IGBT

El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de Compuerta Aislada) es un

dispositivo de conmutación de potencia que combina características positivas del BJT y del
MOSFET, con límites de tensión y corriente muy superiores a los de dichos dispositivos.
Según lo expuesto en capítulos anteriores, el BJT posee un bajo nivel de pérdidas en
estado de conducción aun cuando es utilizado para bloquear altas tensiones. Por otro
lado, tiene tiempos de conmutación largos, especialmente en el apagado. En
contraposición, el MOSFET posee tiempos de conmutación muy cortos pero cuando es
utilizado para bloquear altas tensiones sus pérdidas en conducción resultan
excesivamente altas.

ESTRUCTURA Y PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Para el desarrollo del IGBT se conjugan las características de ambos dispositivos de tal
forma que se obtiene un componente adecuado para trabajar en circuitos con altas
tensiones, que ostenta tiempos de conmutación mucho más cortos que los de un BJT y
bajas perdidas en conducción. Actualmente los tiempos de conmutación son del orden de
100ns, pudiendo sustituir al MOSFET en aplicaciones de muy alta frecuencia.
Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseño y la
estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente,
RDS, para que se comporte como la de un BJT.
 Corte transversal y circuito equivalente de los IGBT.

En la figura a se muestra la sección transversal de la estructura de silicio de un IGBT, que

es idéntica a la de un MOSFET, a excepción del substrato p +. Sin embargo, el rendimiento
de un IGBT se parece más al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p +,
causante de la inyección de portadores minoritarios en la región n. El circuito equivalente
se muestra en la figura b, que se puede simplificar al de la figura c. Un IGBT se hace con
cuatro capas alternas PNPN, y puede tener retención como un tiristor, cuando se cumple
la condición necesaria: (αnpn + αpnp) >1. La capa de acoplamiento n+ y la ancha base
epitaxial reducen la ganancia de la terminal NPN por diseño interno, y con ello evitan la
retención. Los IGBT tienen dos estructuras: de perforación (PT, de punch-through) y de no
perforación (NPT, de non punch-through). En la estructura IGBT PT, el tiempo de
conmutación se reduce usando una capa de acoplamiento n muy dopada, en la región de
corrimiento cerca del colector. En la estructura NPT los portadores tienen una vida mayor
que en una estructura PT, lo que causa modulación de conductividad de la región de
corrimiento y reduce la caída de voltaje en estado de encendido. Un IGBT es un dispositivo
controlado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia. Como en un MOSFET, para el
encendido se hace positiva la compuerta con respecto al emisor, los portadores n son
atraídos al canal p cerca de la región de la compuerta; esto produce una polarización en
directa de la base del transistor npn, que con ello se enciende. Un IGBT sólo se enciende
aplicándole un voltaje de compuerta positivo, para que los portadores n formen el canal, y
se apaga eliminando el voltaje de compuerta, para que el canal desaparezca. Requiere un
circuito de control muy simple. Tiene menores pérdidas de conmutación y de conducción,
y al mismo tiempo comparte muchas de las propiedades adecuadas de los MOSFET de
potencia, como la facilidad de excitación de compuerta, corriente pico, buenas
características y robustez. En forma inherente, un IGBT es más rápido que un BJT. Sin
embargo, la velocidad de conmutación de los IGBT es menor que la de los MOSFET.
En la figura se ven el símbolo y el circuito de un IGBT interruptor. Las tres terminales son
compuerta, colector y emisor, en lugar de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET.

Símbolo y circuito de un IGBT.

En la figura se presenta la estructura general de un IGBT de canal n.

Como puede observarse, la misma es básicamente la de un MOSFET en el cual la capa n+
de contacto del drain con el electrodo de conexión se ha sustituido por una capa p+. La
metalización de contacto de esta capa con el circuito externo se denomina “colector”(C)
por analogía del dispositivo resultante con el transistor bipolar npn. Por la misma razón, la
metalización de contacto de las zonas n+ y p, correspondiente estructuralmente al source
del MOSFET se denomina “emisor”(E). El tercer electrodo se denomina compuerta o gate
igual que en el MOSFET.

El funcionamiento básico se ilustra en las siguientes figuras.

Supongamos que el dispositivo está conectado a un circuito externo como en la figura. Si
la tensión UGE es igual a Ugth (tensión de umbral para la formación del canal del MOSFET)
el dispositivo bloquea la tensión

Estructura de un IGBT de canal n

UCE aplicada con la juntura n-p, ya que la juntura p+n- actúa como un diodo en directo. Al
igual que en el MOSFET y en otros dispositivos, la tensión de bloqueo queda determinada
por el espesor y el dopaje de la capa n- Si se aplica una tensión UGE adecuada el MOSFET
formado por las zonas n+, p y n- se prende y una corriente de electrones circula por las
zonas n del dispositivo, por el circuito externo y el diodo en directo p+n-. Hasta aquí el
funcionamiento es esencialmente el de un MOSFET. Pero entonces la juntura p+n- se
comporta como un diodo polarizado en directo, inyectando desde la capa p+ huecos que
se difunden por la capa n- llegando a la zona p del emisor. El transistor pnp formado por la
capa p+, la capa de drift n- y el body p pasa a estado de conducción. La corriente del
MOSFET, además de ser parte de la corriente de carga, actúa entonces como corriente de
base de un transistor bipolar pnp. La corriente total del dispositivo puede considerarse la
suma de la corriente del MOSFET, formada por electrones, y la corriente del transistor pnp
formada por huecos. Es de destacar la trayectoria de los huecos en el body p, debido a la
atracción por parte de los electrones en el canal. La capa de drif t, que constituye una
zona de alta resistividad en el MOSFET, se convierte en el IGBT en la base de un transistor
bipolar en conducción, con alta inyección de portadores. Como es una base ancha debido
a su función de bloqueo de tensión en estado de corte, el transporte de portadores se
produce mediante difusión y conducción. Los huecos atraen electrones de la zona del
emisor y muchos de ellos se recombinan también con electrones provenientes de la
conducción del MOSFET y presentes en el material n-.

IGBT en bloqueo directo

El resultado es que en la capa de drif t se produce un aumento drástico de la

concentración de portadores y por lo tanto de la conductividad. Este comportamiento
suele llamarse “modulación de la conductividad”. El dispositivo resultante tiene por lo
tanto una caída de tensión en conducción mucho menor que la de un MOSFET de igual
rating de corriente (área de chip) y de tensión de bloqueo (espesor de la capa n-), caída de
tensión que además tiene mucho menor dependencia de la corriente total. La disipación
térmica en conducción es mucho menor y se obtiene una mejor utilización del chip de
silicio. Además, al desaparecer la zona de alta resistividad en el camino de conducción, se
puede aumentar el espesor de la zona n-, pudiéndose implementar dispositivos de muy
alta tensión de bloqueo (del orden de 6 kV). La desventaja principal radica en los mayores
tiempos de conmutación, sobre todo de apagado. Mediante el gate se puede cortar la
corriente del canal y por lo tanto la del MOSFET, corriente de base del transistor pnp. El
dispositivo se convierte en un transistor bipolar en conducción al cual se le dejó la base
abierta, y su apagado se produce por recombinación del exceso de portadores, con el
consiguiente retardo en la anulación de la corriente. De todas formas, debido al ancho y al
bajo dopaje de la base del transistor pnp la recombinación se produce en un tiempo
mucho menor que el del apagado de un BJT. Actualmente se fabrican dispositivos IGBT
con tiempos de conmutación comparables a los de un MOSFET, y los sustituyen en
aplicaciones que requieren tensiones de bloqueo de orden de 500 a 1000 V, rango en que
la caída de tensión en conducción de un MOSFET es una desventaja importante.

Encendido del MOSFET

Estructuras parasitas
Al igual que el MOSFET, el IGBT tiene un transistor parásito conformado por las capas n-
pn+ cuya base está cortocircuitada con su emisor (formado por las zonas n+) a través del
cortocircuito que se forma con la metalización del emisor del IGBT. La base de este
transistor parasito está formada por la zona p que tiene un comportamiento resistivo en
el camino de la corriente de huecos por la zona p.
Ya se vio que la estructura p+n-p formada por el colector, la capa de bloqueo y el body
actúa como un transistor de base n-. En la figura se presenta la estructura del IGBT
indicando este transistor y el transistor parasito n-pn+.

Encendido del transistor bipolar y del IGBT completo

Estos dos transistores forman evidentemente un tiristor parasito. Este tiristor parasito
tiene su gate (zona p o body) cortocircuitado con el cátodo (zona n+) mediante la
metalización del emisor del IGBT.

Latchup
Si bajo alguna circunstancia llegara a encender el transistor parasito y la suma de las
ganancias en base común de ambos transistores fuera mayor que la unidad, el tiristor
parasito encendería sin posibilidad de ser apagado por un comando de gate, causando lo
que se conoce como el latchup del IGBT, que puede causar la destrucción del dispositivo.
Para evitar este fenómeno se realizan ciertas modificaciones a la estructura presentada en
la figura. La ganancia en base común del transistor pnp es de hecho muy baja pues la zona
n- que constituye la base debe ser ancha dado que es donde se soporta la tensión de
bloqueo del dispositivo. Para minimizar la posibilidad de encendido del transistor parasito
npn se hacen modificaciones en la zona p del IGBT.
 Estructura de un IGBT de canal n - Transistor parasito

Los huecos que son inyectados por la zona p+ que compone el colector del IGBT recorren
distintos caminos dentro de la estructura del componente. Algunos de ellos llegarán
directamente a la metalización del emisor del componente mientras que muchos otros
serán atraídos a los alrededores de la zona donde se ha creado el canal de conducción en
la zona p debido a la carga negativa de los electrones que forman dicho canal. Como
consecuencia, la corriente de huecos tendría una componente lateral en el dispositivo que
ocasionara una caída de tensión debido a la resistencia que presenta la zona p. Para
valores altos de corrientes de colector esta caída de tensión podría llegar a polarizar en
directo la juntura pn+ y ocasionar el encendido del transistor parasito npn. Si esto ocurre,
ambos transistores (el npn y el pnp) estarán encendidos, con lo que el tiristor parasito
compuesto por estos dos transistores habría encendido. Una vez en esta situación, el IGBT
no se puede apagar mediante comando de gate y posiblemente se destruirá debido a
sobrecalentemiento por corriente excesiva.

Este fenómeno se conoce como latchup estático y ocurre cuando la corriente que está
circulando por el IGBT excede un valor crítico ICM. Si el diseñador toma en cuenta este
valor de forma que en el circuito donde se utiliza el componente no se llegue a ese nivel
de corriente se estará fuera de peligro con respecto al latchup estático, pero
desafortunadamente existen condiciones dinámicas que pueden desencadenar el latchup
del tiristor parásito: cuando durante el apagado de una corriente de colector alta se da
una derivada de la tensión con respecto al tiempo elevada esto puede aumentar la
ganancia del transistor npn parásito de tal forma que se encienda provocando un latchup
dinámico. El latchup dinámico limita el Area de Operación Segura (SOA) del IGBT en el
apagado pues puede ocurrir para valores de corriente de colector mucho menores que los
que ocasionan el latchup estático y depende del valor de la dUCE/dt en el apagado.

Estructura de un IGBT - modelo como dos transistores

Los fabricantes de IGBTs han mejorado la estructura de los mismos de tal forma que los
dispositivos pueden utilizarse sin riesgo de latchup dinámico dentro de sus SOAs.
En la figura se muestra la estructura de un IGBT modificado de forma de reducir la
resistencia lateral de la zona p para evitar el latchup del dispositivo. Se puede observar
que la zona donde se creara el canal de conducción mantiene un dopaje medio (del orden
de 1021 m-3) y no se hace mucho más profunda que las islas n+ del emisor, mientras que al
resto de la zona originalmente p se le da un dopaje mucho más fuerte (del orden de 1025
m-3) de forma de obtener una zona p+ con mayor conductividad que la original.
En la figura se presentan los símbolos que se utilizan para representar al IGBT en circuitos.
Los IGBT para aplicaciones de baja potencia (del orden de hasta algunos kW) y tensiones
del orden de 1000 V tienen estructura y encapsulado del tipo de los MOSFET.
Debido a que la capa n- ya no tiene características de resistencia alta en conducción, el
IGBT puede fabricarse para bloquear tensiones de hasta 6kV aproximadamente. Se
encapsulan varios chips en paralelo para llegar a corrientes de miles de Amperes. El
encapsulado puede tener el aspecto de un tiristor o un GTO de alta potencia o forma de
módulo. La figura 1.10 (ABB Semiconductors Datasheets, gentileza de) muestra el
encapsulado modular de un IGBT de 4500 a 6500 V y de 650 a 400 A.

Estructura de un IGBT con tiristor parásito

Estructura de un IGBT modificado para reducir la resistencia lateral

CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN
Bloqueo
El IGBT puede considerarse esencialmente como un MOSFET desde el punto de vista del
comando, por lo que, al igual que en el MOSFET, el encendido del dispositivo está
controlado por la tensión aplicada entre los terminales del gate y el emisor. Teniendo una
tensión positiva impuesta entre el colector y el emisor del IGBT si la tensión aplicada entre
el gate y el emisor es inferior al valor
UGEth (que es análogo al UGSth definido para el MOSFET) no se puede formar el canal de
conducción bajo el gate, por lo que el dispositivo está en estado de bloqueo directo. La
tensión aplicada entre el colector y el emisor es soportada por la juntura J2 (ver figura) y la
zona de deplaxion o carga espacial se extenderá en mayor medida sobre la capa n- debido
a su bajo dopaje (a la capa p que conforma la juntura J2 se la dopa más fuertemente que a
la capa n- con este propósito). El ancho de la zona n- se prevé de forma tal que soporte la
tensión de bloqueo para la que está diseñado el dispositivo sin que la zona de carga
espacial llegue hasta la zona p+ que compone el colector.
Se puede observar que esta estructura de IGBT es capaz de soportar prácticamente la
misma tensión en condición de bloqueo directo como en bloqueo inverso. En una
situación de bloqueo inverso la tensión impuesta entre el emisor y el colector es positiva y
es soportada ahora por la juntura J1 de la figura. Nuevamente es el ancho de la zona n- el
que determinara la tensión de bloqueo, ahora bloqueo inverso, que puede soportar el
dispositivo.
La condición de bloqueo inverso no se utiliza en aplicaciones corrientes tales como
inversores desde fuente de tensión (VSI) o convertidores DC/DC, ya que se lo utiliza con un
diodo conectado en antiparalelo. Normalmente este diodo ya está incluido en el
encapsulado.
De todas maneras hay IGBTs previstos para uso con bloqueo inverso disponibles
comercialmente, destinados a la implementación de llaves estáticas de corriente alterna
usadas, entre otras aplicaciones, en los llamados “matrix converters”.

Conducción
Si se tiene una tensión positiva aplicada entre el colector y el emisor del IGBT, cuando la
tensión aplicada entre el gate y el emisor supera el valor UGEth se formara un canal de
conducción debajo de la zona del gate que permitirá que circule una corriente de
electrones desde el emisor hacia el colector. Cuando estos electrones llegan a la zona p +
que compone el colector, ésta reacciona inyectando huecos hacia lo que sería el drain del
MOSFET (capa n-). Esta inyección de portadores minoritarios hacia la capa n- se puede
interpretar como una corriente de base que enciende el transistor formado por las capas
p+n-p.
Los huecos inyectados en la zona n- eventualmente llegarán al colector p del transistor
donde se recombinarán con electrones provenientes de la metalización del emisor del
IGBT.
El dispositivo se comporta entonces como un FET cuya corriente de drain no solo es
corriente de carga del circuito externo sino también la corriente de base de un transistor
bipolar. La corriente útil en la zona de bloqueo n- se compone entonces de dos partes, una
corriente de MOSFET (de electrones) y una corriente de transistor bipolar (de huecos).

Encapsulado de un módulo de IGBT de 4500 V - 650A

CURVAS CARACTERÍSTICAS

Curva Característica Estática de un Transistor IGBT de Canal n

En las figuras se presenta la característica tensión - corriente y la transferencia tensión

gate-emisor - corriente de colector del IGBT respectivamente.
 Característica de salida típica de un IGBT de canal n

La característica de salida representada en la figura corresponde a un IGBT de canal n. La

curva análoga para un IGBT de canal p serıa la misma pero la polaridad de los voltajes
indicados estaría invertida.

Transferencia - IC vs UGE

La forma general de la característica de salida es muy similar a la que se presentó para el

transistor bipolar común. Las dos diferencias principales son que las curvas son
paramétricas en una tensión (la tensión UGE) y no en una corriente, y que la tensión entre
el colector y el emisor cuando el IGBT está en conducción siempre tiene incorporada la
caída de tensión correspondiente al diodo base - emisor del transistor pnp (juntura J1), por
lo que las curvas no parten de un valor UCE igual a cero.
Como se mencionó anteriormente, el IGBT podría llegar a bloquear la misma tensión
polarizada en inverso o en directo. Esto implica que la tensión URM puede ser tan grande
como la tensión BVCES. Según se puede apreciar en la figura, en el caso de polarización
directa el bloqueo del dispositivo será soportado por la juntura J2 mientras que en el caso
de polarización inversa el bloqueo será soportado por la juntura J1.
La curva es igual a la que presenta el MOSFET. En ella se indica el valor UGEth que es el
mínimo valor de tensión que se debe aplicar entre el gate y el emisor para que comience a
circular corriente entre el colector y el emisor del IGBT.
 Tensión UCE en función de UGE (VCE y VGE en la figura) para un IGBT modelo

CARACTERÍSTICAS I-V
Las características i-v de un IGBT de canal n se muestran en la figura. En el sentido directo,
son cualitativamente similares a las de un BJT de nivel lógico, excepto que el parámetro de
control es un voltaje de entrada, la tensión de compuerta-fuente, en vez de una corriente
de entrada. Las características de un IGBT de canal p serían las mismas, excepto que las
polaridades de tensiones y corrientes estarían invertidas.
 Características de corriente-tensión y símbolo de circuito del IGBT: a) características de salida;
b) características de transferencia; c) y d) símbolos de circuito de un IGBT de canal n.

La unión marcada J2 en la figura bloquea todas las tensiones directas cuando el IGBT está
desconectado. La tensión de bloqueo inverso indicada en la característica i-v crece tanto
como la tensión de bloqueo directo si el dispositivo se fabrica sin la capa de compensación
n+. Esta capacidad de bloqueo inverso es útil en algunos tipos de aplicaciones de circuitos
de CA. La unión marcada J1 en la figura a es la unión de bloqueo inverso. Sin embargo, si
se usa una capa de compensación n+ en la construcción del dispositivo, la tensión de
ruptura de esta unión disminuye en forma significativa a unas cuantas decenas de voltios,
debido al fuerte dopaje ahora presente en ambos lados de esta unión, y el IGBT ya no
tiene ninguna capacidad de bloqueo inverso.
La curva de transferencia iD-vGS de la figura b es idéntica a la del MOSFET de potencia. La
curva es razonablemente lineal a través de la mayor parte del rango de corriente de
drenaje, y se vuelve no lineal sólo con corrientes de bajo drenaje, donde la tensión de
compuerta-fuente se aproxime al umbral. Si vGS es menor que el voltaje de umbral VGS(th),
el IGBT está en estado pasivo. El máximo voltaje que se debe aplicar a las terminales de
compuerta-fuente suele estar limitado por la corriente de drenaje máxima que se debe
permitir fluir en el IGBT.
 Características típicas de salida y de transferencia de los IGBT.

Las curvas características de salida típicas, de ic en función de vCE, se ven en la figura para
diversos voltajes vCE de compuerta a emisor. La característica típica de transferencia de ic
en función de VGE se ve en la figura. Los parámetros y sus símbolos se parecen a los de los
MOSFET, excepto que se cambian los subíndices para fuente y drenaje, a emisor y
colector, en forma respectiva. La especificación de corriente de un solo IGBT puede llegar
hasta 1200 V, 400A, y la frecuencia de conmutación puede ser hasta de 20 kHz. Los IGBT
están encontrando aplicaciones crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo
propulsores de motor de cd y de ca, fuentes de corriente, relevado res de estado sólido y
contactores.
A medida que los límites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el
comercio aumentan (por ejemplo, hasta 6500 V Y 2400A), están encontrando aplicaciones
donde se usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores, y
los están sustituyendo.