Diseño Teórico de Amplificadores de Potencia

DISEÑO TEÓRICO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Una definición técnica sería la de un amplificador diseñado para proporcionar la máxima

potencia de salida para una selección dada de dispositivo activo. Pero realmente de lo
que estamos hablando es de transistores con salidas RF de más de 1W, niveles de señal
capaces de hacer resentirse el instrumental de laboratorio, y por tanto, un tipo de
dispositivo que se debe tratar con sumo cuidado.
Una de las mayores diferencias entre el diseño de un amplificador de potencia y el
diseño de un amplificador en pequeña señal, es que para una potencia óptima, la salida
del dispositivo no se realiza con una impedancia calculada por adaptación conjugada.
EVOLUCION DE LOS AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Una vez realizada la amplificación de tensión es necesario actuar sobre el medio acústico
para producir la sensación sonora. El elemento donde se produce la conversión de las
variaciones eléctricas en variaciones de presión es el altavoz. Si se quiere producir una
gran variación acústica es necesario disponer de altavoces con un gran cono y para
mover este cono es necesario que circule una elevada corriente. Se consigue con una
etapa final. La etapa final amplifica corriente y no tensión. La etapa de potencia es una
etapa amplificadora de corriente.
AMPLIFICADOR EN CLASE A
La primera aproximación es intentar conseguirlo con un amplificador en clase A con
transistores. La primera dificultad es adaptar la baja impedancia del altavoz con la
necesaria en el colector del transistor. Suele ser alrededor de 1.000 Ω. Se utiliza un
trasformador para adaptar las impedancias. El esquema se muestra en la figura 1.
En un transformador se tiene:
Siendo n la relación de transformación. Como el transformador tiene un rendimiento

superior al 90%, se puede considerar ideal y la potencia del primario es prácticamente
igual a la potencia en el secundario:
Y como la potencia es:
Potencia para cargas resistivas. El altavoz se considera una carga resistiva o se adapta
mediante la red de Zobel. Mediante la ley de Ohm se obtiene:
Haciendo operaciones se obtiene:
Z1 representa la impedancia transferida al primario de Z2. Si Z2 es la impedancia del

altavoz resulta:
El amplificador tiene dos rectas de carga distintas. La recta de carga estática y dinámica.
Se diseña para que trabaje en clase A en régimen dinámico, resultando una corriente en
el punto de funcionamiento:
La potencia disipada en el transistor es el doble respecto a la disipada en el altavoz. El

rendimiento es del 50%. Siempre está conduciendo el transistor, incluso en ausencia de
señal de entrada. Además, el transformador no tiene una respuesta lineal y se pueden
presentar distorsiones. Por todas estas causas este tipo de amplificador no es
recomendable. No se usa y dio paso a otra configuración. Es el amplificador en clase B.
AMPLIFICADOR EN CLASE B
El amplificador en clase B o en contrafase con transformador se diseñó para solucionar
los problemas que presentaba la amplificación de potencia para audio en clase A. El
esquema básico es:
La señal de entrada Ve llega a un transformador con toma media en el secundario. Se

obtiene una señal con toma media respecto a masa. Para un semiciclo la polarización
hace que entre en conducción Q1 y se corte Q2. Al siguiente semiciclo, conduce Q2 y se
corta Q1. La salida de ambos colectores va al primario de otro transformador con toma
media conectada al positivo de la fuente de alimentación. En la salida de este
transformador se obtiene sobre la carga o altavoz, la señal reconstruida y adaptada a la
impedancia de éste.
La ventaja de este amplificador reside en el alto rendimiento (78%) y en la ausencia de
consumo sin señal en la entrada. El principal inconveniente es la distorsión de cruce.
Esta se produce al estar los transistores en corte. Para que entren en conducción es
necesario superar la barrera de potencial de los diodos. Es necesario que entre base y
emisor se tengan aproximadamente 0.7 V. Como la polarización viene determinada por
la propia señal, aparece una distorsión denominada distorsión de cruce.
Cada transistor, en reposo está en corte:
El diseño se realiza partiendo de la potencia deseada. Suponiendo carga resistiva en el
altavoz, por ser despreciable el efecto inductivo o por estar compensado por la red de
Zobel, se tiene:
Siendo V e I la tensión y la corriente eficaz en el altavoz. Como I = V / RL haciendo

operaciones resulta:
Y despejando Vcc:
Siendo Vcc la tensión de la fuente de alimentación. Está en función de la potencia

deseada, de la impedancia del altavoz y de la relación de transformación. La potencia
suministrada por la fuente es:
La potencia disipada en cada transistor es:
El principal inconveniente de este circuito es la distorsión de cruce. La unión base emisor

no está polarizada y es la propia señal la encargada de polarizar dichas uniones. Si los
transistores estuvieran ya conduciendo, este problema no se presentara. Es lo que se
consigue en el diseño en clase AB.
AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CONTRAFASE SIN TRANSFORMADOR

DE SALIDA
Utilizando un transistor NPN y otro PNP no hace falta el transformador de salida. Se
tienen los siguientes esquemas:
En el circuito de la figura 5 cada transistor conduce durante un semiciclo. En el de la
figura 6 también. Cuando Q1 está en corte, la energía almacenada en el condensador C1
permite la conducción de Q2.
El funcionamiento también es en clase B. Para solucionar el problema de la distorsión
de cruce se diseñan en clase AB.
AMPLIFICADOR EN CLASE AB
Este tipo de amplificadores funcionan básicamente como los amplificadores en clase B,
excepto en el que se inyecta una pequeña corriente de polarización para que ya están
conduciendo previamente a la llegada de la señal. No se diseñan en clase A. Se diseñan
casi en corte, pero sin llegar a estar en ese estado. De esta forma se consigue eliminar
la distorsión de cruce.
La principal dificultad es conseguir la estabilidad del punto de funcionamiento. Se debe
garantizar que los transistores no entrarán en corte. La mejor solución es recurrir al
espejo de corriente.
El espejo de corriente se basa en la conexión en paralelo de dos diodos iguales. Si son
iguales y tienen la misma curva característica, por los dos diodos circula la misma
corriente puesto que los puntos de funcionamiento son idénticos. Para una misma
tensión ánodo - cátodo en los dos diodos se tiene una misma corriente en cada uno de
ellos.
Si el diodo y el transistor son de silicio se pueden considerar iguales la tensión en
extremos del diodo y la tensión entre base y emisor. En el siguiente esquema, la
corriente que circula por el diodo es la misma que circula por la unión base emisor. Es
decir:
Si la corriente Io que circula por la resistencia R permite despreciar la que se deriva por
la base, la corriente que circule por el diodo será prácticamente Io. Esto se puede
considerar si se cumple:
La corriente de colector es:
Para evitar problemas térmicos se coloca en serie con el emisor una resistencia de
potencia de 0.47 Ω Estos conceptos se emplean en el diseño del siguiente amplificador
de potencia en clase AB:
El transistor Q1 polarizado por R1 y R2 se comporta como una fuente de corriente:
La corriente Ic en régimen estático es constante. La corriente por los diodos D1 y D2

también lo es. La polarización de los transistores queda garantizada al estar los diodos
en paralelo con las uniones base emisor. Para alterna, los diodos se comportan como
una resistencia dinámica por estar polarizados en el primer cuadrante. Las bases para
alterna están unidas. Para minimizar las diferencias puede conectarse entre ambas un
condensador. En reposo, la tensión continua en extremos de la carga debe ser 0 voltios.
Se ajustará retocando ligeramente la resistencia R4 o la resistencia R3. Si se introduce
una señal variable en la entrada, Q1 la amplifica. A la salida de Q1, Q2 amplifica el
semiperiodo positivo y Q3 el negativo. En el altavoz, RL, se tiene la señal reconstruida.
Para conseguir que los transistores de potencia puedan ser del mismo tipo, se recurre a
la configuración con simetría complementaria y Darlington. En la siguiente figura se
puede observar esta configuración.
Se añade otro diodo, para compensar otra unión base emisor en la configuración del
espejo de corriente. Los transistores finales son de potencia. La β de estos transistores
suele ser de 20. La del resto de los transistores suele ser de 100.
LA RED DE ZOBEL
La red de Zobel es una red compuesta por una resistencia y un condensador en paralelo
con el altavoz diseñada para compensar el efecto inductivo de éste. El esquema es:
Ra representa la resistencia del altavoz. Suele ser 8 Ω. La representa la inductancia del
altavoz.
Para que todo el conjunto equivalga a una impedancia óhmica de valor igual a Ra se
deben cumplir dos condiciones:
Se justifica a partir de:
Haciendo operaciones, se obtienen los valores indicados.

Valores prácticos son:
Con todo lo expuesto, se puede diseñar ya el amplificador didáctico de potencia.
AMPLIFICADOR DIDACTICO DE POTENCIA

Se va a diseñar un amplificador de potencia para audio, en contrafase y funcionando en
clase AB. Se ha elegido una potencia de 30 W y una pequeña etapa amplificadora
compuesta por un transistor. La frecuencia inferior de corte se elige de 20 Hz. El
esquema que se va a justificar es el indicado en la figura 11: El diseño parte de la
potencia requerida y de la impedancia del altavoz. Se diseña de derecha a izquierda.
Suponiendo una potencia de 30 W sobre un altavoz de 8 Ωel primer paso consiste en
calcular la tensión de alimentación.
Cálculo de la fuente de alimentación
Como por ser carga resistiva.

Además,
resulta:
VL representa el valor eficaz. Al estar alimentado el amplificador con alimentación

simétrica, la máxima desviación de la tensión en la carga es Vcc. Resulta:
Sustituyendo:
Despejando Vcc,
Y sustituyendo valores:
La fuente de alimentación debe suministrar una tensión simétrica de –22 voltios. La

corriente máxima que debe suministrar cada fuente es:
Características de los transistores

Los transistores Q5 y Q6 tienen las siguientes características:
Son transistores de potencia. La βse toma de 20.

Características de las resistencias R9 y R11
Las resistencias R9 y R11 se eligen de 0.47Ω. Al ser de potencia, es necesario calcular la
potencia disipada:
R9 y R11 son resistencias de 0,47 Ω y con una capacidad de disipación superior a 3.55W.
Características de los transistores Q3 y Q4
Q4 es un transistor NPN en configuración Darlington junto con Q6. Q3 es un transistor
PNP en configuración Darlington complementario junto con Q5. Q4 y Q5 equivalen a un
transistor NPN de
Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de
Los transistores de potencia tienen una βaproximada de 20. Por ejemplo se elige el
2N3055. Para Q4 se elige un transistor de β100. Por ejemplo el 2N2222A. Para Q5, un
transistor PNP de β 100, por ejemplo el 2N2905.
Cálculo de R8
Para calcular R8 se necesita saber la corriente y la diferencia de potencial en extremos.
En reposo, la tensión en RL es 0V. Despreciando la cada de tensión en la resistencia de
0.47Ω, la tensión en la base de Q4 es 1.4V El valor máximo de la corriente por la base
es:
Se toma para R4 una corriente ligeramente superior para garantizar que los diodos y el
transistor Q2 siempre están conduciendo. Por ejemplo 5 mA
Cálculo de C4
C4 garantiza la unión eléctrica de las bases de los transistores para alterna. Se puede
realizar un cálculo aproximado para obtener el valor del mismo. No es crítico su elección
Sustituyendo:
Elección de los diodos D1, D2 y D3

La corriente que circula por los diodos es pequeña, 5mA. Sirve cualquier diodo de
señales, como por ejemplo el 1N4148.
Elección de Q2
Q2 es un transistor que funciona con una corriente y una tensión reducida. Cualquier
transistor de señales sirve para esta aplicación. Se elige el transistor NPN 2N2222A de
β= 100.
Cálculo de R7
R7 debe calcularse de forma que permita el correcto funcionamiento del transistor Q2
para cualquier variación de la señal de entrada. Se elige una cada de tensión Vcc /10, es
decir 2.2 V.
Cálculo de R5
Se elige una corriente por R5 y R6 superior a la de la base. La corriente por la base de Q2
es:
Se toma una corriente de 1 mA. De esta forma se puede despreciar la de base.
Cálculo de R6
La corriente es de 1 mA. La diferencia de potencial en extremos es:
La resistencia,
Elección de Q1
Q1 es un transistor de señal. Se puede elegir perfectamente el 2N2222A
Cálculo de R3 y R4
Se elige una corriente de colector de 10 mA, un punto de funcionamiento en clase A y
una tensión de emisor de 2.2 V. A partir de estos datos se diseñan las resistencias:
En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensión:
La resistencia R4:
La ganancia de la etapa es:
Suponiendo que se está trabajando a una frecuencia superior a la de corte. La

impedancia de entrada de la siguiente etapa es:
pues rd2 = 25 mV / 5 mA = 5 Ω rd1 se calcula de igual forma:

rd1 = 25 mV / 10 mA = 2.5 Ω
Calculando R4 // Ze2 se obtiene:
R4 // Ze2 = 654 Ω
La ganancia es:
A = 9 dB
La ganancia Av es:
Av = 654 / 222.5 = 2.9
Siendo Av = V2 / V1 o función de transferencia.
Cálculo de C3
C3 se calcula a partir de la siguiente expresión:
Se elige uno superior. Por ejemplo uno de 10 µF C3 = 10 µF

Cálculo de R1 y R2
La corriente por la base de Q1 es Ib1 = Ic / 100 = 0.1 mA
Se toma una corriente por R2 diez veces superior para poder hacer aproximaciones:
Io = 1 mA
La tensión en la base de Q1 es:
Vb1 = Ve1 + Vbe1 = 2.2 + 0.7 = 2.9 V
R1 = 2.9 / 1mA = 2900 Ω
R1 = 2900 Ω
R2 se calcula a partir de:
R2 = 19100 Ω
Cálculo de la impedancia de entrada
La impedancia de entrada del amplificador se calcula a partir de la siguiente expresión:
Ze = 1092 Ω
Cálculo de C1
El cálculo de C1 se realiza a partir de la impedancia de entrada y de la frecuencia inferior
de corte:
Se toma uno de 10 µF
C1 = 10 µF

Diseño Teórico de Amplificadores de Potencia

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Diseño Teórico de Amplificadores de Potencia

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Diseño Teórico de Amplificadores de Potencia

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

DISEÑO TEÓRICO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Una definición técnica sería la de un amplificador diseñado para proporcionar la máxima

EVOLUCION DE LOS AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Siendo n la relación de transformación. Como el transformador tiene un rendimiento

Y como la potencia es:

Haciendo operaciones se obtiene:

Z1 representa la impedancia transferida al primario de Z2. Si Z2 es la impedancia del

La potencia disipada en el transistor es el doble respecto a la disipada en el altavoz. El

La señal de entrada Ve llega a un transformador con toma media en el secundario. Se

Siendo V e I la tensión y la corriente eficaz en el altavoz. Como I = V / RL haciendo

Siendo Vcc la tensión de la fuente de alimentación. Está en función de la potencia

La potencia disipada en cada transistor es:

El principal inconveniente de este circuito es la distorsión de cruce. La unión base emisor

AMPLIFICADORES DE POTENCIA EN CONTRAFASE SIN TRANSFORMADOR

La corriente de colector es:

La corriente Ic en régimen estático es constante. La corriente por los diodos D1 y D2

Se justifica a partir de:

Haciendo operaciones, se obtienen los valores indicados.

Con todo lo expuesto, se puede diseñar ya el amplificador didáctico de potencia.

AMPLIFICADOR DIDACTICO DE POTENCIA

Como por ser carga resistiva.

VL representa el valor eficaz. Al estar alimentado el amplificador con alimentación

La fuente de alimentación debe suministrar una tensión simétrica de –22 voltios. La

Características de los transistores

Son transistores de potencia. La βse toma de 20.

Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de

Elección de los diodos D1, D2 y D3

Se toma una corriente de 1 mA. De esta forma se puede despreciar la de base.

En el colector de Q1 se tiene la siguiente tensión:

La ganancia de la etapa es:

Suponiendo que se está trabajando a una frecuencia superior a la de corte. La

pues rd2 = 25 mV / 5 mA = 5 Ω rd1 se calcula de igual forma:

Se elige uno superior. Por ejemplo uno de 10 µF C3 = 10 µF

También podría gustarte