bits en paralelo, que permiten tasas de transferencia de datos superiores a los alcanzados a travs de medios pticos de almacenamiento.

Fig. El almacenamiento de datos en tres dimensiones podr guardar informacin en un espacio ms pequeo, y ofrecer tiempos de transmisin de datos mucho ms rpidos. Veremos a continuacin cmo ser la memoria hologrfica en los prximos aos y lo que costar crear una versin para ordenador de este sistema de almacenamiento de alta densidad. Figura tomada de http://www.ordenadores-y-portatiles.com/memoriaholografica.html

La memoria hologrfica captura la informacin usando un patrn de inferencia ptica con un denso material ptico fotosensitivo. La lz de un slo lser se divide en dos haces de luz, uno de referencia y otro de seal; para su almacenamiento se usa un modulador de luz espacial codificando la seal de los datos. A causa del cruce entre ambos haces, se forma un patrn de inferencia ptica, generando un cambio qumico o fsico en el soporte fotosensitivo; los datos obtenidos son

representados en un patrn ptico de pxeles oscuros y luminosos. Ajustando el ngulo del haz de referencia, longitud de ondas, o posicin media, una multitud de hologramas (tericamente, varios miles) pueden ser almacenados en un nico soporte. Ls limitaciones tericas de la densidad de almacenamiento en este medio son aproximadamente de decenas de Terabits (1 Tb = 1024 Gigabits/Gb, 1024 Megabits/Mb = 1 Gigabyte/GB) por centmetro cbico. En 2006, InPhase anunci una capacidad de almacenamiento de alrededor de 500 Gb/in2. [17] Los datos almacenados son ledos a travs de la reproduccin del mismo haz de referencia usado para crear el holograma. La luz del haz de referencia es enfocada en el material fotosensitivo, iluminando el patrn de inferencia apropiado, se produce una difraccin de luz en el patrn de inferencia, proyectndolo sobre el lector. El lector es capaz de leer los datos en paralelo, alrededor de un millon de bits a la vez. Se pueden acceder a los archivos de un disco hologrfico en menos de 200 milisegundos. [18] La memoria hologrfica puede proporcionar a las empresas un potente mtodo para archivar informacin en formatos no regrabables o de una sola escritura impidiendo as que la informacin sea sobreescrita o borrada. A continuacin un cuadro comparativo que presenta, a modo de resumen, las diferencias entre los distintos sistemas de almacenamiento. Slo la memoria temporal o memoria RAM es ms rpida en cuanto a tiempo de acceso (160 Mb/seg.) y tiene mayor tasa de transferencia que los dispositivos hologrficos, pero carece de la capacidad para almacenar permanentemente. [19]

Los fabricantes creen que dicha tecnologa puede proporcionar un almacenamiento de datos seguros durante 50 aos, por encima de muchos soportes actuales. Por el contrario la tecnologa de los lectores de datos evoluciona rpidamente pudiendo alargar la duracin del soporte 50 aos ms. [20] La holografa todava tiene que resolver algunas cuestiones pendientes. Se est investigando cmo conseguir un equilibrio entre la funcionalidad del rayo de

referencia y su tamao, demasiado grande an si se piensa desde un punto de vista comercial. El otro punto dbil son los materiales de grabacin. Existen dificultades para conseguir cristales y fotopolmeros de gran tamao y/o espesor. En el caso de los cristales se exige que ese tamao vaya acompaado de una buena calidad ptica [Boyles, 2000]. Otras desventajas que tienen los actuales productos de almacenamiento hologrfico son: El precio Alto costo comercial, que lo hace todava no competitivo. Es una nueva herramienta que sustituira a las anteriores sin posibilidad de compatibilidad. Su capacidad de almacenamiento y reproduccin sin prdida de calidad vendrn dadas por el tipo de material. Debe no ser voltil para que el holograma perdure. El material utilizado debe ser econmicamente competitivo (caresta del producto). La regrabacin No es posible actualizar datos sin regrabar todo el holograma. La tcnica hologrfica no permite modificar slo una parte del holograma dada su caracterstica de redundancia. No hay que olvidar que todo lo registrado en el soporte tiene intensidad, ngulo y forma de grabacin, no se puede regrabar por partes. Este inconveniente se est solventando con los hologramas multiplexados. No obstante, se sigue trabajando en la obtencin de grabadoras y reproductores hologrficos que tengan un tamao y un precio competitivos en el mercado. Por su novedad, todava no hay normas que regulen los soportes de grabacin hologrficos ni que permitan el intercambio entre instrumentos de grabacin. La capacidad de almacenar datos en cualquier formato, esttico y en movimiento, abre para los hologramas numerosas aplicaciones relacionadas con el mundo de la documentacin. Como documentos capaces de albergar informacin, la holografa es especialmente til para determinadas temticas. Un ejemplo de esto es la NTT(Nippon Telephone & Telegraph) que desarroll una tecnologa

hologrfica para grabar 30 horas de imgenes en movimiento en un soporte de cristal del tamao de una ua [Enteleky, 2003]. Y tambin el trabajo realizado por el MIT Media Lab Spatial Imaging Group, que trabaja con el holovideo (video electrohologrfico) en tiempo real. Entre otros aspectos este equipo trabaja, desde 1990, programas para mejorar el holovideo y la compresin hologrfica de banda ancha para transmitir a travs de red [Lucente, 1998]. En medicina, antropologa y arquitectura, la holografa se utiliza tanto para el diseo como para la muestra de maquetas [Orazem, 1992].

Otras posibles aplicaciones de los sistemas hologrficos de almacenamiento de datos seran las comunicaciones de satlite, el reconocimiento de transmisiones areas, las bibliotecas digitales de alta velocidad, el almacenamiento masivo para vehculos tcticos y el procesamiento de imgenes para propsitos mdicos, militares y/o de video. Prototipos de sistemas hologrficos de informacin Los esfuerzos llevados a cabo, desde los comienzos hasta el presente, nos muestran la evolucin tecnolgica y el inters que existe por almacenar hologrficamente la informacin.

Durante la dcada de los 70 se tuvo una orientacin documental ms definida (sustitucin de microformas por hologramas, almacenamiento de documentacin cartogrfica,etc.). A partir de los aos 80 importa ms el formato de la informacin (imagen, sonido, etc.). El objetivo es almacenar hologrficamente todo tipo de informacin. Ya en los 90, la holografa se utiliz para todo tipo de sistemas de seguridad y autentificacin. La biblioteca hologrfica. Considerada como la biblioteca del futuro, este proyecto de la dcada de los 70 tuvo lugar en Tianjin Microform Technique Corporation, y constaba de un ordenador y un scanner pequeo para fichas. El scanner mostrara, imprimira y enviara informacin bibliogrfica de la ficha a travs del ordenador. El problema era el costo. Era necesario desarrollar tcnicas para obtener fichas, a gran escala y ms baratas, y tambin un lector de libros informtico. Prototipo HRMR (Human Read/Machine Read) [Maugh,1979 en Nelson]. Propuesto en la empresaHarrisIntertype Corp., de Melbourne. Se trata de un subsistema del sistema de memoria masiva de microfilm que combina el almacenamiento hologrfico de datos digitales y de imgenes en el mismo medio. Estas caractersticas, junto con la capacidad y densidad de almacenamiento, permitan guardar y recuperar informacin cartogrfica [Nelson, Vander Lugt y Zech, 1974]. Sistema de recuperacin de informacin hologrfico. Esta experiencia sovitica tuvo lugar a finales de los aos 70 y demostr que se reduca el tiempo de bsqueda y que era asequible para el usuario. Las descripciones que elaboraba el VINITI mensualmente se almacenaban hologrficamente. La bsqueda se realizaba a travs de matrices hologrficas, de manera similar a como se hacan las fichas perforadas, y se grababan en microhologramas. Estas matrices enlazaban con los datos de localizacin de los documentos incluidos en el fichero inverso. Almacenamiento hologrfico para el reconocimiento ptico de huellas digitales. Se est llevando a cabo en el National Institute of Standards and Technology (NIST). Las huellas digitales se graban mediante un SLM (Spatial Light Modulator) y se transforman mediante el mtodo Fourier en hologramas tridimensionales. Posteriormente, y a travs de una red neuronal, se diferencian las huellas con un proceso de coincidencia muy minucioso. Todos estos experimentos utilizaban en mayor o menor medida la holografa. Pero realmente no se puede hablar de un almacenamiento hologrfico sino hasta la dcada de los 90.

 Sistema digital total de Stanford (1994). Se trata del primer sistema completamente automatizado de almacenamiento hologrfico de datos, concretamente de imgenes, con banda sonora. Se demostr que podan usarse componentes electrnicos y pticos del mercado, y se aplic una nueva tcnica de codificacin que procesaba las seales digitales de manera que se reduca el "ruido" y aumentaba la capacidad de almacenamiento [Heanue en Orlov 2000]. La naturaleza de la tolerancia del ruido en el almacenamiento hologrfico de datos nace para subsanar los problemas asociados con las fuentes de ruido. Adems, fue el primer estudio efectuado sobre tasas de error en la transferencia de datos (ruido). Este sistema se compona de un medio de almacenamiento que, consista en un cristal de litio niobado con una pelcula de hierro. Se divida la superficie en C ejes en un ngulo de 45 grados. Como los hologramas grabados con anterioridad podan borrarse con los que se grabaran despus, se incluy un esquema de grabacin que permita almacenar de manera eficiente un gran nmero de pginas con una difraccin igual. La tcnica de codificacin consista en escribir una secuencia de pixeles offon en el SLM para representar el 0, y de onoff para el 1. Sistema completamente automatizado Siros [InPhase] Fue sta la primera demostracin de un sistema de almacenamiento hologrfico controlado completamente de manera electrnica y automtica. La arquitectura electrnica del sistema se bas en un tecnologa de bus y un conjunto de herramientas reprogramables denominadas, manera lgica, "puertas programadas por campo" (FPGA,FieldProgrammable Gate Array).

Una vez que se ha demostrado que la grabacin, recuperacin y organizacin de informacin almacenada en hologramas son posibles, la investigacin se centra fundamentalmente en las unidades y soportes de lectura y escritura de esos hologramas y en la manera de procesar y codificar los datos para su grabacin. Tipos de memorias hologrficas Una vez conocida la tcnica de la holografa aplicada al almacenamiento de datos cmo puede sta aplicarse al campo de la informacin y la documentacin? No se trata de la imagen de un libro, sino de su contenido. Para ello nos aprovechamos de la capacidad de la holografa para almacenar objetos tridimensionales. Todo sistema hologrfico de grabacin se basa en la multiplexacin, que permite incluir en un mismo soporte o volumen ms de un holograma; utiliza una de las caractersticas del almacenamiento hologrfico, la recuperacin asociativa. Si se buscaran en un dispositivo de almacenamiento convencional todos los registros que comparten una determinada caracterstica, recuperaramos el registro en la RAM, y la bsqueda se realizara con un programa de aplicacin que mirara en todos y cada uno de los documentos. Con el almacenamiento hologrfico, este proceso puede llevarse a cabo en la propia memoria. En lugar de reconstruir pginas de datos con un rayo de referencia, el patrn de datos que nos interese se coloca en el SLM, y se enfoca al punto de almacenamiento concreto con el haz de seal. Todos los rayos de referencia se usan para almacenar los hologramas de esa pila, y se reconstruyen. La intensidad de cada rayo es proporcional a la correlacin entre el patrn de datos original almacenado y el patrn de datos del rayo de seal que examina. Una vez que el haz de referencia enfoca, en un "plano de correlacin", a un conjunto, el ngulo del haz de referencia ser el que corresponda para que puedan identificarse los hologramas pertinentes. El rayo de referencia puede reconstruir los hologramas fuera de la cmara. El proceso de bsqueda y recuperacin puede durar unos 5 milisegundos.

El sistema de multiplexacin utilizado es lo que diferenciar los tipos de memorias hologrficas [Psaltis, 2001]. Memoria de acceso aleatorio hologrfico (HRAM) En las HRAM (Holographic RandomAccess Memory), los rayos de referencia y de datos (objeto) se dirigen a un volumen que contiene mltiples localizaciones de almacenamiento. Los rayos pticos se dirigen muy rpidamente con escneres pticos no mecnicos, la mayora de estos los cuales utilizan un deflector acsticoptico o un SLM de cristal lquido unidimensional. Un sistema HRAM puede leer hologramas desde cualquier localizacin en una secuencia esencialmente aleatoria.

La fotosensibilidad de la mayora de los cristales fotorefractivos es relativamente baja, por lo que la velocidad de grabacin est ligeramente por debajo que la de lectura. Adems, resulta casi imposible cambiar el estado de un solo pixel de un holograma. Se podra sustituir un determinado holograma dentro de una pila de hologramas, pero el proceso no es sencillo. Por lo tanto, un sistema HRAM no es realmente un sistema de memoria de lecturaescritura, sino ms bien una memoria de un borrado y mltiples lecturas. Este sistema se ajusta a aquellas aplicaciones que requieran almacenar gran cantidad de datos casi permanentes y con una alta rapidez de lectura y

transferencia. Algunos ejemplos seran, el al macenamiento de pelculas, copias de servidores web. Un inconveniente del sistema es que el nmero de localizaciones a las que tiene acceso est limitado a la ptica de la direccin del rayo lser.

Memoria hologrfica modular compacta Se trata de una alternativa que mejora los sistemas HRAM. La memoria hologrfica modular compacta toma el mismo conjunto de pixeles para la grabacin y la recuperacin, en el y del soporte de grabacin. Se dirige a la misma localizacin volviendo sobre los pasos de la trayectoria que ha seguido el rayo lser, lo que devuelve la direccin original de la seal, al SLM. Esto permite utilizar lentes ms baratas o incluso no tener que utilizarlas. Si cada pxel del SLM es a la vez modulador y detector lumnico, todo el dispositivo de almacenamiento se podra reducir y elaborar sin partes mviles y se compondra de varios mdulos (ver figura). Cada mdulo tiene un aspecto parecido a una memoria RAM, pero con la sutil diferencia de que puede almacenar 25 hologramas, segn demostraron en la empresa Caltech. Para contrarrestar la erosin en el cristal fotorefractivo, se le aade a cada pxel la orden de que, peridicamente, detecte y refresque los hologramas. Esto permitira que el sistema fuera ms flexible y no obligara a tener hologramas de manera permanente, y se podran borrar hologramas de un grupo de ellos.

En un sistema modular, el costo por megabyte depende de un conjunto de pixeles "inteligentes" y dos ngulos compactos dirigidos (uno para el haz de escritura y otro para el de lectura). Se puede recuperar de manera asociativa, pero hay que aadirle otro detector por mdulo aumentando el nmero de pixeles mientras se mantiene el costo del conjunto detector y el ngulo baja, lo cual es la clave para poner en marcha esta arquitectura. Discos hologrficos 3D Esta opcin se centra ms en los materiales de almacenamiento. El disco se compone de una capa de un milmetro de espesor. Los hologramas se almacenan en cada ubicacin de la superficie del disco. Estas localizaciones se organizan a lo largo de las pistas radiales. Con el movimiento del cabezal se selecciona la pista y la rotacin del disco le da acceso a cada pista. Se puede utilizar la multiplexacin por ngulo en los hologramas multiplexados sobre un disco hologrfico, igual que en la arquitectura HRAM. No obstante, el escner de ngulo necesitara un cabezal de lectura muy grande y pesado como para poder obtener un acceso rpido a los hologramas de las diferentes pistas radiales. Para que esto no pase, se puede utilizar un rayo convergente o esfrico como rayo de referencia. Esto permitira tener un rayo de referencia de ngulos simultneamente en todas las pistas, y no de una en una. Esto aumentara sensiblemente la velocidad de lectura. Adems los discos hologrficos permiten sistemas de lectura y regrabacin o de solo lectura. En el primer caso, los sistemas WORM incorporan un SLM convirtiendo el cabezal de lectura en uno de lectura/escritura. En este caso el proceso de grabacin se basa en las reacciones qumicas de los fotopolmeros, que son el material de grabacin de los discos 3D.

Las aplicaciones ROM son similares a las de la HRAM, pelculas, audio, juegos de ordenador y dems informacin de slo lectura [Psaltis, 2001]. El cuadro siguiente compara estas tcnicas; sin embargo, hay que hacer constar que se trata de prototipos que an estn en fase de experimentacin y mejora.

Discos Hologrficos Verstiles (HVD) Parten de los hologramas de color [GarcaSantiago, 2000] y los estudios sobre ellos han variado, al igual que las compaas investigadoras. InPhase se funda en el ao 2000 con la fusin de las empresas Lucent Technologies Venture, New Venture Partners LLC, Signal Case, Madison Dearborn Patners, Hitachi Maxwell Ltd., Imation Corporation y New Technology Partners. InPhase deba mostrar su sistema hologrfico de grabacin de video Tapestry a finales de 2003. Se espera que las capacidades de almacenamiento en los discos Tapestry de una sola escritura, alcancen los 100 Gb, con una tasa de transferencia de 20 Mbps [11].

La empresa japonesa Optware ha conseguido la primera grabacin y reproduccin del mundo, de pelculas en un disco hologrfico transparente y quiere sacar al mercado HVD (Holographic Versatile Disc) Players, Readers yWriters en el ao 2006 para el uso de las grandes empresas. Unas versiones ms baratas saldrn al mercado en el 2007. La empresa ha desarrollado un sistema hologrfico colineal de almacenamiento de datos, que utiliza un lser verde de 532 nanometros para poder leer los datos hologrficos de un disco de 12 cm. Los dos rayos, el de referencia y el del objeto, interfieren entre s dentro de la capa de grabacin del disco y guardan los datos. Debajo de esa capa hay otra capa ms, pre formateada, que guarda los datos servo y que se lee con un lser rojo. Esto permite hacer un seguimiento preciso del disco. Entre la capa de datos y la de servo se encuentra un espejo que refleja el lser verde, pero que es transparente para el lser rojo. Este espejo es capaz de parar la disipacin de la luz dentro del disco, que podra causar un aumento en el ruido y baja calidad de la seal. Para las empresas estos aparatos costarn aproximadamente 20000 dls e inicialmente se utilizaran HVD de 200 Gb, que costarn 100 dls cada uno. Sistema de lectura de 1Gb y 100 Mb de capacidad, de Stanford y Siros Para los medios con espesor (p. ej. el litio niobado), la capacidad geomtrica de los 90 grados est limitada, generalmente, por la dinmica y el ruido del soporte ms que por las interferencias de la multiplexacin. En cambio los medios planos (ej. los fotopolmeros), no tienen esta limitacin y el nmero de hologramas que se pueden superponer en una localizacin est determinado por el nmero de grados

de libertad disponibles para la multiplexacin. Un multiplexacin angular en la geometra de transmisin no permite una suficiente densidad de almacenamiento de los datos, por lo que son necesarias otras tcnicas de multiplexacin. Por eso DARPA fund el consorcio PRISM que ha utilizado medios de almacenamiento con espesor (tambin denominados volmenes) y grabado con lser pulsado, con lo que ha obtenido grandes logros, junto con los esfuerzos de la empresa Polaroid y su filial Aprilis. Y para grabar, mientras el disco estaba en constante rotacin, se present una nueva tcnica de multiplexacin basada en un rayo de referencia que modula su fase.

Este sistema se compone de una cmara de video digital y un visualizador de cristal lquido IBM que le sirven como detectores, ms un componedor de pginas. Un disco hologrfico de fotopolmero est en constante rotacin en un eje, sobre el que recibe los pulsos. Con la sincronicacin electrnica, se pueden dirigir las diferentes posiciones angulares; las radiales necesitan un dispositivo que mueva el disco y el eje verticalmente [Orlov, 2000]. El Tratamiento documental de los hologramas Toda la documentacin artsticomusical, mdica, qumica, arquitectnica, etctera, ha conseguido aprovecharse de las ventajas de la tridimensionalidad que permite la holografa. Ya en los aos 60 se vio el potencial educativo de la holografa, lo que motiv a Upatnieks y Leith del Departamento de Ingeniera elctrica de la Universidad de Michigan y al Instituto de Investigacin

Medioambiental de Michigan (ERIM), a construir el primer modelo de lector de hologramas bibliotecario. ste, parecido a una televisin o a un lector de microformas, constaba de una pantalla en la que apareca la imagen localizada en la pelcula. El rayo lser de baja potencia se refleja fuera de los espejos de la caja para reconstruir la imagen virtual que se encuentra almacenada en la pelcula dentro de la caja. As, da la sensacin de que el objeto se encuentra tras la pantalla.

Desde la perspectiva del tratamiento de hologramas, la conservacin vendr totalmente determinada por el soporte material, los que hemos considerado en este artculo como los que se encuentran an en fase muy experimental. Otra posibilidad es que se trate de un electroholograma, en cuyo caso estaramos hablando de datos generados y almacenados por ordenador. Para su organizacin, conservacin y recuperacin, hay que tener en cuenta otros aspectos. En su descripcin formal se consignar el tipo de onda utilizada para la grabacin, el tipo de soporte hologrfico, el tipo de holograma, si es master u original, y entre otras caractersticas. DAlleyrand elabor en 1977 ciertas reglas de catalogacin para la Biblioteca de Investigacin del Museo de la Holografa y tras la clausura del museo en 1992, la coleccin y el trabajo de catalogacin pasaron al MIT. Para la entrada principal, si el holograma no es el resultado de una tcnica innovadora y tampoco trata de un tema original, su entrada se har por ttulo. En cualquier otro caso el encabezamiento principal ser la nueva tcnica o el/la autor/a del holograma. En estos casos el soporte material del holograma era todava una pelcula y no el ya comentado cubo, con excepcin del caso del ICG. Aunque sin referencia explcita, tambin las AngloAmerican Cataloging Rules (AACR II) permiten hacer referencia en notas a reproducciones hologrficas en caso de documentacin musical y describir stas realizando adaptaciones (Harrassowitz).

Para la clasificacin de los hologramas, OCLC propuso en 1988 unas normas para materiales bidimensionales y tridimensionales. Dentro de la categora "r" de artefactos tridimensionales y objetos que aparecen en forma real, se encuentra concretamente en el subgrupo "r" de objetos naturales. Para la recuperacin tanto de hologramas como de electrohologramas, ya a finales de la dcada de los 70 y principios de los 80 se da la solucin en la antigua U.R.S.S [Zakharchenko, 1980] mediante la organizacin de ficheros inversos. Estos sistemas de informacin hologrficos estn constituidos por un grabador y equipo grfico con un procesador electrnico. El equipo grfico o visualizador hologrfico est conectado con el procesador electrnico para buscar y posteriormente visualizar las holografas. El sistema de informacin hologrfico mantiene un sistema de ficheros inversos con los nmeros de orden de todos los documentos del archivo y las coordenadas para localizar cada holograma en el archivo de imgenes hologrficas. Para realizar la bsqueda mediante descriptores, el fichero inverso localiza los nmeros de orden que responden a un determinado descriptor y de ah pasa a la localizacin en el fichero de imgenes hologrficas. En este caso se recupera uno o varios hologramas en el soporte fsico; una mejora a este sistema sera el uso de hologramas generados por ordenador lo que permitira una mayor rapidez no ya de localizacin sino de recuperacin y visin. Futuro Compaas arraigadas como Sony, IBM, NASA, etctera, ya utilizan esta tcnica para mejorar la localizacin y recuperacin de informacin y as obtener ms y mejores imgenes. Empresas como Aprillis, BellLabs, InPhase... son ejemplos del inters que ya ha despertado la holografa, y muestran los esfuerzos que las empresas estn haciendo para obtener resultados que ya empiezan a llegar al mercado. Como conclusin de este tema se infiere que el almacenamiento hologrfico puede ofrecer muy interesantes posibilidades y promete ser la solucin ms efectiva a nivel de costo, para las exigencias de almacenamiento de archivos multimedia o de cualquier otra nueva tecnologa. Esta nueva tecnologa ptica permite almacenar informacin digital, como los hologramas tridimensionales; Tambin almacenar y recuperar los datos como patrones bidimensionales de luz, o pginas, en un volumen tridimensional de cristal sensible a la luz, y proporcionan

la base de la tecnologa del almacenamiento hologrfico. Los datos se organizan en pginas en lugar de en bits individuales, y con el uso de las capas se consigue mayor velocidad y un menor control por parte del sistema operativo del ordenador. Esto significa que es muy factible manejar el control de un sistema operativo de disco, y que puede controlarse la demanda informtica para gestionar imgenes o multimedia.

Esta tecnologa se basa en las tcnicas de almacenamiento hologrfico de volmenes fotorefractivos (PVHS); es decir, utiliza luz en lugar de electricidad, como con la fibra ptica, lo que la hace extremadamente rpida y un medio potencialmente porttil. Los aparatos de almacenamiento hologrfico seran una buena eleccin para los sistemas que necesitan acceso aleatorio rpido para grabar y mostrar un video digital, y para sistemas de procesamiento y transaccin de alto rendimiento a bajo costo, pues permite acceso rpido a la informacin almacenada. Habr que saber cmo conservar, catalogar y clasificar hologramas en las bibliotecas del futuro, un futuro cada da ms presente. Los datos hologrficos no supondrn tanto problema en relacin con su tratamiento puesto que se trata de documentos digitales en formato audiovisual, textual, etctera, pero s en relacin con su cantidad. Disponemos de un medio para almacenar grandes volmenes de informacin, con acceso rpido y en formato 3D, que servir para realizar bsquedas de informacin en bases de datos voluminosas y consecuentemente las bases de datos que consultemos tambin cambiarn e incluirn descriptores, texto completo y diferentes objetos (por ejemplo, huellas digitales). La transformacin tambin tendr lugar en el campo de la edicin electrnica con revistas, enciclopedias, mapas y hasta video juegos, en los que las memorias

hologrficas harn que estos productos sean an ms potentes. Las posibilidades multimedia con un soporte hologrfico estn menos limitadas por la velocidad de acceso a los datos, las transferencias y el almacenamiento.

Los discos hologrficos pueden llegar a ser los sustitutos del DVD, pero todava se carece del material fotopolmero que tenga un espesor suficiente. Pese a todo, las memorias hologrficas y su tecnologa son indudablemente las candidatas a ser la nueva generacin de sistemas de almacenamiento, sobre todo ahora que se estn consiguiendo grandes avances en lo que a materiales hologrficos se refiere. Como el logrado por el Lawrence Berkeley National Laboratory (LBNL), la Universidad de California y el Instituto de Microelectrnica de Madrid (IMM) del Consejo Superior de Investigaciones Cientficas que ha conseguido que las memorias hologrficas sean tambin regrabables.

Cada vez necesitamos almacenar ms cantidad de informacin, sobre todo si estas copias de seguridad incluyen a todo lo que se encuentra en Internet. Los

archivos electrnicos pueden verse desbordados sin la existencia de nuevos sistemas de almacenamiento cada vez ms pequeos y potentes. Es un hecho que en breve plazo en el mundo de la documentacin, la holografa va a ser de gran ayuda a la hora de almacenar informacin, aunque de momento, no se haya podido resolver el tema de grabar terabytes y hasta petabytes en un soporte hologrfico y hacer modificaciones posteriores. [21] Referencias [1] DRAM. Recuperado http://es.wikipedia.org/wiki/DRAM el 17 de enero de 2013.

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