Dopaje
Dopaje
Dopaje
1 Elementos dopantes
2.1 Tipo N
2.2 Tipo P
4 Historia
5 Referencias
6 Vase tambin
[editar]Elementos
dopantes
[editar]Semiconductores
de Grupo IV
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes ms
comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio,
son utilizados para dopar al Silicio.
[editar]Tipos
[editar]Tipo
de materiales dopantes
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin
huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan
electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha
desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero
posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que
la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura
en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos,
por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de
portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se
dona un electrn.
Dopaje de tipo N
[editar]Tipo
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que
aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de
este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como
el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la
neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa
de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos,
generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un
electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.
Dopaje de tipo P
[editar]Dopaje
Artculo principal:
en conductores orgnicos
Polmero conductor.
Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o algunas
veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de un sistema
potencialmente conductor.
Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso
de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como
lamelanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a un agente
reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn).
El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo, revestido con un
polmero, es suspendido en una solucin electroltica, en la cual el polmero es insoluble, junto al
electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una diferencia de potencial elctrico entre los electrodos,
la cual hace que una carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de
electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin
utilizada.
La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de la tierra, la cual es
rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero tipo N rico en electrones reaccionara
inmediatamente con el oxgeno ambiental y se desdopara (o reoxidara) nuevamente el polmero,
volviendo a su estado natural.
[editar]Historia
El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para la Sperry
Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.1 La demanda de su trabajo sobre
el radar durante la guerra no le permiti desarrollar ms profundamente la investigacin sobre el dopaje,
pero durante la posguerra se gener una gran demanda iniciada por la compana Sperry Rand, al
conocerse su importante aplicacin en la fabricacin de transistores. 2
[editar]Referencias
1.
2.