CARACTERÍSTICA DIAC:

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es

un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado
su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico
para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas
direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de
alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase
de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa como un

interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el
voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la referencia.

DIAC de tres capas

Existen dos tipos de DIAC:

 DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado
hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta
corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto
regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.
 DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo,
lo que le da la característica bidireccional

CARACTERISTICAS
En la curva característica se observa que cuando
- +V o - V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un
circuitoabierto
- +V o - V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito

Sus principales características son:

- Tensión de disparo
- Corriente de disparo
- Tensión de simetría (ver grafico anterior)
- Tensión de recuperación

- Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5
a 1 watt.)

APLICACIÓN:

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del

triac, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la
alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable,
calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de
motores.
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en
la Figura 3, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza
la tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de él la descarga de C, cuya
corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se
produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo
podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de
conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media aplicada a la carga,
obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
El Transistor de Union Programable PUT.
El Transistor de Unión Programable PUT.

Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes en construcción y en

modo de operación. La designación se ha hecho en base a que presentan características
tensión-corriente y aplicaciones similares. Mientras que el UJT es un dispositivo de dos
capas, el PUT lo es de cuatro capas. El término programable es usado porque los valores de
Rbb, n y Vp pueden controlarse mediante una red externa. En la figura 7 puede observarse
la conformación física y circuital del PUT.

Figura 1.- Circuito y Representación del

PUT

Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho terminal es:

Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb

El circuito no se disparará hasta tanto el potencial en el terminal de ánodo no sea superior

en el voltaje de polarización directa de la juntura pn entre ánodo y compuerta y el voltaje de
compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb

La curva tensión-corriente que representa la característica de funcionamiento del PUT es

mostrada en la figura 8.
 Figura 1.- Curva Tensión-Corriente del PUT

Mientras la tensión Vak no alcance el valor Vp, el PUT estará abierto, por lo cual los
niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el dispositivo entrará
en conducción presentando una baja impedancia y por lo tanto un elevado flujo de
corriente. El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevará al dispositivo a su estado de
bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la
corriente por debajo de un valor de mantenimiento I(br).

Aplicaciones
El PUT es utilizado también como oscilador de relajación. Si inicialmente el condensador
está descargado la tensión Vak será igual a cero. A medida que transcurre el tiempo éste
adquiere carga. Cuando se alcanza el nivel Vp de disparo, el PUT entra en conducción y se
establece una corriente Ip. Luego, Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este
instante el condensador empieza a descargarse y la tensión Vgk cae prácticamente a cero.
Cuando la tensión en bornes del condensador sea prácticamente cero, el dispositivo se abre
y se regresa a las condiciones iníciales. En la figura 3 puede observarse la configuración
circuital para el oscilador.

Funcionamiento de un UJT (transistor uniunión)

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.
En la gráfica de la figura 12.22 se describe las características eléctricas de este
dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de
emisor (IE). Se definen dos puntos críticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y
punto de valle o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condición de dVE/dIE = 0.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región
de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:
Región de corte
En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy
baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene
definida por la siguiente ecuación:

donde la VF varía entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo,
para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un
elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Región de resistencia negativa

. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir,
VE = VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1
disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.
Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un
comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta
región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de
valle (IP < IE < IV).

Región de saturación
Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de
mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre
la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor
que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de
valle, el UJT entrará de forma natural a la región de corte.
En la figura 12.22 también se observa una curva de tipo exponencial que relaciona
la VE y la IE cuando la B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una
forma similar a la característica eléctrica de un diodo y representa el
comportamiento del diodo de emisor.

SCR disparos
Los SCR pueden hacer circular corrientes menores que 1 A y hasta 1000 A o más, por lo tanto son muy útiles para actuar como i nterruptores en equipamientos eléctricos pesados cuando reemplazan a los contactores.
Las siguientes son las ventajas:
No poseen partes móviles.
No producen arcos de contacto.
No se producen contactos deficientes debido a la corrosión o a la suciedad.

Además de alimentar y cortar la corriente, los SCR se utilizan para controlar el valor medio de una corriente de carga sin di sipar grandes potencias. En este último uso pueden reemplazar a los reóstatos de gran tamaño y gran potencia, y a la vez, ahorrar energía eléctrica.

El Rectificador Controlado de Silicio SCR puede hacer varias funciones:

· Función de rectificación controlada: consiste en utilizar la propiedad de funcionamiento unidireccional del dispositivo, que se comporta así de modo análogo a un diodo.
· Función de interruptor: permite la sustitución de contactos mecánicos.
· Función de regulación: la posibilidad de ajustar de forma precisa el instante de cebado del tiristor permite controlar la potencia ó la corriente media de salida.
· Función de amplificación: la corriente de la señal de control puede ser muy débil si se compara con la corriente principal; existe, pues, un fenómeno de amplificación en corriente o en potencia. Esta “ganancia” puede utilizarse en ciertas aplicaciones.

Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unión entre la compuerta y el cátodo, y sale del SCR por la terminal del cátodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para dis
corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unión pn estándar entre la compuerta y el cátodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura S1 se muestran las condiciones que debe
directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que alcance un valor de corriente de ánodo mayor que la corriente de mantenimieno, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.
Métodos de disparo
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que
mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo.

Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:

- Por puerta.
- Por módulo de tensión.
- Por gradiente de tensión (dV/dt)
- Disparo por radiación.
- Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados.

Disparo por puerta.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y cátodo a la vez que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y cátodo.
- El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG × R
- R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de máxima disipación de potencia para obtener la máxima seguridad en el disparo

R = VFG / IFG

Disparo por módulo de tensión.

Es el debido al mecanismo de multiplicación por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrónicos.

Disparo por gradiente de tensión.

Una subida brusca del potencial de ánodo en el sentido directo de conducción provoca el disparo. Este caso más que un método, se considera un inconveniente.

Disparo por radiación.

Está asociado a la creación de pares electrón-hueco por la absorción de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

Disparo por temperatura.

El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en las uniones del semiconductor. Así, la suma de las corrientes tiende rápidamente al aumentar la temperatura. La tensión de ruptura permanece constante hasta un cie
Apagado de un SCR

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente continué fluyendo a través de las terminales principales, de ánodo a cátodo, el SCR perrnanecerá en ON. Cuando la corriente de ánodo a
SCR se apagara. Para la mayoría de los SCR de tamaño mediano, la corriente de mantenimiento IH es alrededor de 10 mA. Para que el dispositivo interrumpa la conducción de la corriente que circula a través del mismo, ésta debe disminuir por debajo del valor I
conmutación forzada, pero hay otras que también se usan. En la Figura se observa cómo la corriente anódica puede ser cortada mediante un interruptor. El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interr
En el método de conmutación forzada, se introduce una corriente opuesta a la conducción en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batería en paralelo al SCR y de polaridad opuesta. Un método muy peculiar es disminuir la corriente de

HOJAS TECNICAS

Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades:

- Tensión inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM

- Tensión directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM

- Tensión directa ...........................................................................: VT

- Corriente directa media ...............................................................: ITAV

- Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS

- Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM

- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM

- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH

-Tensión directa máx. ....................................................................: VGFM

- Tensión inversa máx. ...................................................................: VGRM

- Corriente máxima..........................................................................: IGM

- Potencia máxima ..........................................................................: PGM

- Potencia media .............................................................................: PGAV

- Tensión puerta-cátodo para el encendido......................................: VGT

- Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento.............: VGNT

- Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT

- Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento............: IGNT

Entre los anteriores destacan:

- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.

- VGNT e IGNT, que dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, éste disipa una cantidad de energía que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su
ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.