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Mediciones electrónicas.

El diodo.

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de

la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya
no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos: una
lámina como ánodo, y un cátodo.

De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima
de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos
de Lee De Forest.

Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un
aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en1904 por John
Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas
por Thomas Alva Edison.

Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a
través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado
con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son
conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada
positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el cátodo no se
calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban válvulas de vacío
requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se
quemaban con mucha facilidad.
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Diodo

Diodo en primer plano. Nótese la forma cuadrada del

cristal semiconductor (objeto negro de la izquierda).

Tipo Semiconductor

Principio de funcionamiento Efecto Edison

Invención John Ambrose

Fleming(1904)

Símbolo electrónico

Configuración Ánodo y Cátodo

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Diodo semiconductor.

Formación de la región de agotamiento, en la gráfica z.c.e.

Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en él para crear una región que contenga portadores de carga negativa (electrones),
llamada semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contenga portadores de carga
positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El
límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del
diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo),
pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al
cátodo (opuesto al flujo de los electrones).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al
establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.

A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su

anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que
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actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas
p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales
de germanio.

La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está
polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

Polarización directa de un diodo.

Polarización directa del diodo pn.

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo
el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al
ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
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energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión p-n.

 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

Polarización inversa de un diodo.

Polarización inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes
que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y
una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez
que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de
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estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión
produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de
saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como
su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro
enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de
saturación, la corriente superficial de fuga es despreciable.

Curva característica del diodo.

Curva característica del diodo.

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide
en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión
externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.
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 Corriente máxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.

 Corriente inversa de saturación (Is ).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica
por cada incremento de 10 °C en la temperatura.

 Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa),
esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión,
aumenta la corriente superficial de fugas.

 Tensión de ruptura (Vr ).

Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de

saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodonormal o
de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares

electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es unaavalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de
la tensión superiores a 6 V.

 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como
cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por
tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
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Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se
puede producir por ambos efectos.

Vea el video.

https://youtu.be/8gcd9pz4pV0

Varistor
Varistor

Un varistor de óxido metálico para 385 voltios.

Tipo Semiconductor

Símbolo electrónico
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Configuración Dos: entrada y salida (sin polaridad)

Un varistor es un componente electrónico con una curva característica similar a la del diodo. El
término proviene de la contracción del inglés variable resistor. Los varistores suelen usarse para
proteger circuitos contra variaciones de tensión al incorporarlos en el circuito de forma que
cuando se active la corriente no pase por componentes sensibles. Un varistor también se conoce
como Resistor Dependiente de Voltaje o VDR. La función del varistor es conducir una corriente
significativa cuando el voltaje es excesivo.

Nota: Sólo los resistores variables no óhmicos son usualmente llamados varistores. Otros tipos de
resistores variables incluyen al potenciómetro y al reostato.

Funcionamiento.

Curva característica del Varistor de óxido de Zinc (ZnO) y carburo de silicio (SiC)

El tipo más común de varistor es el de óxido metálico (MOV). Este contiene una masa cerámica de
granos de óxido de zinc, en una matriz de otros óxidos de metal (como pequeñas cantidades de
bismuto, cobalto y manganeso) unidos entre sí por dos placas metálicas (los electrodos). La región
de frontera entre cada grano y su alrededor forma una unión de diodo, la cual permite el flujo de
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corriente en una sola dirección. La masa de granos aleatoriamente orientados es eléctricamente

equivalente a una red hecha por un par de diodos con sentido contrario al otro, cada par en
paralelo junto con muchos otros pares. Cuando un voltaje pequeño o moderado se aplica a través
de los electrodos, sólo una corriente muy pequeña fluye, causada por las corrientes de fuga en las
uniones del diodo. Cuando un gran voltaje se aplica, la unión de diodo se rompe debido a una
combinación de emisión termoiónica y efecto túnel, produciendo que una gran cantidad de
corriente fluya. El resultado de este comportamiento es una curva característica altamente no
lineal, donde el MOV tiene una gran resistencia en bajas tensiones y una baja resistencia en altas
tensiones.

Cuando la tensión en el varistor está por debajo de su "voltaje de disparo", éste funciona como un
dispositivo regulador de corriente a operación normal, por lo que los varistores generalmente se
usan como supresor de picos de tensión. Sin embargo, un varistor podría no limitar de forma
exitosa la corriente de un evento como la caída de un rayo, donde la energía es mucho más grande
de la que puede soportar. La corriente que fluye en el varistor podría ser tan grande que destruiría
completamente el varistor. Inclusive, picos de tensión más pequeños podrían degradarlo. La
degradación está definida por los gráficos de esperanza de vida, proporcionados por el fabricante,
que relacionan corriente, tiempo y número de pulsos. El parámetro más importante que afecta la
esperanza de vida del varistor es su energía consumida. A medida que el consumo de energía
aumenta, su esperanza de vida decrece exponencialmente, y el número de picos que pueden
soportar y el voltaje de disparo que provee durante cada pico decrecen. La probabilidad de una
falla catastrófica puede reducirse al ampliar el rango o al conectar más varistores en paralelo. Se
dice que un varistor está completamente degradado cuando su voltaje de disparo ha cambiado
cerca del 10%. En esta condición el varistor no se ve dañado y todavía se mantiene funcional (no
tiene falla catastrófica).

Típicamente, su tiempo de respuesta es del orden de los 5 a 25 nanosegundos y su voltaje de

activación está comprendido entre 14V y 550V. Sin embargo, su confiabilidad es limitada, ya que
se degradan con el uso. Su costo es bajo comparado con otros dispositivos protectores, como
los diodos supresores de avalancha de silicio, y poseen buena disipación de la energía eléctrica
indeseable.

El varistor se coloca en paralelo al circuito a proteger y absorbe todos los picos mayores a su
tensión nominal. El varistor sólo suprime picos transitorios; si es sometido a una tensión elevada
constante, se destruye. Esto sucede, por ejemplo, cuando se aplica 220 VAC a un varistor de
110VAC, o al colocar el selector de tensión de una fuente de alimentación de un PC en posición
incorrecta. En el diseño de circuitos es aconsejable colocar el varistor en un punto ubicado
después de un fusible.

Tiene un gran campo de aplicación como aparamenta de protección en redes eléctricas, tanto de
transporte como de distribución. Se utiliza como elemento "pararrayos" situado en los propios
apoyos de la línea, desviando las sobretensiones a tierra, y también como elemento de protección
en los bypass de los bancos de condensadores compensadores de reactancia de línea.
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Vea el video.

https://youtu.be/TM8KM-QIXqM

Relé.
Relé

Tipo Interruptor

Principio de Magnetismo
funcionamiento

Símbolo electrónico
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Configuración Bobina (dos terminales),

interruptor (de dos posiciones)

Figura 1: Relé enchufable para pequeñas potencias.

Figura 2: Partes de un relé.

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Figura 3: Funcionamiento de un relé

Figura 4: Símbolo eléctrico de un relé de 1 circuito.

Figura 5: Regleta con relés.

Figura 6: Diferentes tipos de relés.

Figura 7: Relés de Estado Sólido.

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Figura 8: Relés multitensión.

El relé (en francés: relais, “relevo”) o relevador es un dispositivo electromagnético. Funciona como
un interruptor controlado por un circuito eléctrico en el que, por medio de una bobina y
un electroimán, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros
circuitos eléctricos independientes. Fue inventado por Joseph Henry en 1835.

Dado que el relé es capaz de controlar un circuito de salida de mayor potencia que el de entrada,
puede considerarse, en un amplio sentido, como un amplificador eléctrico. Como tal se emplearon
en telegrafía, haciendo la función de repetidores que generaban una nueva señal con corriente
procedente de pilas locales a partir de la señal débil recibida por la línea. Se les llamaba
"relevadores" [cita requerida].

Descripción.
En la figura 2 se representa, de forma esquemática, la disposición de los distintos elementos que
forman un relé de un único contacto de trabajo o circuito. En la figura 3 se puede ver su
funcionamiento y cómo conmuta al activarse y desactivarse su bobina.

Estructura y funcionamiento.
El electroimán hace girar la armadura verticalmente al ser alimentada, cerrando los contactos
dependiendo de si es N.A ó N.C (normalmente abierto o normalmente cerrado). Si se le aplica un
voltaje a la bobina se genera un campo magnético, que provoca que los contactos hagan una
conexión. Estos contactos pueden ser considerados como el interruptor, que permite que la
corriente fluya entre los dos puntos que cerraron el circuito.

Tipos de relés.
Existen multitud de tipos distintos de relés, dependiendo del número de contactos, de
su intensidad admisible, del tipo de corriente de accionamiento, del tiempo de activación y
desactivación, entre otros. Cuando controlan grandes potencias se llaman contactores en lugar de
relés.
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Relés electromecánicos.

 Relés de tipo armadura: pese a ser los más antiguos siguen siendo lo más utilizados en
multitud de aplicaciones. Un electro imán provoca la basculación de una armadura al ser
excitado, cerrando o abriendo los contactos dependiendo de si es N.A (normalmente
abierto) o N.C (normalmente cerrado).

 Relés de núcleo móvil: a diferencia del anterior modelo estos están formados por un
émbolo en lugar de una armadura. Debido a su mayor fuerza de atracción, se utiliza
un solenoide para cerrar sus contactos. Es muy utilizado cuando hay que controlar altas
corrientes

 Relé tipo reed o de lengüeta: están constituidos por una ampolla de vidrio, con contactos
en su interior, montados sobre delgadas láminas de metal. Estos contactos conmutan por
la excitación de una bobina, que se encuentra alrededor de la mencionada ampolla.

 Relés polarizados o bi estables: se componen de una pequeña armadura, solidaria a

un imán permanente. El extremo inferior gira dentro de los polos de un electro imán,
mientras que el otro lleva una cabeza de contacto. Al excitar el electro imán, se mueve la
armadura y provoca el cierre de los contactos. Si se polariza al revés, el giro será en
sentido contrario, abriendo los contactos ó cerrando otro circuito.

 Relés multitensión: son la última generación de relés que permiten por medio de un
avance tecnológico en el sistema electromagnético del relé desarrollado y patentado por
Relaygo, a un relé funcionar en cualquier tensión y frecuencia desde 0 a 300 AC/DC
reduciendo a un solo modelo las distintas tensiones y voltajes que se fabricaban hasta
ahora.

Relé de estado sólido.

Se llama relé de estado sólido a un circuito híbrido, normalmente compuesto por un
optoacoplador que aísla la entrada, un circuito de disparo, que detecta el paso por cero de la
corriente de línea y un triac o dispositivo similar que actúa de interruptor de potencia. Su nombre
se debe a la similitud que presenta con un relé electromecánico; este dispositivo es usado
generalmente para aplicaciones donde se presenta un uso continuo de los contactos del relé que
en comparación con un relé convencional generaría un serio desgaste mecánico, además de poder
conmutar altos amperajes que en el caso del relé electromecánico destruirian en poco tiempo los
contactos. Estos relés permiten una velocidad de conmutación muy superior a la de los relés
electromecánicos.
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Relé de corriente alterna.

Cuando se excita la bobina de un relé con corriente alterna, el flujo magnético en el circuito
magnético, también es alterno, produciendo una fuerza pulsante, con frecuencia doble, sobre los
contactos. Es decir, los contactos de un relé conectado a la red, en algunos lugares, como varios
países de Europa y América Latina oscilarán a 2 x 50 Hz y en otros, como en Estados Unidos lo
harán a 2 x 60 Hz. Este hecho se aprovecha en algunos timbres y zumbadores, como un activador a
distancia. En un relé de corriente alterna se modifica la resonancia de los contactos para que no
oscilen.

Relé de láminas.
Este tipo de relé se utilizaba para discriminar distintas frecuencias. Consiste en
un electroimán excitado con la corriente alterna de entrada que atrae varias varillas sintonizadas
para resonar a sendas frecuencias de interés. La varilla que resuena acciona su contacto, las demás
no. Los relés de láminas se utilizaron en aeromodelismo y otros sistemas de telecontrol.

Relés de acción retardada.

Son relés que ya sea por particularidad de diseño o bien por el sistema de alimentación de la
bobina, permiten disponer de retardos en su conexión y/o desconexión.

 Relés con retardo a la conexión: El retardo a la conexión de relés puede obtenerse

mecánicamente aumentando la masa de la armadura a fin de obtener mayor inercia del
sistema móvil; o bien, aumentando la presión de los resortes que debe vencer la fuerza de
atracción del relé. También se obtiene un efecto similar de retardo utilizando C.C. para
alimentar al relé en una de los dos siguientes formas:

 Relé con resistor previo y capacitor en paralelo con la bobina: cuando se alimenta
con C.C. al relé, el capacitor, hasta entonces descargado, origina una intensa
corriente de carga inicial la cual al atravesar al resistor origina una apreciable caída
en la tensión aplicada a la bobina, verificándose así un retraso a la conexión. Cabe
aclarar que siempre que se interrumpa la alimentación del relé el capacitor,
descargándose sobre la bobina, establecerá también un cierto retraso en la
desconexión.

 Relé de dos devanados con corriente en oposición: la disposición de uno de estos

relés se basa en la existencia de dos devanados conectados en oposición;
usualmente designados como principal y auxiliar, y que poseen mayor y menor
número de espiras respectivamente. Al aplicarse rensión de C.C. la corriente se
establece rápidamente en el devanado auxiliar a la vez que con mucha mayor
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lentitud en el principal debido a la marcada diferencia en la reactancia inductiva

de cada uno (Debido al diferente número de espiras que tiene cada uno) De esa
manera y debido a que el campo magnético que originan ambos devanados es
opuesto, la actuación del relé se producirá cuando la fuerza magnetomotriz -en
gradual aumento- del devanado principal sea superior a la del devanado auxiliar y
la presión de los resortes del relé, con lo que se obtiene el buscado retardo en la
conexión.

 Relés con retardo a la desconexión: también es posible obtener retardo a la desconexión

por medios mecánicos -disminución de la presión de los resortes del relé- aunque en la
mayoría de los casos se recurre a alguno de los sistemas que se indican a continuación:

 Relé con capacitor en paralelo: como su nombre lo indica, posee un capacitor que
por su condición en paralelo toda vez que se interrumpa la alimentación de C.C. al
relé considerado, la desconexión resultará retardada por la descarga de dicho
capacitor sobre la bobina, sistema con el que se obtienen tiempos muy exactos y
que en función de los valores de R y C en consideración puede superar largamente
un segundo.

 Relé con devanado adicional en cortocircuito: estos disponen de dos devanados:

uno de ellos llamado principal o de accionamiento y otro adicional que se
encuentra cortocircuitado. Ya sea que el devanado principal sea conectado o
desconectado de la tensión de alimentación, la variación de flujo consiguiente
inducirá en el devanado adicional una corriente que oponiéndose a la causa que la
produce retarda a dicha variación, con lo que se produce así un retardo tanto a la
conexión como a la desconexión del relé.

 Relé con devanado adicional controlado por contacto auxiliar: estos relés son
absolutamente similares a los anteriores, con el único agregado de un contacto
auxiliar del propio relé encargado de conectar o desconectar al devanado auxiliar.
Así el relé presentará un retardo a la desconexión o a la conexión según se utilice
un contacto auxiliar Normal Abierto o Normal Cerrado, respectivamente.

Relés con retención de posición.

En este caso los relés poseen un diseño en el cual tienen remaches de elevada remanencia
colocados dentro de orificios practicados en el núcleo y la armadura de los mismos, y en exacta
coincidencia. Por estar perfectamente rectificadas las caras polares en contacto al cerrar el circuito
magnético del relé quedará en esa posición -por remanencia magnética- aunque la bobina se
desconecte, retornando a la posición de reposo inicial sólo cuando una corriente de sentido
contrario vuelva a abrirlo
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Ventajas del uso de relés.

La gran ventaja de los relés electromagnéticos es la completa separación eléctrica entre
la corriente de accionamiento, la que circula por la bobina del electroimán, y los circuitos
controlados por los contactos, lo que hace que se puedan manejar altos voltajes o
elevadas potencias con pequeñas tensiones de control. También ofrecen la posibilidad de control
de un dispositivo a distancia mediante el uso de pequeñas señales de control. En el caso
presentado podemos ver un grupo de relés en bases interfases que son controlado por módulos
digitales programables que permiten crear funciones de temporización y contador como si de un
mini PLD (Dispositivo Lógico Programable) se tratase. Con estos modernos sistemas los relés
pueden actuar de forma programada e independiente lo que supone grandes ventajas en su
aplicación aumentando su uso en aplicaciones sin necesidad de utilizar controles como PLD's u
otros medios para comandarlos (ver fig 7). Se puede encender por ejemplo una bombilla o motor y
al encenderlo se apaga el otro motor o bombilla.

Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada.1 Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción
eninglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentran
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores
de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, entre otros.

Historia.

Artículo principal: Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de
1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron
galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de
tres electrodos, o triodo.

El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no se
disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.

Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores
de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el
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drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último,
apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron
un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).

Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS
(Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET
de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente

(contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que
está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia
de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se
inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por
el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros
a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor,
frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como
corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres
tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET,
CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal debase para modular la
corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control
(graduador) y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando
la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar
los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga
conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Compuerta
(Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el
triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y
Cátodo.
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Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles
de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor.

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual.

Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base
de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacióncobre-óxido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí
el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil
de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso.
Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
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Transistor de unión bipolar.

Artículo principal: Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se fabrica
sobre un monocristal de materialsemiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de
galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante.
Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o
P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el
sustrato con átomos de elementosdonantes de electrones, como el arsénico o el fósforo; mientras
que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o «huecos») se logran
contaminando con átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al colector que,
si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre
ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas

contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
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Transistor de efecto de campo.

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la
práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales
de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N
de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y
al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta
al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en
función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.

 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se

aísla del canal mediante un dieléctrico.

 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-

Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.

Fototransistor
Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de

la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
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Transistores y electrónica de potencia.

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su
uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados
en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia
(principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente
dentro de un circuito cerrado.

El transistor bipolar como amplificador.

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno
entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en
inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa
de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la

corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales
de señal, β varía entre 100 y 300.

Vea este video.

https://youtu.be/g9RYI_Q9J1M

TRIAC

Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los

tiristores. La diferencia con untiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar
la corriente alterna.
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Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en
direcciones opuestas.

Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta.
El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

Construcción del TRIAC.

Aplicaciones más comunes.

 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).

 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre
los interruptores mecánicos convencionales y los relés.

 Funciona como interruptor electrónico y también a pila.

 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,

controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas
inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para
asegurarse que el TRIAC se apague correctamente al final de cada semiciclo de la onda
de Corriente alterna.
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Control de fase (potencia).

En la figura "control de fase" se presenta una aplicación fundamental del triac. En esta condición,
se encuentra controlando la potencia de ac a la carga mediante la conmutación de encendido y
apagado durante las regiones positiva y negativa de la señal senoidal de entrada. La acción de este
circuito durante la parte positiva de la señal de entrada, es muy similar a la encontrada para el
diodo Shockley. La ventaja de esta configuración es que durante la parte negativa de la señal de
entrada, se obtendrá el mismo tipo de respuesta dado que tanto el diac como el triac pueden
dispararse en la dirección inversa. La forma de onda resultante para la corriente a través de la
carga se proporciona en la figura "control de fase". Al variar la resistencia R, es posible controlar el
ángulo de conducción. Existen unidades disponibles actualmente que pueden manejar cargas de
más de 10kW.