UNIVERSIDAD TCNICA DE COTOPAXI

UNIDAD ACADMICA DE CIENCIAS DE LA

INGENIERA Y APLICADAS

CARRERA: INGENIERA ELCTRICA

ASIGNATURA: ELECTRNICA II

NOMBRE: PAL WLADIMIR POTES VALENCIA

NOMBRE DE DOCENTE: ING. MEDINA SALAZAR FRANKLIN GONZALO

CICLO: CUARTO

PARALELO: B

FECHA: 31-JULIO-2016

LATACUNGA-ECUADOR

2016-2016

CUESTIONARIO DE REPASO PARA ELECTRNICA

1. La resistencia elctrica de un material no depende de...
a) Su resistividad.
b) La temperatura.
c) Sus dimensiones.
d) La gravedad.
2. La unidad de medida de las resistencias es el...
a) Faradio.
b) Ohmio.
c) KOhmio.
d) MOhmio
3. Para un determinado tipo de resistencia, el tamao fija su
a) Valor hmico
b) Vida media
c) Voltaje o potencia
d) Tolerancia
4. De los smbolos indicados en la figura
a) R1 y R2 son los smbolos generales de resistencia.
b) R3 no est normalizado.
c) Slo se utiliza Rl.
d) Rl y R2 indican resistencia no reactiva.
5. Qu valor de potencia nominal no est normalizado en las resistencias de
uso comn?
a) 1/7 W.
b) 1/4 W.
c) 1/2 W.
d) 1 W.
6. Una resistencia de 2M2 ohmios tiene un valor de...
a) 2,2 .
b) 2.200.000 .
c) 220.000.000 .
d) 2.200 .

7. En un montaje reosttico, la potencia mxima que puede disipar la

resistencia variable.
a) Depende exclusivamente de la temperatura ambiente.
b) Es constante.
c) Depende de la posicin del cursor.
d) Es igual a la nominal.
8. En un montaje potenciomtrico con una resistencia de carga de valor muy
elevado...
a) La potencia que puede disipar la resistencia variable depende de la posicin del
cursor.
b) La corriente por el cursor ser muy alta.
c) La limitacin ms probable es la corriente mxima por
cursor.
d) La tensin de entrada est limitada por la potencia mxima disipable.
9. En una resistencia variable bobinada de potencia...
a) El recorrido elctrico suele ser inferior al mecnico.
b) El recorrido elctrico es siempre superior al mecnico.
c) Los recorridos elctrico y mecnico son siempre iguales.
d) No hay recorrido elctrico, slo mecnico.
10. La resistencia variable que posee una ley de variacin como la mostrada en
la figura...
a) Debe ser fabricada modificando adecuadamente el espesor de la pista resistiva.
b) nicamente podr obtenerse utilizando resistencias
bobinadas.
c) Tendra un tamao exagerado.
d) No es posible fabricarla porque presenta una zona donde
la resistencia disminuye al aumentar la rotacin del cursor.
11. La resolucin de una resistencia variable lineal de pista continua.
a) Es nula.
b) Depende del estado de la superficie de la pista resistiva.
c) Aumenta con la frecuencia de la seal aplicada.
d) Depende exclusivamente del material con el que se fabrica el cursor.

12. Se conoce como resistencia variable motorizada aquella.

a) Que se utiliza en el control de velocidad de motores.
b) Que se instala en las motos de competicin.
c) En la que el movimiento de rotacin del cursor lo realiza un motor acoplado al
mismo.
d) Accionable manualmente mediante manivela.
13. Si en el montaje del restato de la figura un movimiento mecnico provoca
la prdida de contacto fsico del cursor, la corriente que circular ser...
a) La misma.
b) Cero.
c) La mxima posible.
d) La mnima posible.
14. En el Sistema Internacional, la unidad de capacidad es el..
a) Picofaradio (pF).
b) Nanofaradio (nF).
c) Microfaradio (uF).
d) Faradio (F).
15. Es falso que mediante las franjas de colores pintadas en la superficie de
algunos condensadores podemos conocer...
a) El valor de su capacidad.
b) Su tolerancia.
c) La tensin mxima que soportan.
d) La rigidez dielctrica del aislante.
16. Los condensadores electrolticos.
a) Constructivamente son iguales a los dems.
b) Pueden ser conectados de cualquier forma.
c) Trabajan siempre con tensiones elevadas.
d) Tienen polaridad y alta capacidad con respecto a su tamao.
17. Un condensador...
a) Almacena energa en forma de campo magntico.
b) Almacena energa en forma de campo elctrico.
c) No almacena energa.
d) Produce energa por procedimientos qumicos.

18. La capacidad de un condensador puede variarse mediante...

a) El sistema I.
b) El sistema II.
c) El sistema III.
d) Cualquiera de los anteriores.
19. Si se aplica una tensin de 1 V a un condensador de 1 F, almacena una
carga de...
a) 1 culombio.
b) 1 newton.
c) 1 tesla.
d) 1 weber.
Resolucin: q = C.V = (1F)(1V) = 1 culombio
20. Mediante el smbolo mostrado se representa el condensador...
a) De estator dividido.
b) Diferencial.
c) Pasa muros.
d) Con toma de corriente.
21. En el condensador de pelcula plano de la figura, es falso que
a) Las bandas de color I y II indican la 1a y la 2a cifra.
b) La banda III es el coeficiente multiplicador.
c) La banda IV corresponde al coeficiente de temperatura.
d) La banda V representa la tensin mxima.
22. El condensador de la figura tiene una tolerancia de...
a) 2,5%.
b) 5%.
c) 10%.
d) 20%.
23. El condensador de la figura tiene un valor de...
a) 0,047 F.
b) 470 pF.
c) 4,7 uF.
d) 47 nF.

24. El condensador de polister metalizado de la figura tiene...

a) Una capacidad de 250 nF.
b) Una tolerancia del 33%.
c) Una tensin de trabajo de 250 V.
d) Un coeficiente de temperatura de 250 ppm/C.
25. Una bobina...
a) Almacena energa en forma de campo elctrico.
b) Se opone a las variaciones de la corriente elctrica.
c) No almacena energa.
d) Genera energa cintica.
26. Una bobina de 10 mH presenta al paso de una corriente alterna senoidal de
100 Hz una reactancia de...
a) 6,28 .
b) 1000 .
c) 27 .
d) 0 .
Resolucin: XL = 2(f)(L) = 2(10mH)(100Hz) = 6.28
27. En CA senoidal una bobina pura o ideal...
a) Produce un desfase de 180 entre tensin e intensidad.
Adelanta la intensidad 90 respecto a la tensin.
b) Hace que tensin e intensidad estn en fase.

c) Retrasa la intensidad 90 respecto a la tensin.

28. En el conexionado de bobinas en serie y despreciando la induccin mutua,
la inductancia equivalente del conjunto es siempre...
a) Mayor que la mayor de ellas.
b) Igual al producto de todas ellas.
c) Menor que la mayor de ellas.
d) Menor que la menor de ellas.
29. En el conexionado de bobinas en paralelo y despreciando la induccin
mutua, la inductancia equivalente del conjunto es siempre...
a) Mayor que la mayor de ellas.
b) Mayor que la menor de ellas.
c) Igual al producto de todas ellas.
d) Menor que la menor de ellas.

30. La constante de tiempo

a)

= R/L.

b)

= RC.

de una bobina es...

c) v = L/R.
d) f = 2fL.
Ninguna de las anteriores ya que no es c) v = L/R la Repuesta correcta es:

= L/R.

31. Cuanto mayor es la inductancia de una bobina, la resistencia CC.

a) Aumenta.
b) Disminuye
c) No vara.
d) Tiende a cero.
32. En la bobina de la figura...
a) La corriente elctrica entra por el terminal 2 y sale por el 1.
b) El polo norte est a la derecha.
c) No hay campo magntico.
d) Las espiras estn en cortocircuito.
33. En el circuito de la figura, en el instante t-0 justo despus de cerrar SI es
mxima.
a) La intensidad de corriente
b) La tensin en la resistencia
c) La intensin en la bobina
d) La reactancia inductiva
34. En un transformador.
a) Cada devanado puede ser utilizado como primario o como
secundario indistintamente debido a que es reversible.
b) El devanado con mayor nmero de espiras es el primario.
c) El devanado con mayor nmero de espiras es el secundario.
d) Solamente si el primario y el secundario tienen el mismo
nmero de espiras es reversible.
35. El transformador permite...
a) Separar elctricamente e independizar circuitos.
b) Amplificar o atenuar tensin continua.
c) Filtrar los parsitos de la red.
d) Rectificar seales alternas.

36. De los tres smbolos indicados en la figura.

a) Dos son transformadores trifsicos.
b) Ninguno tiene ncleo.
c) T3 es multifilar.
d) Todos corresponden a transformadores.
37. En un transformador siempre se cumple que...
a) La potencia elctrica del primario es igual a la potencia del secundario.
b) La tensin del secundario es igual a la tensin del primario.
c) La intensidad del primario es igual a la intensidad del secundario.
d) La resistencia del primario es igual a la resistencia del secundario.
38. Si en un transformador la relacin de transformacin rt > I, entonces.
a) Es elevador de tensin.
b) Tiene ms espiras en el arrollamiento primario que en el secundario.
c) Es reductor de intensidad.
d) Es elevador de potencia.
39. Los transformadores de aislamiento o de separacin de circuitos...
a) Son elevadores.
b) Son reductores.
c) Tienen una r, = 1.
d) Funcionan con CC.
40. El transformador centro derivado se caracteriza porque..
a) Tiene una toma auxiliar que une primario y secundario a tierra.
b) No tiene ncleo central.
c) Posee una toma media en el secundario que lo divide en dos, con polaridades
opuestas a dicha toma.
d) Es de tipo toroidal y la tensin del secundario es exactamente la mitad de la del
primario.
41. El transformador de la figura es.
a) Apantallado.
b) Con acoplamiento variable.
c) Con imn mvil.
d) Con ncleo ajustable.

42. Los transformadores que no se pueden fabricar con ncleo de hierro sino
con ferrita, aire, metal en polvo prensado, etc., son los...
a) De alimentacin.
b) Autotransformadores.
c) De aislamiento.
d) De radiofrecuencia.
43.

Cul

de los transformadores citados a

continuacin

tienen

el

inconveniente de que el secundaria no est aislado elctricamente del

primario?
a) Transformadores adaptadores de impedancias.
b) Autotransformadores.
c) Transformadores de audiofrecuencia.
d) Ninguno.
44. Trabajan con saturacin magntica del ncleo los transformadores.
a) De aislamiento.
b) De audiofrecuencia.
c) De impulsos para disparo de tiristores.
d) Con toma media en el secundario.
45. Al medir con un voltmetro de alta impedancia la tensin en bornes de una
pila gastada...
a) Puede ser la misma que cuando estaba nueva.
b) Cae rpidamente cuando se conecta a un receptor.
c) Las dos respuestas anteriores son ciertas.
d) Obtenemos una lectura que corresponde con la mitad de su tensin nominal.
46. Las pilas en forma de botn...
a) Son hermticas.
b) Tienen una descarga espontnea muy pequea.
c) Son de tamao reducido.
d) Todas las respuestas anteriores son ciertas.

47. La tensin entre los puntos a b valen

a) Vab = 12 V.
b) Vab = 6 V.
c) Vab = 10 V. Resolucin: (Vab = 5v + 3v + 2v)
d) Vab = 5 V.
48. La tensin entre los puntos a b valen
a) Vab = 17 V.
b) Vab = 3V.
c) Vab = 10 V.
d) Vab = 7V. Resolucin: (Vab = 10v + 2v 5v)
49. Si las dos pilas de la figura son iguales, la tensin Vab vale...
a) Vab = V1/V2.
b) Vab = VV1 + V2 .
c) Vab = VI .V2.
d) Vab = 0.
50. En la conexin serie de varios generadores CC iguales, la batera
resultante...
a) Puede entregar una intensidad de corriente que es la misma que entregara
cualquiera de los elementos que la forman.
b) Tiene una resistencia interna cuyo valor coincide
con el de cualquiera de los elementos que la
forman.
c) Proporciona una tensin que es igual al inverso de la suma de los inversos de las
tensiones parciales.
d) Proporciona una mayor tensin de salida a medida que disminuye el n de
elementos que la forman.
51. Para conectar varias pilas en paralelo es conveniente que tengan...
a) Igual fem y Ri.
b) Igual fem y distinta Ri.
c) Distinta fem y distinta Ri.
d) Distinta fem e igual Ri.

52. La tensin de la batera de plomo de la figura depende de...

a) El nmero de bornes.
b) El nmero de pares de placas que hay en cada vaso.
c) El nmero de vasos o clulas.
d) Sus dimensiones.
53. Respecto al mantenimiento de una batera de plomo cido sabemos que...
a) En el proceso de descarga hay un aumento de la concentracin del cido.
b) Para conocer el estado de carga de cada acumulador es necesario medir la
densidad del electrolito.
c) En el proceso de carga, la tensin nunca llega a sobrepasar el valor nominal.
d) No existe gaseado durante la carga y, por tanto, no hay que tomar precauciones.
54. Dada la grfica de la figura, que muestra la capacidad de descarga de una
batera de plomo en funcin de la corriente, deducimos que...
a) II >12 >13 >14.
b) I1<I2<I3<I4.
c) 11=12 = 13 = 14.
d) La grfica es falsa.
55. Para rellenar las bateras de plomo cido se emplea...
a) Agua corriente.
b) Agua destilada.
c) Agua mineral.
d) Agua oxigenada
56. Estructuralmente un diodo se compone de...
a) Tres cristales dopados y dos terminales externos de conexin.
b) Dos uniones semiconductoras.
c) Dos cristales dopados y dos terminales externos de conexin.
d) Tres uniones semiconductoras.

57. Cuando en un diodo directamente polarizado existe un flujo de electrones

de valencia movindose hacia la izquierda, significa que los huecos fluyen
hacia...
a) La derecha.
b) La izquierda.
c) Todas las direcciones, errticamente.
d) No se mueven.
58. En un diodo de silicio no polarizado y a temperatura ambiente, los iones de
la zona de deplexin producen una barrera de potencial de...
a) 0,2 V.
b) 0,3 V.
c) 0,7 V.
d) 1,5 V.
59. Dentro de la estructura cristalina de un diodo, los elementos que no
pueden desplazarse son...
a) Los electrones libres.
b) Los huecos.
c) Los portadores mayoritarios.
d) Los iones.
60. En el diseo de un diodo rectificador, interesa una banda prohibida ancha
porque...
a) La corriente inversa de saturacin ser mayor.
b) La temperatura afectar menos al semiconductor.
c) La tensin umbral ser menor.
d) Ninguna respuesta es cierta, la banda prohibida debe ser estrecha.
61. Cuando una unin PN est polarizada segn indica el esquema de bloques
de la figura.
a) Circula una intensa corriente elctrica a travs de la unin que
se cierra por el circuito exterior.
b) Disminuye el campo elctrico que se establece en la unin, lo
que favorece su capacidad de conduccin.
c) Aumenta la barrera de potencial y el ancho de la zona de transicin, con lo que
ser imposible que se establezca por ella una corriente directa.
d) Su zona de trabajo se encuentra en el primer cuadrante de la curva caracterstica.

62. Cul de las caractersticas de un diodo citadas a continuacin puede

encontrarse en su datasheet?
a) El color de la cpsula.
b) Vida media del componente.
c) Intensidad media mxima.
d) Tensin inversa mnima.
63. Atenindonos a su cdigo de designacin, cul de los siguientes
componentes es un diodo de unin?
a) 2N3055.
b) 1N4148.
c) 7400.
d) ZF12.
64. Cul de las siguientes afirmaciones es cierta?
a) Cuando varios diodos estn conectados en paralelo,
la mxima corriente que puede entregar el conjunto
est limitada a la del diodo que menos corriente admite.
b) Los diodos no pueden conectarse en serie.
c) En la conexin de diodos en paralelo es preciso
colocar una resistencia de pequeo valor en serie con
cada uno de ellos para compensar las disimetras.
d) Los diodos slo pueden conectarse en anti paralelo
65. Un rectificador monofsico en puente de Graetz est formado por...
a) 1 diodo.
b) 2 diodos.
c) 3 diodos.
d) 4 diodos.

66. En un puente rectificador integrado...

a) Los terminales marcados con el smbolo ~ corresponden a la salida de tensin
alterna.
b) Los terminales marcados con los signos + y - corresponden a
la entrada de tensin continua pulsatoria simple.
c) Es obligatorio el uso de radiador.
d) Los terminales marcados con los smbolos ~ son los de
entrada de tensin alterna, y los marcados con los signos + y son los de salida de tensin continua pulsatoria doble.
67. Cuando se conectan en serie varios diodos de potencia del mismo tipo...
a) La tensin inversa aplicada a la rama se reparte por igual entre todos ellos.
b) El tiempo de recuperacin inversa ser el mismo para
todos.
c) Los diodos ms rpidos dejarn de conducir antes, lo
que les es favorable pues soportarn una tensin inversa menor.
d) La distribucin de la tensin inversa entre los diodos de la rama puede
equilibrarse mediante la conexin de una resistencia en paralelo con cada uno.
68. Cuando se conectan en paralelo varios diodos de potencia del mismo tipo...
a) La dispersin de las caractersticas estticas de los diodos hace que puedan
provocarse

fuertes

desequilibrios

en

sus

respectivas

contribuciones a la corriente de carga.

b) Se crea un desequilibrio que se hace menos patente con el
aumento de la temperatura, ya que es positivo el coeficiente de
temperatura de la tensin en los diodos.
c) Es preciso conectar una resistencia en paralelo con cada
diodo a fin de uniformar sus caractersticas.
d) El valor de la resistencia a conectar en serie con cada diodo ser tanto mayor
cuanto mayor sea la corriente que deba circular por dicha rama.

69. El valor de la corriente que un diodo de potencia puede soportar, si sus

picos se repiten cada 20 ms con una duracin del pico de 1 ms y para una
cierta temperatura de la cpsula, se denomina...
a) IFAVb) IFRMc) IfSMd ) IFRMS
70. El tipo de encapsulado de un diodo de potencia depende de...
a) La intensidad nominal del diodo.
b) La cada de tensin directa.
c) La temperatura ambiente.
d) La corriente de fugas.
71. Del espesor d de la capa N- del diodo de potencia de la figura depende...
a) La comente directa media.
b) La tensin de ruptura.
c) La tensin de umbral.
d) La tensin directa de pico repetitiva.
72. Los diodos zener trabajan habitualmente...
a) En polarizacin directa.
b) En polarizacin inversa.
c) En ambas polarizaciones, directa e inversa.
d) Por ctodo a masa.
73. En la caracterstica inversa correspondiente a un diodo zener de la figura,
el punto de trabajo...
a) Q1 es el adecuado porque aun no se ha producido la ruptura.
b) Q3 est dentro de la zona de regulacin.
c) Q5 es idneo para circuitos con corrientes fuertes.
d) Q2 o Q4 estn prohibidos.
74. Los diodos zener tit Hi-tin se utilizan principalmente en...
a) Estabilizacin de tensiones,
sobretensiones.
b) Rectificacin de potencia.
c) Amplificacin de seales de audio.
d) Sintonizacin FM.

circuitos recortadores y proteccin contra

75. Cul de los smbolos de la figura no representa al diodo zener?

a) D1.
b) D2.
c) D3.
d) D4.
76. El efecto zener y el efecto avalancha...
a) Son iguales.
b) Se producen con polarizaciones diferentes: uno en directa y el otro en inversa.
c) Se diferencian en que uno es controlable y el otro destruye la unin PN.
d) Solo se producen si el material semiconductor usado en la unin es el Germanio.
77. Los transistores BJT o bipolares reciben este nombre porque...
a) Basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones y
huecos.
b) Tienen tres uniones PN.
c) Pueden trabajar de dos modos diferentes: como conmutador y como amplificador.
d) Necesitan dos fuentes de alimentacin para ser polarizados.
78. El smbolo representado corresponde a un transistor...
a) NPN
b) PNP
c) PPN
d) NPP
79. El transistor bipolar fue inventado en el ao 1948 por
a) John Bardeen.
b) Walter H. Brattain.
c) William B. Shockley.
d) Los tres anteriores
80. Un transistor bipolar tiene
a) Dos zonas de dopado.
b) Dos zonas de deplexion.
c) Tres tipos de portadores de carga.
d) Dos terminales.

81. Un transistor sin polarizar es similar a

a) Dos diodos contrapuestos. Q
b) Una resistencia variable.
c) Un interruptor cerrado.
d) Una red RC.
82. En un transistor NPN los portadores mayoritarios en la base son
a) Los huecos.
b) Los electrones libres.
c) Los iones positivos.
d) Los iones negativos.
83. En las caractersticas de salida de un transistor bipolar mostradas en la
figura, la zona rayada corresponde a...
a) La zona de saturacin.
b) La zona de corte.
c) La zona activa.
d) La zona prohibida.
84. Para que un transistor BJT este polarizado en la zona activa debe tener.
a) La unin E-B y la unin C-B directamente polarizadas. Q
b) La unin E-B y la unin C-B inversamente polarizadas.
c) La unin E-B directamente polarizada y la unin C-B inversamente polarizada.
d) La unin E-B inversamente polarizada y la unin C-B directamente polarizada.
85. En un transistor NPN que trabaja en saturacin se verifica que...
a) VCE = 0V.
b) Ic - 0 A.
c) VCE = VCC. Q
d) Ic = IM.
86. Un transistor NPN con los valores indicados se encuentra
a) En la zona activa.
b) Saturado.
c) En corte. LI
d) Bloqueado

87. Habiendo realizado a un transistor NPN con un hmetro analgico las

medidas indicadas, sabemos que...
a) Esta estropeado.
b) Aparentemente se encuentra en buen estado.
c) Puede funcionar solamente como conmutador.
d) Tiene fugas pero funciona bien.
88. El punto de trabajo de un transistor se conoce como.
a) Punto Q, que signifies Quiescent point, es decir, punto quieto, inmvil o de reposo.
b) Punto W, del ingles Working point, es decir, punto de trabajo.
c) Punto C, del ingles Charge point, es decir, punto de mxima carga.
d) Punto T, en castellano.
89. Que montaje bsico del transistor tiene una ganancia de corriente prxima
a la unidad?
a) Emisor comn.
b) Base comn.
c) Colector comn.
d) Ninguno.
90. El montaje en colector comn tiene...
a) Alta impedancia de entrada y baja de salida.
b) Alta impedancia de entrada y alta de salida.
c) Baja impedancia de entrada y alta de salida.
d) Baja impedancia de entrada y baja de salida.
91. En un transistor, bipolar , discreto conectado en emisor comn, el
fenmeno de embalamiento trmico
a) No existe.
b) Se produce al someter al componente a temperaturas inferiores a las de trabajo
recomendadas.
c) No puede evitarse aunque se coloquen dispositivos de estabilizacin trmica, pero
su efecto es despreciable.
d) Es un proceso acumulativo provocado por una elevacin de temperatura, que a su
vez aumenta la IC as sucesivamente, hasta destruir el transistor.

92. Los transistores de efecto de campo de unin...

a) Estn dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente
constituyendo un nico terminal exterior.
b) Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitucin interna.
c) De doble puerta tiene un campo de aplicacin mucho ms amplio que los de
puerta nica.
d) No presentan ningn tipo de analoga con respecto a los BJT.
93. A medida que la tensin de puerta de un JFET canal N es ms negativa, eI
canal se hace...
a) Ms ancho.
b) Ms estrecho.
c) Ms conductor.
d) Ms largo.
94. La diferencia ms clara entre el JFET y el MOSFET de empobrecimiento es
que...
a) Uno se gobierna por tensin y el otro por corriente.
b) El MOSFET puede trabajar con tensiones de puerta tanto positivas como
negativas.
c) Las dos respuestas anteriores son ciertas.
d) En el FET el sustrato es accesible desde el exterior.
95. El circuito de polarizacin de la figura
a) Es correcto para la configuracin en surtidor comn.
b) Tiene la pila VGG conectada al revs.
c) Est en montaje drenador comn.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
96. El transistor JFET difiere del bipolar en que...
a) Su velocidad de conmutacin es alrededor de 10
veces menor.
b) Su impedancia de entrada es mucho menor.
c) Tiene mucha menos ganancia de tensin.
d) Para magnitudes elevadas de tensin, la
corriente

no

se

mantiene

constante

en

aplicaciones con altas intensidades no presenta prdidas.

97. En los caractersticas de drenador de un JFET canal N de la figura se

cumple que
a) VGS4 < VGS3 < VGS2 < VGS1.
b) VGS4 > VGS3 > VGS2 > VGS1.
c) VGS4 =VGS3 =VGS2 =VGS1.
d) VGS4= 0 V
Nota: NO EXISTE FIGURA EN EL DOCUMENTO. Pero con lo consultado los VGS en
un canal N va cada vez hacindose ms negativo desde un voltaje 0v (VGS1=0v)
hasta un voltaje VGS4 = -4v como se muestra en la siguiente figura:

Segn Boylestad, R (2009) Para el dispositivo de canal n el voltaje de control VGS se

vuelve ms y ms negativo a partir de su nivel VGS = 0 V. En otras palabras, la
compuerta se establecer a niveles de potencial cada vez ms bajos al compararla
con la fuente.
98. En los transistores MOSFET, el sustrato se suele unir internamente a...
a) La fuente
b) El drenador
c) La puerta
d) La capsula

99. El smbolo del MOSFET de acumulacin canal N es el de...

a) Q1.
b) Q2.
c) Q3.
d) Q4.
Nota: NO EXISTE SMBOLO EN EL DOCUMENTO pero con lo consultado los
smbolos de acumulacin o enriquecimiento del canal N son los siguientes:

100. Los transistores MOSFET de acumulacin se conocen tambin por el

nombre de
a) MOS de empobrecimiento.
b) MOS de enriquecimiento o de canal inducido.
c) MOS de deplexin.
d) MOS de canal difuso.
101. En el circuito de polarizacin del MOSFET de la figura.
a) Si se invierte la polaridad de disminuye la corriente de
cargas a travs del canal.
b) Los electrones libres circulan por el canal desde el
drenador hacia la fuente.
c) Observamos que no tiene la puerta aislada del canal.
d) La tensin negativa de puerta controla el ancho del
canal, funcionando en estas condiciones como un FET.
102. El TRIAC es un elemento...
a) Unidireccional.
b) Bidireccional.
c) Conductor nicamente en corriente contina.
d) Rectificador.

103. TRIAC son las siglas de...

a) Corriente altema trifsica.
b) Trato industrial de alta corriente.
c) Trodo de corriente alterna.
d) Tiristor resistente a la corriente altema.
104. Un TRIA equivale a...
a) Dos transistores en serie.
b) Dos tiristores en anti paralelo.
c) Dos tiristores en serie y oposicin.
d) Dos DIAC en serie.
105. Los TRIAC 11tiH7 se utilizan preferentemente en.
a) Convertidores estticos de corriente continua.
b) Regulacin y control de corriente alterna.
c) Electrnica digital.
d) Radiofrecuencia.
106. En el TRIAC con solapa aislada de la figura es falso que.
a) No sean necesarias arandelas ni casquillos aislantes para su montaje en los
disipadores trmicos.
b) Se consigan aislamientos elctricos de hasta 2.500 V
c) G corresponda al terminal de puerta.
d) El agujero que hay en dicha solapa sirva para realizar la
conexin de cualquiera de sus nodos al
107. El SCR y el TRIAC se diferencian en...
a) Que el TRIAC se puede cebar independientemente del sentido
de la tensin aplicada a la puerta.
b) El n de terminales.
c) La forma para pasar del estado de conduccin al de bloqueo.
d) Que el TRIAC es un componente usado principalmente para disparo de los DIAC.