UNIVERSIDAD AUTÓNOMA CHAPINGO

INGENIERÍA MECÁTRONICA AGRÍCOLA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

DIODOS:
Sabemos que hay dos tipos de comportamiento en los materiales con relación a la capacidad de
conducción de corriente eléctrica. Hay materiales a través de los cuales la corriente puede fluir
fácilmente, llamándose conductores, y los materiales en los cuales la corriente no puede pasar,
llamándose aislantes.
Entre los conductores destacan los metales, los gases ionizados, las soluciones iónicas, etc. Entre los
aisladores destaca el vidrio, caucho, mica, plásticos, etc.
Hay, sin embargo, una tercera categoría de materiales, un grupo intermedio de materiales que no
son buenos conductores, porque la corriente tiene dificultad para pasar a través de ellos, pero no
son totalmente aislantes. En estos materiales, los transportistas de carga pueden moverse, pero con
cierta dificultad. Estos materiales se denominan "semiconductores".
Entre los materiales semiconductores más importantes, que presentan estas propiedades, destacan
los elementos químicos silicio (Si), germanio (Ge) y Selenio (Se).
Cuando ponemos juntos dos materiales, formando una unión P y N se forma entre ellos una “juntura”
que tiene importantes propiedades eléctricas.
De hecho, son las propiedades semiconductoras las que posibilitan la fabricación de todos los
modernos dispositivos semiconductores, desde el diodo, pasando por el transistor al circuito
integrado.
Para entender cómo funciona la Juntura, empecemos por dos piezas de materiales semiconductores,
una P y otra N, que se unen, para formar una unión, como se muestra en la figura:

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En el sitio de la juntura, los electrones que están en exceso del material N se mueven hasta el material
P, buscando huecos, donde se fijan.
El resultado es que tenemos electrones neutralizando huecos, esto es, en esta región no tenemos
más material ni N ni P, sino material neutro. Sin embargo, al mismo tiempo que ocurre la
neutralización, aparece una pequeña tensión eléctrica entre las dos regiones del material
semiconductor.
Esta tensión, que aparece en la juntura, consiste en una barrera que necesita ser superada para que
podamos hacer circular una corriente entre los dos materiales. Como sugiere el fenómeno, el nombre
dado es "barrera potencial “.

Esta barrera tiene un valor que depende de la naturaleza del material semiconductor utilizado, siendo
del orden de 0.2 V para germanio y 0.6 V para silicio.
La estructura indicada, con dos materiales semiconductores, P y N, forma un componente que
presenta importantes propiedades eléctricas y que llamamos "diodo semiconductor", o simplemente
"diodo".

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DIODO SEMICONDUCTOR:
Para hacer circular una corriente eléctrica a través de una estructura con dos materiales P y N
formando una unión, hay dos posibilidades, o dos posibles direcciones: la corriente puede fluir del
material P al N, o viceversa.
En la práctica, veremos que a diferencia de los cuerpos comunes que conducen la electricidad, la
corriente no se comporta de la misma manera en ambas direcciones.
La presencia de la juntura causa un comportamiento totalmente diverso para manifestarse en cada
caso.
Así que asumamos inicialmente que una batería está conectada a la estructura formada por los dos
pedazos de material del semiconductor que forman la juntura, es decir la estructura del PN.
El material P está conectado al Polo Positivo de la batería, mientras que el material N está conectado
al Polo Negativo.
Hay entonces una repulsión entre las cargas que causan los portadores de la carga del material P,
esto es, los boquetes se mueven hacia la juntura, mientras que los portadores de la carga del material
N, que son los electrones libres, se alejan del Polo de la batería que se empuja hacia la juntura.
Los portadores de carga positivos (huecos) y los negativos (electrones) se encuentran en la región de
la juntura donde, debido a que tienen diferentes polaridades se recombinan y se neutralizan.
La recombinación de estas cargas, "empujadas" por la batería, abre el camino para que nuevas cargas
sean empujadas a esta región, formando así un flujo constante.
Este flujo no es más que una corriente eléctrica que puede fluir libremente a través del componente
sin encontrar mucha resistencia u oposición. Decimos, en estas condiciones, que el componente, esta
polarizado en directa, como se muestra en la figura:

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Este componente, llamado "diodo”, Como ya hemos visto, deja el paso de la corriente sin oposición
cuando se polariza en directa.
Por otro lado, si invertimos la polaridad de la batería en relación con las piezas de material
semiconductor de esta estructura, el fenómeno que se manifiesta es diferente.
Los portadores del material de N se atraen al polo positivo del generador que se aleja de la región de
la juntura:

Del mismo modo, los portadores del material P también se alejan de la juntura, lo que significa que
tenemos una "ampliación de la juntura", con un aumento de la barrera potencial que impide la
circulación de cualquier corriente eléctrica.
La estructura polarizada de esta manera, que es, polarizada al revés, no deja pasar la corriente a
través de ella.
En la práctica, una pequeña corriente del orden de millonésimas de ampere puede circular incluso
cuando el diodo se polariza al revés.
Esta corriente de salida es debido al hecho de que el calor ambiental agita los átomos del material
de una manera tal que uno u otro portador de carga pueda ser lanzado, llevando la corriente de esta
manera.
Como la intensidad de esta corriente varía con la temperatura, una estructura de este tipo, es decir,
un diodo, también se puede utilizar como un excelente sensor de temperatura.
Entonces, una simple estructura PN de silicio o germanio da como resultado un importante
componente electrónico que es el diodo.

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En la siguiente figura, se muestra la estructura y el símbolo utilizados para representar el

componente, se asemeja a una "flecha", indicando la dirección de la corriente.

En la siguiente imagen se observa que hay una banda o anillo en algunos tipos de diodos, indicando
el lado del cátodo, es decir, el lado del material N.
El símbolo propio del componente se puede escribir en la posición en la que se exhiben el ánodo y el
cátodo.

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El diodo semiconductor puede entonces ser polarizado de dos maneras, como muestra la figura:

Si el diodo está polarizado como se muestra en (a), con el polo positivo de la batería u otra fuente de
energía eléctrica en su ánodo, la corriente puede fluir fácilmente, ya que el diodo presenta una
resistencia muy baja. Decimos que el diodo está polarizado en directa.
Si la polarización se hace como se muestra en la figura (b), entonces ninguna corriente puede circular.
Decimos que el diodo está polarizado en inversa.
Se debe tener en cuenta que debido al hecho de que tenemos que vencer la barrera de potencial 0.2
V para diodos de germanio, y 0.6 V para los diodos de silicio, cuando se produce la conducción,
aparece en el componente siempre esta tensión, independientemente de la intensidad de la
Corriente que está circulando a través de él, como se puede ver en la figura:

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De hecho, como la resistencia del diodo es muy baja, en su condición de conducción de corriente
completa, si no hay un componente que limita esta corriente en el circuito, el diodo corre el riesgo
de "quemarse", porque hay un valor máximo para la intensidad de la corriente que puede conducir.
Del mismo modo, también hay un límite a la tensión máxima que podemos aplicar en un diodo
cuando para polarizarlo en inversa.
Llega un punto en el que, incluso polarizado en inversa, la barrera de potencial ya no puede contener
el flujo de cargas.
Los diodos comunes entonces se especifican según la corriente máxima que puede conducir en
directa, abreviada por If (El F viene de forward que en inglés significa adelante o hacia adelante), y
por la tensión máxima que pueden soportar en inversa, abreviado por Vr (El r viene de reverse que,
en inglés, significa inverso).
Analizamos esto cuando estudiamos las especificaciones de los diodos, que en el caso de los diodos
de potencia requieren un cuidado especial
También veremos que hay algunos tipos de diodos especiales que pueden funcionar polarizados al
revés y que cuentan con características muy interesantes para la electrónica.

TIPOS DE DIODOS:
El material semiconductor usado en la formación de diodos puede ser el germanio y el silicio. Así que
tenemos tanto diodos de germanio y diodos de silicio. Y, en estos grupos, los tipos todavía pueden
tener diferentes propósitos, por lo que se construyen de una manera diferente.

DIODOS RECTIFICADORES DE SILICIO:

Los diodos más comunes en aplicaciones de potencia media y alta son rectificadores que, se utilizan
en fuentes de alimentación como rectificadores.
Los diodos de la serie de 1N4000 y de 1N5000 son absolutamente comunes, así como la serie de SK.
Estos diodos se encuentran en fuentes con corrientes de 1 A hasta 5 A.
Sin embargo, en aplicaciones industriales, en vehículos eléctricos en automatización de alta potencia
se utilizan diodos rectificadores con cadenas mucho más grandes.
Estos Diodos son destinados a la realización de corrientes intensas, soportando también altas
tensiones que pueden exceder los 1 000 V.

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En la construcción de estos diodos se utilizan técnicas especiales que apuntan a una geometría en la
que la corriente se distribuye uniformemente por la pastilla de silicio.
Lo que pasa es que cuando empieza a conducir un diodo de este tipo, la corriente se concentra en un
área pequeña, generando así un pico de calor en esta ubicación.
A medida que la corriente aumenta y distribuye, la generación de calor también es distribuida de una
manera más uniforme.
Estos diodos se pueden encontrar en fuentes de alimentación, reguladores de voltaje del alternador,
inversores de energía, controles, etc.

• Especificaciones de los diodos de silicio:

Para las especificaciones de los diodos se utilizan normalmente los símbolos, que los usuarios de los
diodos necesitan saber.
El conocimiento de esta simbología es especialmente importante cuando necesitamos interpretar las
fichas de datos (datasheets) de un componente en particular.
Recordamos que todos los componentes tienen límites para su uso y estas especificaciones definen
con precisión estos límites. Si se exceden, el componente puede ser dañado o todavía quedar
inutilizable.
En los símbolos normalmente una mayúscula corresponde a la unidad usada, por ejemplo, I para la
corriente, V para la tensión, P para potencia, etc.

• Especificaciones de tensión y corriente:

Para los diodos comunes normalmente dos especificaciones de tensión son suficientes para
permitirnos evaluar su funcionamiento en un circuito. Son:
Vf = caída de tensión en directa - es la caída de tensión que ocurre en un diodo cuando conduce la
corriente. Normalmente de 0,6 a 0,7 V en los diodos de silicio
PIV = tensión de pico inversa (Peak Inverse Voltage), que es la máxima tensión que se puede aplicar
al diodo cuando polarizado en inversa.
Para la corriente, basta saber el valor de una de ellas:
IF (AV) = corriente media polarizando el diodo en directa y con ello sabemos cómo usar el diodo.
Sin embargo, consultando datasheets encontramos otras especificaciones de tensión que son
igualmente importantes cuando pretendemos trabajar con estos componentes. Las principales son:

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VRRM = Tensión inversa máxima repetitiva (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - es la tensión
máxima que el diodo puede soportar en inversa en forma de pulsos repetidos.
VR o VDC = Tensión máxima continua (Maximum DC Reverse Voltage) que el diodo puede soportar
cuando se polariza en inversa.
VF = Caída de tensión en directa (Forward Voltage) - es la tensión que aparece en un diodo cuando
conduce una determinada corriente, especificada en el datasheet. En un diodo ideal, esta tensión es
nula, pero según estudiamos en los diodos comunes, ocurre siempre una caída de tensión en la
conducción que se suele adoptar como valor típico en los diodos de silicio de 0,7 V.
IF (AV) = Corriente máxima (media) polarizando el diodo en directa - es el máximo valor de corriente
media que puede conducir cuando se polariza en directa. Esta corriente es determinada básicamente
por la capacidad de disipación del diodo, pues el calor generado en estas condiciones depende de la
caída de tensión que ocurre en la unión, multiplicada por la intensidad de la corriente.
IFSM o If (sur) = Corriente máxima pico en directa - es el pico máximo de corriente que el diodo es
capaz de conducir cuando se polariza en directa. Este parámetro es limitado por la capacidad de
disipación de la unión, siendo normalmente muy alto debido a la inercia térmica. Se tarda un cierto
tiempo para que el calor generado se propague.
TSTG = Rango de temperatura de almacenamiento - Rango de temperaturas en que el diodo se puede
guardar (sin estar en funcionamiento).
Tj = Temperatura máxima de la unión o máxima temperatura de funcionamiento. En la mayoría de
los casos es el mismo valor de la temperatura de almacenamiento.
R (θ) = Resistencia Térmica - es la diferencia de temperatura que ocurre entre la unión y el medio
exterior (aire) o entre la unión y las terminales para una determinada disipación. Esta especificación
se da en grados Celsius por Watt (oC / W). Su valor sería cero si la envoltura del diodo fuera un
conductor perfecto, pero en la práctica no lo es. Esta especificación es importante en el
dimensionamiento de los disipadores de calor.
IR = Corriente inversa máxima - es la corriente máxima que circula por el diodo cuando se polariza
en inversa, también encontramos esta corriente indicada como "corriente de fuga" (leakage current).
En un diodo ideal esta debe ser nula, pero en la práctica depende de diversos factores, siendo el
principal, la temperatura.
CJ = Capacitancia típica de la unión (Junction capacitance) es la capacitancia que aparece entre las
junturas debido a que actúa como un dieléctrico. Se trata de una capacitancia muy baja, de la orden
de picofarads.
trr = Tiempo de recuperación inversa - se trata del intervalo de tiempo que ocurre entre el instante
en que la tensión en un diodo en conducción es invertida y realmente deja de conducir.

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Es importante notar que los parámetros indicados varían dependiendo de varios factores, siendo el
principal la temperatura. Así que los fabricantes, en la mayoría de los casos, no dan estas
especificaciones a través de un valor fijo, sino más bien a través de gráficos.
En estos gráficos, la especificación se traza de acuerdo con las diferentes condiciones, que pueden
ser muy importantes en los proyectos más críticos.
En la siguiente figura tenemos un ejemplo que muestra cómo se componen las corrientes máximas
de un diodo 1N5404 de acuerdo con la temperatura.

En la siguiente figura se muestra un detalle de un datasheet de una serie de diodos comunes

utilizados en la rectificación, esta serie va de 1N5400 a 1N5408.
La corriente de estos diodos es la misma 3 A (media rectificada), pero las tensiones cambian. A
continuación, tenemos las "máximas absolutas" que son los valores que no deben excederse, ya que
el componente podría sufrir daños irreversibles.
Se debe notar que estos máximos se especifican bajo ciertas condiciones, usualmente dada la
temperatura ambiente de 25 º C. Para la mayoría de los componentes estas características se
deterioran rápidamente cuando se excede la temperatura indicada.

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