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    Transistor IGBT

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    El IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo semiconductor que combina las características de alta corriente del transistor bipolar y la capacidad de control de puerta del transistor de efecto campo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia como variadores de frecuencia, máquinas eléctricas y sistemas de alimentación ininterrumpida. Los IGBT pueden conmutar hasta 100 kHz, manejan altas corrientes y voltajes de bloqueo, y permiten controlar sistemas de alta tensión

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    El IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo semiconductor que combina las características de alta corriente del transistor bipolar y la capacidad de control de puerta del transistor de efecto campo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia como variadores de frecuencia, máquinas eléctricas y sistemas de alimentación ininterrumpida. Los IGBT pueden conmutar hasta 100 kHz, manejan altas corrientes y voltajes de bloqueo, y permiten controlar sistemas de alta tensión

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    El IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo semiconductor que combina las características de alta corriente del transistor bipolar y la capacidad de control de puerta del transistor de efecto campo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia como variadores de frecuencia, máquinas eléctricas y sistemas de alimentación ininterrumpida. Los IGBT pueden conmutar hasta 100 kHz, manejan altas corrientes y voltajes de bloqueo, y permiten controlar sistemas de alta tensión

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    Transistor IGBT

    El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate


    Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica
    como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este
    dispositivo posee las caractersticas de las seales de puerta de los transistores
    de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin
    del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
    control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
    circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
    caractersticas de conduccin son como las del BJT.
    Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables
    hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las
    aplicaciones en mquinas elctricas, convertidores de
    potencia, domtica y Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida, entre otras
    aplicaciones.
    El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha
    sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de alta y
    media energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores
    y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos
    dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del
    orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
    Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la
    capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la
    corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes
    transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En
    aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y
    los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos
    y lo inverso respecto a los primeros.
    Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La
    tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de
    controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy
    dbil en la puerta.

    Smbolo ms extendido
    del IGBT

    Seccin de un
    IGBT

    Circuito equivalente de
    un IGBT

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