QQQQ

 potencia clase B, se piensa la principal conclusión que se puede aportar al ensayo es que como
no existe polarización en amplificador clase B en contra fase cada transistor está en corte
cuando no tiene señal de entrada, lo que resulta una ventaja pues no hay consumo de corriente
cuando la señal es cero.
 La máxima eficiencia en un amplificador clase B en contrafase es de 78.5%, por lo que un
amplificador clase B en contrafase se utiliza mas comúnmente como etapa de salida que un
amplificador de potencia clase A.

100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
 e la
100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
 s configuraciones 18 tiene un rendimiento diferente, es importante determinar las magnitudes
asociadas a las variables de tal forma de ocupar las ecuaciones adecuadas tanto para análisis
como para diseño.
UNMSM-2019 2
Laboratorio de Circuitos Electrónicos II
 El propósito de hacer este ensayo es conocer, como su tema lo indica el amplificador de

potencia clase B, se piensa la principal conclusión que se puede aportar al ensayo es que como
3.busque un circuito de un amplificador de 5w a 10w de potencia de salida y emplee elementos
discretos.
la respuesta en frecuencia del sistema
100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
 e la
100 540m
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 3
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
como para diseño.
discretos.
 na d
100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 4
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
 e la
100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
como para diseño.
discretos.
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 5
100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
I. PROCEDIMIENTO
(Resolución de las preguntas plantadas en el informe previo)
100 540m
200 820m
300 910m
400 950m
500 960m
600 970m
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 6
700 980m
800 980m
900 990m
1k 990m
1k 990m
2k 990m
3k 990m
4k 1
5k 1
6k 1
7k 1
8k 1
9k 1
10k 1
50 360m
 Tabla N°5 (k=1/4): 60 360m
70 390m
∆𝑓 𝑓 𝑉0
80 440m
−𝑓0 0 0
90 490m
-50 5 920m
100 540m
-40 15 770m
-30 25 600m
-20 35 460m
-10 45 380m
0 55 350m
 Figura N°3 (k=1/4):
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 7
 Tabla N°6 (k=1/2):
𝑓 𝑉0
10 900m
20 780m
30 640m
40 520m
50 460m
60 460m
70 490m
80 550m
90 600m
100 650m
100 650m
200 890m
300 950m
400 970m
500 980m
600 990m
700 990m
800 990m
900 990m
1k 990m
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 8
1k 990m
2k 990m
3k 990m
respecto a la fase.
Frecuencia(Hz) Voltaje
Barrido de Frecuencias .1 5.2
1 5.2
10 5.2
6
20 5.2
5 30 5.2
4 40 5.2
Voltaje (V)
50 5.2
3 Barrido de
Frecuencias 59 3.5
2 60 .240
1 61 3.5
70 5.2
0
80 5.2
-50 0 50 100 150
Frecuencias(HZ) 90 5.2
100 5.2
I. CONCLUSION:
El filtro rechaza banda es un componente básico para el acondicionamiento de una señal, pues debido a
este filtro es posible permitir el paso de las frecuencias inferiores o superiores a dos frecuencias
determinadas (la frecuencia de corte inferior Fci y la Frecuencia de corte superior Fcs), las frecuencias
comprendidas en la banda que delimitan Fc1 y Fc2 son atenuadas. El Notch es aplicado en señales de
bajo nivel como por ejemplo señales de 50, 60 0 incluso 400 Hz, con el filtro rechaza banda será posible
eliminar una o varias señales de ruido indeseables.
II. BLIBLIOGRAFIA:
 http://www.ingelec.uns.edu.ar/pds2803/Materiales/Cap10/10-Cap10.pdf
 http://www.tdt-latinoamerica.tv/foro/diseno-de-filtros-para-tv-t5817.html
 http://www.electronica2000.info/2007/08/15/diseno-de-filtro-notch/
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA
LABORATORIO
FILTRO NOTCH
(EXPERIENCIA N°8)
CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS II.

PROFESOR: Ing.Russell Cordova Ruiz
II. OBJETIVOS
 Analizar las características de un filtro activo de rechazo de banda notch, de Q ajustable y frecuencia
central de 60 Hz.
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 9
III. MARCO TEORICO
IV. PROCEDIMIENTO
I.
PROCEDIMIENTO
1. Verificar los transistores con el ohmímetro y llenar la tabla 7.1
Transistores Q1 Q2
Terminales Directa(Ω) Inversa(M Ω) Directa(Ω) Inversa(M
Ω)
Base-emisor 3.8M ∞ 3.8M ∞
Base- 3.852M ∞ 3.852M ∞
colector
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 10
Colector- ∞ ∞ ∞ ∞
emisor
2. Simule el circuito y completa la tabla 7.2

3. Medir y anotar los puntos de operación en la tabla 7.2
transistor VCE(v) VE(V) Ic(mA) Ib(uA) β

Valor Q1 7.02 1.57 1.55 19.87 78
Teórico
Q2 7.6 1.03 10.2 122.82 83
Valor Q1 6.8 1.62 1.61 19.1 84.82
simulado
Q2 7.2 1.12 11.1 118 94.07
Establezca una señal a la máxima amplitud

Entonces la capacitancia de
entrada se encuentra entre los
valores de:
Y la resistencia de entrada equivalente

es:
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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE
ING.ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y
TELECOMUNICACIONES.
Apellido y Nombre: Código:
Piscoya Andrade Luis Fernando 16190082
Curso: Tema:
RESPUESTA EN ALTA
LABORATORIO CIRCUITOS FRECUENCIA DE UN
ELECTRÓNICOS II AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA
Informe: Fechas: Nota:
PREVIO Realización: Entrega:

Numero:
Mayo del 2018 25 de mayo del 2018
5
Grupo: Profesor:
Numero: 7
ING. CÓRDOVA RUIZ RUSSEL
Horario: Lunes 18:00 – 20:00
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 12
Multiplicando 2.375 × 10−4 entonces:
Para la frecuencia de salida:
Entonces la capacitancia de entrada se encuentra entre los valores de:
Y la resistencia de entrada equivalente es:
I INFO) se obtiene: IE2 = β2 x IB2 = β2 x IE1

Reemplazando en la ecuación anterior el valor de IE1 (ver ecuación (1) ) se obtiene la ecuación final de ganancia
del transistor Darlington. IE2 = β2 x β1 x IB1. Como se puede ver, este transistor tiene una ganancia de corriente mucho
mayor que la de un transistor común, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (las ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (β = 100) conectados como un transistor Darlington y se utilizara la
fórmula anterior, la ganancia sería, en teoría: β2 x β1 = 100 x 100 = 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En
la realidad la ganancia es menor.
I. Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario
RME PREVIO
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 13
1. Describa brevemente el circuito interno de un amplificador operacional explicando principio de

funcionamiento.
Una de los factores que más ha contribuido al éxito de los amplificadores operacionales es su versatilidad. Se
trata de un circuito de propósito general que puede emplearse en multitud de aplicaciones. Por si fuera poco,
los modelos necesarios para analizar su comportamiento son muy sencillos, y en la gran mayoría de los casos,
puede asumirse un comportamiento ideal.
II. El componente electrónico conocido como amplificador operacional es realmente un circuito complejo
formado por muchos transistores y otros componentes NF
ORME PREVIO
2. Describa brevemente el circuito interno de un amplificador operacional explicando principio de
funcionamiento.
Una de los factores que más ha contribuido al éxito de los amplificadores operacionales es su versatilidad. Se
trata de un circuito de propósito general que puede emplearse en multitud de aplicaciones. Por si fuera poco,
los modelos necesarios para analizar su comportamiento son muy sencillos, y en la gran mayoría de los casos,
puede asumirse un comportamiento ideal.
El componente electrónico conocido como amplificador operacional es realmente un circuito complejo formado por
muchos transistores y otros componentes
V. MARCO TEORICO
VI. PROCEDIMIENTO
INFORME PREVIO Nº6

UNMSM-2019 14
VII. RESULTADOS
(Simulaciones)
a) Realice la simulación del circuito mostrado y encuentre el punto de trabajo
Simulación 1 (C3=4.7uF, C1=0.01uF)
Simulación 2 (C3=0.47uF, C1=0.1uF)
b) Simulaciones variando la frecuencia de la señal de entrada V2.
VIII. CONCLUSIONES
IX. REFERENCIA
INFORME PREVIO Nº6

 Dispositivos y Circuitos Electrónicos - Millman Halkias.
 Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas – Savant C.J.
 http://es.scribd.com/doc/5811242/Amplificador-en-cascada#scribd

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𝑉𝑖
= 𝑖𝑒 [𝑅𝑆´ + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸1 + (𝑅𝐸2 ||𝐶𝐸 )]
1 + ℎ𝑓𝑒
𝑖𝑒 1 1
= =
𝑉𝑖 (1 + ℎ𝑓𝑒) [𝑅´ + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅 + (𝑅 || 1 )] 𝑅𝐸2
𝑆 𝐸1 𝐸2 𝑆𝐶
𝐸 𝑆𝐶𝐸
(1 + ℎ𝑓𝑒) [𝑅𝑆´ + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸1 +
1 ]
𝑅𝐸2 +
𝑆𝐶𝐸
𝑖𝑒 𝑆𝐶𝐸 𝑅𝐸2 + 1
=
𝑉𝑖 (1 + ℎ𝑓𝑒)[(𝑆𝐶𝐸 𝑅𝐸2 + 1)𝑥(𝑅𝑆´ + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸1 ) + 𝑅𝐸2 ]
Sea 𝑅𝐴 = 𝑅𝑆´ + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝐸1 = 238.304 Ω :
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la respuesta en frecuencia del sistema

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 Tabla N°6 (k=1/2):

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2. Simule el circuito y completa la tabla 7.2

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Y la resistencia de entrada equivalente es:

I INFO) se obtiene: IE2 = β2 x IB2 = β2 x IE1

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1. Describa brevemente el circuito interno de un amplificador operacional explicando principio de

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Simulación 1 (C3=4.7uF, C1=0.01uF)

Simulación 2 (C3=0.47uF, C1=0.1uF)

b) Simulaciones variando la frecuencia de la señal de entrada V2.

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Entonces la capacitancia de entrada se encuentra entre los valores de:

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