INTRODUCCIÓN.

Física de Semiconductores
TEMA 2. DIODO DE POTENCIA.

2.1. INTRODUCCIÓN. ni
Concentración Intrínseca:
2.1.1. Física de semiconductores. qE G 0

2.1.2. Unión p-n.
2
n
i A0 ˜ T ˜ e 3 kT

Para T=300ºK, ni=1.5 1010 elect./cm3

2.2. ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA.

2.3. POLARIZACIÓN INVERSA.

2.3.1. Técnicas para elevar la tensión VRRM Concentración de Portadores Minoritarios:

2.3.1.1. Biselado p0 n0 ni2 ; p0  N d n0  N a Minoritarios Mayoritarios

ni2
2.3.1.2. Anillos de guarda En un cristal tipo p: Material n p0 | n0 | N d
Nd
ni2 ni2
2.3.2. Características de Catalogo n0 | p | Na Material p n0 | p0 | N a
Na y 0 Na
2.4. POLARIZACIÓN DIRECTA.
Recombinación de Portadores Minoritarios:
2.5. CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS. d (Gn) Gn
2.6. PÉRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS. dt W
El valor de W es muy importante para
conocer la velocidad de conmutación de un
2.7. DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA. dispositivo bipolar y sus pérdidas en
conducción.
W sube con la Temperatura y con las
concentraciones de portadores muy altas
(Gn>nb |1017, Recombinación de Auger).
Control de centros de recombinación:
a) Impurezas de oro Tiempo (s)
b) Radiación con electrones (varios MeV)

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 INTRODUCCIÓN. Unión p-n ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA
DEL DIODO DE TRES CAPAS
D La anchura de la capa de deplexión es:
Ron 2H ) c N A  N D 
W0 Diámetro=60y150mm
qN A N D
Donde ) c es el potencial de contacto de la

0.3y1 mm
Espesor=
NA ND unión p-n:
kT § N A N D ·
)c ln¨ ¸
q ¨© ni2 ¸¹
p n
Gráficamente:
Tamaños aproximados de un diodo típico de alta tensión y alta corriente

W0 W0 : Anchura de la Ánodo
zona de deplexión
El campo eléctrico máximo que 10Pm
soporta el Silicio es teóricamente p+ NA=1019imp/cm3
300.000 V/cm, pero debido a
impurezas e imperfecciones de la
estructura cristalina, en la práctica
es de 200.000 V/cm.
n- dRD
ND=1014imp/cm3

Fuertemente Dopado iD
Ligeramente dopado 1/Ron
Diodo Ideal 250Pm
n + ND=1019imp/cm3
1/Ron

Cátodo
VBD VBD
dRD : Es función de la tensión inversa a soportar

vD A : Área de la sección perpendicular al plano del dibujo, es

VJ VJ función de la corriente máxima

Sección de un diodo de potencia típico mostrando su estructura de tres capas.

Efecto de la concentración de impurezas en la tensión inversa y en la caída en

conducción

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 ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA ESTÁTICA POLARIZACIÓN INVERSA.
DEL DIODO DE TRES CAPAS
Area = Potencial Externo Aplicado =-³Edx
La estructura de tres capas permite:
Area = Extensión de la zona de deplexión
+ -
a) En polarización inversa: la unión formada por las capas p n al estar poco Area = Conexión metálica (ánodo y cátodo)
dopada soporta una tensión muy elevada.
b) En polarización directa: la circulación de electrones desde la capa n+
inunda de electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la
caída en conducción es equivalente a un diodo muy dopado. p+ p+

iD E E
-
n
1/Ron n-

VBD
Emax
n+
VJ # 1V vD
x
Emax
x
a) Diodo sin perforar b) Diodo perforado
Límites de la zona de deplexión y distribución del campo eléctrico en diodos.
Curva característica estática del diodo de potencia.
El valor Emax es la máxima intensidad de campo eléctrico que puede soportar el
Máxima Velocidad silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm.
Máxima Caída en
Tipo de Diodo tensión de de Aplicaciones
corriente conducción Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b
ruptura conmutación
Rectificadores Circuitos de (perforado), el área bajo la curva de la distribución del campo eléctrico es casi el
30kV ~500mA ~10V ~100nS doble que en el caso a. Por tanto, la tensión inversa que se puede aplicar es
de alta tensión alta tensión
Propósito Rectificadores prácticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos,
~5kV ~10kA 0.7 - 2.5 V ~25PS sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.
general 50 Hz
Rápidos Circuitos
~3kV ~2kA 0.7 - 1.5 V <5PS
(fast recovery) conmutados
Diodos Rectificadores
~100V ~300A 0.2 - 0.9 V ~30nS
Schottky de BT y AF
~300 V
Referencias y
Diodos Zener (funciona
~75 W - - fijación de
de potencia en
tensiones
ruptura)

Principales características de los diodos de potencia

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 POLARIZACIÓN INVERSA. Técnicas para Mejorar VBD . POLARIZACIÓN INVERSA. Técnicas para Mejorar VBD.
Biselado Anillos de Guarda
Difusión de Impurezas
ÁNODO Experimentalmente se comprueba
SiO2
que no se produce acumulación de
p líneas de campo para Rt6*Wdep
SiO2 SiO2 Wdiff
Región de deplexión p+ Para un diodo de 1000V, es aprox.
R
Wdep=100P, luego R=600P.
Wdep : Anchura de la
n zona de deplexión Como Wdiff |R, el tiempo de
fabricación es excesivamente alto y
n n- por tanto no resulta rentable.

CÁTODO Unión pn. Proceso de difusión

Anillo de
SiO2 SiO2 guarda a
V1
da db V1  V2  ! V1  V2  p+
p+ p+ potencial
flotante
V2 da db

biselado de los bordes de un diodo de tres capas.

n-
Ventajas del biselado:
x Eliminación por ataque químico de zonas con posibles defectos en la
estructura cristalina (zona del corte mecánico).
x Disminución de la intensidad del campo eléctrico en las zonas más
frágiles (superficie), al hacer d2 >d1 . n+

Unión p-n empleando anillos de guarda.

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 POLARIZACIÓN INVERSA. Características de Catalogo POLARIZACIÓN DIRECTA

Segundo
Primer subíndice Tercer subíndice Características de catálogo en Polarización Directa:
subíndice
T=Dir. Polarizado y conduce W=De trabajo M=Valor Máximo x Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la máxima corriente
de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma
D=Dir. Polarizado y no conduce R=Repetitivo (AV)=Valor Medio continuada con la cápsula mantenida a una determinada temperatura
(típicamente 100º C).
R=Inversamente Polarizado S=No Repetitivo (RMS)=Valor Eficaz
x Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente máxima que puede ser
soportada cada 20ms con duración de pico 1ms.
F=Directamente Polarizado
x Corriente de pico único, IFSM : Corriente máxima que puede ser
Subíndices empleados por los fabricantes de semiconductores. soportada por una sola vez cada 10 ó más minutos siempre que la
duración del pico sea inferior a 10ms.

Características de Catálogo en Polarización Inversa:

x Tensión inversa de trabajo, VRWM : Máxima tensión inversa que puede

soportar de forma continuada sin peligro de avalancha.
x Tensión inversa de pico repetitivo, VRRM : Máxima tensión inversa que
puede soportar por tiempo indefinido si la duración del pico es inferior a
1ms y su frecuencia de repetición inferior a 100 Hz.
x Tensión inversa de pico único, VRSM : Máxima tensión inversa que puede
soportar por una sola vez cada 10 ó más minutos si la duración del pico
es inferior a 10 ms.
x Tensión de ruptura, VBD : Valor de la tensión capaz de provocar la
avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10
ms.

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 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS

iD El tiempo de recuperación inversa es el mayor de los dos tiempos de

IF Qrr Carga conmutación y el responsable de la mayor parte de las pérdidas de conmutación.
0.9IF Almacenada iD La carga almacenada que se
diD/dt Qrr (Carga
IF elimina por arrastre es:
Almacenada)
³
0.1IF t rr
ta tb Qrr i f dt
0.25Irr t 0
tr 0.25Irr Aproximando el área bajo la
t
Irr corriente a un triángulo será:
vD I rr t rr 2 Qrr
trr
Vfr vD Irr # Qrr Ÿ t rr #
trr 2 I rr
VON 1.1VON
VON
La derivada de la corriente
t durante ta depende del circuito
VR Pico de tensión t externo, y normalmente será:
debido a L diD/dt VR ta>> tb es decir: ta# trr . Si se
L=bobina en serie resuelve el circuito y se conoce
tON con D. (tb<<ta)
el valor de la derivada de iD:
Encendido del diodo Apagado del diodo diD I rr I rr
# se obtiene:
dt ta trr
Curvas de tensión y corriente del diodo durante la conmutación. Pérdidas muy
elevadas al ser diD
la corriente y I rr # 2 Qrr
x Tensión directa, VON. Caída de tensión del diodo en régimen permanente para dt
la tensión muy
la corriente nominal. altas El valor de Qrr puede obtenerse
del catálogo del fabricante.
x Tensión de recuperación directa, Vfr. Tensión máxima durante el encendido.
Curvas de tensión y corriente del diodo durante
x Tiempo de recuperación directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON. la conmutación a corte.
x Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su
Los factores que influyen en el tiempo de recuperación inversa son:
valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo
(inductivo). x IF; cuanto mayor sea, mayor será trr. Esto se debe a que la carga almacenada
será mayor.
x Tiempo de recuperación inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del
x VR; cuanto mayor sea, menor será trr. En este caso si la tensión inversa es
diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor máximo (negativo) y retornar
mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados.
hasta un 25% de dicho valor máximo. (Tip. 10Ps para los diodos normales y
1Ps para los diodos rápidos (corrientes muy altas). x diF/dt; cuanto mayor sea, menor será trr. No obstante, el aumento de esta
pendiente aumentará el valor de la carga almacenada Q. Esto producirá
mayores pérdidas.
x T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarán tanto Q como trr.

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 PÉRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA

x Bloqueo: Se suelen despreciar. ÁNODO

SiO2 SiO2
x En Conmutación. Son función de la frecuencia de trabajo. (Además de p+ p+
las corrientes, tensiones y la forma como evolucionan). Zona de deplexión
x En Conducción: Uso de catálogos:

Unión
PD T PD Rectificadora:
n- Zona deplexión
T=60º T=120º T=180º muy estrecha
180º situada en la
soldadura: VBD
muy baja
n+
Unión Óhmica:
Efecto Túnel.
CÁTODO

IAV Tc
25ºC 125ºC Diodo Schottky de potencia
Curvas típicas suministradas por un fabricante para el cálculo de las pérdidas en Diodo Schottky iD
conducción de un diodo Diodo Normal
Las pérdidas aumentan con: 1/RON
1/RON
x La intensidad directa.
x La pendiente de la intensidad.
x La frecuencia de conmutación. VBD
VBD
x La tensión inversa aplicada.
x La temperatura de la unión.
VJ VJ vD

Característica I-V de un diodo Schottky

Uso en circuitos donde se precise:
x Alta velocidad
x Bajas tensiones
x Potencias bajas
Por ej. Fuentes de alimentación conmutadas.

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