POLARIZACION EN DC

DE TRANSFORMADORES BJT.

Cristian Camilo Meza Peláez Julio Anderson García Hernández Kevin Daniel Alvarez Viafara
Código: 1193761085 Código: 1023966468 Código: 1022407410

I. RESUMEN Dependiendo la configuración el transistor se pueden identificar

relaciones entre las corrientes de base, colector y emisor del
transistor y sus tensiones de polarización para la configuración
En el siguiente laboratorio se busca observar y analizar el
Base común y Emisor común.
comportamiento de las diferentes variables tanto de entrada como
de salida presentes en un transistor 2N2222A con dada de una de
sus configuraciones; de la misma manera se pretende aplicar los Con los valores obtenidos de las tensiones de polarización se puede
conceptos vistos en clase para obtener los modelos matemáticos determinar de manera gráfica el modo en que se encuentra el
transistor ya sea activo, saturación o corte.
aplicando lo visto en clase y de este modo poner en práctica el
correcto funcionamiento de un amplificador operacional.
IV. JUSTIFICACIÓN
II. OBJETIVOS
Mediante el análisis detallado que se presenta en los circuitos
 Identificar las relaciones entre las corrientes de base, montados se puede demostrar y ver como es el comportamiento de
colector y emisor del transistor y sus tensiones de un transistor mediante la variación de las resistencias en los
polarización para la configuración Base común y Emisor montajes.
común.
 Conocer las diferencias entre las polarizaciones de Con los datos obtenidos se puede verificar en qué estado están
configuración Base común y Emisor común. trabajando los transistores y en que configuraciones llega rápido a
 Comprobar en comportamiento de los parámetros de modo activo, saturación o corte.
salidas de circuitos con transistores en polarización en DC,
haciendo comparativas entre las variables cuantificadas
V. MARCO TÓRICO
mediante análisis matemáticos y las cuantificadas
mediante las mediciones de laboratorio.
El análisis o el diseño de un amplificador a transistor requiere de un
conocimiento tanto para una respuesta en DC como en AC, ya que,
III. INTRODUCCION todo diseño de amplificador contiene dos componentes: la porción
DC y la porción AC. Por fortuna, el teorema de superposición
El presente laboratorio se refiere al comportamiento del transistor puede ser aplicado, y la investigación de las condiciones de DC
BTJ en sus diferentes configuraciones. puede ser separada por completa de la respuesta de AC.

Un transistor BJT es un dispositivo de terminales que contiene dos La polarización en DC es necesaria para establecer la región de
diodos PN uno a continuación del otro en sentidos opuestos. Cada operación adecuada para la amplificación de AC. El nivel de DC de
terminal posee un nombre que indica la función que realiza emisor, un transistor en operación es controlado por diversos factores,
base y colector. incluyendo el rango de los puntos de operación posibles sobre las
características del dispositivo.
Existen dos tipos de BJT, el primero tiene la base de tipo N y el
emisor y colector de tipo P; el segundo, tiene la base de tipo P y el Aunque existen diversos diseños de polarización DC (polarización
emisor y el colector de tipo N. Estos dos tipos de transistores se fija, polarización por divisor de tensión, etc.) que mejoran la
denominan PNP y NPN respectivamente. estabilidad de sistema (en función de la sensibilidad a las
variaciones de la temperatura), existe una similitud fundamental
entre el análisis de cada configuración debido al uso recurrente de
las siguientes relacione

V BE =0,7 V (1)

I E =I B ( β+1 ) (2)
I B= β I C (3)

Donde,

V BE : Voltaje base-emisor.
I E : Corriente de emisor.
I C: Corriente de colector.
I B: Corriente de base.

VI. METODOLOGIA

Inicialmente se realizaron los siguientes montajes visualizados es cada uno de los esquemas, para las distintas configuraciones en el
transistor.

Realizando cada montaje en la protoboard y con cada uno de los materiales y herramientas predispuestos para realizar la práctica, la magnitud
del voltaje Vcc, y los valores de las resistencias se mantuvieron constantes según los requerimientos del circuito. Para cada incremento en el
voltaje se midió los valores correspondientes a las corrientes de base ( I B ) , corriente de colector ( I C ), corriente de emisor ( I E ), y los voltajes de
nodo V B , V C , y V E.

Posteriormente se determinaron los valores restantes para las otras variables utilizando los modelos matemáticos presentes en la guía de
laboratorio.

Tabla 1. Registro de mediciones tarea A.

RC : 5 KΩ R E: 5 KΩ R B: 100KΩ
V CC Modo de
I B ( µ) I C (µ) I E ( µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(V) operación

0 0 0 0 0 0 O 0 0 0 0  Corte

0.2 0 0 0 0 -0.2 0.2 0.2 0.2 0.4 0

Activa
 0.5 0 0.05 -0.05 0.02 -0.48 0.48 0.5 0.46 0.96 0
Activa
0.7 0 0.31 -0.3 0.26 -0.54 0.54 0.8 0.28 1.08 0 Activa

1.0 0 0.81 -0.81 -0.03 -0.59 0.58 0.56 0.61 1.17 0 Activa

1.5 0.08 170 -160 -0.07 -0.65 0.64 0.58 0.71 1.29 2125 Activa

2.0 1.2 260 -260 -0.11 -0.7 0.68 0.59 0.79 1.38 216.6 Activa

2.5 1.7 350 -340 -0.15 -0.75 0.72 0.6 0.87 1.47 205.88 Activa

3.0 2.1 440 -440 -0.18 -0.79 0.76 0.61 0.94 1.55 209.52 Activa

3.5 2.5 530 -530 -0.22 -0.84 0.79 0.44 1.19 1.63 212 Activa

4 2.9 620 -620 -0,26 -0.88 0.81 0.62 1.07 1.69 213.79 Activa

5 3.8 800 -800 -0.34 -0.96 0.88 0.62 1.22 1.84 210.52 Activa

7 5.4 1170 -1170 -0.49 -1.13 1.01 0.64 1.5 2.14 216.66 Activa

9 7.1 1530 -1530 -0.64 -1.29 1.12 0.65 1.76 2.41 215.49 Activa

12 9.6 2080 -2080 -0.86 -1.51 1.32 0.65 2.18 2.83 216.66 Activa

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias, y se incrementó el voltaje VCC en el circuito para cada medición.
 Frente a la evidencia recaudada, por medio de la práctica y los datos que nos arroja el montaje podemos decir que el transistor en este
montaje se presentó en modo activo se podrá ver este hecho en la gráfica que pertenece a esta tabla.

12
IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
10 2500

8 2000
corriente de base

1500
corriente de colector

1000
4

500
2

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 voltaje base emisor
voltaje de base emisor
 IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCB
0 2500
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

-500 2000

-1000 1500

corriente de colctor
corriente de emisor

-1500 1000

500
-2000

0
-2500 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
voltaje base emisor voltaje colector base

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CB

Tabla N°2. Registro de mediciones tarea B.

V CC : 10V R E: 5KΩ R B: 5KΩ

RC Modo de
I B ( µ) I C (µ) I E ( µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 9.07 1860 1860 9.07 1860 1860 -0.045 -0.677 10 0.63 Activa

270 9.27 1860 1860 9.27 1860 1860 -0.045 -0.677 9.5 0.63 Activa

1.5K 10.3 1860 1860 10.3 1860 1860 -0.051 -0.687 7.2 0.63 Activa

5.1K 15.7 1840 1850 15.7 1840 1850 -0.078 -0.728 0.622 0.64 Activa

10K 323 1220 1550 323 1220 1550 -1.62 -2.27 -2.23 0.65 Saturación

15K 490 875 1370 490 875 1370 -2.49 -3.14 -3.12 0.65 Saturación

33K 719 432 1150 719 432 1150 -3.6 -4.25 -4.24 0.65 Saturación

51K 792 286 1080 792 286 1080 -3.96 -4.61 -4.61 0.65 Saturación

100K 860 150 1010 860 150 1010 -4.3 -4.95 -4.95 0.65 Saturación
 ∞ -935 0 935 -935 0 935 -4.67 -5.32 -5.32 0.65 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Re, Rb y para VCC, y se incrementó el valor en Rc para cada medición.
 Dentro del análisis expuesto, por medio de las simulaciones se puede decir que por el cambio de la resistencia del colector nos dará un
gran salto a saturación, ya que se está en una configuración es base común se puede ver que cada vez que el valor de la resistencia sube
el transistor entra rápidamente a modo activo y de ese estado hasta llegar a saturación.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

1000 2000
900 1800

800 1600

700 1400

600 1200
corriente colector
corriente de base

500 1000

400 800

300 600

200 400
200
100
0
0 0.63 0.64 0.64 0.65 0.65 0.66
0.63 0.64 0.64 0.65 0.65 0.66
voltaje base emior
voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCB

2000 2000
1800 1800
1600 1600
1400 1400
1200 1200
corriente de colector
corriente emisor

1000 1000
800 800
600 600
400 400
200 200
0 0
0.63 0.64 0.64 0.65 0.65 0.66 -2 0 2 4 6 8 10 12
voltaje base emisor voltaje colector base

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CB

Tabla N°3. Registro de mediciones tarea C.

V CC : 10V RC : 5 KΩ R B: 100 KΩ
RE Modo de
I B(µ) I C (µ) I E ( µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación
-93 3980 4070 -9.33 C -9.9
0 0.67 -0.57 0.1 -42.79 Saturación
-83 3770 30850 -8.28 -8.96 -8.85
270 0.68 -0.57 0.11 -45.42 Saturación
-47 3040 3090 -4.7 -5.36 -5.22
1.5K 0.66 -0.52 0.14 -64.68 Saturación
-12 1600 1600 -1.19 -1.83 2.05
5.1K 0.64 3.24 3.88 -133.33 Activa
-5.6 877 882 -0.56 -1.18 5.62
10K 0.62 6.18 6.8 -156.60 Activa
-3.8 597 601 -0.38 -0.987 7
15K 0.607 7.38 7.987 -157.10 Activa
-2 277 279 -0.202 -0.788 8.6
33K 0.586 8.802 9.388 -138.5 Activa
-1.5 180 182 -0.151 -0.727 9.1
51K 0.576 9.251 9.827 -120 Activa
-1 92 93 -0.103 -0.663 9.54
100K 0.56 9.643 10.203 -92 Activa
0.0155 0.028 0 -0.0015 2.3 10
∞ -2.30 10.0015 7.7 1.80 Corte

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Rc, Rb y para VCC, y se incrementó el valor en Re para cada medición.
 En particular, la postura que se pudieron tomar por medio de las simulaciones su puede apreciar en las tablas y las gráficas, que el
cambio de los valores de la resistencia del emisor nos lleva al transistor al principio estará en saturación, pero se presentará un cambio
muy rápido a modo activo y final mente llevando la resistencia a infinito que se tomaría como un circuito abierto estará en corte.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
100 4500
90 4000
80 3500
70
3000
60

corriente de colector
corriente de base

2500
50
2000
40
1500
30
20 1000

10 500

0 0
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
volyaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCB

35000 4500

4000
30000
3500
25000
3000
20000
cooriente emisor

corriente de colector

2500

15000 2000

1500
10000
1000
5000
500
0 0
-2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 0 2 4 6 8 10 12
voltaje base emisor voltaje colector base

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CB

Tabla N°4. Registro de mediciones tarea D.

 V CC : 10V RC : 5 KΩ R E: 5 KΩ
RB Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación
-18 1850 1870 -180p -0.649 0.740
0 0.649 0.7400002 1.389 -102.77 Activa
-17.9 1850 1870 0.018 -0.667 0.756
1K 0.685 0.738 1.423 -103.35 Activa
-17.5 1840 1850 -0.089 -0.737 0.825
5.1K 0.648 0.914 1.562 -105.14 Activa
-16.5 1800 1820 -0.249 -0.896 0.979
15K 0.647 1.228 1.875 -109.09 Activa
-14.4 1720 1740 -0.678 -1.32 1.4
47K 0.642 2.078 2.72 -119.44 Activa
-12.2 1600 1630 -1.22 -1.86 1.92
100K 0.64 3.14 3.78 -131.14 Activa
-10.8 1540 1550 -1.63 -2.26 2.32
150K 0.63 3.95 4.58 -142.59 Activa
-8.8 1390 1400 -2.38 -3 3
270K 0.62 5.38 6 -157.95 Activa
-6.9 1220 1220 -3.26 -3.88 3.92
470K 0.62 7.18 7.8 -176.81 Activa
0 0.054 0.065 -9.75 -10 10
∞ 0.25 19.75 20 0 Activa

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Re, Rc y para VCC, y se incrementó el valor en Rb para cada medición.
 Esto indica que por las simulaciones se puede mirar que los datos que están en la tabla y en las gráficas que el cambio de los valores de
la resistencia de base no presenta ningún cambio o alteración al modo operacional del transistor ya que se mantiene en modo activo.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
2000
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
1800
1600
1400
1200

corriente colector
1000
800
600
400
200
0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCB

2000
1800
1600
1400
1200
corriente de colector

1000
800
600
400
200
0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 5 10 15 20 25
voltaje base emisor voltaje colector base

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CB

Tabla 5. Registro de mediciones tarea A.

RC : 2.2 KΩ R B: 250 KΩ
V CC I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β Modo de operación
 (V)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0.48 Corte

0.2 0 0 0 0.2 0 0.2 0.2 0.2 0 0.48 Activa

0.5 0.08 0.4 0.58 0.49 0 0.48 0.48 0.49 -0.01 0.48 Saturación

0.7 01.4 220 220 0.58 0 0.21 0.21 0.58 -0.37 0.21 Saturación

1 03.4 410 410 0.6 0 0.07 0.07 0.6 -0.53 0.07 Saturación

1.5 07.7 650 650 0.61 0 0.06 0.06 0.61 -0.55 0.06 Saturación

2.0 11.9 870 880 0.62 0 0.05 0.05 0.62 -0.57 0.05 Saturación

2.5 16.2 1090 1110 0.63 0 0.05 0.05 0.63 -0.58 0.05 Saturación

3.0 20.4 1320 1330 0.63 0 0.04 0.04 0.63 -0.59 0.04 Saturación

3.5 24.8 1540 1570 0.63 0 0.04 0.04 0.63 -0.59 0.04 Saturación

4.0 29.5 1740 1800 0.64 0 0.04 0.04 0.64 -0.6 0.04 Saturación

5 37.7 2220 2250 0.64 0 0.04 0.04 0.64 -0.6 0.04 Saturación

6 46.3 2660 2710 0.65 0 0.04 0.04 0.65 -0.61 0.04 Saturación

7 54.9 3110 3160 0.65 0 0.04 0.04 0.65 -0.61 0.04 Saturación

9 71.1 4000 4080 0.66 0 0.04 0.04 0.66 -0.62 0.04 Saturación

12 98 5380 5470 0.67 0 0.04 0.04 0.67 -0.63 0.04 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias, y se incrementó el voltaje VCC en el circuito para cada medición.
 Posteriormente, la práctica se pudo observar que la configuración emisor común lleva al transistor a un estado de saturación muy
rápidamente mientras los estados corten y activos casi no se observan mucho.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

20 6000

00 5000

80 4000
corriente colector

60 3000

40 2000

20 1000

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor voltaje base emisor
 IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCE
6000 6000

5000 5000

4000 4000

corriente de colector
3000 3000

2000 2000

1000 1000

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE
Tabla N°6. Registro de mediciones tarea B.
V CC : 12V R B: 240 KΩ
RC
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β Modo de operación
(Ω)
0 47.1 12300 12300 0.686 0 12 Activa

1K 47.1 7790 7840 0.686 0 0.421 Activa

2K 47.1 5700 5750 0.686 0 0.599 Saturación

3.3K 47.2 3590 3640 0.673 0 0.149 Saturación

5.1K 47.2 2330 2380 0.661 0 0.121 Saturación

6.8K 47.3 1750 1800 0.652 0 0.107 Saturación

10K 47.3 1190 1240 0.642 0 0.0915 Saturación

15K 47.4 795 842 0.631 0 0.0775 Saturación

33K 47.5 362 409 0.611 0 0.0543 Saturación

51K 47.5 234 282 0.601 0 0.0433 Saturación

100K 47.6 120 167 0.587 0 0.0288 Saturación

∞ 47.7 1.94 49.6 0.559 0 0 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para la resistencia Rb y para VCC, y se incrementó el valor de resistencia para Rc en cada medición.
 Por tanto, la simulación se puede apreciar en la tabla y las gráficas respetivas que el cambio de los valores de la resistencia del colector
nos lleva a una saturación muy rápidamente, pero dicha saturación se obtiene por medio de valores muy grandes de resistencias.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
8 14000

6 12000

10000
4
corriente de colector

8000
2
6000
7
4000

8 2000

6 0
0.54 0.56 0.58 0.6 0.62 0.64 0.66 0.68 0.7 0.54 0.56 0.58 0.6 0.62 0.64 0.66 0.68 0.7
voltaje base emisor volaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC VS VCE

14000

12000

10000
corriente de colector

8000

6000

4000

2000

0
54 0.56 0.58 0.6 0.62 0.64 0.66 0.68 0.7 0 2 4 6 8 10 12 14
voltaje de base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE
Tabla N° 7. Registro de mediciones tarea C.
V CC : 12V RC : 2.2 KΩ
RB Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 2700 5320 2710 12 0 0.3 12 -11.69 0.306 1.97 Saturación

270 41000 5450 46400 0.935 0 0.01 0.935 -0.924 0.0101 0.13 Saturación

1.5K 7500 5450 12900 0.750 0 0.01 0.75 -0.739 0.0105 0.72 Saturación

5.1K 2210 5440 7660 0.709 0 0.027 0.709 -0.681 0.0272 2.46 Saturación

10K 1130 5440 6570 0.698 0 0.042 0.698 -0.656 0.0419 4.81 Saturación

15K 750 5430 6180 0.694 0 0.052 0.694 -0.641 0.0522 7.24 Saturación

33K 343 5420 5760 0.689 0 0.075 0.689 -0.613 0.0755 15.80 Saturación

51K 222 5410 5640 0.688 0 0.09 0.688 -0.597 0.0903 24.36 Saturación

100K 113 5400 5510 0.686 0 0.12 0.686 -0.567 0.119 47.78 Saturación

250K 45.3 5300 5350 0.684 0 0.33 0.684 -0.354 0.33 116.99 Saturación

500K 22.7 3530 3550 0.662 0 4.23 0.662 3.568 4.23 155.5 Activa

∞ -0.026 0.0523 0.0269 0 0 12 0 12 12 2.05 Activa

En esta tabla se toman valores fijos para la resistencia Rc y para VCC, y se incrementó el valor de resistencia para Rb en cada medición.
 Esto indica que por medio de las simulaciones se puede dar una idea de la forma de operación del transistor en esta configuración
gracias a la tabla y las gráficas donde vemos que el cambio de los valores de las resistencias de la base los elevamos se podrá ver que
estará en saturación hasta llegar a un punto donde entrará en modo activo.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
000 6000
000
5000
000
000 4000
000

corriente de colector
000 3000

000
2000
000
000 1000
0
0 2 4 6 8 10 12 14 0
000 0 2 4 6 8 10 12 14
voltaje de base emisor voltaje de base emisor

IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCE

000 6000
000
5000
000
000
4000
000
corriente de colector

000 3000
000
2000
000
000
1000
000
0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 0 2 4 6 8 10 12 14
voltaje de base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 8. Registro de mediciones tarea A.

 RC : 2 KΩ R E: 1 KΩ R B: 400 KΩ
V CC
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE Β Modo de operación
(V)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0  Corte

0.3 0 0 0 0.3 0 0.31 0.3 0.01 0.31 0 Activa

0.5 0 0.6 05.1 0.49 0 0.48 0.49 -0.01 0.48 0 Saturación

0.7 01 110 110 0.67 0 0.47 0.67 -0.2 0.47 110 Saturación

1 02.4 310 300 0.89 0 0.38 0.89 -0.51 0.38 129.2 Saturación

1.5 08.1 480 480 1.08 0 0.53 1.08 -0.55 0.53 59.25 Saturación

2 14.3 630 640 1.26 0 0.68 1.26 -0.58 0.68 44.05 Saturación

2.5 20.2 780 80 1.42 0 0.83 1.42 -0.59 0.83 38.61 Saturación

3.0 26.4 0940 10 1.59 0 0.99 1.59 -0.6 0.99 35.60 Saturación

3.5 32.4 1100 1140 1.75 0 1.15 1.75 -0.6 1.15 33.95 Saturación

4 39.7 1280 1320 1.94 0 1.33 1.94 -0.61 1.33 32.24 Saturación

5 53.8 1630 1690 2.31 0 1.69 2.31 -0.62 1.69 30.29 Saturación

7 79 2260 2340 2.97 0 2.34 2.97 -0.63 2.34 28.60 Saturación

9 106 2940 3050 3.67 0 3.03 3.67 -0.64 3.03 27.73 Saturación

12 145.7 3930 4080 4.7 0 4.05 4.7 -0.65 4.05 26.97 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias, y se incrementó el voltaje VCC en el circuito para cada medición.
 En resumen, se puede observar que la configuración emisor común para el montaje hecho en la práctica nos arroja unos datos que se
pueden evidenciar en la tabla y sus respetivas graficas que el estado operacional del transistor se mantiene en saturación y solo unos
pequeños momentos en corte o también activo.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

160 4500

140 4000

120 3500

3000
100
corriente de colector
corriente de base

2500
80
2000
60
1500
40
1000
20 500
0 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
voltaje de base emisor voltaje base emisor
 IE(µ) VS VBE IC VS VCE
4500 4500
4000 4000
3500 3500
3000 3000

corriente de colector
corriente de emisor

2500 2500
2000 2000
1500 1500
1000 1000
500 500
0 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 0 2 4 6 8 10 12 14 16
voltaje de base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 9. Registro de mediciones tarea B.

V CC : 12 V R E: 1 KΩ R B: 430 KΩ
RC Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE Β
(Ω) operación

0 18 3580 3600 4.25 3.60 12 0.65 7.75 8.4 198.9 Activa

270 18.3 3470 3490 4.14 3.49 11.1 0.65 6.96 7.61 189.61 Activa

1.5K 19.3 3010 3030 3.68 3.03 7.49 0.65 3.81 4.46 155.95 Activa

5.1K 21.8 1940 1960 2.61 1.96 2.13 0.65 -0.48 0.17 88.99 Saturación

10K 23.9 1080 1100 1.74 1.10 1.22 0.64 -0.52 0.12 45.18 Saturación

15K 24.7 742 767 1.39 0.767 0.867 0.623 -0.523 0.1 30.04 Saturación

33K 25.6 350 376 0.983 0.376 0.448 0.607 -0.535 0.072 13.67 Saturación

51K 25.9 229 255 0.852 0.255 0.315 0.597 -0.537 0.06 8.84 Saturación

100K 26.2 118 144 0.726 0.144 0.187 0.582 -0.539 0.043 4.50 Saturación

∞ 26.6 -13.9 12.7 0.542 12.7 0 -12.15 -0.542 -12.7 -0.52 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para las resistencias Rb, Re y para VCC, y se incrementó el valor de resistencia para Rc en cada medición.
 Así como se puedo ver por medio de la simulación hecha se pueden visualizar los datos en la tabla y en las gráficas que nos permitirán
saber por el modo de operación del transistor si en dicho caso se le alterara los valores de la resistencia del colector nos llevan a decir
que entre más grande el valor el transistor de un estado activo pasara rápidamente a estado de saturación.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
30 4000

3500
25
3000
20 2500
corriente de colector

2000
15
1500
10
1000

5 500

0
-14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
0
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 -500
voltaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC VS VCE

4000 4000

3500 3500

3000 3000

2500 2500
corriente de colector

2000
2000
1500
1500
1000
1000
500
500
0
0 0 2 4 6 8 10 12
-12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 -500
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE
Tabla N°10. Registro de mediciones tarea C.
V CC : 12 V RC : 2 KΩ R B: 430 KΩ
RE Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE Β
(Ω) operación

0 26.4 4060 4090 667000 0 3.88 0.0667 3.8133 3.88 153.78 Activa

270 24.1 3630 3660 1.65 0.988 4.73 0.662 3.08 3.742 150.62 Activa

1.5K 17.7 2480 2500 4.41 3.75 7.03 0.66 2.62 3.28 140.11 Activa

5.1K 10.6 1320 1330 7.43 6.79 9.36 0.64 1.93 2.57 124.52 Activa

10K 7.24 819 826 8.88 8.26 10.4 0.62 1.52 2.14 113.12 Activa

15K 5.59 593 599 9.60 8.98 10.8 0.62 1.2 1.82 106.08 Activa

33K 3.23 300 304 10.6 10 11.4 0.6 0.8 1.4 92.87 Activa

51K 2.33 202 204 11 10.4 11.6 0.6 0.6 1.2 86.69 Activa

100K 1.39 107 108 11.4 10.8 11.8 0.6 0.4 1 76.97 Activa

∞ 26.4 4060 4090 0.667 0 3.88 0.667 3.213 3.88   Activa

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Rc, Rb y para VCC, y se incrementó el valor en Re para cada medición.
 Luego de hacer unos cambios en los valores para la simulación se pueden ver en la tabla y en las gráficas que por hacer unos cambios
respetivos a los valores de la resistencia del colector se puede interpretar que no afecta de ninguna manera el transistor siempre se
mantendrá en modo activo.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
4500

4000

3500

3000

corriente de colector
2500

2000

1500

1000

500

0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCE

4500

4000

3500

3000
corriente de colector

2500

2000

1500

1000

500

0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 2 4 6 8 10 12
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N°11. Registro de mediciones tarea D.

V CC : 12V RC : 2 KΩ R E: 1 KΩ
RB Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE Β
(Ω) operación

0 10900 383 11200 12 11.2 11.2 0.8 -0.8 0 0.035 Saturación

 1K 4370 2540 6910 7.63 6.91 6.92 0.72 -0.71 0.01 0.58 Saturación

5.1K 1270 3570 4840 5.53 4.84 4.87 0.69 -0.66 0.03 2.81 Saturación

15K 468 3830 4290 4.98 4.29 4.35 0.69 -0.63 0.06 8.18 Saturación

47K 154 3920 4070 4.75 4.07 4.16 0.68 -0.59 0.09 25.45 Saturación

100K 73.2 3930 4010 4.68 4.01 4.13 0.67 -0.55 0.12 53.68 Saturación

150K 49 3930 3980 4.66 3.98 4.14 0.68 -0.52 0.16 80.20 Saturación

270K 28.7 3570 3590 4.26 3.59 4.87 0.67 0.61 1.28 124.39 Saturación

470K 18.3 2710 2730 3.38 2.73 6.58 0.65 3.2 3.85 148.08 Saturación

∞ -0.0254 0.0523 0.0269 0 0.0269 12 -0.03 12 11.9731 -2.1 Activa

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Re, Rc y para VCC, y se incrementó el valor en Rb para cada medición.
 En consecuencia, de esta simulación se puede ver que los datos en la tabla y en las gráficas para poder presentar el modo de operación
del transistor si se presenta unos cambios en la resistencia de la base que nos permite decir que se mantiene en estado de saturación
hasta llegar a una resistencia de valor infinito que puede ser interpretada como un circuito abierto en ese momento el transistor entra a
un modo activo.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

4500

4000

3500

3000
corriente de colector

2500

2000

1500

1000

500

0
2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 12
voltaje base emisor voltaje base emisor
 IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCE
4500

4000

3500

3000

corriente de colector
2500

2000

1500

1000

500

0
2 4 6 8 10 12 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 12. Registro de mediciones tarea A.

RTH =¿
RC : 10KΩ R E: 1.5 KΩ R1: 39 KΩ R2: 4 KΩ 3627.906977

V CC
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β Modo de operación
(V)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0  Corte

0.2 0 0 0 0 0 0.11 0 0.11 0.11 0 Activa

0.5 0 0 0 0.03 0 0.41 0.03 0.38 0.41 0 Activa

0.7 0 0 0 0.05 0 0.64 0.05 0.59 0.64 0 Activa

1 0 0 0 0.08 0 0.92 0.08 0.84 0.92 0 Activa

 1.5 0 0 0 0.13 0 1.45 0.13 1.32 1.45 0 Activa

2.0 0 0 0 0.17 0 1.9 0.17 1.73 1.9 0 Activa

2.5 0 0 0 0.23 0 2.51 0.23 2.28 2.51 0 Activa

3.0 0 0 0 0.69 0 2.89 0.69 2.2 2.89 0 Activa

3.5 0 0 0 0.63 0 3.5 0.63 2.87 3.5 0 Activa

4.0 0 0 0 0.36 0 3.98 0.36 3.62 3.98 0 Activa

5 0 01.7 01.9 0.46 0 4.97 0.46 4.51 4.97 0 Activa

6 0 20.7 16 0.55 0.02 5.67 0.53 5.12 5.65 0 Activa

7 00.3 63.7 43 0.64 0.09 6.33 0.55 5.69 6.24 212.3 Activa

9 00.7 168 158 0.82 0.24 7.19 0.58 6.37 6.95 240 Activa

12 01.5 350 340 1.11 0.51 8.41 0.6 7.3 7.9 233.33 Activa

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias, y se incrementó el voltaje VCC en el circuito para cada medición.
 En pocas palabras gracias a la práctica se puede observar los datos que están presentados en la tabla y las gráficas que nos brinda la
configuración de emisor común, pero por polarización por divisor de tensión se puede intuir que el modo operacional del transistor está
en modo activo.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

400

350

300

250
corriente de colector

200

150

100

50

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor voltaje base emisor
 IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
400

350

300

250

corriente de colector
200

150

100

50

0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor voltaje base emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 13. Registro de mediciones tarea B.

V CC : 12 V R E: 1.5 KΩ R1: 39 KΩ R2: 3.9 KΩ RTH =¿39.45K

RC Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 2 0 335 1.08 0.503 12 12 0.57 10.92 11.49 Activa

270 2.01 333 335 1.08 0.503 11.9 11.9 0.57 10.82 11.39 Activa

1.5K 2.04 333 335 1.08 0.502 11.5 11.5 0.57 10.42 10.99 Activa

5.1K 2.14 331 333 1.08 0.500 10.3 10.3 0.58 9.22 9.8 Activa

10K 2.29 329 331 1.08 0.497 8.71 8.71 0.58 7.63 8.21 Activa

15K 2.47 327 329 1.08 0.494 7.10 7.1 0.58 6.02 6.60 Activa

33K 3.45 316 320 1.08 0.479 1.57 1.57 0.61 0.49 1.09 Activa

51K 30.4 227 257 0.983 0.386 0.440 0.44 0.59 -0.54 0.05 Saturación

100K 64.4 117 181 0.863 0.272 0.295 0.29 0.59 -0.56 0.02 Saturación

200K 82.6 58.9 141 0.798 0.212 0.222 0.22 0.58 -0.57 0.01 Saturación

500K 93.7 23.6 117 0.759 0.176 0.179 0.17 0.58 -0.58 0.03 Saturación

∞ 140 -121 19.2 0.593 0.288 0 0 0.31 -0.59 -0.28 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Re, Rb, R1, R2 y para VCC, y se incrementó el valor en Rc para cada
medición.

 Por ende la simulación y sus datos presentados en la tabla mas las graficas se puede dar un idea de la forma de operación del transistor
mas por el cambio de valores de la resistencia del colector donde nos muestra que se mantiene activo hasta llegar a un punto donde
entra en saturación.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

160 350

140 300

120
250
100

corriente de colector
corriente de base

200
80
150
60
100
40

20 50

0 0
0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65

voltaje base emisor voltaje bse emisor

IE(µ) VS VBE IC VS VCE

400 350

350 300
300
250
250
corriente de colector
corriente de emisor

200
200
150
150
100
100

50 50

0 0
0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE
Tabla N°14. Registro de mediciones tarea C.
RTH =¿
V CC : 12V RC : 10 KΩ R1: 39 KΩ R2: 3.9 KΩ
3545.45
RE Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 126 1190 1320 0.645 0 0.589 0.645 -0.056 0.589 9.44 Saturación

270 36.1 1160 1190 0.963 0.424 0.641 -0.539 0.102 32.13 Saturación
0.322

1.5K 2.29 329 331 1.08 0.497 8.71 0.583 7.63 8.213 143.66 Saturación

5.1K 0.791 105 105 1.09 0.538 11 0.552 9.91 10.462 132.74 Activa

10K 0.455 55.4 55.8 1.09 0.558 11.4 0.532 10.31 10.842 121.75 Activa

15K 0.328 37.7 38 1.09 0.570 11.6 0.52 10.51 11.03 114.93 Activa

33K 0.175 17.8 17.9 1.09 0.592 11.8 0.498 10.71 11.208 101.71 Activa

51K 0.124 11.7 11.8 1.09 0.604 11.9 0.486 10.81 11.296 94.35 Activa

100K 0.0731 6.16 6.23 1.09 0.623 11.9 0.467 10.81 11.277 84.26 Activa

200K 0.0425 3.17 3.21 1.09 0.642 12 0.448 10.91 11.358 74.58 Activa

500K 0.0208 1.31 1.33 1.09 0.667 12 0.423 10.91 11.333 62.98 Activa

∞ 126 1190 1320 0.645 0 0.589 0.645 -0.056 0.589 9.44 Saturación

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Rc, Rb, R1, R2 y para VCC, y se incrementó el valor en Re para cada
medición.
 De ahí que la simulación tome los respetivos cambios para ver un cambio en la operación por medio alteraciones a la resistencia del
emisor se pueden ver en la tabla y las graficas que inicia en modo de saturación, pero a medida que va subiendo el valor de la
resistencia su pasara a modo activo pero relativa mente volver a esta en saturación.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
140 1400

120 1200

100 1000

corriente de colector
corriente de base

80 800

60 600

40 400

20 200

0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 0 2 4 6 8 10 12 14
voltaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC VS VCE

1400 1400

1200 1200

1000 1000

corriente de colector
corriente de emisor

800 800

600 600

400 400

200 200

0 0
0 2 4 6 8 10 12 14 0 2 4 6 8 10 12 14
volyaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N°15. Registro de mediciones tarea D.

V CC : 12 V RC : 10 KΩ R E: 1.5 KΩ R1: 39 KΩ
R2 Modo de
RTH I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación
-
0.000052 0.000026 0.0040 11.9
0 0 0.000025
3 9
0
3
12 12 -2.059 -2.1
4 9 Corte
 11. 11.9
1K 2K 0.601 0.0174 0.018 0.3 0.0269 12 0 0
7 7 ACTIVA
10.2 1.3 6.9 5.5 6.14 137.5 137.5
5.1K 3.70 509 513 0.769
K 7 1 4 1 6 6 Activa
-
2.3 1.7
15K 30K 93.7 1030 1120
2
1.68
4 0.5 0.06 10.99 10.99
8 SATURACION
2.4 1.8
47K 94K 193 1010 1210
5
1.81
5 -0.6 0.04 5.23 5.23
SATURACION
100 2.4 1.8
200K 219 1010 1230
9
1.85
9 -0.6 0.04 4.61 4.61
K SATURACION
- SATURACION
150 2.5 1.8
300K 227 1010 1240 1.86 0.6 0.03 4.44 4.44
K 0 9
1
- SATURACION
270 2.5 1.9
540K 234 1010 1240
1
1.87
0 0.6 0.03 4.31 4.31
K
1
- SATURACION
470 2.5 1.9
940K 238 1010 1250 1.87 0.6 0.04 4.24 4.24
K 2 1
1
- SATURACION
2.5 1.9
1M 0.002 241 1010 1250
2
1.87
1 0.6 0.04 4.19 4.19
1
0.000052 0.000026 SATURACION
∞   -0.0254
3 9
0 0.0403 12 0 0 0 0

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Rc, Re, R1 y para VCC, y se incrementó el valor en R2 para cada medición.
 De ello resulta necesario decir que estos datos presentados para esta simulación se variaron los valores de la resistencia de 2 para ver si
se presentan cambios en el modo operacional del transistor gracias a la tabla y las gráficas se puede decir que presentan unos cambios
mu pequeños de la parte de corte como en la activa, pero se observa que llega más rápido a un modo de operación de saturación.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
300 1200

250 1000

200
800

corriente de colector
corriente de base

150
600
100
400
50
200
0
-2 0 2 4 6 8 10 12 14
0
-50 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
voltaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC VS VCE

1400 1200

1200
1000

1000
800
corriente de emisor

corriente de colector
800
600
600

400
400

200 200

0 0
-2 0 2 4 6 8 10 12 14 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 16. Registro de mediciones tarea A.

RC : 4.7 KΩ R E: 1.2 KΩ R B: 250 KΩ

V CC I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β Modo de operación
 (V)
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0  Corto

0.3 0 0 0 0.29 0 0.30 0.29 0.01 0.3 0 Activa

0.6 00.1 09.4 08.3 0.5 0 0.52 0.5 0.02 0.52 94 Activa

0.8 0.01 33.4 30 0.56 0.03 0.61 0.53 0.05 0.58 334 Activa

1.0 00.2 67.8 60.4 0.63 0.07 0.71 0.56 0.08 0.64 339 Activa

1.5 00.5 133 132 0.72 0.15 0.88 0.57 0.16 0.73 266 Activa

2.0 00.8 203 202 0.81 0.23 1.05 0.58 0.24 0.82 253.75 Activa

2.5 01.2 275 273 0.91 0.32 1.23 0.59 0.32 0.91 229.16 Activa

3.0 01.5 347 344 1 0.41 1.39 0.59 0.39 0.98 231.33 Activa

3.5 01.8 417 413 1.09 0.49 1.56 0.6 0.47 1.07 231.66 Activa

4.0 02.1 490 486 1.18 0.58 1.73 0.6 0.55 1.15 233.33 Activa

5 02.7 635 628 1.36 0.75 2.06 0.61 0.7 1.31 235.18 Activa

7 03.4 924 913 1.71 1.09 2.71 0.62 1 1.62 271.76 Activa

9 05.1 1210 1210 2.06 1.44 3.36 0.62 1.3 1.92 237.25 Activa

12 06.9 1650 1650 2.58 1.96 4.33 0.62 1.75 2.37 239.13 Activa
En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias, y se incrementó el voltaje VCC en el circuito para cada medición.
 Asimismo, en la practica que se tomo en cuenta la configuración emisor común, pero polarización de DC con retroalimentación de
voltaje con los datos ya propuestos en la tabla y las graficas se pudo decir que el modo de operación se mantiene estable en modo
activo.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

8 1800

7 1600

6 1400

1200
5
corriente de colector
corriente de base

1000
4
800
3
600
2
400
1 200
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
voltaje base emisor voltaje base emisor
 IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCE
1800 1800

1600 1600

1400 1400

1200 1200

corriente de colector
corriente de emisor

1000 1000

800 800

600 600

400 400

200 200

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0 0.5 1 1.5 2 2.5
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 17. Registro de mediciones tarea B.

V CC : 12 V R E: 1.2 KΩ R B: 250 KΩ
RC Modo de
I B(µ) I C(µ) I E ( µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 24 4430 4450 6.01 5.34 12 0.67 5.99 6.66 184.58 Activa

270 22.1 3930 3950 5.41 4.74 10.9 0.67 5.49 6.16 177.82 Activa

1.5K 16.8 2630 2650 3.83 3.18 8.02 0.65 4.19 4.84 156.54 Activa

5.1K 10.05 1380 1390 2.30 1.67 4.92 0.63 2.62 3.25 137.31 Activa

10K 7.27 846 853 1.65 1.02 3.47 0.63 1.82 2.45 116.36 Activa

15K 5.64 610 616 1.35 0.739 2.77 0.611 1.42 2.031 108.15 Activa

33K 3.27 306 309 0.969 0.371 1.79 0.598 0.821 1.419 93.57 Activa

51K 2.37 205 207 0.835 0.249 1.43 0.586 0.595 1.181 86.49 Activa

100K 1.41 108 109 0.700 0.131 1.05 0.569 0.35 0.919 76.59 Activa

∞ 0 0 0 0.0112 0 0.0113 0.0112 1E-04 0.0113 0 Activa

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Re, Rb y para VCC, y se incrementó el valor en Rc para cada medición.
 De esta forma, podemos dar un vistazo a los datos obtenidos en la simulación que estarán publicados en la tabla y en las graficas dicho
eso podemos decir el modo de operación si se hacen ciertos cambios en los valores de la resistencia del colector no se presentan
 cambios y se mantendrá en modo activo.

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

30 5000
4500
25
4000
3500
20
corriente de colector

3000
corriente de base

15 2500
2000
10
1500
1000
5
500
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor voltaje base emisor
 IE(µ) VS VBE IC VS VCE
5000 5000
4500 4500
4000 4000
3500 3500
3000 3000

corriente de colector
corriente de emisor

2500 2500
2000 2000
1500 1500
1000 1000
500 500
0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 1 2 3 4 5 6 7
voltaje base emisor voltaje colector emisor

Tabla N° 18. Registro de mediciones tarea C.

V CC : 12 V RC : 4.7 KΩ R B: 250 KΩ
RE Modo de
I B(µ) I C(µ) I E (µ) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 45 1170 1170 0.685 0 11.9 0.685 11.215 11.9 26 Activa

270 36.2 8270 8310 2.92 2.24 12 0.68 9.08 9.76 228.45 Activa

1.5K 21.9 3880 3900 6.51 5.85 12 0.66 5.49 6.15 177.16 Activa

5.1K 11.9 1630 1640 9.02 8.38 12 0.64 2.98 3.62 136.97 Activa

10K 7.83 933 941 10 9.41 12 0.59 2 2.59 119.15 Activa

15K 5.95 653 659 10.5 9.89 12 0.61 1.5 2.11 109.74 Activa

33K 3.36 317 320 11.2 10.6 12 0.6 0.8 1.4 94.34 Activa

51K 2.41 210 212 11.4 10.8 12 0.6 0.6 1.2 87.13 Activa

100K 1.42 109 111 11.6 11.1 12 0.5 0.4 0.9 76.76 Activa
 ∞ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 CORTE

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Rc, Rb y para VCC, y se incrementó el valor en Re para cada medición.
 De igual forma, se vuelven hacer una alteración a los valores de la resistencia del emisor para ver si tiene cambios en el modo
operacional del transistor, pero según los datos en la tabla y las graficas se mantiene en modo activo hasta que se considere como
infinito tomando como circuito abierto se puede apreciar que entra en modo de corte.

IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE

50 14000

45
12000
40
35 10000
corriente de colector
corriente de base

30 8000
25
6000
20
15 4000

10
2000
5
0
0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
voltaje base emisor
voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC(µ) VS VCE

14000 14000

12000 12000

10000 10000

8000 8000
corriente de colector
corriente emisor

6000 6000

4000 4000

2000 2000

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 2 4 6 8 10 12 14

voltaje base emisor voltaje colector emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE
Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE

Tabla N° 19. Registro de mediciones tarea D.

V CC : 12 V RC : 4.7 KΩ R E: 1.2 KΩ
RB Modo de
I B(m) I C(m) I E (m) VB VE VC V BE V CB V CE β
(Ω) operación

0 147 1600 1760 3.77 2.10 3.77 1.67 1.67 1.67 10.88 Activa

1K 7.72 560 568 1.60 0.682 9.33 0.918 8.648 8.648 72.53 Activa

5.1K 1.89 261 263 1.15 0.315 10.8 0.835 10.485 10.485 138.09 Activa

15K 0.694 135 136 0.947 0.163 11.4 0.784 11.237 11.237 194.52 Activa

47K 0.232 57.2 57.4 0.810 0.0689 11.7 0.7411 11.6311 11.6311 246.55 Activa

100K 0.111 29.2 29.3 0.750 0.0351 11.9 0.7149 11.8649 11.8649 263.06 Activa

150K 0.0745 19.7 19.7 0.725 0.0237 11.9 0.7013 11.8763 11.8763 264.42 Activa

270K 0.0417 10.8 10.8 0.695 0.013 11.9 0.682 11.887 11.887 258.99 Activa

470K 0.024 5.93 5.95 0.671 0.0714 12 0.5996 11.9286 11.9286 247.08 Activa

∞ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 corto

En esta tabla se toman valores fijos para cada una de las resistencias Rc, Re y para VCC, y se incrementó el valor en Rb para cada medición.
 En cuanto lo abordado con anterioridad, se tomará un ultimo cambien en la resistencia de base para ver si llega hacer un cambio en el
modo de operación del transistor, pero según las tablas y las graficas tomando en cuenta esto se puede decir que no presenta cambios
hasta llevar a la resistencia a infinito donde entra en modo de corte.
 IB(µ) VS VBE IC(µ) VS VBE
160 1800

140 1600

1400
120
1200
100

corriente de colector
1000
corriente de base

80
800
60
600
40
400
20 200

0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
voltaje base emisor voltaje base emisor

IE(µ) VS VBE IC VS VCE

2000 1800

1800 1600
1600 1400
1400 corriente de colector
1200
corriente de emisor

1200
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0 0 2 4 6 8 10 12 14
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
voltaje colector emisor
voltaje base emisor

Figura (1.1) I Bvs V BE

Figura (1.2) I Cvs V BE
Figura (1.3) I E vs V BE
Figura (1.4) I Cvs V CE
VII.CONCLUSIONES

 Siempre debemos analizar el datasheet del transistor para analizar sus ganancias y parámetros con los que trabaja.
 Debemos ser cuidadosos al verificar los terminales del transistor por medio del medidor de continuidad, ya que si erramos alguna parte
vamos a obtener datos completamente erróneos del circuito y en la comparación con el simulador no habrá ningún tipo de coincidencia.
 Para poder identificar el punto Q solo debe tenerse en cuenta el circuito en DC para sacar IcQ y VcQ.

VIII. BIBLIOGRAFIA.

 Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (1997). Electrónica: Teoría de circuitos. Pearson Educación.

 Cirovic, M. M. (1991). Electrónica fundamental; dispositivos, circuitos y sistemas. Barcelona: Editorial Reverente.

 Malvino, A. P. (2000). Principios de Electrónica. Madrid: McGraw Hill.

IX. ANEXOS

DATA SHEET TRANSISTOR 2N2222A

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and AF amplifier applications.

The transistor is subdivided into one group according to its DC

current gain.
On special request, these transistors can be manufactured in
different pin configurations.

1. Emitter 2. Base 3. Collector

TO-92 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) O

Paramete Symbol Value U

r ni
t
Collector Base Voltage 60
VCBO V
75
2N222
2
2N222
2A
Collector Emitter Voltage 30
VCEO V
40
2N222
2
2N222
2A
Emitter Base Voltage 2N2222 5
VEBO V
2N2222 6
A
Collector Current IC 600 m
A
Power Dissipation Ptot 625 m
W
O
Junction Temperature Tj 150
C
O
Storage Temperature Range Tstg - 55 to +
150 C
Characteristics at Ta = 25 OC
Paramete Symb Min. Max. Unit
r ol
DC Current Gain
at VCE = 10 V, IC = 0.1 h 35 - -
mA at VCE = 10 V, IC = 1 F
E
50 - -
mA at VCE = 10 V, IC = 75 - -
10 mA h 100 3 -
at VCE = 10 V, IC = 150 mA 2N2222 F 30 0 -
E
at VCE = 10 V, IC = 500 mA 2N2222 40 0 -
A -
h
F
-
E

h
F
E

h
F
E

h
F
E
Collector Base Cutoff Current
at VCB = 50 V 2N2222 ICBO - 10 nA
at VCB = 60 V 2N2222 - 10
A
Collector Base Breakdown Voltage
at IC = 10 µA 2N2222 V(BR)C 60 - V
2N2222 BO 75 -
A
Collector Emitter Breakdown Voltage
at IC = 10 mA 2N2222 V(BR)C 30 - V
2N2222 EO 40 -
A
Emitter Base Breakdown Voltage
at IE = 10 µA 2N2222 V(BR)E 5 - V
2N2222 BO 6 -
A
Collector Emitter Saturation Voltage
at IC = 150 mA, IB = 15 mA 2N2222 - 0.4
2N2222 VCE(sat - 0.3 V
at IC = 500 mA, IB = 50 mA A ) - 1.6
2N2222 - 1
2N2222
A
Base Emitter Saturation Voltage
at IC = 150 mA, IB = 15 mA 2N2222 - 1.3
2N2222 VBE(sat 0.6 1.2 V
at IC = 500 mA, IB = 50 mA A ) - 2.6
2N2222 - 2
2N2222
A
Gain Bandwidth Product
fT 250 - MHz
at IC = 20 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz
Collector Output Capacitance
Cob - 8 pF
at VCB = 10 V, f = 1 MHz
EVIDENCIAS