TITULO DE LA PRÁCTICA:

PRÁCTICA 1: CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DEL TRANSISTOR MOSFET

ELABORADO POR:
HUGO JAVIER RODRIGUEZ CHAMORRO
DANIEL SALVADOR SALAS TORRES
FRANCISCO JAVIER CRUZ GONZÀLEZ

PROFESOR(A):
MIGUEL ANGEL PEÑA CASTILLO

MATERIA:
ELECTRONICA 2

FECHA DE REALIZACION DEL EXPERIMENTO: 24/01/2017

FECHA DE ENTREGA: 30/01/2017

I.- OBJETIVOS:
1) Entender la operación de los MOSFET’s.
2) Medir las características corriente-voltaje de un MOSFET.
3) Estudiar las características de un Amplificador MOSFET fuente común.

II.- INTRODUCCIÒN.

MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET)

El E-MOSFET opera sólo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de

empobrecimiento. Observe en la figura 1(a) que el sustrato se extiende por completo hasta
la capa de SiO2. Para un dispositivo de canal n, un voltaje positivo en la compuerta por
encima de un valor de umbral induce un canal al crear una delgada capa de cargas
negativas en la región del sustrato adyacente a la capa de SiO2, como muestra la figura
1(b). La conductividad del canal se incrementa al incrementarse el voltaje de compuerta a
fuente y, por lo tanto, atrae más electrones hacia el área del canal. Con cualquier voltaje en
la compuerta por debajo del valor de umbral, no existe ningún canal. El símbolo
esquemático para E-MOSFET de canal n se muestra a continuación en la figura 2:

FIGURA 2
FIGURA 1a) FIGURA 1b)

Característica de transferencia del E-MOSFET

El E-MOSFET utiliza sólo enriquecimiento del canal. Por consiguiente, un dispositivo de

canal n requiere un voltaje positivo de compuerta a fuente. La figura 3 muestra la curva de
característica de transferencia general como se puede ver, no hay corriente en el drenaje
cuando VGS=0. Por consiguiente, el E-MOSFET no tiene un parámetro IDSS significativo,
como el JFET y el D-MOSFET. Observe también que idealmente no hay corriente en el

FIGURA 3
drenaje hasta que VGS alcanza un cierto valor diferente de cero, llamado voltaje de umbral
(VGS(umbral)).
La ecuación para la curva de característica de transferencia parabólica del E-MOSFET
difiere de la del JFET y la del D-MOSFET porque la curva se inicia en VGS(umbral) en lugar de
VGS(corte) sobre el eje horizontal y nunca corta el eje vertical. La ecuación para la curva de
característica de transferencia del E-MOSFET es:

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2 … … . (1)

La constante K depende del MOSFET particular y se determina con la hoja de datos,

tomando el valor especificado de ID, llamado ID(encendido), al valor dado de VGS, y sustituyendo
los valores en la ecuación 1, como se ilustra en la ecuación 2:

𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
𝐾= … … . (2)
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑠(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) )2

Con K definida, se pueden determinar otros niveles de ID con valores seleccionados de VGS.
En general, un punto entre VGS(Th) y VGS(encendido) y uno apenas mayor que VGS(encendido) serán
suficientes para trazar la ecuación (1) (observe 𝐼𝐷1 𝑦 𝐼𝐷2 en la figura 4).

FIGURA 4
Aplicación de un pequeño 𝒗𝑫𝑺

Al inducirse un canal, aplicamos un voltaje positivo 𝑣𝐷𝑆 entre drenaje y fuente como se
muestra en la figura 5. Primero consideramos el caso donde 𝑣𝐷𝑆 es pequeño (por ejemplo,
0.1 o 0.2 V). El voltaje 𝑣𝐷𝑆 hace que circule una corriente 𝑖𝐷 por el canal n inducida. La
corriente es llevada por electrones libres que se desplazan de la fuente al drenaje. Por
convención la dirección de circulación de corriente es opuesta a la de la circulación de
cargas negativas. entonces la corriente del canal, 𝑖𝐷 ,será de drenaje a fuente, como se
indica en la figura 5. La magnitud de 𝑖𝐷 depende de la densidad de electrones del canal,
que a su vez depende de la magnitud de 𝑣𝐺𝑆 empieza a exceder a 𝑉𝑡 , más electrones son
atraídos hacia el canal; podemos visualizar el aumento de portadores de carga del canal
como un aumento de profundidad del canal.
FIGURA 5
 El resultado es un canal de conductancia aumentada, o bien, lo que es lo mismo, de
resistencia reducida. De hecho, la conductancia del canal es proporcional al exceso de
voltaje de compuerta (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ), también conocido como voltaje eficaz. Se deduce que la
corriente 𝑖𝐷 será proporcional a 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 y desde luego, al voltaje 𝑣𝐷𝑆 hace que 𝑖𝐷 circule.
en la figura 6 se ilustran unas curvas 𝑖𝐷 contra 𝑣𝐷𝑆 para varios valores de 𝑣𝐺𝑆 . Observamos
que el MOSFET opera como resistencia lineal cuyo valor está controlado por 𝑣𝐺𝑆 . La
resistencia es infinita para 𝑣𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑡 y su valor decrece a medida que 𝑣𝐺𝑆 excede a 𝑉𝑡 .

FIGURA 6
Operación a medida que 𝒗𝑫𝑺 aumenta

A continuación, consideramos la situación a medida que 𝑣𝐷𝑆 aumenta. Para este fin,
hagamos que 𝑣𝐺𝑆 se mantenga constante a un valor mayor que 𝑉𝑡 . Vea la figura 7 y
observe que 𝑣𝐷𝑆 aparece como caída de voltaje a lo largo del canal. Esto es, a medida que
avanzamos a lo largo del canal desde la fuente al drenaje, el voltaje (medido en relación
con la fuente) aumenta de o a 𝑣𝐷𝑆 . Entonces, el voltaje entre la compuerta y puntos situados
a lo largo del canal disminuye de 𝑣𝐺𝑆 en el extremo de la fuente a 𝑣𝐺𝑆 − 𝑣𝐷𝑆 en el extremo
del drenaje. Como la profundidad del canal depende de este voltaje, encontramos que el
canal ya no tiene profundidad uniforme, sino que, más bien, el canal tomara la forma
ahusada que se muestra en la figura 7, siendo más profunda en el extremo de la fuente y
con menos profundidad en el extremo del drenaje.

FIGURA 7

A medida que 𝑣𝐷𝑆 aumenta, el canal se hace más ahusado y su resistencia aumenta de
modo correspondiente. Entonces la curva 𝑖𝐷 −𝑣𝐷𝑆 no continua como recta, sino que se
doble, como se muestra en la figura 8. En última instancia, cuando 𝑣𝐷𝑆 aumenta al valor
que reduce el voltaje entre compuerta y canal en el extremo del drenaje a 𝑉𝑡 , es decir,
𝑣𝐺𝑆 − 𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝑡 o 𝑣𝐷𝑆 = 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 la profundidad del canal en el extremo del drenaje
disminuye a casi cero, y se dice que el canal esta estrangulado. Aumentar 𝑣𝐷𝑆 a más de
este valor tiene poco efecto en la forma del canal, y la corriente que pasa por el canal
permanece constante al valor alcanzado para 𝑣𝐷𝑆 = 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 . La corriente de drenaje
entonces se satura a este valor, y el MOSFET se dice que ha entrado en la región de
saturación de operación. El voltaje 𝑣𝐷𝑆 al que ocurre la saturación se denota como 𝑣𝐷𝑆𝑎𝑡,

𝑣𝐷𝑆𝑎𝑡 = 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡

Obviamente, para cada valor de 𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡 , hay n correspondiente valor 𝑣𝐷𝑆𝑎𝑡 . El dispositivo
opera en la región de saturación si 𝑣𝐷𝑆 ≥ 𝑣𝐷𝑆𝑎𝑡 .La región de la curva característica 𝑖𝐷 −𝑣𝐷𝑆
obtenida para 𝑣𝐷𝑆 << 𝑣𝐷𝑆𝑎𝑡 se le denomina región del tríodo.

FIGURA 8
III.-METODOLOGÍA.

Materiales.

Componentes:
 Un circuito integrado modelo CD4007
 Un capacitor de 0.1 µF (>25 V)
 Un potenciómetro de 10 kΩ
 Un potenciómetro de 100 Ω
 Cables

Equipo:
 Una fuente de alimentación marca MASTECH
 Un multímetro marca Tektronix
 Un protoboard
 Dos puntas para fuente de alimentación
 Unas puntas para el multímetro

1.- Se construyó el circuito de la figura 9 en el protoboard como se muestra en la figura 10.

Se observa que el transistor siempre está en saturación (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 𝑜 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ).

FIGURA 9
FIGURA 10
2.- Para encontrar el voltaje de umbral 𝑉𝑡 se fue variando el voltaje 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 hasta que
empezó a circular una corriente 𝐼𝐷 y en el momento que el amperímetro nos dio una lectura
de una corriente, nos fijamos en la lectura del voltaje de la fuente de alimentación la cual
nos dio un voltaje de 1 V el cual es conocido como voltaje de umbral 𝑉𝑡 en la figura 11 se
muestran las mediciones de la corriente y del voltaje de umbral:

FIGURA 10

FIGURA 11

𝑰𝑫𝒎𝒊𝒏𝒊𝒎𝒂 = 0.2 𝜇𝐴 𝑽𝒕 = 1 𝑉

3.- Se fue variando el voltaje de la fuente de alimentación (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 ) de acuerdo a los
voltajes indicados en la tabla 1 y registramos la corriente de drenaje 𝐼𝐷 . Enseguida se realizó
la gráfica de 𝐼𝐷𝑆 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆

Tabla 1
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑫𝑺 (𝑽) 𝑰𝑫 (𝒎𝑨) IDS vs VGS
2 0.270 0.0090
2.4 0.730 0.0080
2.8 1.230 0.0070
3 1.500 0.0060
3.2 1.830 0.0050
ID(A)

3.6 2.440 0.0040

4 3.230 0.0030
4.2 3.750 0.0020
4.6 4.560 0.0010
5 5.370 0.0000
5.2 5.850 0 1 2 3 4 5 6 7
5.6 6.770 VGS(V)
6 7.850
GRÀFICA 1

4.- Realizar una aproximación de la forma ( 𝑎𝑥 2 − 𝑏𝑥 + 𝑐 ) para determinar el voltaje de

umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”, tener en cuenta que la relación de
saturación es 𝐼 𝐷 = 0.5 ∗ 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 .

4.1.- En Excel realizamos una aproximación a la curva de la gráfica 1 mediante una línea
de tendencia de forma polinómica de grado 2 mostramos la ecuación de la línea de
tendencia como se muestra en la gráfica 2.
 IDS vs VGS
0.0090
0.0080
y = 0.0003x2 - 0.0005x + 0.0003
0.0070
0.0060
0.0050
ID(A)

0.0040
0.0030
0.0020
0.0010
0.0000
-4 -2 0 2 4 6 8
VGS(V)

GRAFICA 2

Para sacar el valor del voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”

tenemos la siguiente ecuación ya que siempre estamos en la región de saturación:

1
𝐼𝐷= 𝑘 (𝑉 − 𝑉𝑡 )2 … … . (1)
2 𝑛 𝐺𝑆

Poniendo de la forma 𝑦 = 𝑎𝑥 2 − 𝑏𝑥 + 𝑐 tenemos:

1
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 2 − 2𝑉𝐺𝑆 (𝑉𝑡 ) + 𝑉𝑡 2 )
2
2
1 1
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 2 ) − 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 )(𝑉𝑡 ) + 𝑘𝑛 𝑉𝑡
2 2
1 1 2
Donde 𝑦 = 𝐼𝐷 , 𝑥 = 𝑉𝐺𝑆 , 𝑎 = 2 𝑘𝑛 , 𝑏 = 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) y 𝑐 = 2 𝑘𝑛 𝑉𝑡 ,

Para nuestro caso tenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 0.0003𝑥 2 − 0.0005𝑥 + 0.0003

Para 𝑘𝑛 tenemos:

1
𝑘 = 0.0003
2 𝑛

𝑘𝑛 = (2)(0.0003) = 600 𝜇𝐴⁄𝑉 2

Para 𝑉𝑡 tenemos:
2
1
𝑘 𝑉 = 0.0003
2 𝑛 𝑡
 2(0.0003 𝐴)
𝑉𝑡 = √
𝑘𝑛

Pero 𝑘𝑛 = 600 𝜇𝐴⁄𝑉 2 sustituyendo tenemos:

2(0.0003 𝐴)
𝑉𝑡 = √ =1𝑉
600 𝜇𝐴⁄𝑉 2

5.-También graficar la raíz cuadrada de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 , para encontrar el voltaje de umbral 𝑉𝑡 y

el parámetro de transconductancia "𝑘𝑛 ”.

5.1.- En la tabla 2 se muestra la √𝐼𝐷 de los datos de la tabla 1 y en la gráfica 3 se encuentran

graficados √𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 .
Tabla 2
𝑉𝐺𝑆 √𝐼𝐷 √ID vs VGS
2 0.016 0.1
2.4 0.027 0.08
2.8 0.035 y = 0.0176x - 0.0148
0.06
3 0.038
3.2 0.042 0.04
√ID

3.6 0.049
0.02
4 0.056
4.2 0.061 0
-2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7
4.6 0.067 -0.02
5 0.073
-0.04
5.2 0.076 VGS
5.6 0.082
6 0.088 GRAFICA 3

Para sacar el valor del voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”

sacamos la raíz cuadrada de la ecuación 1:

1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 √(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2
2

1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
2

1 1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 ) − √ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) … … (2)
2 2
 1
La ecuación 2 se puede poner de la forma 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 donde 𝑦 = √𝐼𝐷 , 𝑚 = √2 𝑘𝑛 , 𝑥 =
1
𝑉𝐺𝑆 y 𝑏 = −√ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) .
2

Para nuestro caso tenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 0.0176𝑥 − 0.0148

Para 𝑘𝑛 tenemos:
1
√ 𝑘𝑛 = 0.0176
2

𝑘𝑛 = 2(0.0176)2 = 619 𝜇𝐴⁄𝑉 2

Para 𝑉𝑡 tenemos:
1
−√ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) = − 0.0148
2

0.0148 𝐴
𝑉𝑡 =
√1 𝑘𝑛
2

Pero 𝑘𝑛 = 619 𝜇𝐴⁄𝑉 2 sustituyendo tenemos:

0.0148 𝐴
𝑉𝑡 = = 0.84 𝑉
√1 (619 𝜇𝐴⁄𝑉 2 )
2

6.-En la tabla 3 se muestra la comparación de la transconductancia 𝑘𝑛 y el voltaje umbral

𝑉𝑡 encontrados mediante las gráficas de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 y √ 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 .
Tabla 3
Comparación de los Valores 𝑉𝑡 y 𝑘𝑛 obtenidos.
Grafica 𝑉𝑡 (V) 𝐴
𝑘𝑛 (𝑉 2)
𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 1 600 𝜇
√ 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 0.84 619 𝜇

Observaciones: al hacer la comparación de resultados de las gráficas 2 y 3 se ve que los

valores de 𝑉𝑡 y 𝑘𝑛 varían un poco, en el caso del valor de 𝑘𝑛 hay una diferencia de 19 µ y
en el caso de 𝑉𝑡 hay una diferencia de 0.16 V, la conclusión a la que se llega es que al
aumentar la corriente aumenta el valor de 𝑘𝑛 y disminuye el valor de 𝑉𝑡 .

7.- Se construyó el circuito de la figura 12 en el protoboard como se muestra en la figura

13, y se fue variando el voltaje en la compuerta (𝑉𝐺𝑆 ), de acuerdo a lo indicado en la tabla
4 y se registró la correspondiente corriente de drenaje 𝐼𝐷𝑆 , para cada valor de 𝑉𝐷𝑆 .
Enseguida realizo la grafica 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 para cada uno de las tablas.
 Tabla 4
Tabla 4.1 Tabla 4.2 Tabla 4.3 Tabla 4.4 Tabla 4.5
𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉
𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
0.1 0.490 0.1 0.680 0.2 1.180 0.2 1.350 0.2 1.290
0.2 0.570 0.3 1.180 0.4 1.870 0.4 2.270 0.5 3.160
0.3 0.730 0.5 1.540 0.6 2.390 0.8 3.630 1 5.190
0.4 0.940 0.7 2.110 0.8 3.180 1.2 4.730 2 9.700
0.5 1.160 1 2.560 1 3.600 1.6 5.950 3 11.80
1 1.480 1.2 2.780 1.2 4.020 2 6.820 4 13.01
1.5 1.560 1.5 3.020 1.6 4.640 2.4 7.370 5 13.40
2 1.590 2 3.180 2 5.160 2.8 7.660 5.5 13.48
2.5 1.610 2.5 3.230 2.2 5.300 3.2 7.850 6 13.52
3 1.620 3 3.260 2.5 5.420 3.6 7.930 6.5 13.55
4 1.640 3.5 3.280 3 5.510 4 7.990 7 13.57
4 3.290 3.5 5.570 5 8.070 7.5 13.57
4 5.600 6 8.120 8 13.58
5 5.650 7 8.140 9 13.59
8 8.160 10 13.58

FIGURA 12 FIGURA 13

IDS VS VDS IDS vs VDS

0.0018 0.0035
0.0016 0.0030
0.0014
0.0025
0.0012
0.0020
IDS(A)

IDS(A)

0.0010
0.0008 0.0015
0.0006
0.0010
0.0004
0.0002 0.0005
0.0000 0.0000
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
VDS(V) VDS(V)

GRÀFICA PARA LA TABLA 4.1 GRÀFICA PARA LA TABLA 4.2

 IDS vs VDS IDS vs VDS
0.0060 0.0090
0.0080
0.0050
0.0070
0.0040 0.0060
VDS(A)

IDS(A)
0.0050
0.0030
0.0040
0.0020 0.0030
0.0020
0.0010
0.0010
0.0000 0.0000
0 1 2 3 4 5 6 0 2 4 6 8 10
VDS(V) VDS(V)

GRÀFICA PARA LA TABLA 4.3 GRÀFICA PARA LA TABLA 4.4

IDS vs VDS
0.0160
0.0140
0.0120
0.0100
IDS(A)

0.0080
0.0060
0.0040
0.0020
0.0000
0 2 4 6 8 10 12
VDS(V)

GRÀFICA PARA LA TABLA 4.5

8.-Cuando el voltaje 𝑉𝐷𝑆 << 𝑉𝑂𝑉 el transistor actúa como resistor controlado por voltaje.
Determinar el valor de sobrevoltaje (𝑉𝑂𝑉 ) y el voltaje partir del cual deja de actuar como
resistencia.

Como ya calculamos anteriormente:

𝑉𝑡 = 1 𝑉

Ahora calculamos el valor del sobre-voltaje 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 :

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 3 𝑉 − 1 𝑉 = 2 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 4 𝑉 − 1 𝑉 = 3 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 5 𝑉 − 1 𝑉 = 4 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 6 𝑉 − 1 𝑉 = 5 𝑉

 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 8 𝑉 − 1 𝑉 = 7 𝑉

Para cada caso de 𝑉𝐺𝑆 encontramos el valor de 𝑉𝐷𝑆 a partir del cual el MOSFET deja de
comportarse como resistencia controlada por voltaje (ver gráfica 4.1, 4.2,4.3, 4.4 y 4.5
respectivamente), para esto se debe de cumplir que 𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 , por tanto:

Para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟑 𝑽 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 0.4 𝑉 ≪ 2 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 0.4 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟒 𝑽 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 0.5 𝑉 ≪ 3 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 0.5 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟓 𝑽 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 0.6 𝑉 ≪ 4 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 0.6 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟔 𝑽 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 1.6 𝑉 ≪ 5 𝑉

Por lo tanto a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 1.6 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑽𝑮𝑺 = 𝟖 𝑽 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 2 𝑉 ≪ 7 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

9.- A partir de la gráfica determinar el valor de la resistencia 𝑟𝐷𝑆 (𝑣𝐷𝑆 / 𝐼𝐷𝑆 ) para cada caso.
Ahora encontramos el valor de 𝑟𝐷𝑆 , para ello graficamos en Excel el voltaje 𝑉𝐷𝑆 𝑣𝑠 𝐼𝐷 para
cada valor de 𝑉𝐺𝑆 , solo graficamos los datos en la región de tríodo donde 𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 , ya
que es donde se puede calcular 𝑟𝐷𝑆 , en seguida agregamos una línea de tendencia donde
su pendiente es el valor de 𝑟𝐷𝑆 .

VDS vs IDS VDS vs IDS

0.5 0.6
0.5
0.4
0.4 y = 461.04x - 0.2225
VDS(V)

0.3
VDS(V)

y = 638.34x - 0.1857 0.3

0.2 0.2
0.1 0.1
0
0
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002
0.0000 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.0010
IDS(A)
IDS(A)

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉, 𝑟𝐷𝑆 = 461.04 Ω

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉, 𝑟𝐷𝑆 = 638.34 Ω
 VDS vs IDS VDS vs IDS
0.7 2
0.6
0.5 y = 328.42x - 0.1955 1.5 y = 309.36x - 0.2694
VDS(V)

0.4

VDS
1
0.3
0.2 0.5
0.1
0 0
0.0000 0.0005 0.0010 0.0015 0.0020 0.0025 0.0030 0.0000 0.0010 0.0020 0.0030 0.0040 0.0050 0.0060 0.0070
IDS(A) IDS(A)

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉, 𝑟𝐷𝑆 = 328.42 Ω 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉, 𝑟𝐷𝑆 = 309.36 Ω

VDS vs IDS
2.5

2
y = 218x - 0.129
1.5
VDS(V)

0.5

0
0.0000 0.0020 0.0040 0.0060 0.0080 0.0100 0.0120
IDS(A)

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉, 𝑟𝐷𝑆 = 218 Ω

También calcular el valor de la resistencia 𝑟𝐷𝑆 utilizando el valor de 𝑉𝑡 y de 𝑘’𝑛 (𝑊/𝐿).

Realizar la grafica de los valores medidos y los calculados y comparar.

Ahora calculamos los valores de 𝑟𝐷𝑆 usando los valores de 𝑘𝑛 y 𝑉𝑡 mediante la ecuación
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 .
𝐴
Sustituyendo 𝑘𝑛 = 600 𝜇 𝑉2
y 𝑉𝑡 = 1 𝑉 para cada uno de los valores de 𝑉𝐺𝑆 tenemos:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (3 𝑉 − 1𝑉)] = 833.33 Ω
𝑉2
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (4𝑉 − 1𝑉)] = 555.55 Ω
𝑉2
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
−1
−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )] = [600 𝜇 2 (5𝑉 − 1𝑉)] = 416.66 Ω
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (6𝑉 − 1𝑉)] = 333.33 Ω
𝑉2

Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:

−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (8𝑉 − 1𝑉)] = 238.09 Ω
𝑉2

10.- Cuando el voltaje 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝑂𝑉 el transistor trabaja en saturación. A partir de la grafica
determinar la resistencia de 𝑟0 (el inverso de la pendiente de las gráficas). Encontrar el
valor de λ y el voltaje de Early 𝑉𝐴 . Si los valores son ligeramente diferentes, utilizar el
valor promedio.

10.1.- Para encontrar el valor de la resistencia 𝑟0 graficamos los valores de la tabla 4, pero
solo usamos los valores a partir de donde el MOSFET está en la zona de saturación
(grafica 4), y les agregamos una línea de tendencia con la cual podemos determinar el
valor de la resistencia 𝑟0 (inverso de la pendiente de las gráficas).

Ya que la ecuación de las rectas es de la forma 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 entonces para sacar la

resistencia 𝑟0 tenemos la siguiente formula:

𝑟0 = 1/𝑚
𝐴
Donde m tiene unidades de siemens o mejor dicho de .
𝑉

0.01600
VGS=3 V
0.01400
VGS=4
0.01200 y = 5E-06x + 0.0135 VGS=5 V
VGS=6V
0.01000
VGS=8V
IDS(A)

0.00800 y = 3E-05x + 0.0079 SATURACION 3

SATURACION 4
0.00600 y = 5E-05x + 0.0054
SATURACION 5
0.00400 SATURACION 6
y = 3E-05x + 0.0032 SATURACION 8
0.00200
y = 2E-05x + 0.0015 Lineal (SATURACION 3)
0.00000 Lineal (SATURACION 4)
0 2 4 6 8 10 12
Lineal (SATURACION 4)
VGS(V)

GRÀFICA 9

Por lo tanto, los valores de la resistencia 𝑟0 son los siguientes:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:
1 𝑉 −1
𝑟0 = = (2𝑥10−5 ) = 50 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
1 𝑉 −1
𝑟0 = = (3𝑥10−5 ) = 33.33 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
1 −5
𝑉 −1
𝑟0 = = (2𝑥10 ) = 20 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
1 −5
𝑉 −1
𝑟0 = = (3𝑥10 ) = 33.3 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
−1
1 𝑉
𝑟0 = = ((5𝑥10−6 )) = 200 kΩ
𝑚 𝐴

Para encontrar el valor de λ empleamos la siguiente ecuación:

1
𝑟0 =
1 2
2 𝜆(𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
Despejando a 𝜆 tenemos:
2
𝜆=
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2

Y sustituyendo los valores de 𝑟0 para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 obtenemos los siguientes valores
de λ:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

2 2
𝜆= = = 0.01666 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
50 kΩ(600 𝜇 2 )(3 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:

2 2
𝜆= = = 0.01111 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
33.33 kΩ(600 𝜇 2 )(4 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:

2 2
𝝀= = = 0.01041 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 20 kΩ (600 𝜇 𝐴 ) (5 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉2
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
2 2
𝜆= = = 0.00400 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
33.3 kΩ(600 𝜇 2 )(6 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
 2 2
𝜆= = = 0.00034 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
200 kΩ(600 𝜇 2 )(8 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
10.2.-Para encontrar el valor del voltaje de Early se ocupa la siguiente formula:
1
𝑉𝐴 =
𝜆
Y sustituyendo los valores de λ para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 obtenemos los siguientes valores
de λ:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

1 1
𝑉𝐴 = = = 60 𝑉
𝜆 0.01666 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 90 𝑉
𝜆 0.01111 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 96 𝑉
𝜆 0.01041 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 250 𝑉
𝜆 0.00400 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 2941 𝑉
𝜆 0.00034 𝑉 −1
Tomando el valor promedio de VA obtenemos:

𝑉𝐴 = 124 𝑉

IV.-ANÀLISIS TEÒRICO
1.-Análisis teórico del circuito de la figura 9:

Tabla 1
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
2 0.300
2.4 0.588
2.8 0.972
3 1.200
3.2 1.452
3.6 2.082
4 2.700
4.2 3.072
4.6 3.888
5 4.800 FIGURA 9
5.2 5.292
5.6 6.348
6 7.500
Experimentalmente obtuvimos 𝑉𝑡 = 1𝑉 y 𝐾𝑛 = 600 𝜇𝐴/𝑣 2 estos valores los utilizaremos
para hacer los cálculos teóricos del circuito de la figura 9.

Ya que nuestro circuito esta retroalimentado de compuerta a drenaje en este caso nuestro
MOSFET se encuentra en la región de saturación utilizaremos la siguiente relación.
1
𝐼𝐷 = ( )(𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2
2
Sustituyendo para cada 𝑉𝐺𝑆 tenemos:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑉 tenemos:

1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (2 𝑉 − 1 𝑉)2 = 0.300 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 2.4 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (2.4 𝑉 − 1 𝑉)2 = 0.588 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 2.8 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (2.8 𝑉 − 1 𝑉)2 = 0.972 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (3 𝑉 − 1 𝑉)2 = 1.2 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 3.2 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (3.2 𝑉 − 1 𝑉)2 = 1.452 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 3.6 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (3.6 𝑉 − 1 𝑉)2 = 2.028 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (4 𝑉 − 1 𝑉)2 = 2.700 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4.2 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (4.2 𝑉 − 1 𝑉)2 = 3.072 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4.6 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (4.6 𝑉 − 1 𝑉)2 = 3.888 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (5 𝑉 − 1 𝑉)2 = 4.800 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5.2 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (5.2 𝑉 − 1 𝑉)2 = 5.292 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5.6 𝑉 tenemos:
1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (5.6 𝑉 − 1 𝑉)2 = 6.348 𝑚𝐴
2 𝑣
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 tenemos:

1 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = ( ) (600 2 ) (6 𝑉 − 1 𝑉)2 = 7.500 𝑚𝐴
2 𝑣
 4.- Graficar 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 y realizar una aproximación de la forma ( 𝑎𝑥 2 − 𝑏𝑥 + 𝑐 ) para
determinar el voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”, tener en
cuenta que la relación de saturación es 𝐼 𝐷 = 0.5 ∗ 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 .

En Excel realizamos una aproximación a la curva de la gráfica 1 mediante una línea de

tendencia de forma polinómica de grado 2 mostramos la ecuación de la línea de tendencia
como se muestra en la gráfica 2.

Gràfica 1:ID vs VGS ID vs VGS

0.0080 0.0080 y = 0.0003x2 - 0.0006x + 0.0003

0.0070 0.0070
0.0060 0.0060
0.0050 0.0050
ID(A)

0.0040 0.0040

ID(A)
0.0030 0.0030
0.0020 0.0020
0.0010 0.0010
0.0000 0.0000
0 2 4 6 8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
-0.0010
VGS(V) VGS(V)

GRÀFICA 2
Para sacar el valor del voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”
tenemos la siguiente ecuación ya que siempre estamos en la región de saturación:
1
𝐼 𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 … … . (1)
2

Poniendo de la forma 𝑦 = 𝑎𝑥 2 − 𝑏𝑥 + 𝑐 tenemos:

1
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 2 − 2𝑉𝐺𝑆 (𝑉𝑡 ) + 𝑉𝑡 2 )
2
2
1 2 1
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 ) − 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 )(𝑉𝑡 ) + 𝑘𝑛 𝑉𝑡
2 2
1 1 2
Donde 𝑦 = 𝐼𝐷 , 𝑥 = 𝑉𝐺𝑆 (𝑉 )
, 𝑎 = 2 𝑘𝑛 , 𝑏 = 𝑘𝑛 𝑡 y 𝑐 = 2 𝑘𝑛 𝑉𝑡 ,

Para nuestro caso tenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 0.0003𝑥 2 − 0.0006𝑥 + 0.0003

Para 𝑘𝑛 tenemos:
1
𝑘 = 0.0003
2 𝑛

𝑘𝑛 = (2)(0.0003) = 600 𝜇𝐴⁄𝑉 2

Para 𝑉𝑡 tenemos:
2
1
𝑘 𝑉 = 0.0003
2 𝑛 𝑡
 2(0.0003 𝐴)
𝑉𝑡 = √
𝑘𝑛
Pero 𝑘𝑛 = 600 𝜇𝐴⁄𝑉 2 sustituyendo tenemos:

2(0.0003 𝐴)
𝑉𝑡 = √ =1𝑉
600 𝜇𝐴⁄𝑉 2

5.-También graficar la raíz cuadrada de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 , para encontrar el voltaje de umbral 𝑉𝑡 y

el parámetro de transconductancia "𝑘𝑛 ”.

5.1.- En la tabla 2 se muestra la √𝐼𝐷 de los datos de la tabla 1 Y en la gráfica 3 se

encuentran graficados √𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆

Tabla 2
𝑉𝐺𝑆 √𝐼𝐷
2 0.017 RAIZ CUADRADA DE ID vs VGS
2.4 0.024
0.1
2.8 0.031
3 0.034 0.08
y = 0.0173x - 0.0172
3.2 0.038 0.06
ID(A)

3.6 0.045 0.04

4 0.051
0.02
4.2 0.055
4.6 0.062 0
0 1 2 3 4 5 6 7
5 0.069
VGS(V)
5.2 0.072
5.6 0.079
GRAFICA 3
6 0.086

Para sacar el valor del voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”

sacamos la raíz cuadrada de la ecuación 1:

1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 √(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2
2

1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
2

1 1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 ) − √ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) … … (2)
2 2
 1
La ecuación 2 se puede poner de la forma 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 donde 𝑦 = √𝐼𝐷 , 𝑚 = √2 𝑘𝑛 , 𝑥 =
1
𝑉𝐺𝑆 y 𝑏 = −√ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) .
2

Para nuestro caso tenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 0.0173𝑥 − 0.0172

Para 𝑘𝑛 tenemos:
1
√ 𝑘𝑛 = 0.0173
2

𝑘𝑛 = 2(0.0173)2 = 599 𝜇𝐴⁄𝑉 2

Para 𝑉𝑡 tenemos:
1
−√ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) = − 0.0173
2

0.0173 𝐴
𝑉𝑡 =
√1 𝑘𝑛
2

Pero 𝑘𝑛 = 619 𝜇𝐴⁄𝑉 2 sustituyendo tenemos:

0.0173 𝐴
𝑉𝑡 = = 0.99 𝑉
√1 (599 𝜇𝐴⁄𝑉 2 )
2

6.-En la tabla 3 se muestra la comparación de la transconductancia 𝑘𝑛 y el voltaje umbral

𝑉𝑡 encontrados mediante las gráficas de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 y √ 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 .

Tabla 3
Comparación de los Valores 𝑉𝑡 y 𝑘𝑛 obtenidos.
Grafica 𝑽𝒕 (V) 𝑨
𝒌𝒏 (𝑽𝟐)
𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 1 600 𝜇
√ 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 0.99 599 𝜇

Observaciones: al hacer la comparación de resultados de las gráficas 2 y 3 se ve que los

valores de 𝑉𝑡 y 𝑘𝑛 varían un poco, en el caso del valor de 𝑘𝑛 hay una diferencia de 1 µ y en
el caso de 𝑉𝑡 hay una diferencia de 0.01 V, la conclusión a la que se llega es que al aumentar
la corriente aumenta el valor de 𝑘𝑛 y disminuye el valor de 𝑉𝑡 .
 7.-Análisis teórico del circuito de la figura 12.

FIGURA 12

Tabla 4
Tabla 4.1 Tabla 4.2 Tabla 4.3 Tabla 4.4 Tabla 4.5
𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉
𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
0.1 0.120 0.1 0.180 0.2 0.480 0.2 0.600 0.2 0.840
0.2 0.240 0.3 0.540 0.4 0.960 0.4 1.200 0.5 2.100
0.3 0.360 0.5 0.900 0.6 1.440 0.8 2.400 1 4.200
0.4 0.480 0.7 1.260 0.8 1.920 1.2 3.168 2 8.400
0.5 0.600 1 1.500 1 2.400 1.6 4.032 3 12.600
1 0.900 1.2 1.728 1.2 2.448 2 4.800 4 12.000
1.5 1.125 1.5 2.025 1.6 3.072 2.4 5.472 5 13.500
2 1.200 2 2.400 2 3.600 2.8 6.048 5.5 14.025
2.5 1.200 2.5 2.625 2.2 3.828 3.2 6.528 6 14.400
3 1.200 3 2.700 2.5 4.125 3.6 6.912 6.5 14.625
4 1.200 3.5 2.700 3 4.500 4 7.200 7 14.700
4 2.700 3.5 4.725 5 7.500 7.5 14.700
4 4.800 6 7.500 8 14.700
5 4.800 7 7.500 9 14.700
8 7.500 10 14.700

Cálculos de la tabla 4.1.

Para este caso 𝑉𝐺𝑆 = 3𝑉

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.1 𝑉:

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = 3 𝑉 − 1 𝑉 = 2 𝑉

Como 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝑂𝑉 se encuentra en la región de tríodo

1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2
Como 𝑉𝐷𝑆 es muy pequeño se puede despreciar el término cuadrático es decir se comporta
como resistencia así la ecuación es la siguiente:

𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )]
 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = (600 ) (2 𝑉(0.1𝑉)) = 0.120 𝑚𝐴
𝑣2

Para calcular la resistencia 𝑟𝐷𝑆 se va utilizar la ley de ohm así tenemos:

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.1 𝑉/0.120 𝑚𝐴 = 833.33 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.2 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉(0.2𝑉)) = 0.240𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.2 𝑉/0.240 𝑚𝐴 = 833.33 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.3 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉(0.3𝑉)) = 0.360𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.3 𝑉/0.360 𝑚𝐴 = 833.33 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.4 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉(0.4 𝑉)) = 0.480𝑚𝐴
𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.4 𝑉/ 0.480𝑚𝐴 = 833.33 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.5 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉(0.5 𝑉)) = 0.600𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.5 𝑉/ 0.600𝑚𝐴 = 833.33 Ω

A partir de 0.5 V el transistor deja de comportarse como resistencia así ahora ya no se

desprecia el valor cuadrático entonces:
1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉(1𝑉) − (1 𝑉)2 ) = 0.900 𝑚𝐴
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.5 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉(1.5 𝑉) − (1.5 𝑉)2 ) = 1.125𝑚𝐴
2

A partir de 1.5 V 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑂𝑉 así el transistor entra en la región de saturación así la ecuación
que dominara ahora es:
𝐼𝐷 = 0.5𝐾𝑛 (𝑉𝑂𝑉 )2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉)2 = 1.200𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 2.5 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉)2 = 1.200𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 3 𝑉
 𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉)2 = 1.200𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 4 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(2 𝑉)2 = 1.200𝑚𝐴

Teóricamente a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉 el transistor debe tener la misma corriente debido a que
ya se encuentra en saturación.

Cálculos para la tabla 4.2.

Para este caso 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.1 𝑉:

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = 4 𝑉 − 1 𝑉 = 3 𝑉

Como 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝑂𝑉 se encuentra en la región de tríodo:

1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2

Como 𝑉𝐷𝑆 es muy pequeño se puede despreciar el término cuadrático es decir se

comporta como resistencia así la ecuación es la siguiente:

𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )]

𝜇𝐴
𝐼𝐷 = (600 ) (3 𝑉(0.1𝑉)) = 0.180 𝑚𝐴
𝑣2

Para calcular la resistencia 𝑟𝐷𝑆 se va utilizar la ley de ohm así tenemos:

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.1 𝑉/0.180 𝑚𝐴 = 555.55 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.3 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3𝑉(0.3𝑉)) = 0.540𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.3 𝑉/0.540 𝑚𝐴 = 555.55 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.5𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(0.5𝑉)) = 0.900𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.5 𝑉/0.900 𝑚𝐴 = 555.55 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.7𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(0.7𝑉)) = 1.260𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.7 𝑉/1.260 𝑚𝐴 = 555.55Ω

A partir de 0.7 V el transistor deja de comportarse como resistencia así ahora ya no se

desprecia el valor cuadrático entonces:
 1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(1𝑉) − 2 (1𝑉)2 ) = 1.500 𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(1.2𝑉) − (1.2𝑉)2 ) = 1.728𝑚𝐴
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.5 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(1.5𝑉) − 2 (1.5𝑉)2 ) = 2.025 𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(2 𝑉) − 2 (2𝑉)2 ) = 2.400𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 2.5 𝑉

1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3 𝑉(2.5 𝑉) − 2 (2.5𝑉)2 ) = 2.625𝑚𝐴

A partir de 3 V 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑂𝑉 así el transistor entra en la región de saturación así la ecuación
que dominara ahora es:

𝐼𝐷 = 0.5𝐾𝑛 (𝑉𝑂𝑉 )2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 3 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(3𝑉)2 = 2.700𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 3.5 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(3𝑉)2 = 2.700𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 4 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(3𝑉)2 = 2.700𝑚𝐴

Cálculos para tabla 4.3:

Para este caso 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.2 𝑉:

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = 5 𝑉 − 1 𝑉 = 4 𝑉

Como 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝑂𝑉 se encuentra en la región de tríodo:

1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2

Como 𝑉𝐷𝑆 es muy pequeño se puede despreciar el término cuadrático es decir se

comporta como resistencia así la ecuación es la siguiente:

𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )]
 𝜇𝐴
𝐼𝐷 = (600 ) (4𝑉(0.2𝑉)) = 0.480 𝑚𝐴
𝑣2
Para calcular la resistencia 𝑟𝐷𝑆 se va utilizar la ley de ohm así tenemos:

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.2 𝑉/0.480 𝑚𝐴 = 416.66 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.4 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(0.4𝑉)) = 0.960𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.4 𝑉/0.960 𝑚𝐴 = 416.66 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.6 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(0.6𝑉)) = 1.440𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.6 𝑉/1.440 𝑚𝐴 = 416.66 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.8 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(0.8 𝑉)) = 1.920𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.8 𝑉/1.920 𝑚𝐴 = 416.66 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 1 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(1 𝑉)) = 2.400𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 1 𝑉/2.400 𝑚𝐴 = 416.66 Ω

A partir de 1 V el transistor deja de comportarse como resistencia así ahora ya no se

desprecia el valor cuadrático

1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(1.2𝑉) − (1.2𝑉)2 ) = 2.448 𝑚𝐴
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.6 𝑉

1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(1.6𝑉) − (1.6𝑉)2 ) = 3.072𝑚𝐴
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉

1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(2𝑉) − (2𝑉)2 ) = 3.600 𝑚𝐴
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 .2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(4𝑉 (2.2𝑉) − 2 (2.2𝑉)2 ) = 3.828 𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 .5 𝑉
 1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(2.5 𝑉) − 2 (2.5𝑉)2 ) = 4.125𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 3 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(3 𝑉) − (3𝑉)2 ) = 4.500𝑚𝐴
2

Para 𝑉𝐷𝑆 = 3.5 𝑉

1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4 𝑉(3.5 𝑉) − (3.5𝑉)2 ) = 4.725𝑚𝐴
2

A partir de 4 V𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑂𝑉 así el transistor entra en la región de saturación así la ecuación
que dominara ahora es:

𝐼𝐷 = 0.5𝐾𝑛 (𝑉𝑂𝑉 )2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 4 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(4𝑉)2 = 4.800𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 5 𝑉

𝐼𝐷 = 0.5(600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(4𝑉)2 = 4.800𝑚𝐴

Cálculos para la tabla 4.4:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = 6 𝑉 − 1 𝑉 = 5 𝑉

Como 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝑂𝑉 se encuentra en la región de tríodo:

1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2

Como 𝑉𝐷𝑆 es muy pequeño se puede despreciar el término cuadrático es decir se

comporta como resistencia así la ecuación es la siguiente:

𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )]
Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.2 𝑉:

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(5 𝑉(0.2𝑉)) = 0.600𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.2 𝑉/0.600 𝑚𝐴 = 333.33 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.4 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(5 𝑉(0.4𝑉)) = 1.200𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.4 𝑉/1.200 𝑚𝐴 = 333.33 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.8 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉(0.8𝑉)) = 2.400𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.8 𝑉/2.400 𝑚𝐴 = 333.33 Ω
A partir de 0.8 V el transistor deja de comportarse como resistencia así ahora ya no se
desprecia el valor cuadrático entonces:
1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5 𝑉(1.2𝑉) − 2 (1.2𝑉)2 ) = 3.168𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 1.6 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5 𝑉(1.6𝑉) − (1.6𝑉)2 ) = 4.032𝑚𝐴
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5 𝑉(2𝑉) − 2 (2𝑉)2 ) = 4.800𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 .4 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉(2.4𝑉) − 2 (2.4𝑉)2 ) = 5.472𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 2.8 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉(2.8𝑉) − 2 (2.8𝑉)2 ) = 6.048𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 3.2 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉(3.2𝑉) − 2 (3.2𝑉)2 ) = 6.528𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 3.6 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉(3.6𝑉) − 2 (3.6𝑉)2 ) = 6.912𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 4 𝑉
600𝜇𝐴 1
𝐼𝐷 = ( 𝑣 2 ) (5𝑉(4𝑉) − 2 (4𝑉)2 ) = 7.2 𝑚𝐴

A partir de 4 V 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑜𝑣 así el transistor entra en la región de saturación así la ecuación
que dominara ahora es:

𝐼𝐷 = 0.5𝐾𝑛 (𝑉𝑂𝑉 )2

Para 𝑉𝐷𝑆 = 5 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉)2 = 7.5𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 6 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉)2 = 7.5𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 7 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉)2 = 7.5 𝑚𝐴

Para 𝑉𝐷𝑆 = 8 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(5𝑉)2 = 7.5𝑚𝐴

Cálculos para la tabla 4.5:

Para este caso 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.2 𝑉:

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = 8 𝑉 − 1 𝑉 = 7 𝑉
Como 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝑂𝑉 se encuentra en la región de tríodo:
1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )] − 𝑉𝐷𝑆 2 )
2

Como 𝑉𝐷𝑆 es muy pequeño se puede despreciar el término cuadrático es decir se

comporta como resistencia así la ecuación es la siguiente:

𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 ([𝑉𝑂𝑉 (𝑉𝐷𝑆 )]

𝜇𝐴
𝐼𝐷 = (600 ) (7(0.2𝑉)) = 0.840 𝑚𝐴
𝑣2

Para calcular la resistencia 𝑟𝐷𝑆 se va utilizar la ley de ohm así tenemos:

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.2 𝑉/0.840 𝑚𝐴 = 238.09 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 0.5 𝑉

𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(0.5𝑉)) = 2.100𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 0.5 𝑉/2.100 𝑚𝐴 = 238.09 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 1 𝑉
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(1𝑉)) = 4.200𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 1𝑉/4.200 𝑚𝐴 = 238.09 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(2 𝑉)) = 8.400𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 2 𝑉/8.400 𝑚𝐴 = 238.09 Ω

Para 𝑉𝐷𝑆 = 3 𝑉
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(3 𝑉)) = 12.600𝑚𝐴

𝑟𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 /𝐼𝐷 = 3 𝑉/12.600 𝑚𝐴 = 238.09 Ω

A partir de 3 V el transistor deja de comportarse como resistencia así ahora ya no se

desprecia el valor cuadrático entonces:
1
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛(𝑉𝑜𝑣(𝑉𝐷𝑆) − 𝑉𝐷𝑆 2
2
Para 𝑉𝐷𝑆 = 4 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(4𝑉) − 2 (4𝑉)2 ) = 12.000 𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 5 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(5𝑉) − 2 (5𝑉)2 ) = 13.500 𝑚𝐴
 Para 𝑉𝐷𝑆 = 5.5 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(5.5𝑉) − 2 (5.5𝑉)2 ) = 14.025 𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 6 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(6 𝑉) − 2 (6𝑉)2 ) = 14.400𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 6.5 𝑉
1
𝐼𝐷 = (600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉(6.5 𝑉) − 2 (6.5𝑉)2 ) = 14.625𝑚𝐴

A partir de 7 V 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑜𝑣 así el transistor entra en la región de saturación así la ecuación
que dominara ahora es:
𝐼𝐷 = 0.5𝐾𝑛 (𝑉𝑂𝑉 )2
Para𝑉𝐷𝑆 = 7 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉)2 = 14.700𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 7.5 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉)2 = 14.700𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 8 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉)2 = 14.700𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 9 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600 𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉)2 = 14.700𝑚𝐴
Para 𝑉𝐷𝑆 = 10 𝑉
𝐼𝐷 = 0.5(600𝜇𝐴/𝑣 2 )(7𝑉)2 = 14.700𝑚𝐴

A continuación, se realizaron en Excel las graficas 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 de cada una de las tablas de
la tabla 4.

ID vs VDS ID vs VDS
1.50E-03 0.0030
0.0025
1.00E-03 0.0020
ID(A)
ID(A)

0.0015
5.00E-04 0.0010
0.0005
0.00E+00 0.0000
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
VDS(V) VDS(V)

GRÁFICA DE LA TABLA 4.1 GRÁFICA DE LA TABLA 4.2

ID vs VDS ID vs VDS
0.0060 0.0080
0.0060
0.0040
ID(A)
ID(A)

0.0040
0.0020 0.0020
0.0000
0.0000
0 2 4 6 8 10
0 1 2 3 4 5 6
VDS(V)
VDS(V)
GRÁFICA DE LA TABLA 4.3 GRÁFICA DE LA TABLA 4.4
 ID vs VDS
0.0160
0.0140
0.0120
0.0100

ID(A)
0.0080
0.0060
0.0040
0.0020
0.0000
0 2 4 6 8 10 12
VDS(V)

GRÁFICA DE LA TABLA 4.5

7.- Cuando el voltaje 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝑂𝑉 el transistor trabaja en saturación. Encontrar el valor de λ
y el voltaje de Early VA. Si los valores son ligeramente diferentes, utilizar el valor
promedio.

1.60E-02

VGS=3 v
1.40E-02
y = 2E-17x + 0.0147
VGS=4 V
1.20E-02
VGS=5 V
1.00E-02
VGS=6 V
ID(A)

8.00E-03
VGS=8 V
y = -6E-18x + 0.0075
6.00E-03
ZONA DE SATURACION 3
y = 0.0048
4.00E-03
ZONA DE SATURACION 4
y = 0.0027
2.00E-03
ZONA DE SATURACION 5
y = 8E-19x + 0.0012
0.00E+00 ZONA DE SATURACION 6
0 2 4 6 8 10 12
VDS(V)

Ya que la ecuación de las rectas es de la forma 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 entonces para sacar la

resistencia 𝑟0 tenemos la siguiente formula:

𝑟0 = 1/𝑚
 𝐴
Donde m tiene unidades de siemens o mejor dicho de 𝑉 .

Por lo tanto, los valores de la resistencia 𝑟0 son los siguientes:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

1 𝑉 −1
𝑟0 = = (8𝑥10−19 ) = 1.25X1018 Ω
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
1 𝑉 −1
𝑟0 = = (0.0027 ) = 370.37 Ω
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
1 𝑉 −1
𝑟0 = = (0.0048 ) = 208.33 Ω
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
1 𝑉 −1
𝑟0 = = (6𝑥10−18 ) = 1.66X1017 Ω
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
−1
1 𝑉
𝑟0 = = ((2𝑥10−17 )) = 5X1016 Ω
𝑚 𝐴

Para encontrar el valor de λ empleamos la siguiente ecuación:

1
𝑟0 =
1
𝜆(𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2
2
Despejando a 𝜆 tenemos:
2
𝜆=
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2

Y sustituyendo los valores de 𝑟0 para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 obtenemos los siguientes valores
de λ:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

2 2
𝜆= = = 0.00066𝑋10−12 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴
1.25X1018 Ω(600 𝜇 2 )(3 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:

2 2
𝜆= = = 1 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
370.37 Ω(600 𝜇 2 )(4 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:

2 2
𝝀= = = 1 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴
208.33 Ω (600 𝜇 2 ) (5 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
 2 2
𝜆= = = 0.8032X10−15 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 1.66X1017 Ω(600 𝜇 𝐴 )(6 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉2
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
2 2
𝜆= = = 0.00001360 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ) 2 16 𝐴
5X10 Ω(600 𝜇 𝑉 2 )(8 𝑉 − 1𝑉)2

10.2.-Para encontrar el valor del voltaje de Early se ocupa la siguiente formula:

1
𝑉𝐴 =
𝜆
Y sustituyendo los valores de λ para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 obtenemos los siguientes valores
de λ:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

1 1 15
𝑉𝐴 = = = 1.51𝑋10 𝑉
𝜆 0.00066𝑋10−12 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = =1𝑉
𝜆 1 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 1𝑉
𝜆 1 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
1 1 15
𝑉𝐴 = = = 1.24𝑋10 𝑉
𝜆 0.8032X10−15 𝑉 −1

Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:

1 1
𝑉𝐴 = = = 73.5 𝑥 103 𝑉
𝜆 0.00001360 𝑉 −1
Tomando el valor promedio de VA obtenemos:

𝑉𝐴 = 1 𝑉
V) SIMULACIÒN
Para la simulación del circuito abordado en esta práctica se utilizó el programa Multisim
12.0.

1.- Construir el circuito de la figura 1. Observe que el transistor está siempre en saturación
(𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 𝑜 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ).

Figura 1
2.- Encontrar el voltaje de umbral 𝑉𝑡 , variando el Voltaje 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 (para tener el valor más
exacto, considerar 𝐼𝐷 = 0.1 𝑚𝐴 como la corriente más baja).

3.- Variar el voltaje de la fuente de alimentación (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 ) de acuerdo a los voltajes
indicados en la tabla 1 y registrar la corriente de Drenaje.

En la tabla 1 mostramos los resultados obtenidos en la simulación del circuito de la figura 1

variando (𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 ).
Tabla 1
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
2 0.252
2.4 0.496
2.8 0.822
3 1.015
3.2 1.229
3.6 1.721
4 2.295
4.2 2.613
4.6 3.315
5 4.101
5.2 4.523
5.6 5.437
6 6.437
A continuación, se ilustran las mediciones de 𝐼𝐷 con cada uno de los 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 .
4.- Graficar 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 y realizar una aproximación de la forma ( 𝑎𝑥 2 − 𝑏𝑥 + 𝑐 ) para
determinar el voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”, tener en cuenta
que la relación de saturación es 𝐼 𝐷 = 0.5 ∗ 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 .
4.1.- graficamos los valores de la tabla 1 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 en excel como se muestra en la gráfica
1.

ID vs VGS
0.00700

0.00600

0.00500

0.00400
ID(A)

0.00300

0.00200

0.00100

0.00000
0 1 2 3 4 5 6 7
VGS (V)

Gráfica 1

4.2.- En Excel realizamos una aproximación a la curva de la gráfica 1 mediante una línea
de tendencia de forma polinómica de grado 2 mostramos la ecuación de la línea de
tendencia y su intersección con el eje VDS como se muestra en la gráfica 2.

ID vs VGS
0.00800
0.00700 y = 0.0003x2 - 0.0006x + 0.0003

0.00600
0.00500
ID (A)

0.00400
0.00300
0.00200
0.00100
0.00000
-6 -4 -2 0 2 4 6 8
VGS (V)

Gráfica 2

Para sacar el valor del voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”

tenemos la siguiente ecuación ya que siempre estamos en la región de saturación:
1
𝐼 𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 … … . (1)
2

Poniendo de la forma 𝑦 = 𝑎𝑥 2 − 𝑏𝑥 + 𝑐 tenemos:

 1
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 2 − 2𝑉𝐺𝑆 (𝑉𝑡 ) + 𝑉𝑡 2 )
2
2
1 2 1
(𝑉 )(𝑉 )
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 ) − 𝑘𝑛 𝐺𝑆 𝑡 + 𝑘𝑛 𝑉𝑡
2 2
1 1 2
Donde 𝑦 = 𝐼𝐷 , 𝑥 = 𝑉𝐺𝑆 , 𝑎 = 2 𝑘𝑛 , 𝑏 = 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) y 𝑐 = 2 𝑘𝑛 𝑉𝑡 ,

Para nuestro caso tenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 0.0003𝑥 2 − 0.0006𝑥 + 0.0003

Para 𝑘𝑛 tenemos:
1
𝑘 = 0.0003
2 𝑛

𝑘𝑛 = (2)(0.0003) = 600 𝜇𝐴⁄𝑉 2

Para 𝑉𝑡 tenemos:
2
1
𝑘𝑛 𝑉𝑡 = 0.0003
2

2(0.0003 𝐴)
𝑉𝑡 = √
𝑘𝑛
Pero 𝑘𝑛 = 600 𝜇𝐴⁄𝑉 2 sustituyendo tenemos:

2(0.0003 𝐴)
𝑉𝑡 = √ =1𝑉
600 𝜇𝐴⁄𝑉 2

5.-También graficar la raíz cuadrada de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 , para encontrar el voltaje de umbral 𝑉𝑡

y el parámetro de transconductancia "𝑘𝑛 ”.

5.1.- En la tabla 2 se muestra la raíz cuadrada de los datos de la tabla 1 Y en la gráfica 3

se encuentran graficados los datos mencionados.
Tabla 2
𝑉𝐺𝑆 √𝐼𝐷 RAIZ CUADRADA DE ID vs VGS
2 0.015
0.1000
2.4 0.022
2.8 0.028 0.0800
y = 0.0161x - 0.0164
3 0.031 0.0600
RAIZ DE ID

3.2 0.035 0.0400

3.6 0.041 0.0200
4 0.047
0.0000
4.2 0.051 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7
-0.0200
4.6 0.057
5 0.064 -0.0400
VGS (V)
5.2 0.067
5.6 0.073 GRÁFICA 3
6 0.080
Para sacar el valor del voltaje de umbral 𝑉𝑡 y el parámetro de transconductancia “𝑘𝑛 ”
sacamos la raíz cuadrada de la ecuación 1:

1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 √(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2
2

1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
2

1 1
√𝐼𝐷 = √ 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 ) − √ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) … … (2)
2 2
1
La ecuación 2 se puede poner de la forma 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 donde 𝑦 = √𝐼𝐷 , 𝑚 = √2 𝑘𝑛 , 𝑥 =
1
𝑉𝐺𝑆 y 𝑏 = −√2 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) .

Para nuestro caso tenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 0.0161𝑥 − 0.0164

Para 𝑘𝑛 tenemos:
1
√ 𝑘𝑛 = 0.0161
2

𝑘𝑛 = 2(0.016)2 = 519 𝜇𝐴⁄𝑉 2

Para 𝑉𝑡 tenemos:
1
−√ 𝑘𝑛 (𝑉𝑡 ) = − 0.0164
2

0.0164 𝐴
𝑉𝑡 =
√1 𝑘𝑛
2

Pero 𝑘𝑛 = 519 𝜇𝐴⁄𝑉 2 sustituyendo tenemos:

0.0164 𝐴
𝑉𝑡 = = 1.01𝑉
√1 (519 𝜇𝐴⁄𝑉 2 )
2

6.-En la tabla 3 se muestra la comparación de la transconductancia 𝑘𝑛 y el voltaje umbral

𝑉𝑡 encontrados mediante las gráficas de 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 y √ 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 .
 Tabla 3
Comparación de los Valores 𝑉𝑡 y 𝑘𝑛 obtenidos.
Grafica 𝑉𝑡 (V) 𝐴
𝑘𝑛 (𝑉 2)
𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 1 600 𝜇
𝐼
√ 𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆
1.01 519 𝜇

Observaciones: al hacer la comparación de resultados de las gráficas 2 y 3 se ve que los

valores de 𝑉𝑡 y 𝑘𝑛 varían un poco, en el caso del valor de 𝑘𝑛 hay una diferencia de 81 µ y
en el caso de 𝑉𝑡 hay una diferencia de 0.01 V, la conclusión a la que se llega es que al
aumentar la corriente aumenta el valor de 𝑘𝑛 y disminuye el valor de 𝑉𝑡 .

7.- En el circuito de la figura 2, Variar el voltaje en la compuerta (𝑉𝐺𝑆 ), utilizando un divisor

de voltaje, de acuerdo a lo indicado en la tabla 4 y registrar la correspondiente corriente de
drenaje 𝐼𝐷𝑆 , para cada valor de 𝑉𝐷𝑆 (obtenido por medio de otro divisor de voltaje).

Tabla 4
Tabla 4.1 Tabla 4.2 Tabla 4.3 Tabla 4.4 Tabla 4.5
𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉
𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
0.1 0.098 0.1 0.148 0.2 0.390 0.2 0.491 0.2 0.691
0.2 0.190 0.3 0.428 0.4 0.762 0.4 0.962 0.5 1.692
0.3 0.278 0.5 0.689 0.6 1.113 0.8 1.847 1 3.266
0.4 0.361 0.7 0.931 0.8 1.446 1.2 2.656 2 6.060
0.5 0.439 1 1.256 1 1.759 1.6 3.387 3 8.374
1 0.754 1.2 1.448 1.2 2.052 2 4.040 4 10.000
1.5 0.945 1.5 1.700 1.6 2.580 2.4 4.615 5 12.000
2 1.010 2 2.020 2 3.030 2.8 5.111 5.5 12.000
2.5 1.013 2.5 2.215 2.2 3.225 3.2 5.527 6 12.000
3 1.015 3 2.284 2.5 3.480 3.6 5.865 6.5 13.000
4 1.020 3.5 2.290 3 3.807 4 6.120 7 13.000
4 2.295 3.5 4.006 5 6.406 7.5 13.000
4 4.080 6 6.437 8 13.000
5 4.101 7 6.468 9 13.000
8 6.499 10 13.000

Figura 2

.
7.1.- graficamos los valores de la tabla 4.1 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 en excel como se muestra en la
gráfica 4.

ID vs VDS para VGS=3 V

1.2

0.8
ID(A)

0.6

0.4

0.2

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
VDS(V)

Gráfica 4
A continuación, se muestran las mediciones de la tabla 4.2.
7.2.- graficamos los valores de la tabla 4.2 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 en excel como se muestra en la
gráfica 5.

ID vs VDS con VGS=4 V

0.0025

0.002

0.0015
ID(mA)

0.001

0.0005

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
VDS(V)

Gráfica 5

A continuación, se muestran las mediciones de la tabla 4.3.

7.3.- graficamos los valores de la tabla 4.3 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 en excel como se muestra en la
gráfica 6.

ID vs VDS con VGS=5V

0.0045
0.004
0.0035
0.003
ID(mA)

0.0025
0.002
0.0015
0.001
0.0005
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0
VDs(V)

Gráfica 6

A continuación, se muestran las mediciones de la tabla 4.4.

 7.4.- graficamos los valores de la tabla 4.4 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 en excel como se muestra en la
gráfica 7.

ID vs VDS para VGS=6 V

0.00700

0.00600

0.00500
ID(mA)

0.00400

0.00300

0.00200

0.00100

0.00000
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VDS(V)

Gráfica 7
A continuación, se muestran las mediciones de la tabla 4.5.

U2
- + U2 U2
A 0.691m - + - +
A 1.692m A 3.266m
U1 DC 1e-009Ohm
V2 U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm
0.2V V2 V2
0.5V 1V
CD4007N CD4007N
V1 V1 CD4007N
8V V1
8V 8V
 U2 U2 U2
- + - + -
A +
A 6.06m 8.374m A 0.01

U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm

V2 V2 V2
2V 3V 4V
CD4007N CD4007N CD4007N
V1 V1 V1
8V 8V 8V

U2 U2 U2
- + - + - +
A A A 0.012
0.012 0.012

U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm

V2 V2 V2
5.5V 6V
5V
CD4007N CD4007N
CD4007N V1
V1 V1 8V
8V 8V

U2 U2 U2
- + - + - +
A A A 0.013
0.013 0.013

U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm

V2 V2
V2 7.5V
6.5V 7V
CD4007N
CD4007N CD4007N V1
V1 V1 8V
8V 8V
U2 U2
U2 - +
- A - +
+ 0.013 A
A 0.013 0.013
U1 DC 1e-009Ohm U1 DC 1e-009Ohm
U1 DC 1e-009Ohm V2 V2
V2 9V 10V
8V CD4007N
V1 CD4007N
CD4007N V1
V1 8V 8V
8V
7.5.- graficamos los valores de la tabla 4.5 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 en excel como se muestra en la
gráfica 8.
ID vs VDS con VGS=8 V
0.01400
0.01200
0.01000
0.00800
ID(A)

0.00600
0.00400
0.00200
0.00000
0 2 4 6 8 10 12
VDS(V)

Gráfica 8
8.-Cuando el voltaje 𝑉𝐷𝑆 << 𝑉𝑂𝑉 el transistor actúa como resistor controlado por voltaje.
Determinar el valor de sobrevoltaje (𝑉𝑂𝑉 ) y el voltaje partir del cual deja de actuar como
resistencia.

Como ya calculamos anteriormente:

𝑉𝑡 = 1 𝑉

Ahora calculamos el valor del sobre-voltaje 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 :

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 3 𝑉 − 1 𝑉 = 2 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 4 𝑉 − 1 𝑉 = 3 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 5 𝑉 − 1 𝑉 = 4 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 6 𝑉 − 1 𝑉 = 5 𝑉

𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉; 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 – 𝑉𝑡 = 8 𝑉 − 1 𝑉 = 7 𝑉

Para cada caso de 𝑉𝐺𝑆 encontramos el valor de 𝑉𝐷𝑆 a partir del cual el MOSFET deja de
comportarse como resistencia controlada por voltaje (ver gráfica 4,5,6,7 y 8
respectivamente), para esto se debe de cumplir que 𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 , por tanto:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 0.5 𝑉 ≪ 2 𝑉
Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 0.5 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 0.7 𝑉 ≪ 3 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 0.5 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 1 𝑉 ≪ 4 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 0.6 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 2 𝑉 ≪ 5 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 1.6 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉 tenemos:

𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝑂𝑉 ; 3 𝑉 ≪ 7 𝑉

Por lo tanto, a partir de 𝑉𝐷𝑆 = 2 𝑉 se deja de comportar como resistencia.

 9.- A partir de la gráfica determinar el valor de la resistencia 𝑟𝐷𝑆 (𝑣𝐷𝑆 / 𝐼𝐷𝑆 ) para cada
caso.
Ahora encontramos el valor de 𝑟𝐷𝑆 , para ello graficamos en Excel el voltaje 𝑉𝐷𝑆 𝑣𝑠 𝐼𝐷 para
cada valor de 𝑉𝐺𝑆 , solo graficamos los datos en la región de tríodo ya que es donde se
puede calcular 𝑟𝐷𝑆 , en seguida agregamos una línea de tendencia donde su pendiente es
el valor de 𝑟𝐷𝑆 .

VDS vs IDS PARA VGS=3 V VDS vs IDS PARA VGS=4 V

0.6 0.8
0.5
y = 1171.1x - 0.0199 0.6 y = 765.47x - 0.0202
0.4

VDS(V)
VDS(V)

0.3 0.4
0.2
0.2
0.1
0 0
0.0000 0.0001 0.0002 0.0003 0.0004 0.0005 0.0000 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.0010
IDS(A) IDS(A)

rDS = 1171.1 Ω 𝑟𝐷𝑆 = 765.47 Ω

VDS vs IDS PARA VGS=5 V VDS vs IDS PARA VGS=6 V

1.2 2.5
1 2
0.8 y = 583.79x - 0.0387 y = 503.18x - 0.089
VDS(V)

1.5
VDS(V)

0.6
0.4 1

0.2 0.5
0 0
0.0000 0.0005 0.0010 0.0015 0.0020 0.0000 0.0010 0.0020 0.0030 0.0040 0.0050
IDS(A) IDS(A)

𝑟𝐷𝑆 = 583.79 Ω 𝑟𝐷𝑆 = 503.18 Ω

VDS vs IDS PARA VGS=8 V

4
3
VDS(V)

y = 362.81x - 0.1173
2
1
0
0.0000 0.0020 0.0040 0.0060 0.0080 0.0100
IDS(A)

𝑟𝐷𝑆 = 362.81 Ω
También calcular el valor de la resistencia 𝑟𝐷𝑆 utilizando el valor de 𝑉𝑡 y de 𝑘’𝑛 (𝑊/𝐿).
Realizar la grafica de los valores medidos y los calculados y comparar.

Ahora calculamos los valores de 𝑟𝐷𝑆 usando los valores de 𝑘𝑛 y 𝑉𝑡 mediante la ecuación
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 .
𝐴
Sustituyendo 𝑘𝑛 = 600 𝜇 𝑉2
y 𝑉𝑡 = 1 𝑉 para cada uno de los valores de 𝑉𝐺𝑆 tenemos:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (3 𝑉 − 1𝑉)] = 833.33 Ω
𝑉2

Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:

−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (4𝑉 − 1𝑉)] = 555.55 Ω
𝑉2

Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:

−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (5𝑉 − 1𝑉)] = 416.66 Ω
𝑉2

Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:

−1
−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )] = [600 𝜇 2 (6𝑉 − 1𝑉)] = 333.33 Ω
𝑉

Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:

−1
𝐴
𝑟𝐷𝑆 = [𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )]−1 = [600 𝜇 (8𝑉 − 1𝑉)] = 238.09 Ω
𝑉2

10.- Cuando el voltaje 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝑂𝑉 el transistor trabaja en saturación. A partir de la grafica
determinar la resistencia de 𝑟0 (el inverso de la pendiente de las gráficas). Encontrar el
valor de λ y el voltaje de Early 𝑉𝐴 . Si los valores son ligeramente diferentes, utilizar el
valor promedio.

Ya que la ecuación de las rectas es de la forma 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 entonces para sacar la

resistencia 𝑟0 tenemos la siguiente formula:

𝑟0 = 1/𝑚
𝐴
Donde m tiene unidades de siemens o mejor dicho de 𝑉 .
 0.0140

VGS=3 V
0.0120 y = -2E-17x + 0.013
VGS=4 V
VGS=5
0.0100
VGS=6 V
VGS= 8V
0.0080 ZONA DE SATURACION 3
ID(A)

ZONA DE SATURACION 4

0.0060 y = 3E-05x + 0.0063 ZONA DE SATURACION 5

ZONA DE SATURACION 6
ZONA DE SATURACION 8
0.0040 y = 2E-05x + 0.004
Lineal (ZONA DE SATURACION 3)
Lineal (ZONA DE SATURACION 4)
0.0020 y = 1E-05x + 0.0023
Lineal (ZONA DE SATURACION 5)
y = 5E-06x + 0.001 Lineal (ZONA DE SATURACION 6)
0.0000 Lineal (ZONA DE SATURACION 8)
0 2 4 6 8 10 12
VDS(V)

Por lo tanto, los valores de la resistencia 𝑟0 son los siguientes:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

1 −6
𝑉 −1
𝑟0 = = (5𝑥10 ) = 200 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
1 −5
𝑉 −1
𝑟0 = = (1𝑥10 ) = 100 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
1 −5
𝑉 −1
𝑟0 = = (2𝑥10 ) = 20 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
1 𝑉 −1
𝑟0 = = (3𝑥10−5 ) = 33.3 kΩ
𝑚 𝐴
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
−1
1 𝑉
𝑟0 = = ((5𝑥10−6 )) = 5X1016 Ω
𝑚 𝐴

Para encontrar el valor de λ empleamos la siguiente ecuación:

1
𝑟0 =
1 2
2 𝜆(𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
Despejando a 𝜆 tenemos:
2
𝜆=
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2

Y sustituyendo los valores de 𝑟0 para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 obtenemos los siguientes valores
de λ:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

2 2
𝜆= = = 0.004166 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴
200 kΩ(600 𝜇 2 )(3 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
2 2
𝜆= = = 0.003703 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
100 kΩ(600 𝜇 2 )(4 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
2 2
𝝀= = = 0.01041 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴 2
20 kΩ (600 𝜇 2 ) (5 𝑉 − 1𝑉)
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
2 2
𝜆= = = 0.00400 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 𝐴
33.3 kΩ(600 𝜇 2 )(6 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
2 2
𝜆= = = 0.00001360 𝑉 −1
𝑟0 (𝐾𝑛 )(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ) 2 16 𝐴
5X10 Ω(600 𝜇 2 )(8 𝑉 − 1𝑉)2
𝑉
10.2.-Para encontrar el valor del voltaje de Early se ocupa la siguiente formula:
1
𝑉𝐴 =
𝜆
Y sustituyendo los valores de λ para cada valor de 𝑉𝐺𝑆 obtenemos los siguientes valores
de λ:

Para 𝑉𝐺𝑆 = 3 V tenemos:

1 1
𝑉𝐴 = = = 240 𝑉
𝜆 0.004166 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 4 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 270 𝑉
𝜆 0.003703 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 5 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 96 𝑉
𝜆 0.01041 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 6 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 250 𝑉
𝜆 0.00400 𝑉 −1
Para 𝑉𝐺𝑆 = 8 V tenemos:
1 1
𝑉𝐴 = = = 73.5 𝑥 103 𝑉
𝜆 0.00001360 𝑉 −1
 Tomando el valor promedio de VA obtenemos:

𝑉𝐴 = 214 𝑉

VI.- ANÁLISIS DE RESULTADOS.

Tabla 1 Tabla 4.1

practico teórico simulación practico teórico simulado
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑉
2 0.270 0.300 0.252 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
2.4 0.730 0.588 0.496 0.1 0.490 0.120 0.098
2.8 1.230 0.972 0.822 0.2 0.570 0.240 0.190
3 1.500 1.200 1.015 0.3 0.730 0.360 0.278
3.2 1.830 1.452 1.229 0.4 0.940 0.480 0.361
3.6 2.440 2.082 1.721 0.5 1.160 0.600 0.439
4 3.230 2.700 2.295 1 1.480 0.900 0.754
4.2 3.750 3.072 2.613 1.5 1.560 1.125 0.945
4.6 4.560 3.888 3.315 2 1.590 1.200 1.010
5 5.370 4.800 4.101 2.5 1.610 1.200 1.013
5.2 5.850 5.292 4.523 3 1.620 1.200 1.015
5.6 6.770 6.348 5.437 4 1.640 1.200 1.020
6 7.850 7.500 6.437

Tabla 4.2 Tabla 4.3

practico teórico simulado practico teórico simulado
𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 4 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 5 𝑉
𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
0.1 0.680 0.180 0.148 0.2 1.180 0.480 0.390
0.3 1.180 0.540 0.428 0.4 1.870 0.960 0.762
0.5 1.540 0.900 0.689 0.6 2.390 1.440 1.113
0.7 2.110 1.260 0.931 0.8 3.180 1.920 1.446
1 2.560 1.500 1.256 1 3.600 2.400 1.759
1.2 2.780 1.728 1.448 1.2 4.020 2.448 2.052
1.5 3.020 2.025 1.700 1.6 4.640 3.072 2.580
2 3.180 2.400 2.020 2 5.160 3.600 3.030
2.5 3.230 2.625 2.215 2.2 5.300 3.828 3.225
3 3.260 2.700 2.284 2.5 5.420 4.125 3.480
3.5 3.280 2.700 2.290 3 5.510 4.500 3.807
4 3.290 2.700 2.295 3.5 5.570 4.725 4.006
4 5.600 4.800 4.080
5 5.650 4.800 4.101
 Tabla 4.5
Tabla 4.4 practico teórico simulado
practico teórico simulado 𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 8𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 6 𝑉 𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴)
𝑉𝐷𝑆 (𝑉) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 0.2 1.290 0.840 0.691
0.2 1.350 0.600 0.491 0.5 3.160 2.100 1.692
0.4 2.270 1.200 0.962 1 5.190 4.200 3.266
0.8 3.630 2.400 1.847 2 9.700 8.400 6.060
1.2 4.730 3.168 2.656 3 11.80 12.600 8.374
1.6 5.950 4.032 3.387 4 13.01 12.000 10.000
2 6.820 4.800 4.040 5 13.40 13.500 12.000
2.4 7.370 5.472 4.615 5.5 13.48 14.025 12.000
2.8 7.660 6.048 5.111 6 13.52 14.400 12.000
3.2 7.850 6.528 5.527 6.5 13.55 14.625 13.000
3.6 7.930 6.912 5.865 7 13.57 14.700 13.000
4 7.990 7.200 6.120 7.5 13.57 14.700 13.000
5 8.070 7.500 6.406 8 13.58 14.700 13.000
6 8.120 7.500 6.437 9 13.59 14.700 13.000
10 13.58 14.700 13.000

VII.-CONCLUSIONES
Daniel Salvador Salas Torres

Para el desarrollo de esta práctica se utilizó el circuito integrado 4007 que está conformado
por distintos transistores del canal p y n para el cual nosotros utilizamos el canal n, para el
caso de las características del transistor no es muy viable conformarse con la hoja de
características que te proporciona el distribuidor debido a que aunque sea el mismo modelo
ningún transistor es igual así para hallar las características reales de nuestro transistor
fuimos variando el voltaje suministrado en la compuerta, el objetivo de hacer eso fue hallar
el momento exacto en que comenzaba a circular corriente así hallaríamos nuestro voltaje
Tv y de ahí podíamos partir para crear nuestro canal esto ocurrió cuando el voltaje de
compuerta fue de 1V debido aunque VDS se fijó a 6v nos aseguramos de que el transistor
trabaje en saturación así calculamos el parámetro un.

Posteriormente se construyó un circuito en el cual se observó para que valores de Vds. Y

VGS el transistor se encontraba en saturación y para que valores se encontraba en tríodo
en el caso de VGS=3v la región de tríodo se encontraba entre 0.1V y 1.5V a partir de 2V el
transistor entra en saturación, en el caso de VGS=4 transistor se encontraba en la región
de tríodo entre 0.1 a 2.5 V a partir de 3 se encontraba en saturación al ir variando el VGS
nos dimos cuenta de que el intervalo en el cual el transistor se encontraba en tríodo iba
aumentando mientras que la región de saturación fue disminuyendo por consiguiente la
resistencia RDS también disminuía en conclusión entre más crecía VGS menos resistencia
RDS teníamos en el caso de un VDS mayor en la gráfica observamos que presentaba
modulación de canal por lo cual teníamos un Ro que nos daba otra pendiente después del
punto de saturación.
HUGO JAVIER RODRIGUEZ CHAMORRO

En esta práctica se abordaron dos tipos de circuitos el primer circuito es una configuración
muy común ya que esta retroalimentado negativamente y por lo tanto este tipo de
configuraciones siempre están en la región de saturación en las tabla 1 del análisis de
resultados se nota que las corrientes de drenaje no están tan distantes ya que en la teoría
la región de saturación se mantiene constante la corriente de drenaje , este circuito se usó
principalmente para sacar lo que es el voltaje umbral y la transconductancia del mosfet ,
nos fue de mucha ayuda para sacar distintos cálculos que se fueron presentando a lo largo
del reporte de la práctica, en cuanto al análisis de resultados prácticos, teóricos y simulados
se nota en la tabla 1 se nota que hay muy poca diferencia entre lo práctico y lo teórico mas
sin en cambio en lo que es lo práctico y lo simulado se puede notar que los resultados se
alejan un poco más esto se debe a las características del MOSFET que se ocupó en la
práctica ya que esto ya depende del fabricante del dispositivo ya que las características
pueden variar mucho de un MOSFET a otro. En cuanto al segundo circuito la utilidad que
se le dio fue para saber cómo funcionaban las diferentes regiones del MOSFET en esta
parte se ve muy claro que en la región de tríodo hay dos regiones una lineal y otra no lineal
específicamente cuadrática en cuanto a la región lineal tiene una aplicación muy importante
ya que se puede utilizar como una simple resistencia vemos que a mayor voltaje de
compuerta fuente hay menor resistencia , en cuanto a la región de saturación se puede
notar que la corriente de drenaje se mantiene constante esta región empieza a partir de que
el voltaje drenaje-fuente es igual al voltaje de sobrecarga. También se nota que a medida
que se aumenta el VGS ya no se ve tan claro las regiones ya que empiezan a ver muchas
fluctuaciones. En cuanto al análisis de resultados del segundo circuito se nota que los
resultados teóricos y simulados están muy cercanos más sin en cambio los resultados
teóricos se alejan muchísimo esto se debe en gran parte a las características del MOSFET
utilizado en la práctica.

BIBLIOGRAFÍA:

 Simulador multisim 12.0

 Principios de la electrónica, 6° edición, Alvert malvino
 Electrónica teoría de circuitos ,6° edición, Robert l. boylestad
 Dispositivos electrónicos, 8ª edición, Floyd