Semiconductores

Universidad
Técnica de Oruro
SEMICONDUCTORES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS PRACTICA N°1
Facultad Nacional
de Ingeniería DOCENTE: Ing. Willie Córdova Eguívar SIGLA FECHA
Carrera Ing.
Eléctrica e Ing. Electrónica
AUXILIAR: Univ. Paula Mariana Flores Heredia ELT-2430 9/04/2019
Oruro - Bolivia
Fecha de Entrega: Primer Examen Parcial
1.- Sea una barra de silicio a 450 K de sección 2 mm2, cuya concentración de electrones no uniforme,
sigue la ley n=Ax2, siendo A = 2.1019 m-4. Determine la corriente de difusión existente en la barra µn(450
K)=0.235 m2/V.s
2.- Desarrolle con el mayor detalle posible la obtención de la concentración de electrones y huecos de
un material tipo n, del siguiente modo:
a) Gráficamente (función f, función g y la función de distribución de electrones y huecos)

b) Analíticamente (función f, función g y la concentración de electrones)
3.- En un semiconductor, la variación de concentración de electrones a lo largo del eje x, viene dada por
la curva de la figura, con n(x) = n(0) – kx para 0 ≤x ≤d y n(x) =no para x>d:
a) Determinar la variación de la densidad de corriente, J(x) a lo largo del eje x,

b) Si el semiconductor se encuentra en equilibrio, ¿Cuál es la variación del campo eléctrico
generado a lo largo del eje x?
c) Determinar la diferencia de potencial entre x=0 y x=d.
(Suponer n(0)/no = 103)
4.- Se tiene un semiconductor de silicio con concentración intrínseca de portadores igual a

1.45x1010 cm−3 a temperatura 300K. Dopamos este semiconductor con átomos de Galio con una
concentración de impurezas dopantes de 1016 cm−3 .Hallar la concentración de electrones y de huecos.
5.- Se tiene una oblea de silicio dopada con una concentración de aceptadores NA = 1016 cm−3. Se
agrega donadores con una concentración de ND = 7,5 x 1015 cm−3 en una región de la oblea:
a) Esta región de la oblea es de tipo P o N?
b) Cual es la concentración de electrones [ cm−3 ] en esta región?
c) Cual es la concentración de huecos [ cm−3 ] en esta región?

Universidad
Técnica de Oruro
SEMICONDUCTORES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS PRACTICA N°1
Facultad Nacional
de Ingeniería DOCENTE: Ing. Willie Córdova Eguívar SIGLA FECHA
Carrera Ing.
Eléctrica e Ing. Electrónica
AUXILIAR: Univ. Paula Mariana Flores Heredia ELT-2430 9/04/2019
Oruro - Bolivia
6.- En una muestra de Silicio que tiene una concentración de donadores de ND = 1016 cm-3, se aplica un
campo eléctrico en la dirección +x de magnitud 103 V/cm. µn≃1200 cm2/V.s; µp≃450 cm2/V.s
a) ¿Cuál es la velocidad de arrastre de los electrones (magnitud y signo)?
b) ¿Cuál es la densidad de corriente de arrastre de los electrones (magnitud y signo)?
7.- Iluminando el silicio se establece un exceso de concentración de huecos minoritarios a lo largo de una
muestra de 2μm de longitud que está dado por Δp(x) = 1012 cm-3.x/μm, donde x es la coordenada en la
dirección del gradiente de concentración. La concentración de donadores en la muestra es ND = 1016 cm-
3
, Según el gráfico de movilidad se obtiene µp=450 cm2/V.s
a) Encuentre la densidad de corriente de difusión de huecos.

b) La distribución de portadores minoritarios en la muestra.
8. Un semiconductor intrínseco, EG=1,2 eV, se dopa negativamente de tal forma que su nivel de Fermi se
eleva y queda a EG/4 por debajo de la BC. Calcular su resistividad a temperatura ambiente, 300 K, sabiendo
que, para este semiconductor, ni=1016m-3 y µn=0,135 m2(V·s)-1.
9. Cuando la temperatura de un cristal de Ge intrínseco pasa de 20 a 30º Celsius, su

conductividad se incrementa un 50%. Determinar:
a) La anchura de su banda prohibida, Eg.
b) En el caso del silicio, Si, de Eg = 1,1 eV, ¿cuál es el porcentaje de cambio de su
conductividad para el mismo cambio de temperatura?
10. La máxima longitud de onda l0 de una radiación que actúa sobre una LDR (semiconductor
cuya resistencia depende de la iluminación) es l0 = 1,82·10-6 m a 300 KK. Determinar:
a) El valor de la anchura, Eg, de su banda prohibida.
b) El aumento de temperatura, DT, sobre 300 K necesario para que su conductividad
crezca un 20%.

Semiconductores

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Semiconductores

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Semiconductores

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Universidad

Fecha de Entrega: Primer Examen Parcial

a) Gráficamente (función f, función g y la función de distribución de electrones y huecos)

a) Determinar la variación de la densidad de corriente, J(x) a lo largo del eje x,

4.- Se tiene un semiconductor de silicio con concentración intrínseca de portadores igual a

a) Esta región de la oblea es de tipo P o N?

b) Cual es la concentración de electrones [ cm−3 ] en esta región?

c) Cual es la concentración de huecos [ cm−3 ] en esta región?

a) Encuentre la densidad de corriente de difusión de huecos.

9. Cuando la temperatura de un cristal de Ge intrínseco pasa de 20 a 30º Celsius, su

También podría gustarte