Resonancia en Serie y Paralelo

UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO
FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
RESONANCIA EN SERIE Y PARALELO
Un circuito está, o entra, en resonancia cuando la tensión aplicada y la intensidad de corriente que
circula están en fase. En resonancia, pues, la impedancia compleja del circuito se reduce
exclusivamente a una resistencia R.
Como V e I están en fase, el factor de potencia de un circuito resonante es la unidad.
RESONANCIA DE UN CIRCUITO SERIE R L C.
jL  j C
La impedancia compleja del circuito serie de la figura es Z  R  jL 1/ C R  jX . Dicho
circuito entra en resonancia cuando X  0 , es decir cuando L  1 o bien    .

0
LC
Ahora bien,   2f con lo que la frecuencia de resonancia viene dada por:
Hzo.c.p.s
1
f0 

En las siguientes figuras se representa el valor de Z y el de sus tres componentes:
R, X L , XC en función de la pulsación  . Para  =  0 , las reactancias inductiva y

R2  X 2
capacitiva son iguales, y como Z  se deduce que Z  R , es decir, la impedancia de
un circuito serie en resonancia es mínima. En consecuencia, la intensidad de corriente, I  V Z es

máxima en dichas condiciones.
X L  L
Z
Impedancia
Figura
(a)
------------------------------------------------ R
O 0 

 X C  1C


Baja
Admitancia
Alta
Baja
 Fig.
0
(c)
Fig. (b)
Alta
ING. JONY VILLALOBOS CABRERA
0 
CURSO: ANALISIS DE CIRCUITOS ELECTRICOS II
Para frecuencias inferiores a la correspondiente a 0 , la reactancia capacitiva es mayor

que la inductiva, con lo que el ángulo de la impedancia es negativo. Si la resistencia es pequeña, la
variación del ángulo con la pulsación es mucho más rápida, como indica la figura (b). Cunado
tiende a cero el ángulo de Z es aproximadamente a -90º
Para frecuencias superiores a la correspondiente a 0 , la Reactancia inductiva es mayor que la

capacitiva, con lo que el ángulo de Z es positivo, aproximadamente a +90º cuando  >> 0 .
En la figura (c) se representa la admitancia del circuito serie  . Como
Y  1 Z en función de
I  VY , este diagrama muestra asimismo, la variación de la intensidad de corriente con  .
Puede observarse que para la pulsación  0 la corriente es máxima y que en resistencias pequeñas
la intensidad de corriente es mayor. La curva de puntos representa el caso límite en que R = 0. No se
representa el ángulo de la admitancia. Ya que es el opuesto (igual y de signo contrario) del ángulo de
la impedancia que muestra la figura (b).
RESONANCIA DE UN CIRCUITO PARALELO R L C.
El Circuito Paralelo de la fig. Es un Circuito ideal
formado por tres ramas con elementos simples R,

jBL jBC
L, C. Sin embargo, el análisis de éste Circuito

presenta un enorme interés en el estudio general
de la resonancia. Este Circuito Paralelo ideal se puede reducir al Circuito serie que acabamos de ver
sin mas que establecer la dualidad completa existente entre ambos.
La admitancia compleja del Circuito paralelo de la figura es
Y  G j(C 1 L)  G  jB , siendo:

B  BC BL  C y BL  1 L
, BC
Dicho Circuito entra en resonancia cuando B  0 , es decir cuando C  1 L o bien

  1 LC  0 .AL igual que en el Circuito serie R, L, C, la frecuencia de resonancia viene
dada por:
f0  Hz
ING. JONY VILLALOBOS CABRERA 2 LC
En la figura (a) se representa el valor de Y y el de sus tres componentes G, B C , B L en función de
 . Para  = 0 , las Susceptancias Inductiva y Capacitaba son iguales, con lo que

Y  G . Es decir, la admitancia de un circuito paralelo en resonancia es mínima. En consecuencia,
la intensidad de corriente, I  VY también es mínima en estas condiciones.
BC  C
Admitanci
Y
Figura
------------------------------------------------ G Alta R
O 0 
BL  1 L Fig. (b)
 +9
+90 Alta R
Baja R
Baja R
0 


0 
Impedancia



 Fig. (c)


-90
Para frecuencias inferiores a la correspondiente a 0 la Susceptancia inductiva es mayor que la
 tiende a cero. [figura (c)]

capacitiva, con lo que el ángulo de Y es negativo. En este caso, el ángulo de la impedancia es
positivo y se aproxima a +90º cuando
Para frecuencias superiores a la correspondiente a 0 el ángulo de Z es negativo y su variación

con  es más rápida para resistencias elevadas.
RESONANCIA DE UN CIRCUITO PARALELO DE DOS RAMAS
La Admitancia Y del circuito paralelo de dos ramas de la

figura es la suma de las admitancias individuales de cada una de RL
Y
ellas.
En el circuito entra en resonancia cuando la admitancia compleja
R   2 L2    LR 2 1  2C 2 .......... ......(1)

sea un número real.1 2
L 0
0C 0 C 0

XC XL
2 = , y
Es decir, R X R X2
2 2
Y  Y  YC 1C L1 L

C
R L jX
L
L RC  jXC
 RL RC   XC XL 
 
    j  

R2  X 2 R2  X 2 R2  X 2 R2  X 2 
 L L C C  C C L L 
Para conseguir la resonancia se puede actuar sobre cualquiera de las cinco magnitudes que
aparecen en (1). Despejando 0 de la ecuación (1) resulta.

1 RL2  L C
0 .......... .......... ....(2)
LC RC2  L C
Por tanto, la pulsación de 

0 de un circuito resonante paralelo de dos ramas difiere de la
correspondiente al circuito simple formado por los tres elementos R, L C en paralelo en el factor
L
.
La frecuencia es un número real y positivo por consiguiente, el circuito tendrá una frecuencia de
resonancia correspondiente a 0 para R2  L C y R2  L C o bien R2  L C y R2  L C ,

L C L C
cuando R  R  L C el circuito entra en resonancia a todas las frecuencias.

2 2
L  C R 2  X 2  R  X 2   4R 2 X 2 
L C
1 2 2
C 
2  C C C C
L

Despejando L de la Ecuación (1) resulta,

O bien como Z  R 2
 X2 ,  1
   
C 
C C C L C Z 2  .......... .......... ....... 3
2
Ahora bien, si en esta ecuación (3) Z 4  4R2 X 2 , se obtiene dos valores de L para los que el
C L C
1
circuito entra en resonancia. Si Z  4R X el circuito entrará en resonancia para L
4 2 2
 C Z 2 . Si
C L C C
2
Z 4  4R2 X 2 no existe valor alguno de L para el cual se presente la resonancia del circuito dado.

C L C
 1 
C  2L .......... .......... ........( 4)
 Z  Z  4R X 
2 4 2 2
 L L C L 
Despejando C en la ecuación (1) resulta.

4
Z  4R X habrá dos valores de C para los que el circuito entra en resonancia.
2 2
En este caso si
L C L
Despejando RL en la ecuación (1) resulta. RL   2 LCR 2   2 L2  L C .......... .......... ......(5)

C
Y si despejamos RC  RC  2
(2 LC) 1 2C2  L C.......... .......... ........( 6)
RL
Si el subradical de (5), o de (6), es positivo, existe un valor de RL , o de RC , para el cual el circuito
entra en resonancia.

FACTOR DE CALIDAD Q
El factor de calidad en una bobina, de un

I
condensador, o de un circuito en general se define por:
jL
energía máxima almacenada (a)
Q  2
energía disipada por periodo
En los circuitos de la figura (a) y (b), la energía

1 jL
disipada por periodo es el producto de la potencia media (b)
disipada en la resistencia 
R Imax  2
multiplicada por el
periodo T o 1 f .
1
En el circuito serie RLde la figura (a) la energía máxima almacenada es LI 2 . Por tanto
2
max
1 2
LI
Q  2 2
max 2fL L
 
Imax
2
2R1 f  R R
En el circuito serie RC de la figura (b) la energía máxima almacenada es

1 1
CV 2 o bien I2 2C por consiguiente,
max
2
max
2
1
I2  2C
max
1
Q  2 22 
max 2R1 f  CR
En un circuito serie RLC en resonancia la energía almacenada es constante, teniendo en

cuando que cuando la tensión en el condensador es máxima la intensidad de corriente por la bobina
1 1
es nula, y viceversa. CV 2  LI 2 . Es decir,
max max
2 2
0 L 1
Q 
R 0CR
En la siguiente figura se representa la intensidad que circula por un circuito RLC en función
de  o bien mediante un cambio de escala apropiado, en función de f . En el valor 0 la intensidad
de corriente I0 es máxima.
Se han señalado los puntos en los que la intensidad toma el valor 0.707 del máximo. Las
pulsaciones correspondientes son 1 y 2 .
I0
0.707 I0
AB
2 rad
f1 f0 f2 Hz (c.p.s.)
Como la potencia consumida por el circuito es RI 2, para I  0.707I la potencia es la

0
mitad de la que corresponde al valor máximo que tiene lugar en 0 . Los puntos asociados a
1 y 2 se llaman puntos de potencia mitad. La distancia entre ambos puntos se mide en hertzios o
ciclos por segundo (c.p.s) y se llama ancho de banda AB.
En estas condiciones, podremos expresar el factor de calidad por la relación entre la

frecuencia de resonancia y el ancho de banda; es decir:
 f f0
Q0   0  f  0f  AB
2 1 2 1
la pulsación de resonancia 0 es la media geométrica de 1 y 2
0  12 y f0  f1 f2




En resonancia, las tres ramas del circuito
paralelo de la figura que se muestra almacena una
energía constante. Teniendo en cuenta que cuando la
intensidad de corriente por la bobina es máxima la
jBL jBC
tensión en el condensador es nula, y viceversa,
1 1
podremos escribir LI 2  CV 2 . es decir:
max max
2 2
R
Q    CR
0
0 L 0
LUGARES GEOMÉTRICOS DE IMPEDANCIAS
El estudio de los circuitos que tienen un elemento variable se simplifica mucho mediante el
análisis de los lugares geométricos de impedancias. Como I  VY y, normalmente, V es constante,
el lugar geométrico de Y proporciona la variación de la Intensidad I con el elemento variable del

circuito.
El circuito serie de la fig. (1) tiene una resistencia fija y una resistencia variable que podemos
suponer toma valores cualesquiera, positivos o negativos. Si consideramos el plano Z con los ejes
cartesianos R y X , el lugar geométrico de la impedancia Z , para el circuito dado, es una recta paralela al eje X
que corta al eje R en R1 como indica la figura (2)
X Z1
Aumento de X L
Lugar de Y
R1 Lugar de Z
45º 12R1 G
R
R1 45º 1 R1
jX
Y1
Aumento de X L
Fig. (1) Fig. (2) plano Z Fig. (3) plano Y
En el plano Y , formado por los ejes cartesianos G y B, podemos determinar el lugar

geométrico de la admitancia.
Como Z 1Y

1 .......... .......... ........( A)
R1  jX 
G  jB
Racionalizando e igualando las partes reales de (A).
G
R1 
G  B2
2
O bien
G2  G R 1 B2  0.......... .......... .......... .(B)
Sumando 1 4 R12 a ambos miembros de (B) y simplificando resulta

2
   2
G  1   B2   1  .......... .......... .....(C)
 2R1   2R1 

Esta ecuación (C) representa una circunferencia, es decir, el lugar geométrico de Y es una
circunferencia con centro el punto 1 2R1,0) y radio 1 2R1 como muestra la figura (3).
A cada punto del lugar geométrico de Z le corresponde un punto del lugar geométrico de Y.
Los puntos del lugar de Z por encima del eje R se corresponden con los puntos de la
semicircunferencia por debajo del eje G en el plano Y. Al punto   del lugar de Z le corresponde el
origen del plano Y. Análogamente, los puntos del lugar geométrico de Z por debajo del eje R se
corresponden con los puntos de la semicircunferencia por encima del eje G en el plano Y. al punto
  del lugar de Z le corresponde el origen en el plano Y . Conviene observar las posiciones
relativas de Z1 e Y1 . Las distancias de Z1 e Y1 a los orígenes respectivos son distintas, mientras
que los ángulos que forman con el eje horizontal son iguales y de signo contrario.
En el caso de una reactancia inductiva fija y una resistencia variable, como indica la figura
1.a, el lugar geométrico de Z es una semirrecta horizontal situada en el primer cuadrante del plano Z
a una distancia X  X L , del origen. Por el mismo procedimiento que antes se obtiene la ecuación
del lugar geométrico de Y:

G 2  B 1 2 X L1   1 2 x 
2
L1
2

G
R Lugar de Z
L1 Lugar de Y
Aumento de R
1 2 X L1
jX L1
R
-B
Fig. 1. c Plano Y
Fig.1. b plano Z
fig. 1. a
El lugar geométrico de Y es, pues una circunferencia de centro 0, 1 2 X  y radio 1 2 X

L1 L1
,
en el plano Y (fig. 1.c). Sin embargo, como el lugar geométrico de Z, en la fig. 1. b, es una semirrecta
en el primer cuadrante del plano Z el transformado del lugar geométrico de Z, para este circuito, es
únicamente la semicircunferencia del cuarto cuadrante del plano Y.
En el caso de una reactancia capacitiva fija en serie con una resistencia variable, como se
indica en la fig. 2. a el lugar geométrico de Z es una semirrecta horizontal situada en el cuarto
cuadrante del plano Z a una distancia X   X C del origen (fig. 2. b) Por el mismo procedimiento
1
que antes se obtiene la ecuación del lugar geométrico de Y

G 2  B 1 2 X
C1
  1 2 x 
2
C1
2
El lugar geométrico de Y es, pues una semicircunferencia de centro 0,1 2 X  y radio

C1
1 2 X C , situada en el primer cuadrante del plano Y (fig. 2.c)

1
B Lugar de Y
R
R
Aumento de R
fig. 2. a 
 jX 

C 1

Lugar de Z

Fig.2. b
12X C
1
Fi
g.
2.
c
Pl
an
o
Y

LUGARES GEOMÉTRICOS DE INTENSIDADES DE CORRIENTE
Considerando el circuito paralelo de la figura 3.a con una rama constituida por una resistencia
R1 y reactancia jX L fijas, y una resistencia R2 fija y reactancia jXC variable en la otra. La
admitancia total de las dos ramas en paralelo es
YT  Y1 Y2
Sumando el lugar geométrico de Y2 de la segunda rama al punto fijo Y1 se obtiene el lugar
geométrico de YT , como muestra la figura 3.b
1 2
B
IT Lugar de Y
I1 R I2
V R1 2
G V
jX -
I1
Y1
Fig. 3. a Fig. 3. b Fig. 3. c
La intensidad de corriente viene dada por I  VY , en la fig. 3. c puede observarse cómo al
sumar la intensidad fija I1 a la corriente variable I 2 se obtiene el lugar geométrico de la intensidad
de corriente total. Este diagrama muestra que existen dos valores de C para los cuales la intensidad
de corriente total está en fase con la tensión V
Examinando la figura 3. c se desprende cómo se puede dar el caso de que no exista ningún
valor de C para el que el circuito entre en resonancia. Si el radio 1 2R2 , de la semicircunferencia del
lugar es tal que la curva no corta al eje V, no existirá ningún valor de C que produzca resonancia.



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RESONANCIA EN SERIE Y PARALELO

Como V e I están en fase, el factor de potencia de un circuito resonante es la unidad.

RESONANCIA DE UN CIRCUITO SERIE R L C.

circuito entra en resonancia cuando X  0 , es decir cuando L  1 o bien    .

R, X L , XC en función de la pulsación  . Para  =  0 , las reactancias inductiva y

capacitiva son iguales, y como Z  se deduce que Z  R , es decir, la impedancia de

un circuito serie en resonancia es mínima. En consecuencia, la intensidad de corriente, I  V Z es

Para frecuencias inferiores a la correspondiente a 0 , la reactancia capacitiva es mayor

Para frecuencias superiores a la correspondiente a 0 , la Reactancia inductiva es mayor que la

RESONANCIA DE UN CIRCUITO PARALELO R L C.

El Circuito Paralelo de la fig. Es un Circuito ideal

formado por tres ramas con elementos simples R,

L, C. Sin embargo, el análisis de éste Circuito

La admitancia compleja del Circuito paralelo de la figura es

Y  G j(C 1 L)  G  jB , siendo:

Dicho Circuito entra en resonancia cuando B  0 , es decir cuando C  1 L o bien

 . Para  = 0 , las Susceptancias Inductiva y Capacitaba son iguales, con lo que

Para frecuencias inferiores a la correspondiente a 0 la Susceptancia inductiva es mayor que la

 tiende a cero. [figura (c)]

Para frecuencias superiores a la correspondiente a 0 el ángulo de Z es negativo y su variación

La Admitancia Y del circuito paralelo de dos ramas de la

En el circuito entra en resonancia cuando la admitancia compleja

R   2 L2    LR 2 1  2C 2 .......... ......(1)

ING. JONY VILLALOBOS CABRERA

aparecen en (1). Despejando 0 de la ecuación (1) resulta.

Por tanto, la pulsación de 

resonancia correspondiente a 0 para R2  L C y R2  L C o bien R2  L C y R2  L C ,

cuando R  R  L C el circuito entra en resonancia a todas las frecuencias.

Despejando C en la ecuación (1) resulta.

Despejando RL en la ecuación (1) resulta. RL   2 LCR 2   2 L2  L C .......... .......... ......(5)

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El factor de calidad en una bobina, de un

En los circuitos de la figura (a) y (b), la energía

En el circuito serie RC de la figura (b) la energía máxima almacenada es

En un circuito serie RLC en resonancia la energía almacenada es constante, teniendo en

de  o bien mediante un cambio de escala apropiado, en función de f . En el valor 0 la intensidad

Como la potencia consumida por el circuito es RI 2, para I  0.707I la potencia es la

ciclos por segundo (c.p.s) y se llama ancho de banda AB.

En estas condiciones, podremos expresar el factor de calidad por la relación entre la

la pulsación de resonancia 0 es la media geométrica de 1 y 2

ING. JONY VILLALOBOS CABRERA

LUGARES GEOMÉTRICOS DE IMPEDANCIAS

el lugar geométrico de Y proporciona la variación de la Intensidad I con el elemento variable del

En el plano Y , formado por los ejes cartesianos G y B, podemos determinar el lugar

ING. JONY VILLALOBOS CABRERA

Racionalizando e igualando las partes reales de (A).

G2  G R 1 B2  0.......... .......... .......... .(B)

Sumando 1 4 R12 a ambos miembros de (B) y simplificando resulta

del lugar geométrico de Y:

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El lugar geométrico de Y es, pues una circunferencia de centro 0, 1 2 X  y radio 1 2 X

que antes se obtiene la ecuación del lugar geométrico de Y

El lugar geométrico de Y es, pues una semicircunferencia de centro 0,1 2 X  y radio

1 2 X C , situada en el primer cuadrante del plano Y (fig. 2.c)

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R1 y reactancia jX L fijas, y una resistencia R2 fija y reactancia jXC variable en la otra. La