Testeo de Componentes

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INSTRUMENTACIN ELECTRNICA

REA DE ELECTRNICA

PRCTICA 3. Osciloscopios HM 604 y HM 1004 (III): Test de


componentes y modulacin en frecuencia.

Sumario: Elementos del osciloscopio III. Test de componentes terico/prctico. Modulacin en


frecuencia. Generador de funciones con entrada FM.

3.1.- Objetivos.

Realizacin de tests de componentes activos y pasivos para obtener, a partir de la


curva de test, su curva caracterstica y parmetros del modelo equivalente serie.

Empleo de la entrada de modulacin FM del generador de funciones.

Visualizacin seales moduladas en frecuencia para distintos tipos de portadora.

3.2.- Fundamento terico y de funcionamiento del instrumento. Metodologa.


3.2.1.- Tests de componentes.
Este osciloscopio incorpora un tester de componentes, que se emplea para
comprobar (testear) el buen estado del dispositivo mediante la obtencin de una
curva representativa del mismo. La prueba es vlida siempre que el componente no
est sometido a tensin, conectado en un circuito.
El componente a comprobar se conecta entre el borne aislado en el campo
Component-Tester (zona inferior derecha de la pantalla) y uno de los bornes de masa
del campo Y. A continuacin se pulsa la tecla COMPONENT TESTER, y queda
desconectado el preamplificador Y y el generador de barrido. Los nicos ajustes con
influencia en el funcionamiento del test son INTENS., FOCUS y X-POS. Se utilizarn
los componentes que figuran en el apartado de resultados.

El principio operativo del test es sencillo. A partir de su transformador de red,


el instrumento aplica una seal senoidal a un circuito formado por la asociacin serie
del componente a probar y una resistencia (impedancia de entrada del canal de
donde tomemos la masa). El HM 604 trabaja ahora en el modo X-Y. Esta seal
senoidal se utiliza para la deflexin vertical; para la deflexin horizontal se utiliza la

Profesores: Juan Jos Gonzlez de la Rosa. Manuel Sanmartn de la Jara.

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tensin en bornas del componente a probar. Se comparan las fases de ambas


tensiones obtenindose las figuras en el modo X-Y. Si la impedancia objeto de
medida tiene un valor real, en la pantalla aparecer una lnea ms o menos inclinada.
Si el componente a comprobar presenta un cortocircuito, la lnea es vertical. Cuando
el proceso se interrumpe o no hay objeto de medida, aparece una lnea horizontal. La
inclinacin de la lnea es una indicacin del valor de la resistencia.

Las siguientes figuras resumen las imgenes bsicas involucradas en los tests.

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Los condensadores e inductancias provocan imgenes elpticas originadas por


el desfase entre la corriente y la tensin que, a su vez, provocan un desfase entre las
dos tensiones de deflexin.
Una elipse con el eje principal horizontal significa alta impedancia (capacidad pequea o induccin elevada).
Una elipse con el eje principal vertical significa baja impedancia (capacidad elevada o induccin pequea).
Una elipse inclinada significa una resistencia de prdida relativamente grande en serie con la reactancia.

En semiconductores, los codos de las curvas representan puntos de separacin


entre fases de conduccin y de corte. Si la tensin lo permite, se pueden visualizar las
caractersticas directa e inversa. La inversin de los polos de conexin de un
semiconductor provoca un giro de180 en la imagen sobre el centro de la retcula.
3.2.2.- Modulacin en frecuencia.

El propsito de todo proceso de modulacin es modificar

alguna de las

caractersticas de una seal portadora (amplitud, frecuencia o fase) de acuerdo con


los valores de una seal moduladora que es la que transporta la informacin. La
seal modulada posee una frecuencia funcin del tiempo (un trmino cte. y otro
variable), cuya variacin la prescribe la seal moduladora. La siguiente figura ilustra
el concepto de frecuencia instantnea en una seal de FM con moduladora
rectangular (figuras superiores) y moduladora en diente de sierra (figuras inferiores).
La ventaja de la modulacin en frecuencia es que la envolvente de la seal modulada
no transporta la informacin por lo que el proceso de transmisin es bastante inmune
al ruido.

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Se procede utilizando dos generadores de funciones HM8030-3 y un


osciloscopio HM 604 o HM 1004:

El generador de moduladora con los siguientes ajustes: seal cuadrada, f = 200 Hz


aproximadamente; Regular el offset y la amplitud de salida para que la seal
tome dos valores: el cero y un nivel positivo.

El generador de portadora se ajusta a: seal senoidal de f = 2000 Hz.

La salida del generador de funciones de la moduladora se conecta a la entrada


de FM del generador de portadora. La salida de este ltimo es la que se conecta al
canal I del osciloscopio. Ajustar la base de tiempos del osciloscopio con el fin de
obtener una imagen estable. A menudo es necesario facilitar la captura de la imagen
regulando las amplitudes y offset de las seales moduladora y portadora.

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A continuacin se procede con distintos tipos de moduladoras (diente de


sierra y senoidal), y con distintas situaciones de frecuencia y amplitudes. Es
interesante observar qu sucede cuando las frecuencias dejan de ser mltiplos.
3.3.- Resultados.
Cada componente testeado debe ir acompaado de su curva de test con sus
medidas caractersticas exactas. Asimismo se incluir un anlisis del estado del
componente (calidad), segn la existencia de puntos de discontinuidad en los trazos
observados, y del desfase existente entre las dos seales involucradas en la
comparacin de fases y que fueron nombradas en la metodologa. Los resultados de
la comparacin de fases pueden resumirse como sigue:

RESISTENCIA: Las dos tensiones deben estar en fase. La traza ser una recta.
Componentes empleados: R = 100 .

CONDENSADOR o INDUCTANCIA: Ambas tensiones desfasadas 90. La traza


ser una elipse.
Componentes empleados: C = 1 F 47 F, 100 F; L = 33 H.

SEMICONDUCTOR: La traza muestra dos zonas: la de conduccin y la de


circuito abierto, en el caso de los diodos. Los transistores se testean por pares de
uniones. Las uniones B-E y B-C nos permiten conocer el estado del transistor; la
unin C-E nos permite distinguir si el transistor bipolar es NPN o PNP.
Componentes empleados: diodo: 1N4007; diodos zner: ZY 100, ZPY 27, BA 154,
BZV 8506; transistor: BD 136.

Referente a la modulacin en frecuencia, se dibujarn las ondas portadora y


moduladora caracterizadas completamente. Indicar el valor de la base tiempos del
osciloscopio y los valores de offset y amplitud de las seales provenientes de los
generadores de funciones.

Profesores: Juan Jos Gonzlez de la Rosa. Manuel Sanmartn de la Jara.

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3.4.- Anlisis de resultados.

De qu depende la mayor o menor inclinacin de la recta obtenida al analizar la


resistencia? Cul es la interpretacin de una recta horizontal y de una recta
vertical?

Repita la interpretacin anterior para el caso de la elipse obtenida para el


condensador y la inductancia

Interprete las zonas de la curva de test de un diodo y de las uniones de los


transistores

Por qu no aparece la tensin de ruptura en las caractersticas de algunos diodos


zner?

Cules son las tensiones caractersticas de los diodos testeados?

Identifica las patillas de los transistores a partir de las curvas de test obtenidas.

En que consiste la modulacin en frecuencia?

Explique cmo vara la frecuencia de la portadora segn sea la seal moduladora.

Profesores: Juan Jos Gonzlez de la Rosa. Manuel Sanmartn de la Jara.

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