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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SAN LUIS POTOSÍ
Manual de Prácticas de Laboratorio de la Materia Diodos y

Transistores
REPORTE PROYECTO DE AÑO SABÁTICO
Agosto 2015 – Junio 2016
Presenta: M.C. FABIAN VELAZCO DE JESUS
Carrera: Ingeniería Electrónica
M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

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Contenido
Objetivo general de las prácticas 4

Descripción de las prácticas 5
Práctica1. 8
Medición experimental del punto de operación del diodo en circuitos serie y circuitos en
arreglo paralelo con diodos.
Práctica 2. 16
Rectificadores de media onda y de onda completa con diodos.
Práctica 3. 32
Rectificadores con filtro capacitivo.
Práctica 4. 40
Circuitos recortadores, sujetadores y multiplicadores.
Práctica 5. 51
Circuito regulador paralelo con diodo zener
Práctica 6. 61
Punto de operación y regiones de trabajo de un transistor bipolar.
Práctica 7. 75
Estabilización del punto de operación respecto a las variaciones del Beta del BJT en
polarización universal.
Práctica 8. 90
Punto de operación y efectos de la recta de carga de CA en un amplificador en configuración
Emisor Común.
Práctica 9. 101
Colector Común.
Práctica 10. 110
Base Común.

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Práctica 11. 118

El transistor como interruptor electrónico.
Práctica 12. 125
Caracterización del JFET, MOSFET decremental y MOSFET tipo incremental. Trazado de las
curvas características.
Práctica 13. 143
Medición del punto de operación de un amplificador Fuente Común con JFET polarizado por
divisor de voltaje y por auto polarización.
Práctica 14. 156
Medición del punto de operación de un amplificador Fuente Común con MOSFET tipo
incremental.
Práctica 15. 162
Efectos de la recta de carga en amplificadores Fuente Común, Compuerta Común y Drenaje
Común. CORREGIR NOMBRE.
Práctica 16. 172
Ganancia de voltaje de un amplificador Emisor Común.
Práctica 17. 189
Ganancia de voltaje de un amplificador Colector Común.
Práctica 18. 198
Ganancia de voltaje de un amplificador Base Común.
Práctica 19. 211
Ganancia de voltaje de un amplificador Fuente Común.
Práctica 20. 220
Ganancia de voltaje de un amplificador Drenaje Común.
Práctica 21. 228
Ganancia de voltaje de un amplificador Compuerta Común.
Práctica 22. 235
Proyecto final.

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Objetivo general del manual de prácticas.

Ofrecer a los estudiantes y docentes de la carrera de ingeniería electrónica, un material de
apoyo eficiente para la realización de experimentos de laboratorio y que propicien el
aprendizaje requerido en la asignatura Diodos y Transistores.
El presente material titulado “Manual de Prácticas de laboratorio de la Materia Diodos y
Transistores”, se constituye de todas las prácticas que implican a la mayor parte de los temas
de la materia en cuestión. Es del conocimiento de los profesores que, debido a la reducción en
el número de los créditos de la materia es muy difícil cubrir todos los temas requeridos en el
programa oficial y este comentario surge porque el número de prácticas que se incluyen son
los que se desearían realizaran en forma ideal, por esta razón se deja a la responsabilidad del
instructor en curso sugerir o seleccionar las prácticas que considere más convenientes para el
desarrollo del aprendizaje eficaz del alumno.
El manual también ofrece un material de lectura que en el apartado denominado “Marco
Teórico”, que de manera simplificada y clara, presenta la teoría para cada tema o práctica en
donde se trata de cumplir satisfactoriamente con el contenido del programa de la materia,
este. El contenido del material de lectura pretende presentar los temas de una manera similar
a lo que se realiza en un salón de clase, pero de ninguna manera puede sustituir el trabajo
responsable y particular del catedrático de la materia. Este marco teórico, es quizás más
extenso de lo que puede ofrecer una Introducción que es lo que se solicita en la redacción de
este reporte, por esta razón no se nombra este apartado Introducción.
Este material, trata de plasmar el trabajo diario que se realiza en el Instituto Tecnológico de
San Luis Potosí, específicamente, del departamento de ingeniería electrónica, acorde a las
responsabilidades y compromisos con la academia de la carrera, todo con la finalidad de tratar
de beneficiar el aprendizaje de sus alumnos.
Finalmente, se plantea un material de apoyo que puede ser considerado para las materias de
ingeniería mecatrónica e ingeniería eléctrica que atiende el mismo departamento.

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Descripción de las prácticas:

Unidad I: Circuitos de aplicación con diodos.
Objetivos Específicos:
 Medir el voltaje de transición conductiva directa del diodo.

 Medir la corriente de C.D. en el diodo.
 Verificar la acción rectificadora del diodo.
 Construir circuitos recortadores, sujetadores.
 Construir circuitos reguladores de voltaje con diodo zener.
Práctica1: Medición experimental del punto de operación del diodo en circuitos serie y
circuitos en arreglo paralelo con diodos.
Objetivos:
Introducción:
Marco teórico:
Material y equipo:
Metodología o desarrollo:
Sugerencias didácticas:
Reporte de la práctica.
Bibliografía:
Práctica 2. Rectificadores de media onda y de onda completa con diodos.

Práctica 3. Rectificadores con filtro capacitivo.
Práctica 4. Circuitos recortadores, sujetadores y multiplicadores.
Práctica 5. Circuito regulador paralelo con diodo zener
Unidad II: Transistor Bipolar.
Objetivos específicos para las prácticas de la unidad II.
 Medir punto de operación de los amplificadores con Transistor Bipolar (BJT).

 Comprobar la estabilización del punto de operación de un amplificador.
 Verificar el efecto de la recta de carga de Corriente Alterna (CA) en los diferentes
tipos de configuraciones.

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Práctica 6. Punto de operación y regiones de trabajo de un transistor bipolar.

Práctica 7. Estabilización del punto de operación respecto a las variaciones del Beta del BJT en
Práctica 8. Punto de operación y efectos de la recta de carga de CA en un amplificador en
configuración Emisor Común.
configuración Colector Común.
configuración Base Común.
Práctica 11. El transistor como interruptor electrónico.
Unidad III. Transistores Unipolares (JFET y MOSFET)
Objetivos específicos para las prácticas de la unidad III.
 Medir punto de operación de los amplificadores con los diferentes Transistores de efecto
de campo (FET).
 Caracterización de los transistores: JFET, MOSFET Decremental y MOSFET incremental.
 Verificar el efecto de la recta de carga de Corriente Alterna (CA) en los diferentes tipos de
configuraciones de amplificadores con transistores FET.
Práctica 12. Caracterización del JFET, MOSFET decremental y MOSFET tipo incremental. Trazado de
las curvas características.
Práctica 13. Medición del punto de operación de un amplificador Fuente Común con JFET polarizado
por divisor de voltaje y por auto polarización.
Práctica 14. Medición del punto de operación de un amplificador Fuente Común con MOSFET tipo
incremental.
Práctica 15. Efectos de la recta de carga en amplificadores Fuente Común, Compuerta Común y
Drenaje Común.
Unidad IV: Análisis de amplificadores con BJT y FET a pequeña señal y a frecuencia media.
Objetivos específico de la unidad IV
 Medir la ganancia de voltaje de los amplificadores de una etapa construidos con BJT.
 Medir la ganancia de voltaje de amplificadores construidos con transistores JFET Y
MOSFET.
 Verificar la fase del voltaje de salida de los amplificadores respecto a la fase de la señal de
entrada.

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Práctica 16. Ganancia de voltaje de un amplificador Emisor Común.
Práctica 17. Ganancia de voltaje de un amplificador Colector Común.
Práctica 18. Ganancia de voltaje de un amplificador Base Común.
Práctica 19. Ganancia de voltaje de un amplificador Fuente Común.
Práctica 20. Ganancia de voltaje de un amplificador Drenaje Común.
Práctica 21. Ganancia de voltaje de un amplificador Compuerta Común.
Unidad V: Diseño de una fuente de alimentación.
Objetivo específico de la unidad V.
 Diseñar y construir una fuente de alimentación de CD.
Práctica 22. Diseño e implementación de una fuente de alimentación de CD o fuente regulado de CD.

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MANUAL DE PRÁCTICAS PARA LA MATERIA DIODOS Y TRANSISTORES

Objetivo general del manual de prácticas.
Ofrecer a los estudiantes y docentes de la carrera de ingeniería electrónica, un material de
apoyo eficiente para la realización de experimentos de laboratorio y que propicien el
aprendizaje requerido en la asignatura Diodos y Transistores.
A continuación se describen todas las prácticas sugeridas en el proyecto para la asignatura
Diodos y Transistores.
 Para su realización se hace necesario que los alumnos de la materia tengan

conocimientos previos respecto a los puntos siguientes:
 Tener habilidades para la utilización del multímetro digital a analógico.
 Tener habilidades para utilizar el osciloscopio digital.
 Saber utilizar el generador de funciones.
 Tener conocimientos previos de las materias Circuitos Eléctricos y Física de
Semiconductores.
Práctica 1: Medición experimental del punto de operación del diodo en circuitos serie y
circuitos en arreglo paralelo con diodos.
Objetivos:
 Verificar el valor del voltaje de polarización directa del diodo.

 Determinar el punto de operación experimental de circuitos con diodos.
 Verificar la variabilidad del voltaje de transición conductiva del diodo.
Marco teórico:
El diodo semiconductor surge por la necesidad de suministrar energía eléctrica a las cargas
eléctricas de corriente directa (corriente en un solo sentido) por ejemplo, los motores de
corriente directa, artefactos que pueden girar en un solo sentido por la aplicación de la
corriente en un solo sentido.

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El objetivo era encontrar un dispositivo que se cerrará (que se cortocircuitará) al aplicarle

voltaje de signo positivo (polarización directa) pero que se comportará como un circuito
abierto (interruptor abierto) con polarización inversa, estas situaciones se ilustran en las
figuras 3 y 5. Cuando se le aplica voltaje positivo respecto al Ánodo, el diodo deja pasar
corriente eléctrica (aparenta un interruptor cerrado) y cuando se le aplica voltaje negativo en
el ánodo, no deja pasar corriente eléctrica (lo bloquea).
Una vez que el diodo se encuentra en estado de conducción, no precisamente se comporta
como un conductor ideal porque presenta una caída de voltaje entre sus terminales principales
y que ocasiona calentamiento en el dispositivo cuando conduce alta corriente ya sea en estado
estable o en operación en alta frecuencia. Este voltaje en estado de conducción que algunos
autores simbolizan por VF tiene un valor aproximado de 0.7 volts para diodos de silicio y 0.3
volts en diodos de germanio, pero también se sabe que tiene un valor variable tanto forma
grupal o por cambios en las condiciones de la temperatura de operación.
El diodo semiconductor ideal.

El diodo semiconductor se pretende fabricar y diseñar con las características eléctricas ideales
que se ilustran en la figura 1 (característica del diodo ideal). El diseño y construcción real de
estos dispositivos es posible por la unión de dos materiales del tipo P y tipo N.
Figura 1. Modelo de diodo ideal.
Los materiales semiconductores están conformados por átomos de valencia 4, principalmente

de silicio y germanio.

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Un material semiconductor se le llama intrínseco (puro) cuando se constituye por átomos de

un solo tipo. Se transforman en material extrínseco (impuro) cuando se contamina con
diferentes átomos.
La contaminación de los materiales intrínsecos se realiza preferentemente con átomos de

valencia 3 o de valencia 5.
La contaminación con átomos de valencia 3 produce un exceso de huecos, el material se vuelve
buen conductor y se le nombra material tipo P. Cuando la contaminación se realiza con átomos
pentavalentes (valencia 5), el material adquiere un exceso de electrones y también obtiene
características de buen conductor eléctrico, se forma el material tipo N.
En la figura 2, se ilustran el símbolo y la denominación de terminales del diodo.
Figura 2. Imagen de un diodo de baja potencia y el símbolo representativo del semiconductor.
Polarización directa del diodo.

En la polarización directa (VAK > 0) el diodo permite que exista corriente eléctrica formando
un aparentemente corto circuito o interruptor cerrado.
Figura 3. Símbolo de un interruptor cerrado.

En la práctica o en forma experimental se pueden probar que existe un voltaje de
aproximadamente 0.7 volts para los diodos de Silicio y de 0.3 volts para diodos de Germanio.
Este voltaje es el principal causante de que el semiconductor experimente calentamiento al

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circular corriente entre sus terminales y debe ser tomado en cuenta cuando se diseñan
circuitos con diodo.
Figura 4. Polarización directa del diodo y su analogía con un interruptor cerrado.
Polarización Inversa del diodo.

En la polarización inversa (VAK < 0) el diodo bloquea la señal eléctrica.
Bajo polarización inversa, el diodo aparenta ser un circuito abierto tal como se ilustra en la
figura 5.
Figura 5. Modelo equivalente eléctrico del diodo bajo polarización inversa.
Figura 6. Diodo en polarización inversa. La lámpara no opera porque el diodo bloquea la

circulación de corriente eléctrica.
Experimentalmente, se puede probar que existe una muy pequeña corriente del orden de los
nano amperes llamada “corriente de saturación inversa”, simbolizado por I0.

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La corriente de saturación inversa es mayor en los diodos de germanio y además sufre cambios
por efectos del medio ambiente, por ejemplo, si existe un aumento de temperatura en el diodo
la corriente de saturación inversa (I0) también aumenta y esto indica que percibe cualquier
cambio de temperatura. Estas características del diodo semiconductor se ha explotado para el
diseño de dispositivos electrónicos llamados sensores o detectores de diferentes fenómenos
físicos; temperatura, iluminación, etc.
Valores Característicos del Diodo.

Voltaje de transición conductiva en polarización directa. Es el voltaje que necesita para
polarizar o hacer conductivo al diodo, su valor típico es 0.7 volts para diodos de Silicio (el más
común), se simboliza por VTM.
Voltaje de bloqueo inverso (VBO). Es el máximo nivel de voltaje que el diodo permite bloquear
en polarización inversa, sus valores típicos son 100, 200, 400 y 600 volts. Si se aplicara un valor
superior en voltaje, el diodo sufre una ruptura llamada “avalancha inversa” y queda inservible.
Corriente máxima promedio (ITM o IAV). Es la máxima corriente promedio que puede conducir
el semiconductor, sus valores comerciales van desde algunas decenas de mili Amperes
(milésimas de ampere) hasta varios de miles de amperes, 3 000 por ejemplo.
Material y equipo:
Material.
Juego de resistencias (los valores de estas resistencias se anotaron en clase)
Juego de caimanes.
Protoboard
Diodo BY127
Equipo.
Multímetro digital FLUKE
Fuente de voltaje de 5 volts CD

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Metodología o desarrollo:
1. Arme el circuito que se muestra en la figura.

2. Utilice el multímetro para medir o determinar el voltaje y la corriente en el diodo.
La corriente la puede determinar por medio de la ley de Ohm, midiendo la caída de
voltaje en la resistencia R.
3. Repita el procedimiento para cada una de las resistencias que se tienen en la tabla y
anote sus resultados en la misma.
4. Utilice los datos obtenidos para trazar la una gráfica en un plano cartesiano, en donde
el eje vertical corresponderá para el valor de las diferentes corrientes y el eje horizontal
para los diferentes valores par el voltaje entre las terminales del diodo, utilice papel
milimétrico.
Figura 1. Circuito de polarización del diodo y presentación del diodo.
R VR VD ID
1M
560K
330K
220K
100K
82K
68K

14
47K
33K
22K
15K
10K
5600
3300
1000
560
330
100
 Estudie y analice las notas dictadas en clase

 Realice los ejercicios correspondientes.
 Consulte y estudie el tema en cuestión en la bibliografía sugerida.
 Verifique el buen funcionamiento de sus dispositivos y el equipo a utilizar.
 Notificar en forma inmediata al personal responsable del laboratorio sobre posibles
averías o mal funcionamiento del equipo.
 Use una cámara fotográfica, de video o las que vienen con un celular, para tomar todas
las evidencias necesarias para esta práctica.
Reporte de la práctica:
 Breve introducción de teórica para el diodo semiconductor.

 Reporte la tabla con los resultados experimentales.
 El trazado de la curva característica del diodo.
 Estime el valor del voltaje de conducción del diodo (voltaje de transición conductiva)

15
Bibliografía:
Neamen, A. N., Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos Tomo I, Mc Graw Hill, 1999.
Boylestad, R. L., Nashelsky L., Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos, 9ª Edición, Pearso – Prentice Hall, 2005
Schilling, D. L., Belove, C., Electronic Circuits, Discrete and Integrated, 3a Edition,
McGRAW-HILL INTERNATIONAL EDITION, 1989.

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Práctica 2. Rectificadores de media onda y de onda completa con diodos.

Objetivos:
 Verificar la función del puente rectificador con dos diodos y transformador en
derivación central.
 Verificar la función del puente rectificador con 4 diodos (puente rectificador).
 Observar y verificar los niveles de voltaje de la señal rectificada en onda completa.
 Estimar la relación de vueltas de un transformador reductor.
 Medir y determinar la corriente promedio en la carga.
NOTA IMPORTNTE: Aislar o eliminar la tierra física el tomacorriente del osciloscopio.
Marco teórico:
Circuitos rectificadores.
Estos arreglos eléctricos extensamente utilizados en aparatos electrodomésticos o industriales
sirven para transformar una señal alterna a una señal pulsante con valor promedio diferente
de cero, proceso que se le conoce con el nombre de rectificación, si se observara esto desde
el punto de vista algebraico es como obtener el valor absoluto de una función senoidal.
El valor promedio de una señal periódica se puede determinar mediante la siguiente expresión:
1
𝑓𝑃𝑅𝑂𝑀 = ∫ 𝑓(𝑡)𝑑𝑡
𝑇
En donde T es el periodo de la señal senoidal y que es equivalente a 2 radianes. El periodo
debe entenderse como el tiempo que tarda la señal en completar un ciclo completo (un
semiciclo positivo y un semiciclo negativo).
Figura 1. Voltaje de corriente alterna.

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El valor promedio del voltaje de corriente alterna senoidal es cero, mientras que para un
voltaje senoidal rectificado en onda completa es
2 × 𝑉𝑚
𝑉𝐴𝑉 =
𝜋
Vav es el símbolo del voltaje promedio.
Vm es el voltaje de pico máximo del voltaje senoidal.
Figura 2. Señal de voltaje rectificado en Onda Completa.
Las aplicaciones más importantes del voltaje rectificado y que produce corriente en una sola
dirección se presenta en el diseño de fuentes de voltaje directo (cargadores de pilas) o en la
alimentación de las máquinas (motores) de corriente continua.
Los circuitos rectificadores más utilizados son los de onda completa y a la vez, estos
rectificadores se pueden realizar por medio de dos diodos o por cuatro diodos, los primeros se
utilizan para fuentes de baja potencia (voltajes bajos) mientras que los segundos se utilizan
para aplicaciones industriales, en las fuentes de alimentación de motores de corrientes directa.
Circuitos Rectificadores de Onda Completa con dos diodos.

Estos circuitos utilizan además de los dos diodos, un transformador con derivación
central y tal como se dijo en el párrafo anterior, su aplicación se encuentra en la construcción
de pequeñas fuetes de voltajes de valor constante y de bajo nivel. La figura 3 ilustra el esquema
eléctrico de este rectificador.

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Figura 3. Circuito rectificador con dos Diodos.
Operación del circuito rectificador.

En el semiciclo positivo de la señal de alimentación, el transformador refleja esta señal en su
arrollamiento secundario, en este caso, aparece la misma señal en el punto a de la figura 4 y
polariza directamente al diodo D1 el cual pasa a conducción, se produce una corriente en la
carga RL y que encuentra su ruta por la derivación central del transformador. Esto se ilustra en
la figura 4. En este mismo semiciclo, el diodo D2 se polariza inversamente y aparentará un
interruptor abierto. Observe que el voltaje VL es positivo.
En el semiciclo negativo de la señal de entrada, en el punto a del secundario del transformador

aparece un semiciclo negativo (voltaje negativo) y que polariza en forma inversa al diodo D1,
“se abre”. Al mismo tiempo, en el punto b del secundario del transformador, aparece un
semiciclo positivo (voltaje positivo) que polariza directamente al diodo D2 y conduce,
aparentando a un interruptor cerrado. La corriente que necesita la carga circulara por el punto
b, el diodo D2, la carga y la derivación central del transformador. Observe que la corriente en
la carga no cambia de sentido y es por eso que se produce la “rectificación”. Verifique lo
anterior en la figura 5.

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Figura 4. Rectificación del semiciclo positivo, conduce D1 y bloquea D2.
Figura 5. Rectificación del semiciclo negativo, D1 bloquea y D2 conduce.

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Si se utilizarán las anotaciones de la figura 6 para la señal de entrada y de la figura 7 para la

señal de salida del rectificador, entonces, se puede calcular el valor promedio de la señal de
salida rectificada por medio de la fórmula que se escriba a continuación.
2𝑉𝑀
𝑉𝐿(𝐴𝑉) =
𝜋
Debe recordar y aplicar las ecuaciones de la relación de vueltas del transformador en

derivación central, además, considerar que la señal de salida es respecto a la derivación central
del transformador.
Figura 6. Voltaje de entrada al transformador con derivación central.
Figura 7. Voltaje rectificado en onda completa.
Despreciando pérdidas en los devanados del transformador ideal y aplicando la ecuación de

relación de vueltas, se tienen:
Ecuación de relación de vueltas:

21
𝑁2 𝑉2
=
𝑁1 𝑉1
N1 = Número de vueltas en el arrollamiento primario.
N2 = Número de vueltas en el arrollamiento secundario.
N1 = = Voltaje eficaz (RMS) medido en las terminales de entrada del transformador
V2 = Voltaje eficaz (RMS) medido en las terminales de salida del transformador
(terminales del mismo color).
La ecuación de razón de vueltas se suele escribir en el símbolo del transformador, esta razón
es la mínima expresión racional de la razón de número de vueltas, los simbolizaremos por
medio de letras minúsculas
𝑁2 𝑚
≡
𝑁1 𝑛
Figura 8. Símbolo de un transformador con derivación central, en donde se señalan los puertos
de entrada y salida.
Entonces
𝑚
𝑉2 = × 𝑉1
𝑛
Y
𝑉2
𝑉𝑎𝑐 =
2
Para la señal rectificada

𝑉𝑂 (𝑡) = |𝑉𝑃 𝑆𝑒𝑛𝑤𝑡|

22
Figura 9. Voltaje rectificado en la salida del circuito rectificador de onda completa. Para
diferenciar el valor pico en la señal atenuada, se indica con VP.
El valor promedio de la señal de salida será

2 × 𝑉𝑃
𝑉𝑂(𝐴𝑉) =
𝜋
Figura 10. Imagen del transformador de baja potencia con salida en derivación central.

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Circuito rectificador con Puente de Diodos.
Este circuito es el más aplicado en el área industrial por las siguientes razones importantes:
 Capacidad elevada de bloqueo en voltaje.

 No necesita transformador en derivación central (para aplicaciones en baja). En
aplicaciones de alta potencia, el transformador se utiliza para aislar los efectos de
sobrecorrientes en la carga.
Las desventajas principal de este arreglo de circuito rectificar son:
 Al utilizar 4 diodos, el voltaje aplicado a la carga es atenuada por la caída en los dos
diodos que operan en serie en cada semiciclo. Esto es de importancia en aplicaciones
nivel de voltaje bajo (VP = en aprox. 1.4 volts) además,
 La pérdida de potencia en los semiconductores (efecto Joule) se incrementa por el
mayor número de diodos, sobre todo, en aplicaciones de alta potencia, en donde la
corriente de carga es elevada.
En la figura 11, se ilustra un circuito rectificador de onda completa con cuatro diodos
conectado a un transformador. El transformador se utiliza para atenuar el voltaje de línea o
para aislar la fuente de sobrecorrientes en la carga.
Figura 11. Rectificador de Onda Completa con 4 diodos.

24
El arreglo del circuito rectificador con 4 diodos se le nombra comúnmente como “puente de
diodos” y esta configuración lo ofrecen los fabricantes en bloques de uno o más puentes con
capacidades muy variadas en capacidad de conducir corriente, desde algunos cuantos amperes
hasta varios cientos de amperes. Las terminales en donde debe conectarse la carga vienen
señaladas con los signos + - .
La operación del circuito rectificador figura anterior se explica brevemente para cada uno de
los dos semiciclos de la siguiente manera:
 En el semiciclo positivo la trayectoria de la corriente es a través de D1, RL y D4,

produciendo un voltaje positivo en la carga. Los diodos D2 y D4 se “abren”. La
explicación “visual” del circuito rectificador, se ilustra en la figura 12.
 En el semiciclo negativo los diodos D2 y D3 son los que se polarizan directamente y
conducen, mientras que los diodos D1 y D4 “se abren” y la trayectoria de la corriente
que alimenta a la carga es como el que se muestra en la figura. La figura 13 muestra la
circulación de la corriente en los diodos y también ilustran el semiciclo rectificado.
Figura 12. Operación del circuito rectificador en el semiciclo positivo.

25
Figura 13. Operación del circuito rectificador en el semiciclo positivo.
El arreglo del circuito rectificador con 4 diodos se le nombra comúnmente como “puente de
diodos” y esta configuración lo ofrecen los fabricantes en bloques de uno o más puentes con
capacidades muy variadas en capacidad de conducir corriente, desde algunos cuantos amperes
hasta varios cientos de amperes. Las terminales en donde debe conectarse la carga vienen
señaladas con los signos + - .
Finalmente se debe comentar que el uso de varios diodos en la rectificación incrementa la

potencia disipada por el rectificador y esto sucede porque en cada diodo, en operación de
estado permanente disipa la siguiente potencia promedio.
PD  VD  I D  0.7  I AV
En donde IAV es la corriente promedio del circuito.
Para circuitos que manejan grandes cantidades de corriente se hacen necesarios disipadores
de calor, en donde se deben montar los puentes de diodos.

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Material.
Juego de resistencias (los valores de estas resistencias se anotaron en clase)
Juego de caimanes.
Cables toma corrientes.
Protoboard
4 Diodos BY127
Transformador de 24 volts, 3 Amperes, con derivación central.
Lámpara incandescente de 40 W
Equipo.
Multímetro digital FLUKE
Osciloscopio digital
Metodología o desarrollo
Experimento 1. Características del voltaje de alimentación de CA
1. Mida por medio del multímetro (en la opción AC) el voltaje de alimentación de la mesa
del laboratorio, supuestamente de 120 V RMS.
Valor medido: ______________ volts
2. Observe por medio del osciloscopio digital el voltaje de alimentación y realice las
siguientes tareas: PUEDES DEJAR PENDIENTE ESTE PUNTO.
 Grafique (tome una foto) el voltaje alterno y anote el valor pico de la señal, el voltaje
promedio (VAV) y el voltaje eficaz (VRMS).
VM = _________ VAV = ________ VRMS = _________
Experimento 2 Voltaje de salida de un transformador con derivación central
1. Observe e identifique las terminales del transformador de 24 volts. Solicítelo en el

laboratorio. Tómele una foto para el reporte.
2. Por medio del multímetro, mida y anote el voltaje que se tiene en la mesa de trabajo
del laboratorio. El multímetro debe estar en la opción AC.

27
Figura 1. Transformador de 24 volts con derivación central.
Figura 2. Transformador de 24 volts a tres amperes con derivación central.
3. Conecte a las terminales de entrada del transformador el voltaje de línea y realice las
siguientes mediciones:
 Vab (rms). Con el multímetro en la opción AC
 Vab (pico) o Vm con el osciloscopio
 Vac (rms). Respecto a derivación central. Con el multímetro en AC
 Vac (pico). Con el osciloscopio
 Vcb (rms). Con el multímetro en AC
 Vcb (pico). Con el osciloscopio.

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Por favor aplique cinta de asilar al conectar el transformador.

Experimento 3
Circuito rectificador de onda completa con dos diodos y transformador de 24 volts a tres
ampere.
Figura3. Ilustración real de un diodo de silicio.
1. Identifique las terminales del diodo semiconductor y conecte el circuito rectificador

de onda completa que se ilustra en la figura 3.
2. Por medio del multímetro (en opción CD) y el osciloscopio, realice las siguientes
mediciones:
a) El voltaje promedio en la carga (VLCD).
b) La corriente promedio en la carga (ILCD)
c) Observe y grafique el voltaje en la carga por medio del osciloscopio en donde debe
distinguir el valor de VM. Puede tomar fotografía de esta señal.
Figura 3. Rectificador de onda completa con dos diodos y transformador con derivación central.

29
Figura 4. Rectificador de onda completa con dos diodos y transformador con derivación central.
Tabla de resultados.
RL (Ohms) VLCD ILCD VM
1000
560
100
Experimento 4
Rectificador de onda completa con puente de diodos
1. Identifique las terminales del diodo semiconductor y conecte el circuito

rectificador de onda completa que se ilustra en la figura 5.
2. Por medio del multímetro (en opción CD) y el osciloscopio, realice las siguientes
mediciones:
d) El voltaje promedio en la carga (VLCD).
e) La corriente promedio en la carga (ILCD)

30
f) Observe y grafique el voltaje en la carga por medio del osciloscopio en donde debe
distinguir el valor de VM. Puede tomar fotografía de esta señal.
Figura 5. Circuito rectificador con puente de diodos.
Sugerencias didácticas
 Estudie y analice las notas dictadas en clase.


31

Bibliografía:

32
Práctica 3. Circuitos Rectificadores con filtro capacitivo.

Objetivos:
 Medir o determinar la corriente promedio en la carga.

 Medir y dibujar el voltaje de rizo pico a pico.
 Medir el voltaje promedio en la carga de un rectificador con filtro capacitivo.
 Medir o determinar la corriente promedio en la carga (Icc).
 Medir el voltaje RMS del rizado.
 Verificar el efecto del capacitor de filtro.
Marco teórico:
CIRCUITO RECTIFICADOR CON FILTRO CAPACITIVO
La necesidad de aumentar el voltaje promedio y obtener una señal de voltaje más limpia
(menos pulsante, como el que se obtiene en la rectificación) se logra utilizando las propiedades
del condensador eléctrico (capacitor) para almacenar y entregar energía eléctrica.
Figura 1. Circuito rectificador con filtro capacitivo.
El condensador se coloca entre las terminales de salida del puente rectificador (en paralelo
con la carga RL) para modificar el voltaje de salida tal como se muestra en la figura 1 y en la
gráfica aparecen los siguientes puntos importantes:
Vr(p-p). Voltaje de rizo pico a pico: es la señal de ruido (señal de voltaje oscilante) que aparece
en la parte superior del voltaje que se aplica a la carga, también se le llama voltaje de rizado y
mientras menor amplitud tenga, el voltaje de salida se considera de mejor calidad. Se debe

33
señalar que el tamaño del voltaje de rizado depende de la exigencia de corriente de la carga
(potencia de la carga) y del tamaño del capacitor.
Voltaje promedio o componente de voltaje directo (VCC): es el nivel de voltaje directo que
produce el circuito, su valor se ubica aproximadamente a la mitad del voltaje de rizo pero
siempre menor que el valor de Vm (voltaje de pico máximo del voltaje alterno que se rectifica),
una fórmula que lo define es la siguiente:
Vr ( p  p )
Vcc  Vm 
2
De la fórmula anterior se entiende que si es voltaje de rizo pico a pico (amplitud de voltaje de
rizado) decrece, entonces el voltaje promedio se incrementa.
Un voltaje de rizado de mayor amplitud afectará al voltaje de salida que sería considerado de
menor calidad, por el contrario un voltaje de rizado menor dará como resultado un voltaje de
salida de mayor calidad (con menos ruido eléctrico).
Figura 2. Señal de voltaje de salida del circuito rectificador con filtro capacitivo.
El voltaje de rizado depende principalmente de la potencia de la carga que se le conecta, si la

carga es de elevada potencia (carga pesada), entonces demandará mayor cantidad de
corriente (es de baja impedancia). Si la carga es de baja potencia (carga liviana) entonces
demandará menos corriente (porque su impedancia es alta).
A este respecto, es necesario recordar la relación que existe entre los conceptos: potencia,
resistencia y corriente.

34
V2 P
P  I R
2
P I
R R
De donde se deduce que:
 Una carga eléctrica de mayor potencia, quiere decir que tiene menor resistencia.
 Una carga eléctrica de mayor potencia demanda mayor corriente eléctrica.
También el voltaje de rizado depende del tamaño del capacitor de filtro. La siguiente expresión
relaciona el voltaje de rizado con lo que se ha escrito anteriormente.
Icc  Vcc
Vr( p  p) 
2 fCVm
En donde
ICC = corriente promedio que demanda la carga.
VCC = voltaje promedio (componente de voltaje directo) aplicado a la carga.
f = frecuencia del voltaje de alimentación.
De la fórmula se puede interpretar lo siguiente:

 El voltaje de rizado aumenta si la corriente promedio que demanda la carga
crece y viceversa.
 El voltaje de rizado disminuye si se coloca un condensador de mayor
capacitancia y viceversa.
Aparentemente para solucionar el problema de un voltaje de rizado mayor es colocar un
condensador de mayor capacitancia (más grande) y de esta forma bajar la amplitud de voltaje
de rizado, pero esta posible solución tiene implicaciones muy importantes por las siguientes
razones:
Cuando el rizado disminuye, el tiempo de carga del condensador también disminuye y tiene
poco tiempo para cargarse (mayor capacitancia, implica mayor carga) y este obliga al
transformador y a los diodos a entregar corrientes elevadas en tiempos cortos (corrientes de
pico) y que crecen a medida que el rizado disminuye o el capacitor aumenta en valor.

35
En forma empírica se puede decir que la corriente de carga de un capacitor en este circuito,
llamado corriente de pico es aproximadamente cinco veces mayor que la corriente promedio
que demanda la carga.
I P  5  I CC
La señal de salida de un circuito rectificador con filtro capacitivo ofrece un voltaje promedio
mayor comparado a lo que resulta de un circuito rectificador simple, logrando de esta forma
una mejora en la eficiencia de trabajo de cualquier carga de CD.
Este voltaje promedio se puede estimar en su valor por medio de la fórmula
Vr ( p  p )
Vcc  Vm 
2
Esta expresión muestra que el voltaje promedio aumenta si el voltaje de rizado disminuye, en
el caso contrario, si el voltaje de rizado aumenta, entonces el voltaje promedio disminuirá.
También es observable que el voltaje promedio será siempre menor que el voltaje pico máximo
de la señal rectificada, esto es:
Vcc  Vm
Material:
4 diodos BY127
2 resistencias de 100, 560 Ohms con su potencia recomendable.
Transformador de 24 Volts
2 capacitores de 330 y 470 microfaradios
1 flotador (adaptador 3/2)
Equipo:
Multímetro digital
Desarrollo o metodología:
1. Arme el circuito figura 1 conectando una carga RL = 100 Ohms y C = 330 uF.

36
2. Mida el voltaje promedio en la carga y determine la corriente promedio (utilice el

multímetro en CD).
3. Observe y grafique (señalando niveles de voltaje) el voltaje de rizado (pico a pico).
Anote el valor del voltaje de rizado pico a pico. Puede tomarle una foto para el reporte.
4. Mida el voltaje de rizo RMS (con el osciloscopio en AC o con el multímetro).
5. Utilizando los cursores, determine el tiempo T1 (tiempo de carga de C) y el tiempo T2
(tiempo de descarga de C) que aparecen en el voltaje de rizado pico a pico.
6. Cambie el capacitor a 470 microfaradios repita los puntos 3 a 5. Anote sus resultados
en la tabla anexa.
7. Repetir el punto anterior utilizando RL = 470 ohms y C = 470 microfaradios.
8. Anote sus conclusiones y observaciones.
Tabla de resultados
RL C (uF) Vr(p-p) Vr(rms) r (%) Vcc Icc (mA) T1 T2

100 330
470 330
470 470
Figura 1. Rectificador de onda completa con filtro capacitivo.

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Figura 2. Ilustración de la conexión del circuito rectificador con filtro capacitivo.
A continuación se exhiben imágenes de la simulación en MULTISIM para los resultados

esperados cuando RL = 100 y C = 330 uF y que corresponden al primer experimento. No olvide
que:
 T1 = 8.333 mS – T2
 El voltaje Vcc lo debe medir con el multímetro FLUKE en opción CD.
Figura 3. Imágenes de osciloscopio con la medición ilustrando la medición de T2

38
Figura 4. Imágenes de osciloscopio con la medición ilustrando la medición del voltaje de rizo
pico a pico y del voltaje de rizo RMS.



39
Bibliografía:

40
Práctica 4. Circuitos recortadores, sujetadores y multiplicadores.

Objetivos:
 Construir un circuito recortador con diodo.
 Corroborar los resultados teóricos con los resultados experimentales.
 Observar las formas de señales de voltaje que se obtienen del circuito recortador.
Marco teórico:
Circuitos Recortadores con diodos
Los circuitos recortadores son circuitos que modifican la señal de entrada (alterna) eliminando
una porción de ella. En la forma más elemental, el circuito consiste en un arreglo serie de un
diodo, una resistencia y una batería o fuente de diferencia de potencial. El circuito figura 1, es
un ejemplo de estos circuitos y también se ilustra su forma de análisis.
Cabe mencionar, que en el circuito figura 1, la señal de entrada es de patrón senoidal con valor
pico mayor que el potencial de la batería V.
Figura 1. Circuito recortador con diodo en serie.

Análisis del circuito
a) En el semiciclo positivo, el voltaje entre Ánodo y cátodo del diodo VAK se define
𝑉𝐴𝐾 = V(t) − V
Si esta diferencia de potencial es mayor que cero (porción sombreada del circuito figura 3),
entonces el diodo (ideal) se polariza directamente y permitirá el paso de la corriente eléctrica

41
en el sentido horario (de ánodo a cátodo, corriente convencional) y tal como se indica en la
figura 2, esto sucede si
VAK (t) − V > 0 𝑉𝐴𝐾 (t) > 𝑉
Si el diodo se considera ideal, el voltaje marcado como salida se puede calcular aplicando la
ley de mallas,
VO (t) = i(t)R
Y que corresponde a una porción de semiciclo de la senoide que corresponde para VAK > 0. Esta
señal se ilustra en la figura 4.
Figura 2. Circuito equivalente cuando el diodo ideal permite el paso de corriente eléctrica
Figura 3. Voltaje entre ánodo y cátodo en circuito abierto. En la figura se señala en área
sombreada la porción de semiciclo cuando el diodo conduce.

42
Figura 4. Voltaje recortado en la salida. Muestra el efecto del diodo semiconductor.
Mientras que el voltaje V(t) es menor que V, el voltaje de salida Vo(t) es igual a cero. El la figura
4, se muestra la señal recortada que aparece en la carga cuando el diodo D conduce corriente.
La porción complementaria de la señal que se dibuja en la figura 3, que corresponde a la
diferencia de potencial aplicada al Ánodo del diodo, es bloqueada y es por esto que no hay
caída de voltaje en R.
NOTA: Si existiera otra resistencia en el circuito, entonces la corriente en la malla cambiaría y
el nivel de voltaje en R o Vo (t) también se vería afectado.
Ejercicio 2.
Resuelva dibujando la señal en Vo (t) si:
a) Invierte las puntas de conexión del diodo en la figura 1.
Figura 5. Voltaje senoidal aplicado al circuito y circuito recortador que muestra el diodo
colocado en sentido contrario respecto a la figura 1.

43
b) Invierte las puntas de conexión de la fuente V.
Figura 6. Circuito recortador para el inciso b).
c) Elimine el voltaje de la batería (ponga en corto circuito sus terminales) y nuevamente

dibuje el voltaje de salida.
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar una parte de la forma de onda de las señal
alterna que se aplica al circuito con diodo, respecto a un nivel de voltaje de referencia. Estos
circuitos también son llamados circuitos limitadores, selectores de amplitud o rebanadores,
(Savant/Rden/Gordon, pag. 119)
Ejercicio 3.
Para la figura 7 siguiente, grafique el voltaje de salida VO(t) y justifique su respuesta.
Figura 7. Circuito recortador para señal de voltaje senoidal.

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SOLUCION:
a) El diodo ideal permite circulación de corriente eléctrica (corriente convencional)

cuando se polariza en forma directa, esto es, cuando
𝑉𝐴𝐾 (t) > 0
Esto solamente sucede en el semiciclo positivo de la señal de entrada, porque en el semiciclo

negativo, el diodo siempre estará en polarización inversa. Para el semiciclo positivo se puede
utilizar el siguiente circuito auxiliar y de donde s e obtienen:
Figura 8. Ilustración de la corriente en el circuito en la polarización directa del diodo.
Una forma para resolver el circuito es escribiendo la ecuación de mallas en el sentido de la

corriente que se señala en el circuito.
−V(t) + ID R + VAK + 5 = 0
De donde se obtiene
VAK = V − 5 − ID R
Cuando el diodo pasa de no conducción a conducción, o viceversa (etapa de transición
conductiva), la corriente tiene un valor igual a cero, entonces, para ID = 0 se tiene:
VAK = V − 5
Ahora, si V(t) = 10senwt, entonces la transición se produce en
VAK = 10senwt − 5
Cuando VAK > 0 el diodo pasa a conducción, esto es para, VO(t) = 5 que es el voltaje de la batería
(para diodo ideal).

45
Si el voltaje VAK < 0, esto es

VAK = 10senwt − 5 < 0
El diodo bloquea el voltaje aplicado (se comporta como circuito abierto), entonces, el voltaje
de salida es igual a voltaje de entrada (en todo el semiciclo negativo).
De esta manera, el voltaje de salida se grafica
Figura 9. Gráfica del voltaje de salida del circuito recortador.
Ejercicio 4.
Graficar el voltaje de salida para el circuito recortador siguiente.
Figura 10. Circuito doble recortador con diodos.

46
Los circuitos de los ejercicios 3 y 4 son utilizados para recortar señales o como circuitos de
protección contra voltajes excesivos. Los circuitos anteriores quizás no sean tan prácticos
porque necesitan de una batería que fija el nivel de voltaje de recorte y es por eso que diseño
un semiconductor que realiza algo semejante sin el uso de la batería. Esos dispositivos se
llaman diodos Zener.
Material:
2 diodos 1N4148 o equivalentes
Juego de resistencias 4700 y 2200 Ohms.
Cables telefónicos.
Protoboard.
Juego de puntas para fuente.
Equipo:
Multímetro digital
Fuentes de voltaje DC (9 volts).
Experimento 1
1. Arme el circuito recortador figura 1. Utilice los componentes indicados.
Figura 1. Circuito recortador con dos diodos.

47
2. Observe y grafique la señal de salida indicada (Vo). Señale los niveles máximos y
mínimos. Señale los puntos de discontinuidad.
3. Resuelva el circuito y escriba el procedimiento completo para la solución.
Figura 2. Voltaje de salida utilizando los valores propuestos para la práctica, figura 1.
Experimento 2
Figura 3. Circuito recortador de nivel positivo.

48
Figura 4. Gráfica del voltaje de salida para el circuito recortador figura 3.
Experimento 3
Figura 5. Circuito recortador positivo y rectificador negativo.

49
Figura 5. Voltaje de salida para el circuito recortador positivo y rectificador negativo.



50
Bibliografía:

51
Práctica 5. Circuito regulador paralelo con diodo zener.

Objetivos de la práctica:
 Determinar en forma experimental el voltaje de diodo Zener.
 Probar el voltaje constante que establece el diodo Zener a una carga resistiva.
 Probar la operación del diseño de un circuito regulador paralelo con diodo Zener.
 Medir las diferentes corrientes que aparecen el circuito regulador.
 Probar la operación de un circuito rectificador de onda completa con filtro capacitivo
acoplado a un regulador con diodo Zener.
Marco teórico:
Diodo zener
Los diodos que trabajan en la zona de ruptura o en polarización inversa se conocen como
diodos zener o diodos de avalancha. Estos diodos pasan a transición conductiva en polarización
inversa cuando el voltaje inverso que se les aplica es mayor a su tensión de ruptura inversa
llamado voltaje de zener.
Figura1. Símbolo e imagen del diodo Zener.
Una vez que el diodo zener permite la conducción en sentido inverso, se mantiene una caída
de voltaje entre sus terminales igual al valor del voltaje de zener (casi constante) y vuelve a
inactivarse cuando el voltaje inverso es menor que el “voltaje de zener”, VZ. Pero, para que el
diodo permita circulación de corriente inversa, la fuente de polarización inversa debe
suministrar una mínima corriente que se conoce como mínima corriente de diodo zener,

52
simbolizada por IZMIN. Cabe señalar que, como todo dispositivo semiconductor, el diodo zener
tiene limitaciones en disipación de potencia y por esta razón se define la corriente máxima que
puede manejar el dispositivo en estado estable y que simboliza por IZMAX, su valor, depende de
la potencia especificado para el dispositivo. A continuación se escriben fórmulas aproximadas
para calcular o determinar estos parámetros para este diodo especial.
𝑃𝑍 𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋
𝐼𝑍𝑀𝐴𝑋 ≈ 𝐼𝑍𝑀𝐼𝑁 ≈
𝑉𝑍 10
Figura2. Curva característica V – I del diodo zener en donde se ilustran los efectos en la región
de avalancha.

53
La gráfica presentada en la figura 2 describe la curva característica del diodo zener tanto para
polarización directa como en polarización inversa. En la gráfica se señalan los diferentes puntos
característicos del diodo zener.
En el tercer cuadrante de la figura anterior, se observa una cierta pendiente en la curva que
describe el comportamiento del diodo en polarización inversa, se debe a que existe una leve
variación del voltaje de zener y por consecuencia, existe también una resistencia dinámica del
diodo zener para pequeñas variaciones del voltaje de polarización.
Para el diseño de circuitos estabilizadores de voltaje con diodo zener (circuitos reguladores de
voltaje) se deben tomar en cuenta las características que se presentan en la curva
característica y de las especificaciones del fabricante. Los siguientes ejemplos ilustran estas
consideraciones.
Ejercicios de circuitos con diodo zener
1. Resuelva el circuito encontrando el valor de Rs (valor comercial y potencia) de tal forma

que el circuito regulador de voltaje con diodo zener en paralelo con la carga, funcione
correctamente con las condiciones establecidas en el circuito.
Figura 3. Circuito regulador de voltaje con diodo zener en paralelo con la carga.
SOLUCION
El circuito funcionará correctamente si se cumplen las siguientes condiciones:
𝐼𝑠 = 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿

54
En donde la corriente de carga y la corriente del diodo zener tendrán las siguientes posibles
variaciones permitidas y condicionadas:
𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 < 𝐼𝑧 < 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥
Con estas condiciones ocurren las siguientes posibilidades:
𝐼𝑆𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝐿
𝐼𝑆𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿
La magnitud corriente de suministro de la fuente hacia el zener y la carga se controla por medio
de la resistencia Rs. Aplicando la ley de Ohm se tiene:
𝑉𝑖 − 𝑉𝑍
𝐼𝑆 =
𝑅𝑆
La corriente IS está condicionada por el voltaje de entrada y de la resistencia RS, entonces, si Vi

cambia, IS también lo hará, lo mismo pasa con la variación de RS. Por esta razón se justifican las
ecuaciones siguientes que permiten los cálculos del valor mínimo y máximo de RS.
𝑉𝑖𝑚𝑎𝑥− 𝑉𝑍 𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 𝑉𝑍 𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 𝑉𝑍

𝐼𝑆𝑚𝑎𝑥 = → 𝑅𝑆𝑚𝑖𝑛 = =
𝑅𝑆𝑚í𝑛 𝑖𝑆𝑚á𝑥 𝑖𝑍𝑚á𝑥 + 𝐼𝐿
𝑉𝑖𝑚á𝑥− 𝑉𝑍 𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 𝑉𝑍 𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 𝑉𝑍

𝐼𝑆𝑚𝑎𝑥 = → 𝑅𝑆𝑚á𝑥 = =
𝑅𝑆𝑚á𝑥 𝑖𝑆𝑚í𝑛 𝑖𝑍𝑚í𝑛 + 𝐼𝐿
Para el diseño del circuito también se tienen que tomar en cuenta las especificaciones del
diodo zener que se utilizarán, potencia, voltaje y corriente máxima de operación.
La corriente máxima que puede soportar el zener se puede obtener de la especificación de

potencia del mismo, esto es:
𝑃𝑍
𝐼𝑍𝑚á𝑥 =
𝑉𝑍
En forma empírica y por recomendación de algunos autores, como Boylestad, recomienda

tomar como corriente mínima para el zener
𝑖𝑍𝑚á𝑥
𝑖𝑍𝑚í𝑛 ≈ = 0.1 × 𝑖𝑍𝑚á𝑥
10
En las ecuaciones, existen parámetros que pueden ser conocidas, por ejemplo: las variaciones
de voltaje de alimentación, las variaciones de la corriente de carga y el voltaje del diodo zener.
Entonces, se tienen condiciones para resolver el problema encontrando primeramente el valor

55
de RS que al menos, suministre la mínima corriente al zener y la corriente a la carga es las

condiciones de voltaje de entrada más desfavorables. Después encontrar su potencia y el
intervalo de valores para la resistencia limitadora RS.
Para solucionar el problema y tomando las dos ecuaciones que definen a R S, la ecuación que
define a RSMIN cambia sustituyendo IZMIN en función de IZMAX, para obtener:
𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 𝑉𝑍 𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 𝑉𝑍
𝑅𝑆𝑚𝑖𝑛 = =
𝑖𝑆𝑚í𝑛 0.1 × 𝑖𝑍𝑚á𝑥 + 𝐼𝐿
Para hacer más amigables las ecuaciones, se sustituye IZMAX sea:
𝑖𝑍𝑚á𝑥 = 𝑥
Entonces se obtienen:
𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 𝑉𝑍
𝑅𝑆𝑚𝑖𝑛 =
𝑥 + 𝐼𝐿
𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 𝑉𝑍
𝑅𝑆𝑚𝑖𝑛 =
0.1 × 𝑥 + 𝐼𝐿
Es por lógica elemental que
𝑅𝑆𝑚á𝑥 > 𝑅𝑆𝑚𝑖𝑛
Luego
𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 𝑉𝑍 𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 𝑉𝑍
>
0.1 × 𝑥 + 𝐼𝐿 𝑥 + 𝐼𝐿
Para obtener
(𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 𝑉𝑖𝑚í𝑛 ) × 𝐼𝐿
𝑥>
𝑉𝑖𝑚í𝑛 − 0.1 × 𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 0.9 × 𝑉𝑍
Entonces, considerando los datos del ejercicio:
𝑃𝑍 = 1 𝑊𝑎𝑡𝑡 𝑉𝑍 = 9.1 𝑉𝑜𝑙𝑡
15 ≤ 𝑉𝑖 ≤ 17 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠 𝐼𝐿 = 0.15 𝐴𝑚𝑝.
Resulta que la corriente máxima del zener debe cumplir la condición
𝐼𝑍 > 0.069 𝐴𝑚𝑝.

56
Si se escoge un zener cuya corriente máxima es igual a 0.1 ampere, se obtienen los siguientes
valores:
31.68Ω < 𝑅𝑆 < 36.875Ω
Un valor comercial aceptable para RS es 33 ohms.
La potencia máxima a que será sometida esta resistencia se puede calcular por
(𝑉𝑖𝑚á𝑥 − 𝑉𝑍 )2
𝑃𝑅𝑠 =
𝑅𝑆
Obteniendo
𝑃𝑅𝑠 = 1.891 𝑊𝑎𝑡𝑡𝑠
Ejercicio 2. Realice nuevamente el ejercicio anterior considerando que la corriente de carga

varía, esto es:
0.1 𝐴𝑚𝑝 ≤ 𝐼𝐿 ≤ 0.15 𝐴𝑚𝑝.
Material:
Un diodo zener de 9.1 volts y ½ Watts
Resistencias de 560, 220 y 330 Ohms
Capacitor de 470 microfaradios
Transformador de 12 volts con derivación central
2 diodos BY127
Equipo:
Multímetro digital
Experimento 1.
1. Determine el valor experimental del voltaje del diodo Zener tal como se explicó en
clase. Utilice la figura 1.

57
Figura 1. Determinación del valor experimental del diodo zener.
Experimento 2.
1. Arme el circuito regulador figura 1 reemplazando la fuente de corriente alterna por una
fuente de CD a 15 volts. Debe establecer el valor y la potencia adecuada para la
resistencia limitadora RS para que cumpla con los requisitos del diodo zener.
2. Mida el voltaje entre las terminales del diodo zener y así también determine o mida las
corrientes IS, IZ e IL. Anote estos valores.
3. Arme el circuito regulador figura 2. Debe establecer el valor y la potencia adecuada
para la resistencia limitadora RS para que cumpla con los requisitos de la carga de 100
Ohms.
5. Arme el circuito regulador figura 3. Debe establecer el valor y la potencia adecuada
para la resistencia limitadora RS para que cumpla con los requisitos de la carga de 100
Ohms.
7. Como ejercicio complementario a la práctica, resuelva los circuitos tal como se hizo en
clase.

58
Figura 2. Circuito regulador con diodo zener y carga resistiva de 100 Ohms.
Figura 3. Circuito regulador con diodo zener, con voltaje de alimentación variable.

59
Experimento 3.
1. Arme el circuito figura 4.
Figura 4. Circuito rectificador de onda completa con acoplamiento de diodo zener.
2. Por medio del multímetro, mida el voltaje promedio en la carga y en el capacitor.

3. Determine la corriente que pasa por RL y en RS.
Figura 5. Ilustración del circuito en la plantilla experimental.

4. Por medio del osciloscopio, observe y grafique el voltaje en:
a) El capacitor.
b) En RS
c) En RL
Utilice la opción CD. Esto es, que en sus gráficos debe aparecer el nivel de CD (Vcc)
y el rizado.

60
5. Por medio del osciloscopio, observe, grafique y determine el valor del voltaje de rizo
pico a pico en: el capacitor y en RS.
6. Repetir cambiando RL con valores de 150 y 330 Ohms.
1. Estudie y analice las notas dictadas en clase

2. Realice los ejercicios correspondientes.
3. Consulte y estudie el tema en cuestión en la bibliografía sugerida.
4. Verifique el buen funcionamiento de sus dispositivos y el equipo a utilizar.
5. Notificar en forma inmediata al personal responsable del laboratorio sobre posibles
6. Use una cámara fotográfica, de video o las que vienen con un celular, para tomar todas
 Breve introducción de teórica para circuito regulador con diodo zener paralelo.
 Calcule el factor de regulación del circuito para cada paso marcado en la tabla.
Bibliografía:

61
Práctica 6. Punto de operación y regiones de trabajo de un transistor bipolar.

(Practicas Unidad II)
Objetivos:
 Verificar el efecto de la corriente de base sobre la corriente de Colector.
 Medir el voltaje VBE del transistor.
 Medir el voltaje VCESAT del transistor.
 Medir la corriente de saturación circuito Amplificador Emisor Común.
Marco teórico:
TRANSISTORES BIPOLARES
Estos dispositivos electrónicos, más complejos que los diodos, se construyen de tres capas
semiconductoras dopadas que se yuxtaponen y tienen tres terminales llamados Colector, Base
y Emisor, que se ilustran en la figura 1, la forma en que se conjuntan las tres capas
semiconductoras da origen a dos tipos de transistores: tipo NPN y PNP.
Figura 1. Construcción y símbolo del transistor bipolar NPN.
Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente y la corriente de control
se establece en la base del transistor. Debe mencionarse que cuando un transistor se polariza
en forma correcta, tal como se ilustra en la figura 2, en sus tres terminales aparecen las tres
corrientes con el sentido indicado en la figura 2: corriente de colector (IC), corriente de emisor
(IE) y corriente de base (IB).

62
Figura 2. Corrientes en las terminales del transistor bipolar NPN.
Con el establecimiento de la corriente de base (IB), se posibilitan las corrientes de colector y la

corriente de emisor, por esta razón se dice que el transistor es un dispositivo controlado por
corriente. Estas corrientes se relacionan mediante las siguientes fórmulas:
IC    I B
En donde  es “el factor de amplificación de corriente directa” del transistor, su valor puede
localizarse entre 80 y 300 para transistores de pequeña señal y menor a 80 para transistores
de potencia (los que se utilizan para diseño de interruptores estáticos).
La corriente de emisor se define por la fórmula:
I E  I C  I B  (   1)  I B
Si el factor “Beta del transistor” es de valor elevado, 100 por ejemplo, entonces:
  1 entonces  1  
Por esta razón, para simplificación de análisis de circuitos con transistores, puede ser válido
considerar que:
I E  IC    I B
Las ecuaciones anteriores se cumplen o se aplican para una región de operación del transistor
que se llama “región activa”. Las regiones de trabajo del transistor se definen a continuación:

63
a) Región de Corte. En esta zona el transistor esta desactivado porque la corriente de base
no es suficiente, es igual cero o la unión Base – Emisor esta polarizada inversamente.
En la práctica, puede apreciarse una muy pequeña corriente entre las terminales
Colector – Emisor llamada Corriente de colector – emisor a base abierta (ICEO), que es
muy pequeña (del orden de los nano amperes) y prácticamente es despreciable. En
esta región, tanto la corriente de colector y de emisor son idealmente iguales a cero. El
transistor aparentará un interruptor abierto entre sus terminales colector y emisor.
b) Región Activa. En esta región el transistor opera como elemento lineal, esto es, la
corriente de colector es función directa de la corriente de base ( IC  I B ), el voltaje
entre Colector (C) y Emisor (E) disminuye al aumentar la corriente de base. Esta región
es propia para aplicaciones en diseño de amplificadores. La unión colector base tiene
polarización inversa, y la unión B – E se encuentra en polarización directa.
c) Región de Saturación. En esta zona de trabajo el transistor, el voltaje entre el colector
y el emisor, (VCE) tiende a cero (se le considera prácticamente igual a cero), el transistor
aparenta a un interruptor cerrado. La corriente de base debe ser suficientemente
grande para lograr que VCE sea prácticamente igual a cero. Las terminales C – E y B – E
se encuentran en polarización inversa. Su principal área de aplicación es en la
construcción de circuitos interruptores estáticos.
Se debe comentar que el voltaje entre colector y emisor tiene un valor mayor que cero, y se
conoce y simboliza por VCE(SAT), su valor puede determinarse en forma experimental y sufre
pequeños incrementos si la corriente de colector aumenta.
En esta región, deja de cumplirse la relación lineal entre la corriente de base y la corriente de
colector, la corriente de colector permanece casi constante en un valor llamado “corriente de
colector en saturación” cuyo valor lo define la resistencia equivalente que se encuentra en
serie en la malla que contiene al colector y al emisor. Más adelante se determinará esto con
mayor detalle.
En la figura 3 se ilustran las “curvas características” del transistor bipolar NPN y en donde se
señalan también las tres regiones de trabajo del dispositivo.

64
Figura 3. Curvas características del transistor bipolar.
Figura 4. Curvas características para el transistor BUD600 de Temic.
El gráfico proporciona información respecto al comportamiento de la corriente de colector y

el voltaje de colector a emisor y que en resumen se tiene:
 Si la corriente de base aumenta, entonces la corriente de colector también aumenta.

65
 En la región activa, la corriente de colector es “casi” constante y su valor es

directamente proporcional al beta del transistor.
 La región de saturación se delimita en los puntos en donde la corriente de colector no
es proporcional al beta del transistor y tiende a decrecer.
 El punto correspondiente al eje horizontal en donde la curva característica tiende a ser
constante se le llama voltaje de colector a emisor en saturación.
 El voltaje de colector a emisor en saturación tiene un valor próximo a cero volts pero
crece a medida que la corriente de colector crece.
Para analizar o solucionar un circuito con transistor, se debe presuponer que el transistor está
polarizado correctamente y en la región activa, para que se puedan utilizar las ecuaciones de
relación entre las corrientes que aparecen en las terminales del transistor.
La solución del circuito consiste en encontrar el valor de la corriente de Base, corriente de

Colector y el voltaje entre el Colector y Emisor.
IB = Corriente de Base
IC = Corriente de Colector
VCE = Voltaje entre Colector y Emisor.
La actividad anterior se le conoce como “determinación del Punto de Operación” del transistor
y como el análisis se realiza para una aplicación de voltaje constante (estable), se dice que es
un “análisis en CD”.
El circuito siguiente, es uno de los más básicos pero sirve para ilustrar la polarización y la
obtención del punto de operación circuito.
De la malla de entrada o de control se tiene:
V B  V BE
IB 
RB
La fórmula indica que la corriente de base es inversamente proporcional al valor de la

resistencia de base, esto es “a mayor valor de RB, menor valor para IB”.

66
Figura 5. Polarización de un con transistor bipolar.
La figura 5, es un circuito simplificado que sirve para polarizar al transistor bipolar, ilustra la
malla de entrada o de control (circuito que incluye a la base), se obtiene de otro circuito de
polarización más complejo, al que se realiza un proceso de simplificación mediante un
equivalente de Thévenin, tal como se ilustra en la figura 6.
Figura 6. Polarización del transistor bipolar.
Por tanto, la fórmula que define a la corriente de base es
VTH  V BE
IB 
RTH

67
Una vez que se tiene la corriente de base, se puede calcular el valor de la corriente de colector:
VTH  V BE
IC    I B O IB   ( )
RTH
Para un circuito que incluye una resistencia de emisor, puede determinarse la corriente de
base y de colector mediante las fórmulas que se deducen del circuito figura 6.
Figura 7. Polarización de un transistor bipolar con resistencia de retroalimentación RE.
Aplicando la segunda ley de Kirchhoff para la malla de base o de entrada se tiene:
−𝑉𝑇𝐻 + 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
Pero
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
Entonces:
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Resolviendo para la corriente de emisor
𝐼𝐸 =
𝑅
𝑅𝐸 + 𝑇𝐻
𝛽+1

68
Como el valor obtenido para estas corrientes se realiza con la aplicación de una fuente
constante, entonces su valor es también constante (estable en el tiempo), por esta razón se
dice que corresponden a un punto estable o “de reposo”. Para denotar lo anterior se
acostumbra en los libros agregar la letra “Q” a los subíndices, esto es:
VB  VBE
I EQ  I CQ 
R
RE  B
 1
Notas importantes:
 La corriente de colector es directamente proporcional al voltaje aplicado en la base

(VB).
 La corriente de colector es inversamente proporcional al valor de RB.
 La corriente de colector es inversamente proporcional al valor de RE.
 La corriente de colector es directamente proporcional al Beta del transistor.
Para completar el análisis del punto de operación, se determina el voltaje entre colector y
emisor, VCE.
La fórmula para obtener esta diferencia de potencial se obtiene de la malla de salida del
circuito (en donde se conecta la carga) o malla que incluye las terminales emisor y colector.
Figura 8. Malla colector - emisor.

69
Aplicando la segunda ley de Kirchhoff para la malla de salida:
− 𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝑠𝑖 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝛽 ≫ 1
Obteniéndose:
𝑉𝐶𝐸 ≈ 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶
En donde VCE = VCEQ, voltaje de colector emisor – colector en el punto de operación.
A continuación se resolverá un ejercicio para la determinación del punto de operación de un

circuito con transistor, utilizando el circuito modelo figura 5.
Ejercicio:
Para el circuito figura 9 realice:
a) Determine el punto de operación del transistor para los valores de RB propuestos en la

tabla 1. El valor de Beta es de 200
Figura 9.Polarización del transistor bipolar.
Tabla 1
RB Beta IB (micro A) ICQ (mA) VCEQ (V)
27000 200 12.8 2.55 16.09

70
180000 200 17.46 3.46 14.658
56000 200 35.15 7.03 9.24
27000 200 46 9.215 5.9
b) Determine el punto de operación del transistor para los valores de “Beta” propuestos
en la tabla 2. El valor de RB es de 56 K Ohms.
c) Tabla 2
RB Beta IB (micro A) ICQ (mA) VCEQ (Volts)
56000 120 44.82 5.37 11.77
56000 150 40.63 6.095 10.675
56000 200 35.15 7.03 9.244
De la tabla 1 puede observar la repercusión del valor de la resistencia equivalente en la base

(RTH):
 La corriente de base y la corriente de colector son inversamente proporcionales a los

valores de RTH.
 El voltaje de colector a emisor (VCE) es inversamente proporcional al valor de la
corriente de colector (IC).
De la tabla 2 puede observar la repercusión del valor del factor de amplificación de corriente
directa del transistor (beta):
 La corriente de colector es directamente proporcional a los valores de B (Beta).

 El voltaje de colector a emisor (VCE) es inversamente proporcional al valor de la
corriente de colector (IC).
La importancia de la determinación del punto de operación de un circuito con transistor es
importante para conocer la zona de operación del transistor:

71
Región activa. Cuando el valor de VCE es positivo, (en forma práctico, mayor que 0.5 volts).
Región de saturación. Cuando VCE es negativo, cero o menor que 0.5 volts (existe un valor
límite o característico que se conoce con el nombre de “voltaje de colector a emisor en
saturación, VCE (SAT).
El valor de VCE (SAT) puede obtenerse de la hoja de especificaciones del transistor y que es propia
para cada modelo o tipo de transistor y que también depende del valor de la corriente de
colector. Este valor es próximo a cero.
Material:
Juego de resistencias de: 100, 560, 1000 y los que se indican en la tabla.
Transistor 2N2222A.
Protoboard.
Cables telefónicos
Juego de caimanes
Cables para fuente.
Equipo:
Fuente de voltaje de CD.
Multímetro digital.
Desarrollo o Metodología:
1. Arme el circuito que se ilustra en la figura 1 y utilice los valores resistivos propuestos
en la tabla. NOTA: Si no tiene las resistencias propuestas en la tabla, utilice los que se
solicitaron en clase.
2. Mida los voltajes VCE y VBE.
3. Determine por Ley de Ohm, las corrientes: IB, IC e IE.
4. Cambie RB a 330K y repita los pasos 2 y 3
5. Cambie sucesivamente RTH con los valores propuesto en clase. Con los datos obtenidos,
llene la tabla y anote sus observaciones

72
RTH IB IC (mA) IE (mA) VCE VBE Región
330K
270K
220K
180K
150K
100K
47K
6. Cambie el transistor por otro similar y vuelva a llenar la tabla.
Figura 1. Circuito de polarización para el transistor bipolar NPN.

73
Figura 2. Esquema representativo para la conexión del circuito figura 1.
 Breve introducción de teórica para el transistor bipolar.
 Realice sus comentarios y conclusiones.
 Reporte según el formato establecido.
Bibliografía:

74
Boylestad, R. L., Nashelsky L., Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, 9ª

Edición, Pearso – Prentice Hall, 2005
Schilling, D. L., Belove, C., Electronic Circuits, Discrete and Integrated, 3a Edition, McGRAW-
HILL INTERNATIONAL EDITION, 1989.
Savant Jr, C.J., Roden M., Carpenter, G., Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas, 3ª Edición
Prentice – Hall, 2000.

75
Práctica 7. Estabilización del punto de operación respecto a las variaciones del Beta del BJT en
Objetivos.
 Verificar la eficacia del circuito de polarización por divisor de voltaje (polarización
universal).
 Comprobar experimentalmente la estabilización del punto de operación del
transistor respecto a la variación del valor del “factor de amplificación de
corriente directa” o Beta del transistor bipolar.
Marco Teórico
La configuración de amplificador que más se utiliza para amplificar pequeña señal es la

configuración emisor común, se distingue porque:
 La carga o la señal de salida del amplificador están referidas al Colector.

 La señal que se amplifica o señal de entrada se conecta al circuito que corresponde a
la Base del transistor.
El circuito más de polarización más popular es conocido como “polarización por divisor de
voltaje” o polarización universal”, que se presenta en la figura 1.
Determinación del punto de operación de amplificador emisor común.

El análisis del circuito comienza o debe realizarse aplicando el principio de superposición,
porque en el circuito figura 1, existe la aplicación de un voltaje constante (de CD) y una señal
variable en el tiempo (de CA).
La aplicación del voltaje de CD sirve para ubicar al transistor en un punto de operación,
preferentemente en la región activa.
Es de gran importancia el punto de operación porque posibilita o restringe la variación o
excursión del voltaje (corriente) de salida.
Luego entonces, se debe realizar un análisis del circuito que tome en cuenta únicamente la
aplicación de voltaje de CD y posteriormente se debe completar el análisis contemplando la
aplicación de señal de CA.

76
Figura 1. Amplificador Emisor Común.
El análisis del circuito en lo que corresponde a esta unidad consiste los siguientes puntos:
 Determinar el punto de operación.

 Trazar las rectas de carga de CD y de CA.
 Interpretar las rectas de carga.
Análisis de CD para cálculo de punto de operación.

Para esta etapa de análisis, la señal de voltaje de CA se aterriza y los condensadores se
presuponen “cortos circuitos” si su capacitancia es elevada. De esta forma se tiene el circuito
figura 2.
La obtención de la corriente de base (IB) es lo más importante porque conduce al cálculo de la
corriente de colector y el voltaje de colector a emisor.

77
Figura 2, polarización por divisor de voltaje del amplificador emisor común.
Esta actividad comienza con la determinación del circuito equivalente de Thévenin respecto a
la base y que se ilustra en la figura 3, de donde se tiene:
Figura 3. Circuito equivalente de Thévenin del circuito de polarización de base.

En donde:

78
RB1  VCC R B1  R B 2
VTH  RTH 
RB1  RB 2 R B1  R B 2
Sustituyendo los valores de las resistencias y el voltaje del circuito se obtienen:
RTH = 6982 Ohms
VTH = 1.783 Volts
Al aplicar la “ley de mallas” en el circuito Base – Emisor, se obtienen las siguientes ecuaciones
Figura 4. Circuito base – emisor.
Cálculo de la corriente de base y de colector:
V B  V BE VB  VBE
IB  I EQ  I CQ 
R B  (   1) R E R
RE  B
 1
Para obtener
IBQ = 34.81 micro amperes ICQ = 6.96 mili amperes
La determinación del punto de operación concluye cuando se calcula el voltaje entre Colector
y Emisor en corriente continua o en estado de reposo (VCEQ). Para realizar esta última etapa de
proceso, se recurre al circuito equivalente de la etapa de salida del amplificador para CD y que
se presenta en la figura 5.

79
Aplicando la ley de Mallas en el circuito figura 5, se obtiene:
 VCC  I C RC  I E RE  VCE  0
Si IC = IE
VCE  VCC  I C RC  I E RE
En donde VCE = VCEQ
Sustituyendo se obtiene:
VCEQ = 2.811 volts
Figura 5. Malla Colector – Emisor
Como este valor es positivo y mayor que 1, se concluye que el punto de operación se encuentra
en la región activa.
El punto de operación se representa como un punto en un plano, entonces
Q = (2.811,0.00696)

80
El punto de operación se representa por la letra Q además se puede representar en un plano

cartesiano, en donde el eje de las abscisas corresponde a valores del voltaje de Colector a
Emisor, VCE y el eje de las ordenadas corresponde a valores de la corriente de Colector, IC.
En la tabla 3 se anotan diferentes puntos de operación, que corresponden a diferentes valores
de la corriente de base, que se modifica por medio de la resistencia RB2.
Tabla 3
RB1 RB2 Beta IBQ ICQ VCEQ
47000 8200 200 34.8 6.96 2.811
47000 6800 200 27.17 5.434 4.827
47000 5600 200 19.83 3.966 6.765
47000 3300 200 3.2 0.64 11.15
Los puntos se pueden graficar en un plano y corresponden a una línea recta, tal como se en la
figura 6.
Figura 6. Recta de carga de CD.

81
Tal como se ilustra en la figura 6, en donde los puntos de operación para diferentes corrientes
de base, son colineales a una línea recta, da origen al concepto de la recta de carga de CD.
Para trazar la recta de carga se necesitan únicamente dos puntos por donde cruza, además, la
recta de carga de CD tiene validez en el primer cuadrante de plano cartesiano, la explicación
es:
 El voltaje VCE es mayor o igual a cero.
 La corriente de Colector nunca puede ser negativa.
Entonces se realiza:
 Si VCE = 0 y de la ecuación de malla de salida
VCC  I C RC  I E RE  0
Para IE = IC
VCC
IC   I C (SAT )
RC  RE
Recuerde que cuando el transistor se comporta como “corto circuito”, en V CE = 0, el transistor

está en la región de saturación y la corriente en este punto se le llama “corriente de colector
en saturación”.
El punto se denota (0, IC (SAT))
 Si IC = 0, el transistor está en la región de corte, entonces
VCE  VCC
El punto en la región de corte es (VCE, 0)

Usted puede colocar estos dos puntos en el plano cartesiano y trazar la recta de carga de CD.
La pendiente de la recta de carga de CD (para corriente continua o estable) se puede obtener
despejando la corriente de colector.
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = −
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 𝑅𝐸 + 𝑅𝐶
Como la corriente de colector es dependiente de la variación del voltaje de colector, entonces,

la pendiente de la recta será

82
1
𝑚𝐶𝐷 = −
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶
Recuerde que este análisis corresponde a un amplificador en la configuración Emisor Común.

Para las dos restantes configuraciones, el análisis es similar a lo efectuado en este punto.
Antes de pasar al trazado e interpretación de la recta de carga de corriente alterna (CA), se
realizarán y propondrán algunos ejercicios correspondientes a la determinación del punto de
operación de algunos amplificadores.
Ejercicio 1.
Para el circuito figura 7, determine el punto de operación del amplificador considerando que
se utilizan tres diferentes transistores con el Beta correspondiente indicado en la tabla 3.
Como ejercicio adicional y de tarea, trace la recta de carga de CD y señale la ubicación de los
diferentes puntos de operación.
Figura 7. Polarización del amplificador emisor común.

83
Tabla 3
Transistor Beta ICQ (mA) VCEQ (volts)
Q1 100 4.993 9.407
Q2 150 6.048 8.226
Q3 200 6.762 7.426
En la tabla se observa que para los diferentes transistores, el punto de operación también
cambia en su ubicación en el plano, esto indica que “la variación del Beta” de un transistor
(que es muy normal), afecta la ubicación del punto de operación, genera inestabilidad. Por esta
razón, en un diseño de polarización, se trata de estabilizar el punto de operación respecto a
las posibles variaciones de este parámetro. Esto se realiza en los siguientes párrafos.
Estabilización del punto de operación respecto a las variaciones de Beta

La fórmula que define a la corriente de emisor es estado de reposo es
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅
𝑅𝐸 + 𝑇𝐻
𝛽+1
En esta ecuación, en donde aparece el Beta del transistor se interpreta que:
“Si el valor de Beta aumenta, entonces la corriente de colector también aumenta”
Esto queda demostrado en la tabla 3.
La forma práctica de atenuar la dependencia de ICQ respecto de Beta, tal como lo exponen
algunos autores, Schilling por ejemplo, es lograr que
𝑅𝑇𝐻
𝑅𝐸 ≫
𝛽+1
Entonces
𝐼𝐶𝑄 ≈
𝑅𝐸
En esta última fórmula, ya no aparece Beta y por tanto “deja” de influir en el valor de ICQ.

84
En los diseños, es normal que el problema provenga de una situación final o de un

requerimiento que implica una solución prefijada, por ejemplo, para un cierto punto de
operación. Bajo estas requisiciones, es posible hacer suposiciones a partir de la etapa de salida
del amplificador y tanto la resistencia de Colector RC como la resistencia de Emisor RE pueden
ser supuestas por el diseñador.
Con el conocimiento previo de la resistencia RE, se puede proponer:
RE
R E 
10
Y si
RE R
 TH
10   1
Entonces para
(   1) R E
RTH 
10
Tiende a estabilizar el punto de operación.

En un diseño para la ubicación de un punto de operación, en donde se requiere estabilizar este
punto, se puede cumplir con este objetivo si se garantiza que:
(𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝑅𝑇𝐻 ≤
10
El siguiente ejercicio ilustra la aplicación de la estabilización del punto de operación de un

amplificador Emisor Común.
Ejercicio.
Considere que el amplificador figura 7, en donde: RC = 1200, RL = 1000, Beta = 150
Se desea que
 Su punto de operación se ubique en: ICQ = 5 mA, VCEQ = 8 volts
 Que el punto de operación sea estable respecto a las variaciones del Beta del transistor.
Solución:
De la ecuación de malla de salida se tiene

85
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶
8 = 15 − (1200 + 𝑅𝐸 ) × 0.005
Para obtener:
𝑅𝐸 = 200 𝑂ℎ𝑚𝑠
Para estabilizar el punto de operación se debe cumplir con la desigualdad
(𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝑅𝑇𝐻 ≤
10
Luego
𝑅𝑇𝐻 ≤ 3020 Ω
Si se considera RTH = 3000 se cumplen con la condición.

La resistencia de Thévenin respecto a la Base, RTH, como el voltaje de Thévenin VTH se definen
a partir de las resistencias RB1, RB2 tal como lo muestran las ecuaciones
𝑅𝐵1 × 𝑅𝐵2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
𝑅𝐵2 × 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇𝐻 =
También se tiene de la ecuación de la malla de control que
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅
𝑅𝐸 + 𝑇𝐻
𝛽+1
De donde
𝑅𝑇𝐻
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐵𝐸 + (𝑅𝐸 + )𝐼
𝛽 + 1 𝐶𝑄
Mediante un proceso algebraico se puede demostrar que las resistencias de Base R B1 y RB2 se
pueden calcular por medio de las siguientes fórmulas
𝑅𝑇𝐻 × 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐵1 =
𝑉𝑇𝐻

86
𝑅𝑇𝐻 × 𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐵2 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑇𝐻
Sustituyendo los valores proporcionados como datos se obtienen:
RB1 = 25170 Ohms RB2 = 3422 Ohms
Con esto valores numéricos (no comerciales) para las resistencias, se pude lograr un punto de
operación estable tal como se muestra por medio de los valores generados en la tabla 4.
Tabla 4
Q1 100 4.718 9.338
Q2 150 4.947 9.064
Q3 200 5.069 8.917
Los puntos de operación Q1, Q2 y Q3 son más estables respecto a los puntos correspondientes
punto de la tabla 3.
Como ejercicio, proponga valores comerciales más próximos para RB1 y RB2 y nuevamente
complete la tabla anterior
Tabla 4.
Q1 100
Q2 150
Q3 200
¿Qué concluye?

87
Material:
Juego de resistencias.
Tres Transistores del tipo 2N2222A.
Protoboard.
Cables telefónicos
Juego de caimanes
Cables para fuente.
Equipo:
Experimento 1
1. Determine o mida el valor de “Beta” de los tres transistores e identifíquelos por Q1, Q2
y Q3.
2. Arme el circuito amplificador emisor común que se ilustra en la figura 1y mida los
valores correspondientes al punto de operación. Utilice el primer transistor con el
distintivo Q1.
3. Anote los valores del punto de operación en la tabla adjunta.
4. Reemplace el transistor Q1 por el transistor etiquetado por Q2 y repita los puntos 1 y
2.
5. Nuevamente repetir el punto 3 reemplazando Q2 por Q3.
Tabla 1

Q1
Q2
Q3

88
Figura 1. Circuito de polarización para el transistor bipolar NPN por divisor de voltaje.
Experimento 2.
1. Arme el circuito amplificador emisor común que se ilustra en la figura 2,
previamente diseñado para que el punto de operación se independiente a las
variaciones del parámetro Beta del transistor. Puede utilizar los valores obtenidos
para el punto de operación del ejercicio realizado en clase.
2. Determine experimentalmente los valores correspondientes al punto de operación
de este circuito. Utilice el primer transistor con el distintivo Q1.
3. Anote los valores del punto de operación en la tabla adjunta.
4. Reemplace el transistor Q1 por el transistor etiquetado por Q2 y repita los puntos
1 y 2.
5. Nuevamente repetir el punto 3 reemplazando Q2 por Q3.
Tabla 2
Q1
Q2
Q3

89
 Trazar la recta de carga de CD para el circuito utilizado en el experimento 1 y 2.
 Realice sus comentarios y conclusiones interpretando los resultados indicados en las tablas y
en las rectas de CD.
 Compare sus resultados utilizando el simulador MULTISIM.
Bibliografía:

90

configuración Emisor Común.
 Verificar el efecto los efectos de la recta de carga de CA en la salida de un amplificador.
 Verificar la dependencia de los recortes del voltaje de salida respecto a la ubicación del punto
de operación.
 Determinar los niveles de recorte en forma experimental para contrastar los resultados con los
resultados teóricos.
Marco teórico
Los amplificadores de pequeña señal, deben ser diseñados para que su punto de operación se
ubique en la región activa y la razón principal es porque el punto de operación es muy
importante para la definición de las oscilaciones máximas que se tendrán en la señal de salida
a pequeña señal del amplificador, en cualquier de las tres configuraciones posibles:
amplificador emisor común, amplificador Colector Común y amplificador Base común.
Figura 1. Amplificador emisor común.

Las excursiones u oscilaciones máximas en la salida (o carga) del amplificador se determinan
por la ecuación y el trazado de la recta de carga de corriente alterna (recta de CA). La ecuación
se deduce tal como se ilustra en el siguiente proceso.

91
En el amplificador figura 1, se ilustra el clásico Amplificador Emisor Común con sus

condensadores de acoplamiento y de desacoplo, así también la carga del amplificador
denotada por RL.
El análisis del amplificador comienza con la determinación o colocación del punto de operación
en la región activa, una vez que se logran los objetivos anteriores, se aplica el principio de
superposición para el análisis a pequeña señal a frecuencia, que denominaré, análisis en CA.
Se debe anotar que la señal de “ruido” o pequeña señal a frecuencia que se aplica en la base
por medio de la fuente Vi(t), se reflejará en la etapa de salida del amplificador tanto entre las
terminales de emisor y colector, como en la carga. Respecto a las terminales entre emisor y
colector, la señal alterna tendrá como referencia el punto de operación, tanto en voltaje como
en corriente, la gráfica siguiente ilustra las señales.
Figura 2. Ilustración de la señal eléctrica alterna y amplificada por el transistor y observado

entre las terminales Emisor – Colector.

92
El circuito figura 3, sirve para comenzar el análisis en CA. Los condensadores se consideran
como “cortos circuitos” presuponiendo que tienen capacitancia muy elevada, entonces:
Figura 3. Circuito para análisis a señal alterna.

Para determinar la ecuación de la recta de carga, se dibuja el siguiente circuito auxiliar, en
donde se aplica la ley de mallas en la etapa de salida de donde se obtienen las siguientes
ecuaciones.
Figura 4. Circuito auxiliar que ilustra la malla de salida en corriente alterna.
−𝑣𝑐𝑒 (𝑡) − 𝑖𝑐 (𝑡) × (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) − 𝑖𝑐 (𝑡) × 𝑅𝐸 = 0

93
De donde se obtiene
𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
𝑖𝐶 (𝑡) = −
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
1
𝑖𝐶 (𝑡) = − × 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
Se define la resistencia para corriente alterna RCA
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
Entonces, la pendiente de la recta de carga para corriente alterna es
1 1
𝑚𝐶𝐴 = − =−
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝐶𝐴
Esta recta, con pendiente negativa cruza por el punto de operación Q y como la magnitud de
su pendiente es mayor que la pendiente de la recta de carga de CD, entonces tendrá una mayor
inclinación, mostrado en la figura 5. Recuerde que la pendiente de la recta de carga de CD es
1
𝑚𝐶𝐷 = −
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶
Figura 5. Representación de las rectas de carga de CD y de CA para un amplificador emisor

común.

94
La ecuación de la recta de carga de CA se obtiene utilizando la pendiente de ésta misma y dos

puntos conocidos por donde pasa esta recta, para finalmente obtener las fórmulas para los
puntos de cruce de la recta de carga de CA con los ejes X o Y, VCEMAX e ICMAX respectivamente.
𝑉𝐶𝐸𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑚á𝑥 = 𝐼𝐶𝑄 +
𝑅𝐶𝐴
Figura 6. Ilustración de los recortes del voltaje entre colector – emisor y en la corriente de
colector ocasionados por la recta de carga de CA.

95
Una vez que se trazan las líneas de carga, se pueden determinar los niveles de recorte que
tendrán tanto el voltaje entre colector y emisor, VCE(t) como la corriente de colector, IC(t), tal
como se ilustra en la figura 6.
Las fórmulas para el máximo valor del voltaje entre colector y emisor, así como la máxima
corriente de colector, dependen del valor del punto de operación y también de la resistencia
RCA. La máxima variación tanto para la corriente como del voltaje se obtiene de la gráfica figura
6, son los valores de las variaciones máximas respecto al punto de operación, por ejemplo, si
se necesita determinar la máxima oscilación permitida en el voltaje VCE(t), considerando los
valores que aparecen en las siguiente tabla, entonces, las máximas variaciones sin recorte o
distorsión corresponden a los recuadros achurados en la tabla. El valor para la máxima
oscilación para el voltaje o corriente son los valores mínimos respectivamente.
Para la corriente de colector se tendría para los mismos datos:
La figura 8, ilustran la rectas de carga y los recortes usando un graficador versión estudiantil
de MATHCAD, los datos que se usan son los que corresponden al circuito que aparecen en la
figura 7.

96
Figura 7. Amplificador emisor común sin capacitor de paso (capacitor de emisor).
Figura 8. Ilustración de las rectas de carga para el amplificador emisor común figura 6.

97
Utilizando el mismo programa se grafica en la figura 9, el voltaje que se mide entre el colector
y el emisor, VCE(t). El voltaje se grafica en función del tiempo, que corresponde al eje horizontal,
mientras que en el eje vertical, se grafica el valor del voltaje en función del tiempo “t”. Observe
que este voltaje aparece en el eje horizontal de la figura 8 y en donde también se muestra que
el recorte ocurrirá en 13.36 volts correspondiente al valor de VCEMAX.
Figura 9. Ilustración del recorte para el voltaje entre emisor – colector.
Como ejercicio, grafique la señal correspondiente a:

a) La corriente de colector en donde se ilustre el recorte o la distorsión.
b) El voltaje recortado que se debe observar en la carga RL.
c) La corriente en la carga.

98
Material:
Juego de resistencias.
2 transistores 2N2222A
2 capacitores de 10 microfaradios
Juego de caimanes.
Protoboard.
Equipo:
Multímetro digital
Fuente regulada de 15 volts
Generador digital de señales eléctricas
Desarrollo de la práctica.
1. Arme el circuito amplificador emisor común figura 1 y mida los valores

correspondientes al punto de operación. NOTA: puede utilizar los valores utilizados
en clase para las resistencias. Los resultados esperados serían diferentes a los
presentados en las gráficas, pues corresponden al circuito de la figura.
2. Conecte la fuente Vi(t) = 0.5senwt. Observe y grafique (puede tomar foto) señalando
niveles de voltaje las señales de voltaje alterno que aparece:
 En la carga (VL).
 Entre el colector y el emisor (VCE). (En opción CD)
 Entre el colector y tierra (VC)
3. Aumente la amplitud de Vi(t) hasta que observe en la salida el primer recorte o
distorsión. Grafique señalando niveles de voltaje en:
a. La carga
b. Entre colector y emisor.
Nota: Si utiliza osciloscopio digital, emplee adecuadamente los cursores y verifique las escalas
de medición. Use los dos canales del osciloscopio.

99
4. Aumente la amplitud de Vi(t) hasta que aparezca el segundo recorte. Repita lo que
realizó en el punto 3.
5. Cambie el transistor NPN por otro similar. Repita los puntos 2 y 3. Lo que se trata de
probar es el efecto del Beta de transistor en la señal de salida del amplificador.

100
 Trazar la recta de carga de CD y CA para cada uno de los experimentos citados en el desarrollo
de la práctica.
 Realice sus comentarios y conclusiones interpretando los resultados obtenidos en la práctica.
Bibliografía:

101

configuración Colector Común.
Objetivos:

de operación.
Marco teórico:
El amplificador colector común difiere del amplificador emisor común respecto a los siguientes
puntos.
a) La carga RL se conecta al emisor.
b) Al aplicar el principio de superposición para el análisis a pequeña señal, el colector se
aterriza.
Existen otras características muy particulares de este amplificador y que se discutirán en la
unidad cuatro de este mismo programa, como por ejemplo:
 Ganancia de voltaje y corriente,

 Resistencia de entrado o
 El ancho de banda.
El análisis para obtener las ecuaciones y trazar las rectas de carga, se realiza en forma similar
a lo efectuado con el amplificador Emisor Común.
El amplificador se ilustra en la figura 1, en donde se observa la señal que se amplificará y la

conexión de la carga.

102
Figura 1. Amplificador colector común con transistor NPN.
El punto de operación se obtiene al resolver el circuito equivalente de Thévenin respecto a la

base y de la malla que incluye al colector y emisor, esto es:
Figura 2. Circuito equivalente de Thévenin respecto a la base.

Al igual que el amplificador Emisor Común, también se tiene:
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

103
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝐼𝐸 =
𝑅
𝑅𝐸 + 𝑇𝐻
𝛽+1
Si
𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶𝑄
Entonces
Figura 3. Ilustración del circuito que incluye al colector y emisor para análisis de CD.
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = 0
Entonces
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄
La pendiente para la recta de CD será
1
𝑚𝐶𝐷 = −
𝑅𝐸
Para la recta de carga de CA y utilizando el circuito figura 4, se obtienen:

−𝑣𝑐𝑒 (𝑡) − 𝑖𝑐 (𝑡) × (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) = 0
De donde se obtiene

104
𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
𝑖𝐶 (𝑡) = −
𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿
1
𝑖𝐶 (𝑡) = − × 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿
Entonces, la pendiente de la recta de carga para corriente alterna es
1 1
𝑚𝐶𝐴 = − =−
𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝐶𝐴
Figura 4. Circuito equivalente para señal alterna del amplificador Colector Común.
Para finalmente obtener
𝑉𝐶𝐸𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑅𝐶𝐴
Que permiten trazar e interpretar la recta de carga de CA.
Se debe aclarar que la máxima oscilación sin recorte ni distorsión para el voltaje de carga se
puede determinar simplemente analizando y comparando los valores de los siguientes
términos:

105
Si se cumple que
∆𝑣𝐶𝐸1 > ∆𝑣𝐶𝐸2
Entonces el valor de ∆𝑣𝐶𝐸2 es la máxima oscilación sin recortes ni distorsión para la señal de
voltaje que aparece entre el colector y emisor. En el caso contrario, entonces el valor de ∆𝑣𝐶𝐸1
será la máxima excursión sin recortes.
Se aplica de forma igual para la corriente de colector, esto es:
Si se cumple que
∆𝑖𝐶1 > ∆𝑖𝐶2
Entonces el valor de ∆𝑖𝐶2 es la máxima oscilación sin recortes ni distorsión para la señal de la
corriente que aparece entre el colector. En el caso contrario, entonces el valor de ∆𝑖𝐶1 será la
máxima excursión sin recortes.
Ejercicio 1. Trazar e interpretar las rectas de carga para el amplificador colector común que se
ilustra en la figura 5.
Corriente de punto de operación
𝐼𝐶𝑄 = 4.615 𝑚𝐴
Voltaje de colector a emisor para punto de operación
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 8.08 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
Valores máximos
𝑣𝐶𝐸𝑀Ä𝑋 = 8.08 + 4.76 = 12.836 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
Entonces, la máxima excursión sin recorte o distorsión para el voltaje entre colector y emisor
será 4.76 volts.

106
𝑖𝐶𝑀Á𝑋 = 4.615 𝑚𝐴 + 7.83 𝑚𝐴 = 12.45 𝑚𝐴

La máxima excursión para la corriente de colector será de 4.615 mA.
Los resultados anteriores se deben corroborar con la respectiva práctica.
Figura 5. Amplificador Colector Común.

107
Material:
Juego de resistencia de: Los valores propuestos o calculados en clase.
Transistor NPN 2N2222A
Juego de cables telefónicos.
Protoboard
Equipo:
Fuente regulada de 15 volts
Multímetro digital FLUKE.
Desarrollo o Metodología:
1. Arme el circuito amplificador colector común que se ilustra en la siguiente figura y mida
los valores correspondientes al punto de operación. NOTA: puede utilizar los valores
utilizados en clase para las resistencias.

108
2. Conecte la fuente Vi(t) = 2senwt. Observe y grafique señalando niveles de voltaje las
señales de voltaje alterno que aparece:
 En la carga (VL).
 Entre el Emisor y Colector (VEC).
 Entre el Emisor y tierra (VE)
a. La carga
b. Entre Emisor y Tierra.
de la práctica.

109
Bibliografía:

110

configuración Base Común.
de operación.
Marco teórico:
El amplificador Base Común se distingue de las dos configuraciones anteriores por las
siguientes características:
a) La carga RL al igual que en la configuración Emisor Común, se conecta se conecta
Colector.
b) La señal alterna que se debe amplificar (acoplar) se aplica en el Emisor del transistor.
c) Al aplicar el principio de superposición para el análisis a pequeña señal, la Base se
aterriza.
El proceso para obtener las ecuaciones de las rectas de carga, se realiza en forma similar a lo
efectuado con el amplificador Emisor Común.
A continuación se plantea un ejercicio que servirá para conseguir los objetivos planteados.
Ejercicio:
Para el circuito figura 1, determine:
 El punto de operación,
 Trace la recta de carga de CD.
 Verifique si el punto de operación es estable respecto a las variaciones del Beta del
transistor.
 La máxima excursión en la carga sin recortes ni distorsión.

111
Figura 1. Amplificador Base Común.
Solución:
Primeramente se propone o dibuja el circuito equivalente para análisis de CD. Recuerde que
para este tipo de análisis, los condensadores son “aparentes circuitos abiertos” (están llenos)
y las fuentes variables de voltaje se aterrizan, según el principio de superposición.
Figura 2. Polarización del amplificador Base Común por divisor de voltaje.
Resolviendo para el circuito equivalente de Thévenin respecto a la base, se obtiene el siguiente

circuito simplificado y que sirve para obtener las ecuaciones para la corriente de base y la
corriente de emisor, de forma semejante a lo que se realizó con el amplificador Emisor Común.

112
Figura 3. Circuito equivalente de Thévenin para el amplificador Base Común.
𝑅𝐵1 × 𝑅𝐵2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅𝐵2 × 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇𝐻 =
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅
𝑅𝐸 + 𝑇𝐻
𝛽+1
Aplicando las fórmulas anteriores se obtienen los siguientes resultados:

ICQ = 6.8 mA
La determinación del punto de operación se complementa con el cálculo del voltaje (diferencia
de potencial) entre Colector y Base, VCB. Para su cálculo, se procederá a la aplicación de la Ley
de Mallas en el circuito cerrado que implica al Colector y a la Base del circuito figura 3 de donde
se tiene:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵
Pero
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 𝑠𝑖 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶

113
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
Para obtener:
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐵𝐸
Sustituyendo
𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐵𝑄 = 5.32 𝑉
Verificación de la estabilidad del punto de operación:
Se puede realizar la verificación por medio del valor de RTH, comparándolo con el valor de
(𝛽 + 1) × 𝑅𝐸
𝑅𝑇𝐻 ≤
10
De donde se tiene:
121 × 120
𝑅𝑇𝐻 ≤ = 1452
10
Luego
1452 < 1960
“Por tanto, se puede decir que el punto de operación es estable respecto a las variaciones de
Beta.”
Para trazar la recta de carga de CD, se analiza la siguiente malla, que incluye al Colector y la
Base del transistor. Vea figura 3.
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵 = 0
O también
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = 0
Para obtener la ecuación de la recta de carga de CD.
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐵

𝐼𝐶 = −
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 𝑅𝐸 + 𝑅𝐶
La pendiente de la recta de carga es igual a

114
1
𝑚𝐶𝐷 = −
𝑅𝐸 + 𝑅𝐶
Para determinar la máxima excursión del voltaje entre colector y emisor, también para la
corriente de colector, se realiza.
Figura 4. Circuito equivalente para obtener la ecuación de la recta de carga de CA.
El circuito figura 4 se obtiene al “poner en corto” los condensadores de acoplamiento y servirá para
determinar las excursiones máximas del voltaje de colector a emisor y de la corriente de colector
indicados en la figura.
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝑅𝐶𝐴 ≈ 1486 𝑂ℎ𝑚𝑠
Entonces también se tendrán

𝑉𝐶𝐵𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐵𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶𝐴
𝑉𝐶𝐵𝑄
𝑅𝐶𝐴
Para finalmente tener:
𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶𝐴 = 10.10 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠 > 𝑉𝐶𝐵𝑄 = 5.32 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠
Entonces
∆V𝐶𝐵𝑚á𝑥 = 5.32 𝑉
Para la corriente de colector
𝑉𝐶𝐵𝑄
= 3.58 𝑚𝐴 < 𝐼𝐶𝑄 = 6.8 𝑚𝐴
𝑅𝐶𝐴
∆𝐼𝐶𝑚á𝑥 = 3.58 𝑚𝐴

115
Con esto concluye el análisis correspondiente para el amplificador base común, se recomienda
realizar ejercicios con amplificadores en donde intervengan o se utilicen transistores tipo PNP.
Material:
Juego de resistencia que se indican en la figura 1.
2 Transistores 2n2222A
Juego de cables telefónicos.
Protoboard
Equipo:
Fuente de voltaje de CD a 15 Volts.
Osciloscopio digital.
Desarrollo de la práctica:
1. Arme el circuito amplificador base común y mida los valores correspondientes al punto
de operación. NOTA: puede utilizar los valores utilizados en clase para las resistencias.
2. Conecte la fuente Vi(t) = 0.5senwt a una frecuencia aproximada de 20 Khz. Observe y
grafique (puede tomar foto). Debe anotar el valor pico del voltaje:
 Entre el colector y la base.
 En la carga.
 La carga
 Entre colector y base.

116
Figura 5. Amplificador base común.
5. Cambie el transistor NPN por otro similar. Repita los puntos 2 y 3. Lo que se trata de
probar es el efecto del Beta de transistor en la señal de salida del amplificador.
de la práctica.

117

Bibliografía:

118
Práctica 11. El transistor como interruptor electrónico.

 Lograr la saturación de un transistor bipolar.
 Determinar el valor del voltaje de colector – emisor en saturación.
 Verificar la pequeña variación del voltaje en el estado de saturación a diferentes
valores de corriente de colector.
 Observar la operación de un circuito interruptor a frecuencia.
Marco Teórico:
Una de las más extendidas aplicaciones de los transistores, incluyendo los bipolares, es en el
área de la conmutación. Las aplicaciones en esta área corresponden desde la muy baja
potencia hasta la muy alta potencia, en donde se manejan varios cientos de amperes, además,
a frecuencias relativamente elevadas.
En estas aplicaciones, el transistor debe asemejar la operación de un interruptor convencional,
“abrir” o “cerrar” la alimentación eléctrica. Para que el transistor pueda emular la operación
de un interruptor mecánico convencional, entonces debe operar tal como se ilustra y explica
en las siguientes figuras y párrafos:
Estado de interruptor cerrado: El transistor debe estar en estado de baja impedancia entre las
terminales colector – emisor. Esto será posible si el transistor se encuentra en la región de
saturación. Por tanto, la corriente de base que activará al transistor debe cumplir con el
requisito
𝐼𝐶(𝑆𝐴𝑇)
𝐼𝐵 >
𝛽
De esta manera, el voltaje o la caída de voltaje entre colector – emisor será
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸(𝑆𝐴𝑇) → 0
En los párrafos siguientes se explica la forma de operar al transistor en estado de saturación,

así como las condiciones que se deben cumplir.
Para realizar este análisis, considérese la figura 1.

119
Figura 1. Polarización de un interruptor con transistor bipolar.

De la malla de entrada o de control se tiene:
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Si
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶(𝑆𝐴𝑇) 𝑦 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸(𝑆𝐴𝑇)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸(𝑆𝐴𝑇)
𝐼𝐶(𝑆𝐴𝑇) =
𝑅𝐶
La corriente mínima que logra que el transistor opere en saturación será:
𝐼𝐵(𝑆𝐴𝑇) =
𝛽
Entonces, la corriente de base que asegurará la saturación del transistor deberá cumplir con
restricción
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 >
𝑅𝐵
Esto es:
𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶(𝑆𝐴𝑇)
>
𝑅𝐵 𝛽
𝛽(𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 )
𝑅𝐵 <
Para valores de RB que cumplen con la desigualdad, se asegura la saturación del transistor
bipolar.

120
Como ejercicio, proporcione dos valores comerciales para RB si se tienen los siguientes datos:
𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉 𝑅𝐶 = 560 𝑉𝐶𝐸(𝑆𝐴𝑇) = 0.2 𝑉 𝛽 = 100 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
Estado de interruptor abierto. En forma simple y básica, únicamente se debe interrumpir la

corriente de base, al no existir corriente de base, la corriente de colector prácticamente
desaparece, es cero y por tanto, no existe caída de voltaje en RC y el voltaje VCC estará
bloqueada entre las terminales colector y emisor del transistor.
Figura 2. Condiciones para estado de corte de un transistor bipolar en saturación.
Figura 3. Bloqueo de voltaje entre colector y emisor.

En forma experimental y rigurosa, se sabe que existe una pequeña corriente entre colector y
emisor aun cuando la base se encuentre abierta, esta corriente del orden de los nano amperes

121
se le conoce con el nombre de “Corriente de colector a base abierta” simbolizada por ICEO, su
valor depende de la potencia del transistor y del fabricante, para mayor información, se debe
consultar la hoja de datos del transistor en cuestión.
Es importante anotar que para aplicaciones reales o experimentales, se deben considerar las
condiciones que necesita la carga al cual se va gobernar su apagado y encendido. En
aplicaciones de potencia elevada o en alta frecuencia, se requieren análisis de más alto nivel,
tal como se analizará en la materia de Electrónica de Potencia.
Como ejemplo de la utilización del interruptor, resuelva el circuito interruptor que se ilustra
en la figura 4. Utilice los datos que aparecen en la misma figura para calcular el valor de RB que
debe saturar el transistor en el tiempo en que la carga (juego de LEDS en paralelo) esté en
estado activo (encendida) y el valor de la resistencia limitadora R.
Figura 4. Circuito interruptor para activar en forma intermitente tres diodos emisores de luz
(LED) en paralelo.
Datos complementarios:
Los LEDS son de color rojo, por tanto, su voltaje de operación es de 1.8 volts
Cada uno de los LEDS debe activarse con una corriente aproximada de 30 mA.

122
Observe que la resistencia colocada en serie con los LEDS es un realiza un divisor de voltaje y
regula la corriente suministrada a los LEDS.
Material:
Juego de resistencias
3 LEDS de radiación en color rojo.
Transistor 2N2222A
Cables telefónicos
Protoboard
Equipo:
Fuente de voltaje de 12 Volts CD.
Multímetro digital
Desarrollo de la práctica:
1. Diseñe el circuito figura 1 proponiendo un valor comercial para RB de tal manera que al
aplicar la inyección de corriente en la base, el transistor opere en la región de
saturación.
Figura 1. Circuito para saturar al transistor bipolar.
2. Arme el circuito ilustrado en la figura 1 manteniendo al inicio el interruptor abierto en

la base.

123
3. Mida y anote el valor del voltaje en RC y entre colector y emisor, VCE.

4. Cierre el interruptor en la base y repita el punto 3.
5. Si el transistor está en saturación ¿Cuál es el valor de VCE(SAT)?
6. ¿Cuál es el valor de IC(SAT)?
7. Diseñe y arme el circuito que se ilustra en la figura 2 de tal manera que el transistor
opere como un interruptor electrónico. Considere el voltaje de base de activación igual
a 12 V
8. Observe y comente la operación del circuito oscilador que utiliza al transistor como
interface de potencia para activar la carga de CD.
Figura 2. Circuito de encendido intermitente con transistor bipolar y CI 555.
NOTA: La parte del circuito de control de activación del interruptor se le conoce con el nombre
de “circuito generador de señal de reloj”, muy comúnmente utilizado en circuitos digitales y
que tiene como elemento especial el circuito multivibrador 555. Para el correcto armado del
circuito oscilador, se recomienda consultar el manual del fabricante del CI 555 para identificar
sus terminales y para la teoría respecto al funcionamiento del oscilador modo Astable, como

124
del cálculo de la frecuencia del oscilador, se recomienda consultar página 802, del libro
Electrónica de Boylestad, Nashelsky, octava edición.
de la práctica.
Bibliografía:

125
Práctica 12. Caracterización del JFET, MOSFET decremental y MOSFET tipo incremental.
Trazado de las curvas características.
Objetivos:
 Determinar los parámetros y trazar las curvas características del JFET canal N.
 Determinar los parámetros y trazar las curvas características del MOSFET tipo
incremental canal N.
Marco teórico:
Una de las diferencias más notables entre estos tipos de transistores es que en los bipolares o
BJT es que la corriente de colector puede ser establecida por dos tipos de portadores, electrones
o huecos y por esta razón se les llama transistores bipolares, en los transistores FET, la corriente
que se establece en sus terminales principales puede ser por medio de electrones (para los FET
canal N) o por medio de huecos (para los FET canal P) por eso se les nombra transistores
unipolares.
Los transistores de efecto de campo, (Field Effect Transistor, FET) principalmente son de dos
tipos:
 Transistores de Efecto de Unión (Junction Field Effect Transistor, JFET).
 Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido – Semiconductor, (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)
Transistores de Efecto de Unión, JFET

Estos transistores unipolares pueden construirse de dos tipos, en canal N o canal P, a
continuación se explica en forma breve la forma de operación del JFET – N, se recomienda al
alumno estudiar la teoría de operación y construcción del JFET – P, en la bibliografía
recomendada por el profesor de la asignatura.
Los transistores de efecto de campo, FET, a semejanza de los transistores bipolares, también
tienen tres terminales principales denominados, Drenaje (D), Fuente (S) y Compuerta (G). En
la figura 1 se representan el esquema de la conformación del JFET canal N y el símbolo,
señalándose los terminales del transistor.

126
Las dos terminales de la compuerta se interconectan a las regiones dopadas con material P, se
unen internamente y el canal N, que constituye gran parte del cuerpo del dispositivo, producen
los portadores mayoritarios que fluyen desde el drenaje (D) hasta la terminal fuente (S), esto
sucede cuando existe una correcta polarización del transistor.
Figura 1. Esquema de construcción y símbolo del JFET canal N.
La figura 2, ilustra la polarización del JFET – N en donde se tienen las fuentes de voltaje de
polarización. Debe atender especialmente la conexión del voltaje de compuerta, que debe ser
negativo para que se pueda controlar la magnitud de la corriente de drenaje IDS. A continuación
se explicará en forma breve el comportamiento de la corriente de drenaje y el voltaje o diferencia
de potencial entre drenaje y fuente, VDS.
Tal como lo habrá comprobado en las lecturas recomendadas y la explicación del profesor, la
corriente de drenaje se controla por medio de la diferencia de potencial que se aplica en la
compuerta, VGS, y en el caso del transistor canal N,
𝑉𝑃𝑂 ≤ 𝑉𝐺𝑆 ≤ 0
Correspondiendo a estos cambios, la corriente de drenaje variará en el intervalo
0 ≤ 𝐼𝐷𝑆 ≤ 𝐼𝐷𝑆𝑆

127
En donde, VPO es el voltaje de oclusión del FET e IDSS es la corriente de saturación. El valor de
estos parámetros particulares para cada transistor, se obtiene directamente del manual del
fabricante y se recomienda obtenerlos en forma experimental.
Figura 2. Polarización básica del JFET – N.
La corriente de drenaje se relaciona con el voltaje aplicado en la compuerta mediante la

siguiente ecuación cuadrática aproximada.
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑃𝑂
El valor real de la corriente IDS se cumple o el rango de esta corriente es verdadero en los
intervalos escritos anteriormente, aunque en forma algebraica, la ecuación se cumple en el
conjunto de los reales.
Son observables que si VGS = 0, entonces, IDS = IDSS o también, VGS = VPO entonces, IDS = 0. A
continuación se determinarán diferentes valores de la corriente de drenaje para ciertos valores
del voltaje de compuerta, además, se trazarán graficas que ilustren estas dependencias.
Considérense los siguientes datos para el JFET canal n 2N5457:
VPO = - 4
IDSS = 0.005 = 5 mA
Entonces:

128
Tabla 1
VGS (volts) IDS (mA)
-4 0
-3 0.3125
-2 1.25
-1 2.813
0 5
Figura 3. Corriente de drenaje en función del voltaje de compuerta.
Para que se cumplan los valores obtenidos en la tabla, el voltaje de polarización VDD debe
satisfacer la condición:
𝑉𝐷𝐷 > 𝐼𝐷𝑆𝑆 × 𝑅𝐷
A continuación se realiza la gráfica de la corriente de drenaje en función del voltaje de
compuerta.
Se consideran los mismos datos para el JFET, luego entonces, si cambian los datos, los
resultados también serán diferentes. Cabe mencionar que existe una gráfica que se conoce

129
como curva universal del JFET que se realiza sin tomar un valor específico para IDSS y VGS, es
una curva generalizada (consulte el libro de Boylestad, Nashelsky).
La región sombreada de la gráfica, corresponde al intervalo en donde V GS controla el valor de
la corriente de drenaje IDS.
De forma semejante a las curvas características del transistor bipolar, también el JFET tiene
sus curvas características y que se obtiene al graficar el corriente de drenaje en función del
voltaje de drenaje a fuente, en la región de saturación y considerando el circuito figura 6, se
cumple:
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷𝑆 =
𝑅𝐷
O
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆 × 𝑅𝐷
Figura 4. Curva de la corriente de drenaje en función del voltaje de compuerta.

130
Figura 5. Voltaje y corriente en el JFET – N.
Figura 6. Curvas características del JFET – N, con VPO = - 2 V e IDSS = 5.8 mA.
El punto de operación del transistor se completa calculando el valor de la diferencia de

potencial entre drenaje y fuente, VDS. Si se considera el JFET que se ha venido utilizando, se

131
puede completar la tabla en donde se anotan los valores de punto de operación: VDSQ, IDSQ y
VGSQ.
Figura 7. Polarización del transistor JFET – n.
VGSQ (volts) IDSQ (mA) VDSQ (Volts)

-4 0 12
-3 0.3125 11.531
-2 1.25 10.125
-1 2.813 7.781
0 5 4.5
En donde:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆𝑄 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑃𝑂
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆𝑄 × 𝑅𝐷

132
Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido – Semiconductor, (Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)
El transistor MOSFET tipo incremental, es el transistor de mayor aplicación tanto para alta y
muy baja potencia. La breve explicación comenzará con la ilustración de su estructura física,
su forma de operación para posteriormente analizar su ecuación y curva de transferencia.
En la figura 8, se ilustra la estructura física de un MOSFET canal n incremental. El sustrato p es
una oblea de un solo cristal de silicio y que forma la base de construcción del dispositivo, en él
se incrusta material tipo n con una gran cantidad de impurezas y que se indican como N+,
unidas al drenaje (D) y a la fuente (S). Entre el drenaje y la fuente, se ha hecho crecer una
delgada capa de óxido de silicio que tiene las características de un buen aislante eléctrico.
También en la parte superior de la capa de óxido de silicio es colocada una placa metálica que
conforma el electrodo del MOSFET y conecta a la compuerta (G).
Figura 8. Esquema que ilustra la estructura de construcción del MOSFET incremental canal n.
En la figura también se ilustran los contactos metálicos para el drenaje, la fuente y el sustrato.
Observe que la región indicada como canal, no tiene portadores y por consecuencia, existe una
muy alta impedancia entre las terminales del semiconductor, especialmente, entre el drenaje
y la fuente, por donde se establece la corriente controlada en el FET. El aislante de óxido de
silicio entre compuerta y la fuente, presenta una altísima resistencia y que brinda una de las

133
características más ventajosas de MOSFET respecto a los otros tipos de transistores, su alta
resistencia de entrada.
¿Cómo se genera el canal del MOSFET?
Para generar el canal que permitirá la aparición de corriente eléctrica, se deben aplicar las
fuentes de diferencia de potencial indicadas en la figura 9.
Figura 9. Polarización y generación del canal n en el MOSFET canal n incremental.
Observe fuente entre G y S (VGS) mayor que cero. Este voltaje genera un campo eléctrico que
atraviesa el canal direccionado al sustrato y atrae portadores tipo n hacia el canal hasta formar
una pequeña capa de portadores y que hará posible generar una muy pequeña corriente entre
drenaje y fuente (en sentido convencional). El voltaje que produce esta capa conductora
inducida se le llama “inversión superficial” y el voltaje que lo produce se llama voltaje de
inversión superficial denotado por VTH. Po esta razón, la corriente de drenaje a fuente en la
región de saturación se define mediante la siguiente fórmula:
𝐼𝐷𝑆 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2

134
En donde la constante de proporcionalidad, kn es un valor numérico determinado por la

tecnología de fabricación del MOSFET y puede conseguirse en la hoja de datos del fabricante.
En la fórmula, la corriente de drenaje es independiente del voltaje aplicado entre drenaje y
fuente VDS y depende únicamente de la diferencia de potencial entre compuerta y fuente V GS.
La función puede graficarse tal como se presenta en la figura 10, que se cumple dentro de los
límites indicados por el fabricante.
Figura 10. Curvas características del MOSFET incremental canal n, zona o región de saturación.
El MOSFET tipo enriquecimiento o incremental se mantiene en estado de corte cuando la

tensión de compuerta está conectado a tierra o en cero volts. Cuando la tensión de compuerta
alcanza la tensión denominada voltaje de umbral (thershold voltaje) y simbolizado por V TH, se
forma una pequeña capa de electrones libres y se produce la corriente en el drenaje del FET
de fuente a drenaje (o de drenaje a fuente en el sentido convencional de la corriente), esta
tensión de umbral se puede ubicar frecuentemente entre 2 y 3 volts. El voltaje de umbral se
especifica en la hoja del fabricante como:
𝑉𝑇 = 𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻)
La región de saturación se logra cuando el voltaje entre drenaje y fuente cumple con la
condición
𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻

135
En esta región, el FET se comporta como fuente de corriente constante. Existe otra región
señalada como región óhmica (región lineal) en donde el FET aparenta tener la respuesta de
una resistencia y es utilizada en una gran área de aplicación correspondiente al diseño de
interruptores electrónicos a pequeña y a muy alta potencia.
Antes de ilustrar el circuito o los circuitos que hacen posible la polarización del MOSFET
incremental, se presentan a continuación los símbolos utilizados para el MOSFET incremental
canal n y canal p.
Figura 11. Símbolos utilizados para el MOSFET incremental a) MOSFET canal n b) MOSFET
canal p
Material
Transistor JFET canal n 2N5457
Transistor MOSFET incremental 2N7000
Juego de caimanes
Protoboard
Cables para fuentes
Equipo:
Multímetro digital
2 Fuentes de voltaje CD

136
Desarrollo o metodología de la práctica

Experimento 1
1. Arme el circuito que se muestra en la figura 1.
2. Aplique los voltajes indicados y para cada variación de VG, mida el voltaje en VDS y la
corriente en el Drenaje del JFET. De esta forma, obtendrá datos suficientes para trazar
la curva de transferencia IDS contra VGS para el transistor, en donde se deberá apreciar
el valor del voltaje de oclusión (VPO o VTH).
Tabla1
VGS (volts) IDS (mA) VDS (volts)
- 0.5
- 0.75
- 1.0
- 1.5
- 1.75

137
- 2.0
VPO
Experimento 2
1. Arme el circuito figura 2, aplique un valor de VG = 0, haga variación VDD desde 0 hasta
12 v, anote sus resultados en una tabla. Los datos le permitirán trazar una curva
característica del FET.
2. Ubique el valor de VG = - 0.5 y nuevamente haga un barrido en VDD desde cero hasta
12 volts.
3. Por último, nuevamente cambie VG = - 1 volts, haga un barrido de voltaje para VDD.
4. Trace las curvas características con los datos obtenidos. En la parte inferior, se ilustra
una tabla para un valor específico de VG.

138
Tabla 2.
Vg (volts) VDD (volts) IDS (mA) VDS
cero 1
“ 2
“ 3
“ …
“ 12
Experimento 3
Caracterización del MOSFET tipo incremental

1. Arme el circuito que se muestra en la figura 2.
2. Aplique los voltajes indicados y para cada variación de VG, mida el voltaje en VDS y la
corriente en el Drenaje del MOSFET. De esta forma, obtendrá datos suficientes para
trazar la curva de transferencia IDS contra VGS para el transistor, en donde se deberá
apreciar el valor del voltaje de oclusión (VPO).
NOTA: En la tabla se anota un valor denominado por Rx, corresponde al circuito figura 2
(circuito alternativo, por si quiere aplicar la variación de VG por medio de un divisor de voltaje

139
Figura2. Circuito de polarización para obtener la curva característica del MOSFET -N
Tabla 3.
Rx VG = VGS VDS VRD ID

145 K 2.0
150 K 2.1
155 K 2.2
160 K 2.3
165 K 2.4
170 K 2.5
175 K 2.6
180 K 2.7
185 K 2.8
190 K 2.9

140
Figura 3. Polarización del MOSFET para trazado de curva característica. Rx puede reemplazarse
por un potenciómetro de 250 000 Ohms.
Experimento 4
1. Arme el circuito figura 4, aplique un valor de VG = 2.3 volts, haga variación VDD desde
0 hasta 12 v, anote sus resultados en una tabla. Los datos le permitirán trazar una
curva característica del FET.
2. Aumente el valor de VG = 2.4 volts y nuevamente haga un barrido en VDD desde cero
hasta 12 volts.
3. Por último, nuevamente cambie VG = 2.5 volts, haga un barrido de voltaje para VDD.
4. Trace las curvas características con los datos obtenidos. En la parte inferior, se
ilustra una tabla para un valor específico de VG.

141
Figura 4. Circuito de polarización del MOSFET 2N7000.
Vg (volts) VDS (volts) IDS (mA) VDD
2.3 ¿? ¿? 0
2.3 0.5
2.3 1
2.3 2
2.3 3
2.3 …
2.3
2.3 12

142

 El trace la curva característica para cada transistor.
Bibliografía:
Edición, Pearson – Prentice Hall, 2005

143
Práctica 13. Medición del punto de operación de un amplificador Fuente Común con JFET
polarizado por divisor de voltaje y por auto polarización.
Objetivos:
 Medir el punto de operación de un amplificador fuente común por auto polarización.
 Verificar la ubicación del punto de operación de un amplificador fuente común con
polarización por divisor de voltaje.
 Ubicar el punto de operación en la recta de carga de CD.
Marco teórico:
El transistor de efecto de campo del tipo JFET o MOSFET, pueden utilizarse para diseñar
amplificadores para pequeña señal, de forma semejante a los amplificadores con BJT. Estos
amplificadores deben tener ubicado su punto de operación en una región en donde el circuito
se comporte como un dispositivo de respuesta lineal con un factor de amplificación de voltaje
o corriente mayor que la unidad. Esta región se le denomina Región Activa para un
amplificador implementado con BJT y Región de Saturación para un amplificador con transistor
FET.
Existen muchas modelos de circuitos para ubicar el punto de reposo para un amplificador con
FET, pero en esta sección se plantearán dos de ellos: por auto polarización y polarización por
divisor de voltaje. En el presente análisis de discutirán las ventajas e inconveniencias de cada
circuito, así también la interpretación de la recta de carga de CD.
Auto polarización del transistor JFET.

Una manera simple de polarizar un amplificador con JFET o MOSFET tipo Decremental, es por
medio de circuito que se ilustra en la figura 1 y que se le conoce como amplificador con auto
polarización. El proceso de análisis del circuito se realiza en los párrafos siguientes, en donde
también se explicará la recta de carga de CD.
Tal como se ha escrito en párrafos anteriores, la ecuación que relaciona a la corriente de
drenaje y el voltaje de compuerta es:

144
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑃𝑂
En donde
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
Que es la diferencia de potencial entre compuerta (Gate) y fuente (Source).
Se está suponiendo que la corriente de compuerta es igual a cero por la muy alta resistencia
de entrada del FET.
Figura 1. Auto polarización de un amplificador fuente común con JFET canal n.
En donde:
𝑉𝐺 = 0
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆
Esto es
𝑉𝐺𝑆 = 0 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = −𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆
Sustituyendo en la ecuación
−𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑃𝑂

145
En esta ecuación, si se conocen los parámetros del JFET y el valor de la resistencia conectada
a la fuente, basta con resolver la ecuación cuadrática para encontrar el valor de la corriente de
drenaje.
Considérese el siguiente ejercicio:
Ejercicio 1. Para el circuito figura 2, determine el punto de operación del circuito considerando
los valores y datos adjuntos a la figura.
Figura 2. Amplificador fuente común.

Solución:
Utilizando los datos adjuntos y utilizando la ecuación 1 se obtienen:
Nota, observe que la terminal compuerta está conectada a cero volts
VGSQ = -1.109 Volts
IDSQ = 1.983 mA
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆𝑄 × (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )
VDSQ = 10.92 Volts

146
Se puede trazar la recta de carga de CD para el circuito amplificador de forma similar a la recta
de CD del amplificador emisor común. La gráfica se ilustra en la figura 3 pero debe tomar muy
en cuenta que la variación de la corriente de CD (también para AC) se limita hasta un valor
máximo determinado por la corriente de saturación del JFET, IDSS. No olvide que para un JFET
canal n o canal p, la corriente de drenaje está restringido en el siguiente intervalo:
Figura 3. Recta de carga de CD para el amplificador fuente común con transistor JFET.
En la figura 3 se muestran las restricciones para la variación de la corriente de drenaje y para
el voltaje entre drenaje y fuente, en CD. La restricción más importante es la corriente de
saturación IDSS del JFET, restricción que no existe para el MOSFET tipo Decremental y para el
MOSFET tipo Incremental. Más adelante se analizará el efecto de la recta de carga de AC y que
también es afectada por la corriente IDSS.
El circuito de polarización del JFET con auto polarización es relativamente pero tiene
limitaciones para la ubicación del punto de operación y las que implican los valores de la
resistencia de auto polarización, RS. La ecuación de la recta viene dada por
1
𝐼𝐷𝑆 (𝑉𝐺𝑆 ) = − 𝑉
𝑅𝑆 𝐺𝑆

147
La figura 4 se realiza trazando la curva del JFET y la recta que ubica el punto de operación. La
recta tal como se señala, tiene una pendiente igual a:
1
𝑚=−
𝑅𝑆
Por lo tanto, la pendiente y consecuentemente, los valores de IDS cambian drásticamente en
función de los cambios de la resistencia de retroalimentación RS. Además, el valor de RS afecta
considerablemente el valor del voltaje del punto de operación definido por:
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆𝑄 × (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )
Figura 4. Ubicación del punto de operación por auto polarización.
Polarización del JFET por divisor de voltaje.

El circuito o arreglo de polarización más popular tanto para transistores JFET o BJT es conocido
por el nombre de “polarización por divisor de voltaje” o “polarización universal”. El circuito
correspondiente para el amplificador fuente común con transistor JFET canal n, aparece en la
figura 5.
En los párrafos siguientes se realiza una breve explicación para determinar el punto de
operación del circuito así también las ventajas que presenta respecto al circuito con auto
polarización.

148
Figura 5. Polarización por divisor de voltaje del JFET
El circuito figura 6 es simplificación del circuito figura 5 en donde se obtiene un circuito

equivalente de Thévenin en la compuerta del JFET.
Los valores para VGG y RGG están dadas por:
𝑅𝐺1 × 𝑅𝐺2
𝑅𝐺𝐺 =
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2
𝑉𝐷𝐷 × 𝑅𝐺2
𝑉𝐺𝐺 =
Se utilizará la ecuación que define el comportamiento del JFET

−𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑃𝑂
La ecuación tiene dos variables a solucionar, IDS y VGS. La solución de la ecuación cuadrática se
puede obtener utilizando el circuito figura 5 de donde se tiene que:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆

149
Figuras 6. Simplificación del circuito de compuerta para análisis en CD.
Sustituyendo la expresión para VGS se obtiene
𝑉𝐺𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑃𝑂
Sustituyendo valores se obtienen las dos raíces de la ecuación. El valor correcto o posible para
fines prácticos debe cumplir con las restricciones propias del JFET, esto es:
𝑉𝑃𝑂 ≤ 𝑉𝐺𝑆 ≤ 0
Ejercicio:
Resuelva el amplificador circuito figura 7, encontrando el punto de operación, esto es,
calculando IDSQ, VGSQ y VDSQ. Utilice los datos que aparecen en la misma figura.

150
Figura 7. Amplificador fuente común con transistor JFET n.
El circuito ilustra un amplificador para pequeña señal en donde aparece la señal que se tiene
que amplificar, los condensadores de acoplamiento, la carga y las resistencias que sirven para
ubicar el punto de operación en la región de saturación. Para resolver el ejercicio, se utiliza el
principio de superposición, esto es, que se resuelve el circuito para corriente directa
(constante) y para corriente alterna (AC).
En este caso particular, se resolverá el circuito para CD y los condensadores se consideran
aparentes circuitos abiertos, porque al obtener una carga máxima en cada situación, la
diferencia de potencial en sus placas bloquea toda posibilidad de circulación de corriente en
el tramo de circuito en donde están conectados, además, como idealmente se les considera
de capacitancias muy elevada (infinita), se consideran “de impedancia infinita”.
El circuito para análisis en CD es similar al circuito figura 5, con los valores correspondiente a
los resistores del amplificador figura 7.
La solución concluye calculando la corriente de drenaje y los voltajes correspondientes al
punto de operación utilizando las ecuaciones planteadas anteriormente.

151
Entonces, resolviendo con los datos de la figura se tienen:

IDSQ = 2.735 mA VGSQ = -1.15 Volts VDSQ = 11.084 Volts
Figura 7. Circuito de polarización por divisor de voltaje para JFET
La figura 8 corresponde a la localización del punto de operación en forma gráfica. Las

restricciones que se tienen para las máximas oscilaciones respecto al punto de operación son
también restringidas principalmente por la corriente de saturación del JFET.

152
Figura 8. Ubicación del punto de operación ilustrado en forma gráfica.
Material:
Juego de caimanes
Protoboard
Cables para fuentes

153
Equipo:
Multímetro digital
Metodología o desarrollo de la práctica.
Experimento 1.
1. Arme el circuito que se ilustra en la figura 9. Utilice los elementos indicados en la misma
figura.
2. Por medio del multímetro, mida y anote los valores correspondientes al punto de
operación del circuito.
Figura 9. Circuito de auto polarización del JFET.
3. Reemplace la resistencia de 330 Ohms por otra de 1000 Ohms.

4. Nuevamente mida el punto de operación del circuito.

154
Experimento 2.
5. Arme el circuito que se ilustra en la figura 10. Utilice los elementos indicados en la
misma figura.
Figura 10. Polarización del JFET por divisor de voltaje.

155
 Obtenga el resultado previo del experimento por el método gráfico y utilizando las
especificaciones de JFET empleado en la práctica.
Bibliografía:

156
Práctica 14. Medición del punto de operación de un amplificador Fuente Común con MOSFET
tipo incremental.
Objetivos:
 Medir el punto de operación de un amplificador fuente común que se construye por
medio del MOSFET tipo incremental.
 Verificar la ubicación del punto de operación de un amplificador fuente común con en
la curva característica del MOSFET.
Marco teórico
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada MOSFET tipo crecimiento
(incremental) también puede utilizarse para amplificar pequeña señal, aunque gran parte de
su aplicación corresponde al área de alta potencia para el diseño de interruptores electrónicos.
Al igual que el amplificador con JFET, el amplificador debe estar operando en la región de
saturación, por tanto, este será el objetivo en esta unidad, diseñar o implementar el circuito
de polarización para que trabaje en esta región.
Una configuración preferida es la que aparece en la figura 1, en donde se incluyen los
elementos básicos para un amplificador fuente común de una etapa.

157
Tal como ya se ha explicado, para el análisis de CD, se simplifica el circuito obteniéndose el

siguiente circuito reducido con un equivalente de Thévenin en la compuerta del MOSFET
Figura 2. Circuito amplificador fuente común simplificado.

Es importante observar que se señala una corriente de compuerta igual a cero, recuerde que
existe una capa delgada de óxido de silicio entre el canal y las terminales que interconectan al
drenaje y la fuente, por esta importante razón el MOSFET presenta una gran impedancia de
entrada típicamente mayor que 12 Mega Ohms.
Para encontrar el valor de la corriente de punto de operación se resuelven simultáneamente
las ecuaciones:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 𝑉𝐺 = 𝑉𝑇𝐻
En donde:
𝑅𝐺2 × 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝑇𝐻 =

158
Ejercicio 1.
Encuentre el punto de operación del amplificador figura 1 si se tienen los siguientes datos:
RG1 = 100K Ohms RG2 = 47 K VDD = 15 V
RD = 1200 RS = 330 VTH = 2.5 V
Constante de proporcionalidad k = 0.00637
Solución para ejercicio 1
Sustituyendo las ecuaciones que se han expuesto anteriormente y considerando los datos que
se han proporcionado, se obtienen:
IDSQ = 5.023 mA
VGSQ = 3.138 V
VDSQ = 7.315 V
Esta solución se puede obtener o visualizar mediante la gráfica de la figura 3.
Figura 3. Solución de ejercicio 1 por el método gráfico.

159
Ejercicio 2.
Para el amplificador figura 3, determine los valores comerciales para sus elementos resistivos
si se requiere que el punto de operación se ubique aproximadamente en:
VDS = 7 volts IDSQ = 10 mA
Utilice los datos adicionales que aparecen en el circuito 4.
Figura 4. Amplificador para ejercicio 2

160
Material:
Juego de caimanes
Protoboard
Cables para fuentes
Equipo:
Multímetro digital
Metodología o desarrollo de la práctica.

Experimento 1.
figura.
Figura 5. Circuito de polarización para MOSFET incremental por medio de división de voltaje.

161
3. Reemplace la resistencia de 330 Ohms por otra de 560 Ohms.

4. Nuevamente mida el punto de operación del circuito.
5. Cambie la resistencia de 56 K por otra resistencia de 68 K y mide el punto de operación.
La resistencia RS debe ser igual a 330 Ohms.
6. Con los valores obtenidos para los diferentes puntos de operación determine el valor
experimental de VTH y de la constante de proporcionalidad k.
 Obtenga el resultado previo del experimento por el método gráfico y utilizando las
especificaciones de JFET empleado en la práctica.
Bibliografía:

162
Práctica 15. Efectos de la recta de carga en amplificadores Fuente Común en un amplificador

construido con transistor JFET y MOSFET incremental.
Nota: se está corrigiendo el nombre de la práctica.
Objetivos:
 Determinar los niveles de recorte del voltaje en la carga en un amplificador fuente
común con transistor JFET canal n.
 Determinar los niveles de recorte del voltaje en la carga en un amplificador fuente
común con transistor MOSFET incremental canal n.
Marco Teórico:
En el caso de la aplicación de los transistores de efecto de campo para amplificar señales
pequeñas, existen las mismas dificultades que con los amplificadores analizados con
transistores bipolares, esto es, se presentan distorsiones o recortes en la señal de salida por
efectos de la “carga” que se conecta a la salida del amplificador de una etapa. En la figura 1 se
representa un amplificador diseñado con JFET canal n.

163
Para verificar el comportamiento y las restricciones para la señal de voltaje y corriente en la

salida (carga) del amplificador, es necesario analizar el circuito en corriente alterna, no sin
antes haber resuelto el mismo amplificador en lo correspondiente a su punto de operación.
Para trazar la recta de carga de CA, se realiza el proceso en forma similar a lo efectuado con
los amplificadores con transistores bipolares. Al aplicar el principio de superposición y para un
análisis en CA, se dibuja el circuito figura 2 en donde se “sustituyen” a los condensadores por
“cortos circuitos”, suponiendo que tienen una impedancia nula para señal a frecuencias.
Figura 2. Amplificador fuente común para análisis en CA.

La parte del circuito que se utilizará para obtener la recta de carga de CA es la que implica la
etapa de salida y es por esto que dibuja el circuito figura 3, de donde se obtiene la ecuación de
la corriente de drenaje para pequeña señal.
Estableciendo la ecuación malla en la etapa de salida
𝑣𝑑𝑠 = −𝑖𝑑𝑠 × (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
Entonces
𝑣𝑑𝑠
𝑖𝑑𝑠 = −
𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿

164
Se define
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿
𝑣𝑑𝑠
𝑖𝑑𝑠 = −
𝑅𝐶𝐴
Figura 3. Circuito para obtención de la ecuación de la corriente en CA.
Figura 4. Rectas de carga para el amplificador fuente común con transistor JFET n.

165
Para graficar la recta de carga de CA, también se pueden usar las ecuaciones obtenidas para
los amplificadores con transistores bipolares, únicamente cambian las expresiones para el
voltaje y la corriente en el JFET, esto es:
𝑉𝐷𝑆𝑄
𝐼𝑑𝑠(𝑚á𝑥) = 𝐼𝐷𝑆𝑄 +
𝑅𝐶𝐴
𝑉𝑑𝑠(𝑚á𝑥) = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑆𝑄 𝑅𝐶𝐴
Pero debe observar que el valor de IDSS impone una restricción tanto para la máxima variación
de la corriente de drenaje, IDS, como para el voltaje entre drenaje y fuente, VDS. Por esta razón,
es preferible que en los diseños de polarización de los amplificadores para pequeña señal con
transistores JFET, el punto de operación se prefiere ubicarlo en la parte media del valor de IDSS.
¿Cómo saber el valor de Vds(mín)? Lo que se realizar es utilizar la ecuación de la recta de carga
de CA cuya pendiente ya se conoce, además, también del conocimiento de IDSS para obtener:
𝑉𝐷𝑆(𝑚í𝑛) = 𝑉𝐷𝑆𝑄 − (𝐼𝐷𝑆𝑆 − 𝐼𝐷𝑆𝑄 ) × 𝑅𝐶𝐴
Recta de carga de CA para amplificador con MOSFET incremental.
En lo que respecto al amplificador fuente común que se diseña con transistor MOSFET canal n,
se pueden agregar los siguientes señalamientos respecto al amplificador fuente común con
transistor JFET:
a) No existe limitante para la excursión de la señal de corriente y voltaje tal como ocurre
con el JFET, delimitado por IDSS.
b) La excursión de corriente y voltaje se limitan por la región lineal del MOSFET en
cuestión y la recta de carga de CA.
c) La máxima corriente de drenaje es la que se especifica por el fabricante.
d) Debido a que el amplificador presenta mayor impedancia de entrada (entre compuerta
y fuente) entonces, se pueden amplificar señales de voltaje de muy baja potencia.
e) Se pueden señalar características o limitaciones respecto al ancho de banda de estos
amplificadores pero el tema no corresponde a este curso.

166
El trazado de la recta de carga del amplificador fuente común con MOSFET incremental es
semejante al efectuado anteriormente con el amplificador con JFET, entonces también se
cumplen:
𝑉𝐷𝑆𝑄
𝐼𝐷𝑆(𝑚á𝑥) = 𝐼𝐷𝑆𝑄 +
𝑅𝐶𝐴
𝑉𝐷𝑆(𝑚á𝑥) = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑆𝑄 𝑅𝐶𝐴

Ejercicio.
Para el amplificador figura 5, trace las rectas de carga del amplificador así también encuentre
los valores pico máximos posibles del voltaje en:
𝑉𝐷𝑆 (𝑡) 𝑦 𝑉𝐿 (𝑡)
Figura 5. Amplificador fuente común con MOSFET n incremental.

El punto de operación del amplificador será:
𝐼𝐷𝑆𝑄 = 5.023 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 3.138 𝑉

167
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 7.315 𝑉
La resistencia en el circuito de salida en CA es
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 = 666.66
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 = 666.66 Ω
De donde
𝐼𝐷𝑆 (𝑚á𝑥) = 0.016 = 16 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 (𝑚á𝑥) = 10.66 𝑉
Para ilustrar y facilitar el trazado de las rectas de carga se puede utilizar cualquier trazador de
gráficas y obtener resultados tal como se ilustra en la figura 6.
Figura 6. Rectas de carga para el circuito amplificador.

La información que se obtienen de los resultados y la interpretación de las rectas de carga:
a) La máxima variación del voltaje entre drenaje fuente es aproximadamente igual a
∆𝑉𝐷𝑆 (𝑚á𝑥) ≈ 10.66 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 3.345 𝑉
b) La máxima variación del voltaje entre drenaje fuente es aproximadamente igual a

∆𝐼𝐷𝑆 (𝑚á𝑥) = 5.023 𝑚𝐴 = 𝐼𝐷𝑆𝑄

168
Estos resultados deben ser corroborados por el alumno en forma experimental. Cabe señalar
que existirán diferencias por los cambios que siempre ocurren en las especificaciones del
transistor MOSFET n incremental.
Material:
Transistor MOSFET 2N7000
Juego de resistencias (las indicadas en los circuitos)
Juego de caimanes
Protoboard
Cables para fuentes
Juego de condensadores de 10 micro faradios.
Equipo:
Multímetro digital
Fuentes de voltaje CD
Generador de señales eléctricas digital.
Metodología o Desarrollo de la práctica

Experimento 1
Efectos de recta de carga de CA en el amplificador fuente común con MOSFET n tipo
incremental.
figura. No conecte los condensadores ni la fuente de señal alterna.
3. Conecte los condensadores y la señal de variable en el tiempo a una frecuencia
aproximada de 30 000 Hertz.

169
4. Por medio del osciloscopio digital, observe la señal de voltaje en la carga y el voltaje
diferencial entre drenaje y fuente. Si la señal de voltaje tiene recorte o distorsión, debe
corregir la señal de entrada variable, esto es, atenuar su valor pico hasta que la señal
de salida se obtenga en forma limpia. Tome nota de las señales o tome una fotografía
que le sirva para distinguir los valores característicos de las señales de voltaje.
NOTA: La medición de VDS debe ser en la opción CD del osciloscopio, para que observe que la
señal está referida al VCEQ.
5. A continuación, aumente el valor pico de Vi(t) hasta que ocurra la distorsión o recorte
de la señal de salida. Tome nota o evidencias del nivel de voltaje en la carga en donde
ocurre el recorte o distorsión.
6. Cambie el valor de RL a un valor superior del propuesto y repita los puntos 4 y 5.
Figura 7. Amplificador fuente común para la práctica.

170
Experimento 2.
Efectos de recta de carga de CA en el amplificador fuente común con MOSFET n tipo
incremental.
figura. No conecte los condensadores ni la fuente de señal alterna.
9. Conecte los condensadores y la señal de variable en el tiempo a una frecuencia
aproximada de 30 000 Hertz.
10. Por medio del osciloscopio digital, observe la señal de voltaje en la carga y el voltaje
diferencial entre drenaje y fuente. Si la señal de voltaje tiene recorte o distorsión, debe
corregir la señal de entrada variable, esto es, atenuar su valor pico hasta que la señal
de salida se obtenga en forma limpia. Tome nota de las señales o tome una fotografía
que le sirva para distinguir los valores característicos de las señales de voltaje.

171
NOTA: La medición de VDS debe ser en la opción CD del osciloscopio, para que observe que la
señal está referida al VDSQ.
11. A continuación, aumente el valor pico de Vi(t) hasta que ocurra la distorsión o recorte
de la señal de salida. Tome nota o evidencias del nivel de voltaje en la carga en donde
ocurre el recorte o distorsión.
12. Cambie el valor de RL a un valor superior del propuesto y repita los puntos 4 y 5.
 Breve introducción de teórica para el transistor JFET y MOSFET tipo incremental.
 Obtenga el resultado previo de los experimentos por medio de un simulador de
circuitos, por ejemplo, MULTISIM.
Bibliografía:

172
Unidad IV: Análisis de amplificadores con BJT y FET a pequeña señal y a frecuencia media.
Objetivos específico de la unidad IV
 Medir la ganancia de voltaje de los amplificadores de una etapa construidos con
BJT.
 Medir la ganancia de voltaje de amplificadores construidos con transistores JFET Y
MOSFET.
 Verificar la fase del voltaje de salida de los amplificadores respecto a la fase de la
señal de entrada.
Práctica 16. Ganancia de voltaje de un amplificador Emisor Común.
Objetivos:
Determinar en forma experimental la ganancia de voltaje del amplificador emisor común a
pequeña señal y a frecuencia media.
Verificar la fase de la señal de salida respecto a la señal de entrada del amplificador.
Verificar en forma breve el ancho de banda dl amplificador.
Marco teórico:
El siguiente punto de análisis en el curso de la materia Diodos y Transistores corresponde a la
verificación de las características de los amplificadores de pequeña señal en su ancho de banda
o en lo que se llama “frecuencia media”. En la figura 1, se ilustra la respuesta de un
amplificador en función de la frecuencia (eje horizontal) contra al ganancia de voltaje del
amplificador definido y simbolizado por
𝑉𝑠𝑎𝑙
𝐴𝑉 =
𝑉𝑒𝑛
𝑉𝑠𝑎𝑙 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎
𝑉𝑒𝑛 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎
En la frecuencia media, la razón del voltaje de salida respecto al voltaje de entrada es una
constante. Los ejes del plano cartesiano comúnmente se tabulan en escala logarítmica.

173
Existen regiones en la figura que no se definirán porque quedan fuera de los temas de análisis.
Figura 1. Grafica de la respuesta en frecuencia de un amplificador con transistor.
Los puntos interesantes en el análisis de esta unidad serán:

 Determinación de la ganancia de voltaje de los amplificadores de una etapa,
 Cálculo de la ganancia de corriente,
 Determinación de las resistencias de entrada y salida de los amplificadores.
 Determinación de la fase de la señal de salida respecto a la fase de la señal de entrada.
Estos puntos de análisis se deberán efectuar en las configuraciones que corresponden para
amplificadores implementados con transistor bipolar o con transistor de efecto de campo.
Entonces se tendrán y analizarán los siguientes amplificadores en las configuraciones
siguientes:
a) Amplificador Emisor Común.
b) Amplificador Colector Común.
c) Amplificador Base Común.
d) Amplificador Fuente Común
e) Amplificador Drenaje Común y
f) Amplificador Compuerta Común.

174
Para el análisis propuesto para estos amplificadores, que se realiza por medio de las reglas y
leyes de circuitos eléctricos, se necesitarán un modelos equivalentes para los transistores en
cada una de las configuraciones y además, el acondicionamiento de la señal de entrada y salida
por medio de condensadores con la finalidad de que no se afecte el punto de operación del
transistor y de las características o parámetros importantes del amplificador, como por
ejemplo, la ganancia de corriente o voltaje.
Para el breve estudio de amplificadores que se realizará en esta unidad, se implicarán los dos
modelos más populares para los transistores, el modelo que utiliza los parámetros híbridos y
el modelo re, modelos utilizados en la bibliografía recomendada en el programa oficial de
materia. Estos modelos equivalentes se describirán al momento de analizar los amplificadores
en cada etapa del proceso y debido al tiempo que se limita por la extensión del tema y las
horas destinadas en el semestre para la materia, se omitirán detalles como la deducción o de
los parámetros híbridos utilizados para los transistores en cada configuración de amplificador.
Se comenzará con los amplificadores con BJT para concluir con los amplificadores
implementados con transistor de efecto de campo MOSFET.
Amplificador Emisor Común.

En la unidad 2 se obtuvo el punto de operación y la estabilización del punto de operación del
amplificador que se ilustra en la figura 1. Los condensadores se propusieron con capacitancia
infinita, con la finalidad de que para cualquier señal a frecuencia, se comportaran con “cortos
circuitos” por la razón de que:
1
𝑋𝐶 =
𝑗𝜔𝐶
Esto es, la magnitud de la reactancia
1
|𝑋𝐶 | = | | → 0
𝜔𝐶
En el circuito aparecen condensadores y que tienen la finalidad de:
 Bloquear la señal de CD (bloqueadores) que están conectados en la base y el colector
del transistor. Sirven para que al conectar la señal de entrada a frecuencia o la carga
no se afecte el punto de operación del amplificador.

175
 “Eliminar” la caída de potencial en las resistencias y que atenúe la señal de salida, es el

caso de la resistencia RE, a este condensador se le llama “de paso”.

En el mismo circuito aparece la resistencia simbolizada por Ri, representa la resistencia interna
de la fuente de señal a frecuencia (generador de señales eléctricas).
Proceso de análisis:
Se comenzará con la representación del circuito equivalente eléctrico para el BJT en la
configuración emisor común en sus parámetros híbridos, estos parámetros se encuentran en
la hoja de especificaciones del transistor en cuestión.
Figura 2. Circuito equivalente del transistor bipolar en la configuración emisor común.

176
Tabla I
La figura 2 también se le conoce como circuito de dos puertos, tal como se analiza en la materia
de Análisis de Circuitos I. En la tabla no aparece el parámetro que se denota por h fe porque en
la frecuencia media es aproximadamente igual al “Beta” del transistor, esto es:
ℎ𝑓𝑒 ≈ 𝛽
Cabe señalar que el parámetro denotado por hie (resistencia de entrada del BJT)
frecuentemente se calcula en función del punto de operación del transistor y la fórmula de
aproximación es:
(ℎ𝑓𝑒 + 1)(𝑉𝑇 ) (ℎ𝑓𝑒 + 1)(0.025)
ℎ𝑖𝑒 ≈ =
𝐼𝐶𝑄 𝐼𝐶𝑄
Una vez que en forma breve se ha planteado el circuito equivalente eléctrico para el transistor
en la configuración emisor común, se procederá a realizar un ejercicio o ejemplo.
Ejercicio 1. Para el amplificador figura 3 y utilizando los datos señalados para el transistor,
determine:
a) El punto de operación.
b) Resistencia de entrada del amplificador.
c) Ganancia de voltaje del amplificador
d) Ganancia de corriente del amplificador.

177
e) Dibuje el voltaje VCE y el voltaje en la carga del amplificador tomando en cuenta el valor
de la señal de entrada. Si existen recortes o distorsión en las señales, debe indicarlas.
f) Utilice el simulador MULTISIM (versión estudiantil) para bosquejar y comparar los
voltajes obtenidos en el inciso e).
Figura 3. Amplificador emisor común.
SOLUCION:
Cálculo del punto de operación
𝐼𝐶𝑄 = 4.07 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6.017 𝑉
Cálculo del parámetro resistencia de entrada del transistor.
200 × 0.025
ℎ𝑖𝑒 = = 1228.5 Ω
0.00407
Diagrama del amplificador para pequeña señal y a frecuencia media.
Es una recomendación favorable para el entendimiento del ejercicio dibujar el amplificador
para señal alterna sin sustituir el dibujo del transistor con su circuito equivalente. Esto se

178
presenta en la figura 4. Observe que los condensadores se consideran como verdaderos cortos
circuitos.
Figura 4. Amplificador para análisis en pequeña señal por el método de superposición.

La figura 5 ilustra el circuito amplificador para pequeña señal, observe que el emisor del
transistor está conectada directamente a tierra (común o masa), por esa razón se la llama
“amplificador emisor común”.
También se señalan la resistencia respecto a la base del transistor, la resistencia en paralelo
de RC y RL, además, las corrientes de base, corriente de entrada y voltaje entre base y emisor.
Figura 5. Circuito equivalente para pequeña señal.

179
Obtención de la resistencia de entrada y ganancia de voltaje

Una vez que se tiene el circuito figura 5, se procede a la solución del circuito, encontrando
primeramente la resistencia de entrada del transistor, la resistencia de entra al amplificador y
posteriormente, la ganancia de voltaje. La solución se llevará a cabo aplicando las reglas y leyes
básicas de circuitos eléctricos.
Para el cálculo de las resistencia, se “eliminan” las fuentes de voltaje y corriente, por esta razón
es que
Figura 6. Resistencia de entrada del transistor.

𝑉𝑏𝑒 = 𝑖𝑏 × 𝑅𝑏 = 𝑖𝑏 × ℎ𝑖𝑒
Por lo tanto
𝑉𝑏𝑒
𝑅𝑏 = = ℎ𝑖𝑒
𝑖𝑏
Figura 7. Resistencia de entrada de entrada del amplificador.

𝑅𝐵𝐵 × 𝑅𝑏
𝑅𝑒𝑛 =
𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝑏

180
Por la regla del divisor de voltaje se obtiene el voltaje de base en función del voltaje de entrada
y que servirá para determinar la corriente de base.
𝑅𝑒𝑛 × 𝑉𝑖 (𝑡)
𝑉𝑏𝑒 = = 𝑉𝑏
𝑅𝑒𝑛 + 𝑅𝑖
Para obtener la expresión de la corriente de base se dibuja nuevamente el circuito de entrada
en la figura 8.
𝑉𝑏𝑒 − ℎ𝑟𝑒 𝑉𝑂 𝑉𝑏 − ℎ𝑟𝑒 𝑉𝑂

𝑖𝑏 = =
𝑅𝑏 ℎ𝑖𝑒
Del circuito de etapa de salida
Figura 8. Etapa de salida del amplificador emisor común.

El voltaje de salida se puede expresar como
1
𝑉𝑂 (𝑡) = −ℎ𝑓𝑒 × 𝑖𝑏 × [𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ∥ ( )]
ℎ𝑜𝑒
Sustituyendo la expresión para la corriente de base
1 𝑉𝑏𝑒 − ℎ𝑟𝑒 𝑉𝑂
𝑉𝑂 (𝑡) = −ℎ𝑓𝑒 × [𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ∥ ( )] × [ ]
ℎ𝑜𝑒 𝑅𝑏

181
Sea
1
𝐾 = ℎ𝑓𝑒 × [𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ∥ ( )]
ℎ𝑜𝑒
Sustituyendo el voltaje de base a emisor, despejando respecto al voltaje de salida y
reduciendo, se obtiene finalmente:
𝑉𝑂 (𝑡) 𝐾 × 𝑅𝑒𝑛
=− = 𝐴𝑉
𝑉𝑖 (𝑡) (𝑅𝑏 − 𝐾 × ℎ𝑟𝑒 )(𝑅𝑒𝑛 + 𝑅𝑖 )
Que es la expresión para ganancia de voltaje. Al sustituir el valor de la resistencia de base, R b

se notará que la ganancia es altamente dependiente del Beta del transistor. También la
resistencia de entrada al transistor es muy sensible a los cambios de Beta porque
(ℎ𝑓𝑒 + 1)(0.025)
𝑅𝑏 = ℎ𝑖𝑒 =
𝐼𝐶𝑄
Determinación de la ganancia de corriente:
Para calcular la ganancia de corriente se utiliza el circuito de entrada que ilustra en la figura 7
b) en donde se aplica la ley de mallas, además, del circuito figura 10 para definir y relacionar
con la corriente de salida.
Figura 9. Malla de entrada del amplificador.
𝑉𝑖 (𝑡) = (𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛 ) × 𝑖𝑖

También:

182
Figura 10. Etapa de salida del amplificador emisor común.

Como
𝑉𝑂 (𝑡) = 𝑖𝐿 × 𝑅𝐿
𝑉𝑂 (𝑡) = −𝐴𝑣 × 𝑉𝑖 (𝑡) = 𝐴𝑣 × (𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛 ) × 𝑖𝑖
𝐴𝑣 × (𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛 ) × 𝑖𝑖 = 𝑖𝐿 × 𝑅𝐿
Para obtener
𝑖𝐿 𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛
= × 𝐴𝑣 = 𝐴𝑖
𝑖𝑖 𝑅𝐿
Sustituyendo con los valores o datos en las fórmulas obtenidas, se obtienen:

𝑅𝑒𝑛 ≈ 1155 𝑂ℎ𝑚𝑠
𝐴𝑉 ≈ −121.5
Esto quiere decir que
𝑉𝑂 (𝑡) ≈ −121.5 × 𝑉𝑖 (𝑡)
El signo negativo indica que la frecuencia media, la señal de voltaje de salida está desfasada
respecto a la señal de entrada en 180º.
La ganancia de corriente será

𝐴𝑖 ≈ −65
Con el uso del graficador digital se obtiene a gráfica del voltaje entre colector y emisor:

183
Figura 11. Gráfica del voltaje de colector a emisor.
El recorte en la gráfica se debe a la restricción de la recta de carga de CA. Usted debe indagar
al respecto. Además, bosqueje el gráfico del voltaje en la carga.
Como ejercicio, se requiere que compruebe las fórmulas que se anotan a continuación y que
corresponden al mismo amplificador emisor común pero sin capacitor de paso.
Resistencia de entrada al transistor:
𝑅𝑏 = ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸
Resistencia de entrada al amplificador:
𝑅𝐵𝐵 × 𝑅𝑏
𝑅𝑒𝑛 =
𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝑏
Ganancia de voltaje del amplificador:
(ℎ𝑓𝑒 )𝑅𝐵𝐵 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 = −
(𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛 )[𝑅𝐵𝐵 + ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 ]
Ganancia de corriente:
𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛
𝐴𝑖 = × 𝐴𝑣
𝑅𝐿

184
Figura 12. Amplificador emisor común sin capacitor de paso.
Al evaluar las ecuaciones con los datos del circuito se pueden obtener los siguientes resultados:
a) Ganancia de voltaje = - 2.719 b) Ganancia corriente = - 4.739
Gráficas de la respuesta del circuito.
Figura 13. Voltaje de entrada al amplificador emisor común.

185
Figura 14. Voltaje de salida obtenida del simulador.
Figura 15. Respuesta en frecuencia del amplificador emisor común sin capacitor de paso.
Debe discutir o buscar las bondades de este circuito con sus compañeros de equipo y el
profesor correspondiente.

186
Material:
Protoboard
Juego de caimanes
Cables para fuentes
Transistor 2N2222A
4 condensadores de 10 microfaradios.
Equipo:
Metodología o Desarrollo de la práctica.

6. Arme el circuito amplificador emisor común y mida los valores correspondientes al
punto de operación.
NOTA: puede considerar los valores utilizados del circuito amplificador analizado en
clase para las resistencias.
7. Conecte la fuente Vi(t) = 0.3senwt a una frecuencia de 30 K Hz. Observe y grafique
(puede tomar foto) señalando niveles de voltaje las señales de voltaje alterno que
aparece en:
 En la carga (VL), en opción AC.
 Entre el colector y el emisor (VCE). (En opción CD)
NOTAS: La señal no debe estar recortada o distorsionada. Si esto ocurre, deberá atenuar
el voltaje Vi(t). La medición de los voltajes debe ser pico a pico.
8. Repita lo efectuado en el punto 2 anterior y complete la tabla siguiente según las
frecuencias que se indican.

187
Vi(t) Vce(t ) Vce(t ) Vo(t ) Vo(t )

(valor p – p) Vi(t ) Vi(t )
(valor p – p)
500 Hz
1000 Hz
5 KHz
10KHz
20 KHz
50 KHz
100 KHz
9. Repetir los puntos de 1 al 4 pero debe cambiar el transistor por otro similar.

188

 Obtenga el valor de las máximas oscilaciones o excursiones posibles para el voltaje de salida
sin recortes ni distorsión.
Bibliografía:

189
Práctica 17. Ganancia de voltaje de un amplificador Colector Común.

Objetivos:
 Determinar en forma experimental la ganancia de voltaje del amplificador colector
común a pequeña señal y a frecuencia media.
 Verificar la fase de la señal de salida respecto a la señal de entrada del amplificador.
 Verificar en forma breve el ancho de banda dl amplificador.
Marco teórico
El amplificador colector común tal como su mismo nombre lo indica, el colector estará
conectada o referida al común o tierra respecto al potencial eléctrico alto, además, el circuito
presente las siguientes observaciones importantes:
 El voltaje de pequeña señal se aplica en la base del transistor (NPN o PNP).
 La carga se conecta en el emisor.
Como amplificador, se comprobará en teoría y en la práctica que:
 Tiene una resistencia de entrada muy elevada.
 El factor de amplificación de voltaje o ganancia de voltaje es positivo pero menor que
la unidad.
 La ganancia de corriente puede ser mayo que 1 pero positiva.
 La impedancia de salida del amplificador es muy baja.
El análisis del amplificador a pequeña señal y a frecuencia media es muy semejante a lo
realizado con el amplificador emisor común. Por esta razón, se explicarán y obtendrán las
fórmulas para calcular ganancia de voltaje y corriente por medio del siguiente ejercicio.
Ejercicio:
Para el amplificador colector común que se presenta en la figura 1, determine o realice:
a) Punto de operación.
b) Las máximas oscilaciones sin recorte ni distorsión del voltaje en la carga.
c) Resistencia de entrada.
d) Ganancia de voltaje del amplificador.
e) Ganancia de corriente

190
Figura 1. Amplificador colector común.
SOLUCION:
Consulte la teoría respecto a la obtención del punto de operación y el trazado he interpretación
de las rectas de carga en la teoría expuesta para la unidad II.
Entonces:
𝐼𝐶𝑄 = 4.632 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6.442 𝑉
𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 10.038 𝑉
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 13 𝑚𝐴
El circuito para análisis a pequeña señal y a frecuencia media está presentada en la figura 2.
Tal como se observa en la figura, se pueden escribir sin tanto problema por la experiencia
adquirida con el amplificador emisor común:
Sea
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿

191
Entonces:
𝑅𝑏 = ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐶𝐴
𝑉𝑜 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 × 𝑅𝐶𝐴
Si
𝑅𝐵𝐵 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2
𝑅𝑒𝑛 = 𝑅𝐵𝐵 ∥ 𝑅𝑏
𝑉𝑏 =
𝑅𝑒𝑛 + 𝑅𝑖
Obteniendo
𝑉𝑏 𝑅𝑒𝑛 + 𝑅𝑖
𝑖𝑏 = =
𝑅𝑏 ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐶𝐴
Sustituyendo en
𝑉𝑜 = (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 × 𝑅𝐶𝐴
Simplificando se obtiene la expresión para la ganancia de voltaje para el amplificador
(ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐶𝐴 × 𝑅𝑒𝑛

𝐴𝑉 =
(𝑅𝑒𝑛 + 𝑅𝑖 )[ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐶𝐴 ]
Figura 2. Amplificador colector común a pequeña señal y a frecuencia media.

192
Observaciones:
Como
𝑅𝑒𝑛
<1
(𝑅𝑒𝑛 + 𝑅𝑖 )
(ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐶𝐴
<1
ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐶𝐴
Entonces
𝐴𝑉 < 1
Se concluye que la ganancia de voltaje del amplificador colector común será siempre menor
que la unidad.
Sustituyendo valores, la ganancia de voltaje resulta:
𝐴𝑉 ≈ 0.986
La ganancia de corriente será también:
𝑅𝑖 + 𝑅𝑒𝑛
𝐴𝑖 = × 𝐴𝑣
𝑅𝐿
Evaluando valores,
𝐴𝑖 ≈ 6.125
Se puede comprobar que la resistencia de entrada y la ganancia de corriente son directamente
proporcionales a las resistencia de entrada, principalmente de RBB, es por esto que en muchos
diseños se les propone de valores elevados.
El cálculo de la resistencia de salida del amplificador se realiza de la siguiente manera:
Se supone que se realiza a circuito abierto en el emisor transistor, como se calculará una
resistencia, se “elimina la fuente de voltaje variable, ilustrado en la figura 3.
Figura 3. Circuito equivalente reflejado respecto al emisor.

193
“Abriendo” la resistencia RE
𝑣𝑒 𝑣𝑒
𝑅𝑠𝑎𝑙 = =
−𝑖𝑒 −(ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏
Pero también
𝑣𝑒 = −𝑖𝑏 [ℎ𝑖𝑒 + (𝑅𝑖 ∥ 𝑅𝐵𝐵 )]
Sustituyendo
−[ℎ𝑖𝑒 + (𝑅𝑖 ∥ 𝑅𝐵𝐵 )]𝑖𝑏 ℎ𝑖𝑒 + (𝑅𝑖 ∥ 𝑅𝐵𝐵 )
𝑅𝑠𝑎𝑙 = =
−(ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑖𝑏 ℎ𝑓𝑒 + 1
El valor de esta resistencia se anticipa de valor pequeño.

Sustituyendo valores
𝑅𝑠𝑎𝑙 = 5.892 𝑂ℎ𝑚𝑠
A continuación se realiza una simulación para observar tanto para voltajes en el circuito
amplificador como el ancho de banda del mismo.
Figura 3. Voltaje de entrada al amplificador colector común.

194
Figura 4. Señal del voltaje en la carga del amplificador colector común.
Figura 6. Respuesta en frecuencia del amplificador colector común.

195
Material:
Transistor 2N2222A
Juego de caimanes
Juego de cables para fuente.
Protoboard
Equipo:
Metodología o Desarrollo de la práctica

1. Arme el circuito amplificador emisor común y mida los valores correspondientes al punto de
operación. NOTA: puede utilizar los valores utilizados en clase para las resistencias.
2. Conecte la fuente Vi(t) = 0.5senwt a una frecuencia aproximada de 20 KHz. Observe y grafique
(puede tomar foto). Debe anotar el valor pico del voltaje en:
 La carga (VL).
 En la fuente Vi(t).
Calcule la ganancia del amplificador mediante la siguiente fórmula.
Vo(t )
AV 
Vi(t )
3. Repita el paso 2 para las frecuencias que se indican en la tabla siguiente y complétela con las
mediciones requeridas.
NOTA: Cuide que la señal de entrada siempre tenga la misma amplitud y que la salida no esté
recortada o distorsionada. Si el voltaje de salida está recortada, entonces debe disminuir la
amplitud de Vi(t).

196
Tabla 1
Comportamiento de la ganancia de voltaje del amplificador en función de la frecuencia.
frecuencia Vi(t) Vo(t) Av

200 Hz
500 Hz.
1000
10Khz
25 Khz.
50 Khz.
100Khz
200Khz
500Khz
1 Mega Hertz
5 Mega Hertz
Figura 1. Amplificador Emisor Común si capacitor de paso.

197
Bibliografía:

198
Práctica 18. Ganancia de voltaje de un amplificador Base Común.

Objetivos:
 Determinar en forma experimental la ganancia de voltaje del amplificador Base común
a pequeña señal y a frecuencia media.
 Verificar la fase de la señal de salida respecto a la señal de entrada del amplificador.
 Verificar en forma breve el ancho de banda del amplificador.
Marco teórico.
Para analizar y encontrar características particulares del amplificador, se procederá al análisis
del circuito y conforme se vayan apareciendo las ecuaciones de interés, se explicarán o
concluirán con las observaciones pertinentes que definan el comportamiento de circuito como
amplificador de pequeña señal en la frecuencia media.
El amplificador base común se puede presentar en forma frecuente tal como se ilustran en las
figuras 1 y 2.
Figura 1. Amplificador base común.

Observe que:
 La pequeña señal que se desea amplificar o acoplar se encuentra conectada referida al
emisor.

199
 El voltaje de salida y la carga se miden o toman del colector del transistor.

 La base se “aterriza” cuando se analiza el circuito en señal alterna por superposición y
por el comportamiento ideal de condensadores de capacitancia infinita.
Figura 2. Amplificador base común con dos fuentes de alimentación de CD.
El circuito que se utilizará para el cálculo de la ganancia de voltaje y corriente será referente a
la figura 1.
Se utilizará la técnica llamada análisis de dos puertos, para que el alumno tenga otras
alternativas de solución.
Con la experiencia adquirida en los análisis anteriores, se procederá directamente a plantear
el circuito del amplificador para pequeña señal.
No se escribirán las ecuaciones para punto de operación y se omitirán los pasos que hacen
referencia a su cálculo.
Para comenzar el proceso, se necesitarán los parámetros híbridos para la configuración común,
tomando las fórmulas simplificadas y de conversión que se encuentran el libro de Boylestad y
Nashelsky en el apéndice B. Es importante anotar que en las hojas de especificaciones, los

200
datos que se obtendrán respecto a los parámetros híbridos corresponden a la configuración

emisor común.
Figura 3. Circuito equivalente eléctrico en parámetros híbridos en la configuración base común.

ℎ𝑖𝑒 0.025
ℎ𝑖𝑏 ≈ ≅
ℎ𝑓𝑒 + 1 𝐼𝐶𝑄
ℎ𝑖𝑒 ℎ𝑜𝑒
ℎ𝑟𝑏 ≅
ℎ𝑓𝑒 + 1
ℎ𝑓𝑒
ℎ𝑓𝑏 ≅ − = −𝛼
ℎ𝑓𝑒 + 1
ℎ𝑜𝑒
ℎ𝑜𝑏 ≅
ℎ𝑓𝑒 + 1
Figura 4. Representación del modelo eléctrico del transistor en la configuración base común en
circuitos de dos puertos.

201
Tal como se planteó en la materia de análisis de circuitos II (para ingeniería electrónica), las
ecuaciones de relación entre corriente y voltaje de entrada, respecto a las mismas variables
en la etapa de salida, vienen dadas por el siguiente sistema de ecuaciones lineales.
𝑉1 = ℎ𝑖𝑏 𝐼1 + ℎ𝑟𝑏 𝑉2
𝑉2 = ℎ𝑓𝑏 𝐼1 + ℎ𝑜𝑏 𝑉2
El circuito a resolver para pequeña señal se presenta en la figura 5 y que se debe simplificar a
un equivalente de Thévenin en la etapa de entrada tal como se ilustra en la figura 6, para poder
aplicar el sistema de ecuaciones.
Figura 5. Amplificador base común en circuitos de dos puertos.
El voltaje y resistencia de Thévenin para la etapa de entrada serán:
𝑅𝐵𝐵
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉 (𝑡)
𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝑖 𝑖
𝑅𝑖 𝑅𝐵𝐵
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝑖
A continuación se obtendrán las ecuaciones que definirán al voltaje V 1 en función dela

corriente I1 y la ecuación para la corriente de salida I2 en función del voltaje de salida. Se
obtienen aplicando la ley de mallas y ley de Ohm respectivamente. Esto se lleva a cabo por
medio de la figura 6.

202
Figura 6. Simplificación del circuito amplificador.
𝑉1 = 𝑉𝑇𝐻 − 𝑅𝑇𝐻 𝐼1
𝑉𝑂
𝐼2 = −
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
El ejemplo para el cálculo de la ganancia de voltaje y ganancia de corriente del amplificador se

completará resolviendo el amplificador figura 7, en donde se proponen valores a las resistencia
y datos para el transistor.
Figura 7. Amplificador base común polarizado por divisor de voltaje.

203
SOLUCIÓN:
Punto de operación:
𝐼𝑐𝑏𝑞 = 5.315 𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑏𝑞 = 6.168 𝑉
Parámetros híbridos
ℎ𝑖𝑏 ≈ 4.703 𝑂ℎ𝑚𝑠
ℎ𝑟𝑏 ≈ 9.407 × 10−5
ℎ𝑓𝑏 ≈ −0.995
ℎ𝑜𝑏 ≈ 9.95 × 10−8 𝑆
El circuito equivalente reducido será:
Figura 8. Circuito amplificador base común simplificado.

Entonces:
𝑉1 = 0.975 × 𝑉𝑖(𝑡) − 116.974 × 𝐼1
𝑉𝑜(𝑡)
𝐼2 = −
776.471
Sustituyendo en el sistema de ecuaciones y simplificando
121.677 × 𝐼1 + 9.407 × 10−5 𝑉𝑂 = 0.975 × 𝑉𝑖(𝑡)
−0.995 × 𝐼1 + 1.288 × 10−3 𝑉𝑂 = 0
Se recomiendo utilizar la Regla de Cramer para resolver el sistema de donde se obtienen:
𝐼1 = 8.01 × 10−3 𝑉𝑖(𝑡)
𝑉𝑂 = 6.186 × 𝑉𝑖(𝑡)
Ganancia de voltaje del amplificador
𝑉𝑜(𝑡)
𝐴𝑉 = = 6.186
𝑉𝑖(𝑡)

204
Calcule y demuestre que la ganancia de corriente del amplificador base común será siempre
menor a la unidad.
También se deja de tarea o ejercicio el cálculo de las resistencias de entrada y salida del
amplificador.
Mediante el simulador, se pueden ilustrar los resultados anteriores.
Figura 9. Ganancia de voltaje del amplificador en función de la frecuencia obtenido de

MULTISIM versión estudiantil.
Figura 10. Voltaje de entrada al amplificador.

205
Figura 11. Voltaje de salida del amplificado base común.
Finalmente se puede mostrar que la ganancia de voltaje se puede calcular mediante los
voltajes pico de la entrada y salida de la siguiente manera.
1.74
𝐴𝑉 ≈ = 6.1518
0.2 × √2
La diferencia en el resultado puede ser causada por los valores de los parámetros del transistor
que utiliza el simulador.

206
Material:
Transistor 2N2222A
Juego de caimanes
Protoboard
Equipo:
Metodología o desarrollo de la práctica

1. Arme el circuito amplificador base común y mida los valores correspondientes al punto
de operación.
NOTA: puede utilizar los valores utilizados en clase para las resistencias.
2. Conecte la fuente Vi(t) = 0.5senwt a una frecuencia aproximada de 20 KHz. Observe y
grafique (puede tomar foto). Debe anotar el valor pico del voltaje en:
 La carga (VL).
Vo(t )
AV 
Vi(t )
3. Repita el paso 2 para las frecuencias que se indican en la tabla siguiente y complétela
con las mediciones requeridas.
NOTA: Cuide que la señal de entrada siempre tenga la misma amplitud y que la salida no
esté recortada o distorsionada. Si el voltaje de salida está recortada, entonces debe
disminuir la amplitud de Vi(t).

207
Tabla 1

200 Hz
500 Hz.
1000
10Khz
25 Khz.
50 Khz.
100Khz
200Khz
500Khz
1 Mega Hertz
5 Mega Hertz

208
Respuesta en el dominio de la frecuencia del amplificador Base común con Ri = 560.
Respuesta transitoria del amplificador Base Común con Ri = 560 Ohms.
Respuesta en frecuencia del amplificador Base Común con Ri = 220 Ohms.

209
Bibliografía:

210


211
Práctica 19. Ganancia de voltaje de un amplificador Fuente Común.

Objetivos:
 Determinar en forma experimental la ganancia de voltaje del amplificador Fuente
Común con MOSFET Incremental canal N, a pequeña señal y a frecuencia media.
Marco teórico:
Los amplificadores de pequeña señal instrumentados con transistores de efecto de campo
(MOSFET), ofrecen ciertas ventajas que pueden probarse respecto a los implementados con
transistores bipolares, pero el más palpable por el sólo hecho de la tecnología de construcción
es su muy elevada resistencia de entrada.
La figura 1, ilustra el amplificador fuente común construido con MOSFET canal 2N7000. Su
análisis para pequeña señal y a frecuencia media se realizará partiendo de que el amplificador
se encuentra operando en la región de saturación. La determinación de la ganancia de voltaje
y corriente del amplificador se realizan en los siguientes párrafos.
Figura 1. Amplificador fuente común con MOSFET incremental canal n 2N7000.

212
El punto de operación del amplificador con los datos propuestos será:

𝐼𝐷𝑆𝑄 = 5.023 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 3.138 𝑉
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 7.315 𝑉
A continuación se dibuja el circuito eléctrico para análisis en pequeña señal y a frecuencia
media.
Figura 2. Circuito eléctrico para pequeñas señal y frecuencia media.
Del el circuito figura 2, se observan:

a) El circuito abierto entre las terminales compuerta y fuente, hay que recordar que existe
como aislante el óxido de silicio. Realmente no existe un circuito abierto, pero la
resistencia de entrada del transistor es superior a los 10 mega ohms, por esta razón se
considera prácticamente “infinita”.
b) La resistencia de salida del transistor simbolizada por rd que se define por la admitancia
de salida del FET y que puede encontrase como dato.
1
𝑟𝑑 =
𝑦𝑜𝑠
Esta resistencia de salida también se define en el libro de Neamen como
−1
𝑟𝑑 ≈ [𝜆 × 𝐼𝐷𝑆𝑄 ]

213
La constante simbolizada por  se llama parámetro de modulación de la longitud del

canal, dato específico del FET. Considerando un valor para 
1
𝜆 = 0.005
𝑉
Se obtiene para el 2N7000 del ejercicio

𝜆 ≈ 39800 Ω
Que resulta una resistencia de valor muy elevado comparado con el valor de la resistencia de
carga, por esta razón se puede utilizar con cierto margen de error el circuito equivalente para
el FET en forma simplificada y tal como se puede observar en la figura 3.
Figura 3. Circuito equivalente eléctrico simplificado para el MOSFET.
Debido a la dificultad que se tendrá por conseguir el valor de , se optará por resolver ejercicios
considerando en circuito equivalente simplificado para el FET.
c) La transconductancia del FET, simbolizada por gm. La transconductancia del transistor
depende del punto de operación, representa la proporción de cambio de la corriente
de drenaje respecto la pequeña diferencia de potencial variable entre la compuerta y
la fuente. Si el punto se ubica en la región de saturación entonces tiene el siguiente
valor aproximado para la constante de proporcionalidad.
𝑔𝑚 = 2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑇𝐻 )
Esta fórmula se obtiene de la ecuación de la corriente de drenaje, en forma breve se explica
este proceso
Al derivar respecto a VGS que es la variable independiente
𝑑 ∆𝐼𝐷𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑇𝐻 ) ≅
𝑑𝐺𝑆 ∆𝑉𝐺𝑆

214
Esto es
∆𝐼𝐷𝑆 ≅ 2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑇𝐻 )∆𝑉𝐺𝑆
Si estos incrementos son “comparados” con la “pequeñas señal” respecto al punto de
operación, entonces
𝑖𝑑𝑠 ≈ 2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑇𝐻 )𝑣𝑔𝑠
Define el comportamiento o dependencia de la corriente de colector respecto de las
variaciones de la diferencia de potencial entre compuerta y fuente. La constante de proporción
es
2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑇𝐻 )
Y que se define como transconductancia del FET.
Sustituyendo los valores obtenidos para el punto de operación
𝑔𝑚 = 2 × (0.00637) × (3.138 − 2.25) = 0.01131 𝑆
El circuito que se utilizará para el cálculo de la ganancia de voltaje es ilustrado en la figura 4.
𝑉𝑔𝑠 = 𝑉𝑔 − 𝑉𝑠
𝑅𝐺𝐺 × 𝑉𝑖
𝑉𝑔𝑠 = − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑅𝑆
𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺
𝑅𝐺𝐺
𝑉𝑔𝑠 = × 𝑉𝑖
1
𝑔𝑚 (𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺 ) [𝑔 + 𝑅𝑆 ]
𝑚
También
𝑉𝑂 = −𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )

215
Para obtener
𝑉𝑂 𝑅𝐺𝐺 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 = =−
𝑉𝑖 1
(𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺 ) [
𝑔 + 𝑅𝑆 ]
𝑚
Si se cumple
𝑅𝐺𝐺 ≫ 𝑅𝑖
Como es lo que ocurre en este tipo de amplificadores, la expresión de la ganancia de voltaje
es:
(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 ≈ −
1
[𝑔 + 𝑅𝑆 ]
𝑚
Si existe condensador de paso en la fuente, entonces simplemente se elimina RS y la ganancia

será
𝐴𝑉 ≈ −𝑔𝑚 × (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
La ganancia de corriente y de potencia del amplificador será cada uno de los casos anteriores
es:
(𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺 ) × 𝐴𝑉
𝐴𝑖 =
𝑅𝐿
Sustituyendo los valores de resistencias y utilizando los datos proporcionados se obtienen:
Resistencia de entrada
𝑅𝑒𝑛 = 𝑅𝐺𝐺 = 31970 𝑂ℎ𝑚𝑠
Ganancia de voltaje del circuito figura 1
𝐴𝑉 = −1.545
Ganancia de corriente
𝐴𝑖 = −33.966
Ganancia de potencia
𝐴𝑃 = 54.126
Si se coloca el condensador de paso:
Ganancia de voltaje del circuito
𝐴𝑉 = −7.545
Ganancia de corriente
𝐴𝑖 = −165.85

216
Ganancia de potencia
𝐴𝑃 = 1251
Material:
Transistor 2N7000
Juego de caimanes
Protoboard
Equipo:

1. Arme el circuito amplificador fuente común y mida los valores correspondientes al
 La carga (VL).
Vo(t )
AV 
Vi(t )

217
Tabla 1

200 Hz
500 Hz.
1000
10Khz
25 Khz.
50 Khz.
100Khz
200Khz
500Khz
1 Mega Hertz
5 Mega Hertz

218

219

Bibliografía:

220
Práctica 20. Ganancia de voltaje de un amplificador Drenaje Común.

Objetivos:
 Determinar en forma experimental la ganancia de voltaje del amplificador Fuente
Marco teórico:
El amplificador drenaje común que se ilustra en la figura 1, se construye y diseña para
aplicaciones similares al amplificador colector común, así mismo, comparten características
similares, por ejemplo:
a) La ganancia de voltaje del amplificador es positivo y menor a la unidad.
b) Ganancia de corriente mayor que cero.
c) Resistencia de entrada muy elevada.
Figura 1. Amplificador drenaje común.

Para conocer las características de salida del amplificador a frecuencia media y pequeñas señal,
es necesario utilizar el circuito figura 2, que corresponde al circuito equivalente para esta

221
situación particular. En el circuito se ignora la resistencia de salida del FET, suponiendo que es
muy elevada.
Figura 2. Circuito amplificador drenaje común para pequeña señal.
De forma simplificada, por la experiencia adquirida durante el presente proceso es fácil deducir
que:
𝑅𝑒𝑛 = 𝑅𝐺𝐺
𝑅𝐺𝐺 × 𝑉𝑖
𝑉𝑔 =
𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺
𝑉𝑠 = 𝑉𝑂 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 )
Para obtener
𝑔𝑚 𝑅𝐺𝐺 (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 =
(𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺 )[1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 )]
Como
𝑅𝑖 ≫ 𝑅𝐺𝐺
Entonces
𝑔𝑚 (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 ≅ <1
[1 + 𝑔𝑚 (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 )]
𝐴𝑉 × (𝑅𝑖 + 𝑅𝐺𝐺 )
𝐴𝑖 =
𝑅𝐿

222
En muchos libros se incluye la resistencia de salida del FET para la determinación de la

resistencia de salida del amplificador para obtener.
Observe que para calcular la resistencia de salida, se “elimina” la fuente de entrada de
pequeña señal, por esta razón la compuerta se aterriza.
Figura 3. Circuito para calcular la resistencia de salida.
El circuito anterior se puede acondicionar para que se pueda aplicar la ley de nodos de donde
se obtiene la resistencia de salida por medio de la ley de ohm.
Figura 4. Nodo en la fuente del transistor para calcular ZO.
Al aplicar la ley de nodos en el nodo S se tiene:

𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 + 𝐼𝑂 = 𝐼1 + 𝐼2

223
𝑉𝑆 𝑉𝑆
𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 + 𝐼𝑂 = + 𝑉𝑆 = 𝑉𝑂
𝑅𝑆 𝑟𝑑
Pero también se tiene del circuito 3 que:
𝑉𝑔𝑠 = −𝑉𝑂
Entonces
1 1
𝐼𝑂 = [ + ] × 𝑉𝑂 − 𝑔𝑚 (−𝑉𝑂 )
𝑅𝑆 𝑟𝑑
Para obtener
𝑉𝑂 1
𝑍𝑂 = =
𝐼𝑂 1 1 1
𝑅𝑆 + 𝑟𝑑 + 1⁄
𝑔𝑚
1
𝑍𝑂 = 𝑅𝑆 ∥ 𝑟𝑑 ∥ ( )
𝑔𝑚
Pero si
1
𝑟𝑑 ≫ 𝑅𝑆 ∥ ( )
𝑔𝑚
1
𝑍𝑂 = 𝑅𝑆 ∥ ( )
𝑔𝑚
Como ejercicio, se propone que el estudiante realice el ejercicio siguiente:
Ejercicio:
Para el amplificador figura 5,
a) Calcular el punto de operación.
b) Calcular la ganancia de voltaje y corriente del circuito.
c) Calcular la resistencia de salida del amplificador.
d) Graficar el voltaje de salida (en la carga) y el voltaje que se espera observar en el
osciloscopio entre las terminales emisor – colector. Debe utilizar el valor del voltaje de
entrada propuesto en la misma figura, si existen recortes, debe indicarlos. No utilice
simulador.
e) Utilice el simulador a que tiene acceso versión para corroborar los resultados
anteriores, además, la respuesta en la frecuencia del amplificador.

224
Figura 5. Amplificador fuente común con JFET – N para el ejercicio.
Material:
Transistor 2N5457
Juego de caimanes
Protoboard
Equipo:

225
Metodología o Desarrollo de la práctica.

1. Arme el circuito amplificador drenaje común y mida los valores correspondientes al
NOTA: puede considerar los valores utilizados del circuito amplificador analizado en
clase para las resistencias.
2. Conecte la fuente Vi(t) = 0.5senwt a una frecuencia de 30 K Hz. Observe y grafique
(puede tomar foto) señalando niveles de voltaje las señales de voltaje alterno que
aparece en:
 En la carga (VL), en opción AC.
 Entre el colector y el emisor (VCE). (En opción CD)
NOTAS: La señal no debe estar recortada o distorsionada. Si esto ocurre, deberá atenuar
el voltaje Vi(t). La medición de los voltajes debe ser pico a pico.
3. Repita lo efectuado en el punto 2 anterior y complete la tabla siguiente según las
frecuencias que se indican.

200 Hz
500 Hz.
1000
10Khz
25 Khz.
50 Khz.
100Khz
200Khz
500Khz
1 Mega Hertz
5 Mega Hertz

226

227

Bibliografía:

228
Práctica 21. Ganancia de voltaje de un amplificador Compuerta Común.

Objetivos:
 Determinar en forma experimental la ganancia de voltaje del amplificador Compuerta
Marco teórico:
La última de las configuraciones que se analizarán para amplificadores de una etapa
corresponde al amplificador compuerta común. En el circuito que se ilustra en la figura 1,
corresponde a un amplificador de dos etapas y en donde se puede distinguir: en la primera
etapa un amplificador drenaje común y la segunda etapa el amplificador de interés, el
amplificador compuerta común. El arreglo se realiza por ventajas que ofrece a la respuesta en
la frecuencia y que ofrece el arreglo compuerta común, cuyas características se irán
discutiendo conforme se avance en el análisis del circuito.
Figura 1. Amplificador de dos etapas que incluye el amplificador compuerta común.
El amplificador compuerta común que analizará es el que se presenta en el circuito figura 2 y

para el que se tendrán que determinar para frecuencia media:

229
 Resistencia de entrada
 Resistencia de salida
 Ganancia de voltaje y
 Ganancia de corriente
Figura 2. Amplificador compuerta común.
En esta configuración, la señal que se pretende amplificar se aplica en la fuente del FET y en
análisis de pequeña señal a frecuencia media, la compuerta estará conectada a tierra.
El circuito para análisis en pequeña señal está presentado en la figura 3.
Figura 3. Circuito compuerta común para pequeña señal.
Como es ya sabido, las ecuaciones de ganancia de voltaje, ganancia de corriente y cálculo de

resistencias de entrada se realizan con la aplicación de las leyes básicas de circuitos eléctricos
y que se desarrollan u obtienen en las siguientes líneas.
De la figura 3, se escribe la ecuación de nodos en la fuente.

230
𝑉𝑖 − 𝑉𝑆 𝑉𝑆
+ 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 = 𝑝𝑒𝑟𝑜 𝑉𝑔𝑠 = −𝑉𝑆
𝑅𝑖 𝑅𝑆
Demuestre que
1
𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝑖 ∥ (𝑔 )
𝑚
𝑉𝑔𝑠 = − × 𝑉𝑖
𝑅𝑖
Para finalmente obtener

(𝑅𝑆 )(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 =
1
(𝑔 ) (𝑅𝑖 + 𝑅𝑆 ) + 𝑅𝑆 𝑅𝑖
𝑚
Como la ganancia de voltaje es positiva entonces el voltaje de salida está en fase con el voltaje
de entrada.
La resistencia de entrada del circuito se obtiene de
𝑉𝑆
𝑅𝑒𝑛 =
𝑖𝑖
Para obtener
1
[𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝑖 ∥ (𝑔 )]
𝑚
𝑅𝑒𝑛 = × 𝑅𝑖
1
𝑅𝑖 − 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝑖 ∥ (𝑔 )
𝑚
Que resulta muy bajo y que es muy ventajoso cuando la señal a amplificar es un corriente de
pequeña señal.
La resistencia de entrada es simplemente
𝑅𝑠𝑎𝑙 = 𝑅𝐷
Como ejercicio de este apartado, resuelva el circuito amplificador compuerta común
considerando los datos que aparecen en la figura 4.

231
Figura 4. Amplificador compuerta común con MOSFET incremental canal n.

Compruebe que:
𝐼𝐷𝑆𝑄 ≈ 3.44 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝐺𝑄 ≈ 5.872 𝑉
𝑉𝐺𝑆𝑄 ≈ 2.56 𝑉
𝐴 ≈ 3.022
𝑅𝑒𝑛 ≈ 98.814 𝑜ℎ𝑚𝑠
Material:
Transistor 2N7000
Juego de caimanes
Protoboard
Equipo:

232

1. Arme el circuito amplificador compuerta común y mida los valores correspondientes al
 La carga (VL).
Vo(t )
AV 
Vi(t )
Tabla 1

200 Hz
500 Hz.
1000
10KHz
25 KHz
50 KHz
100KHz
200KHz

233
500KHz
1 Mega Hertz
5 Mega Hertz

234

Bibliografía:

235
Práctica 22. Proyecto

Objetivos:
 Construir y diseñar una fuente de voltaje de CD de baja potencia.

 Aplicar el conocimiento adquirido en el curso.
 Comprobar y medir el voltaje y la corriente de salida del circuito bajo las condiciones
impuesta de la carga.
 Elaborar una tabla para explicar y probar la operación del circuito.
Marco teórico:
Para la polarización de los amplificadores que se analizan y experimentan en el curso de la
materia Diodos y Transistores así como la aplicación de energía eléctrica de múltiples circuitos
electrónicos, tanto analógicos, digitales o mixtos, se necesitan una o varias fuentes de
alimentación de voltaje constante en el tiempo, esto es, voltaje de CD.
Las fuentes de alimentación de CD requieren ordinariamente en su etapa inicial del
transformador eléctrico para atenuar el voltaje de alimentación de línea, un puente
rectificador para obtener una señal pulsante que produce un solo sentido de la corriente
eléctrica (rectificación), posteriormente una etapa de filtrado. En la etapa intermedia y en la
etapa final de estos circuitos, es en donde se recurren a diversas estrategias para estabilizar la
señal de salida que implica la eliminación de señal de ruido que muchos circuitos digitales no
soportan, y es donde radican las grandes diferencias en el diseño de estos circuitos para
brindar ventajas, precisión y eficiencia, pero también implican costos y dificultades de diseño.
En la figura 1, se ilustra en forma de bloques, el propósito de todo circuito regulador básico y
en donde se señalan las diferentes etapas de diseño.

236
El proyecto que se plantea a realizar consiste en diseñar, implementar y probar un circuito

regulador de voltaje, bajo las siguientes consideraciones y recomendaciones.
 Trate de aplicar los conocimientos que se van adquiriendo en el curso para proponer
los componentes que hagan posible al adecuada operación del circuito regulador de
voltaje.
 Se puede recurrir a bibliografías diversas o manuales para obtener esquemas de
construcción del circuito.
 Al proponer los elementos del circuito, se deben justificar las características de cada
elemento utilizado según los requisitos o características del voltaje de salida que
enseguida se anotarán.
 Para la etapa indicada como Regulador de Voltaje, se pueden emplear circuitos
integrados existentes en el mercado y cumplan con los requisitos de salida.
 El voltaje de salida de CD debe ser de + 12 V, + 15 V, +12 y – 12 V o de + 15 y – 15 V.
 La corriente máxima requerida en la etapa de salida no debe ser inferior a 500 mA.
 El factor de rizado a máxima corriente debe ser menor a 7 %.
 La entrega y prueba del presente proyecto será en la última fecha programada para las
prácticas de laboratorio de la materia. Puede entregarse el proyecto en una fecha
anterior previo acuerdo con el profesor en turno.
 El proyecto se realizará y entregará por el mismo equipo de trabajo que se formó para
la realización de las prácticas de la materia.
 Se entregará un reporte final en donde se detallarán las notas del diseño del circuito.
Para comprobar la operación del circuito, deberá llenar la tabla que se ilustra a continuación.
Cabe señalar que para que las mediciones sean aceptables, la carga conectada deberá
permanecer en esa situación en un tiempo aproximado de 3 minutos.

237
RL VO(CD) VO(AC) IL(CD) IL(AC) Factor de Rizado
1000 Ohms
270 Ohms
100 Ohms
56 Ohms
39 Ohms
27 Ohms

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1

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE SAN LUIS POTOSÍ

Manual de Prácticas de Laboratorio de la Materia Diodos y

REPORTE PROYECTO DE AÑO SABÁTICO

Agosto 2015 – Junio 2016

Presenta: M.C. FABIAN VELAZCO DE JESUS

Carrera: Ingeniería Electrónica

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Objetivo general de las prácticas 4

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Práctica 11. 118

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Objetivo general del manual de prácticas.

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Descripción de las prácticas:

 Medir el voltaje de transición conductiva directa del diodo.

Práctica 2. Rectificadores de media onda y de onda completa con diodos.

 Medir punto de operación de los amplificadores con Transistor Bipolar (BJT).

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Práctica 6. Punto de operación y regiones de trabajo de un transistor bipolar.

Unidad III. Transistores Unipolares (JFET y MOSFET)

Objetivos específicos para las prácticas de la unidad III.

Objetivos específico de la unidad IV

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Práctica 16. Ganancia de voltaje de un amplificador Emisor Común.

Práctica 17. Ganancia de voltaje de un amplificador Colector Común.

Práctica 18. Ganancia de voltaje de un amplificador Base Común.

Práctica 19. Ganancia de voltaje de un amplificador Fuente Común.

Práctica 20. Ganancia de voltaje de un amplificador Drenaje Común.

Práctica 21. Ganancia de voltaje de un amplificador Compuerta Común.

Unidad V: Diseño de una fuente de alimentación.

Objetivo específico de la unidad V.

 Diseñar y construir una fuente de alimentación de CD.

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

MANUAL DE PRÁCTICAS PARA LA MATERIA DIODOS Y TRANSISTORES

 Para su realización se hace necesario que los alumnos de la materia tengan

 Verificar el valor del voltaje de polarización directa del diodo.

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

El objetivo era encontrar un dispositivo que se cerrará (que se cortocircuitará) al aplicarle

El diodo semiconductor ideal.

Figura 1. Modelo de diodo ideal.

Los materiales semiconductores están conformados por átomos de valencia 4, principalmente

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Un material semiconductor se le llama intrínseco (puro) cuando se constituye por átomos de

La contaminación de los materiales intrínsecos se realiza preferentemente con átomos de

Figura 2. Imagen de un diodo de baja potencia y el símbolo representativo del semiconductor.

Polarización directa del diodo.

Figura 3. Símbolo de un interruptor cerrado.

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Figura 4. Polarización directa del diodo y su analogía con un interruptor cerrado.

Polarización Inversa del diodo.

Figura 5. Modelo equivalente eléctrico del diodo bajo polarización inversa.

Figura 6. Diodo en polarización inversa. La lámpara no opera porque el diodo bloquea la

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

Valores Característicos del Diodo.

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP

1. Arme el circuito que se muestra en la figura.

Figura 1. Circuito de polarización del diodo y presentación del diodo.

M.C. Fabián Velazco de Jesús Ingeniería Electrónica ITSLP