csnsfrueci~n de u n i nofasico tipo puentc ccn

ensidal (SP QS nivelesf"

A todas las personas que de
uno u otro mod0 colaboraron en
la realizacion de este trabajo y
especialmente en el Ing.
Norman Chootong Ching
Director de Topico, por su
invaluable ayuda. Al Ing. Efren
Herrera Muentes que en todo
momento nos brindo las
facilidades de equipos para la
culminacidn de este trabajo.
A Dios pot permitimos culminar

este objetivo importante en

nuestras vidas, por darnos la

suerte de tener a nuestros padres

cornpartiendo con nosotros esta

alegria. A nuestros padres, por

sus sacrificios y abnegaciones

que hicieron posible cumplir con

esta etapa de nuestras vidas. A

nuestros hermanos COMO

muestra de carifio.
 TRIBUNAL DE GRADUACION

in? Monsalve Ing. Norman Chootong

SUB CAN0 DE LA FIEC DIRECTOR DE T ~ P I C O

*
d
Ing. Holguer Cevallos.
MIEMBRO PRINCIPAL MIEMBRO PRINCIPAL
 DECLARACION EXPRESA

m-oy-

"La responsabilidad del contenido de este trabajo, nos correspon@ B8WL

exclusivamente; y el patrimonio intelectual del mismo a la ESCUEIA

SUPERIOR POLIT~CNICADEL LITORAL".

Annell~einaRojas
 RESUMEN

-MOQurmu~

CIB E8POL
El trabajo a desarrollarse en este proyecto de topico consiste en el diseiio y

construccion de un inversor monofasico tipo puente con t h i c a de

modulacion por ancho de pulso senoidal (SPWM) de 2 niveles, utilizando el

microcontrolador 87C52 de Intel que envia las seiiales de control que

manejaran el funcionamiento de 10s transistores (BJTs) de potencia.

Se ha constmido un mMulo funcional cuya aplicacion perrnite efectuar las

pruebas de las sefiales digitales generadas con distintas cargas, la

comprobacion de la variacion de voltaje ( indice de modulacion) y variacion

de la frecuencia.

lnicialmente se plantean 10s fundamentos teoricos indispensables para la

mejor comprension del inversor implementado, asi como su aplicacion y

utilidad. A continuation se analizan 10s semiconductores seleccionados, 10s

transistores BJT de potencia; para luego describir la rnodulacion senoidal de

ancho de pulso como el metodo mas efectivo, acompaiiada de una

explication de las otras tecnicas de control.

El siguiente paso es el disefio del modulo de potencia, protecciones, fuentes

de alimentacion y diseiio de 10s controladores de base de 10s transistores.

Con estos antecedentes se deduce un algoritmo que permite generar las

sefiales necesarias para sintetizar una onda senoidal de amplitud y

frecuencia deseada mediante un modulo microprocesado, el mismo que

facilita la rnanipulacion del equipo de parte del usuario mediante un circuit0

digital que a su vez muestra las condiciones actuales de operacion.

 INDICE GENERAL
Pag.

RESUMEN......................................................................................................Vl

~NDICEGENERAL........................................................................................ Vlll

ABREVIATURAS..........................................................................................XI11

INDICE DE FIGURAS...................................................................................XIV

I. GENERALIDADES,,..................................................................................3

El BJT en r4gimen de conmutacion.....................................................4

1.I.

1.I
.I. Consideraciones...................................................................4
-2. El transistor BJT de potencia.............................................. -7
1.I

1.1.3. Breve analisis de la configuration darlington

con transistores de potencia............................................. ..20

1.2. Circuito de control para un BJT de potencia.................................24

12.1 . Requerimientos.. ........................................................ ..25

12.2. Circuito controlador de base para un BJT.. .........................26

1.3. Protection de 10s BJT en regimen de conmutacion......................30

1.3.1. Protection contra sobrecorrientes.......................................33

1.3.2. Circuitos snubber................................................................34

 1.3.3. Consideraciones para 10s disipadores de calor..................44

1.4. Operacion basica de un conversor dc-ac.......................................47

1.4.1. Carga inductiva....................................................................48

1A.2. Diodos de conmutacion..................................................... -49

1.5. Tecnicas de control para conversores dc-ac................................. 50

1.5.1. Generacidn de onda cuadrada...........................................-51

1.5.2. Modulacion por ancho de pulso unico................................. 53

1.5.3. Modulacion por ancho de pulso multiple.............................55

1.5.4. Modulacion por ancho de pulso senoidal (SPWM).............59

1.5.5. Modulacion por ancho de pulso senoidal de dos niveles....60

1.5.6. Modulacion por ancho de pulso senoidal de tres niveles....64

1.5.7. Modulacion por onda trapezoidal o sobremodulacion.........68

1.5.8. Modulacion de ancho de pulso senoidal modificada...........70

1.5.9. Control de desplazamiento dc? fase.....................................72

II. DISENO DEL MODULO DE POTENCIA..

2.1. Descripcion general y especificaciones

del mddulo de potencia................................................................75

2.2. Diseiio de la fuente de alimentacion para

el modulo de potencia..................................................................-77

2.3. Dimensionamiento y seleccion de 10s dispositivos

de potencia...................................................................................81
 2.3. 1. Tecnica de control de dos niveles con carga R........
-QKumlaL
CIB ES&&
2.3.2. Tknica de control de dos niveles con carga L...................

2.3.3. Selection de 10s dispositivos de potencia..........................-88

2.4. Protecciones..................................................................................91

2.4.1. Protection contra sobrecorrientes...................................... 91

2.4.2. Circuitos snubber................................................................95

2.4.3. Diodoszenner....................................................................-98

2.4.4. Disipadores de calor.......................................................... -99

3.1. Requerimientos del modulo de control........................................102

3.2. Circuito de control para el encendido y apagado

..
del inversor monofasico.............................................................
104

3.3. Tarjeta de control SPWM de dos niveles....................................107

3.3.1.Fuente para la tarjeta de control SPWM de dos niveles...112

3.3.2. Breve description del microcontrolador 87C52

de INTEL.........................................................................
114

3.4. Circuitos de control de base........................................................118

3.4.1. Circuito para 10s controladores de base........................119

3.4.2. Fuentes de voltaje para el circuit0 controlador

de base...........................................................................125

3.4.3. Tarjetas de 10s controladores de base............................130

 3.5. Descripcion y diagrama de bloques del software de control....... 134

3.5.1. Description del software de control................................134

3.5.2. Diagrama de bloques del software de control................. 142

3.5.3. Diagrama de flujo del software de control.......................144

IV.PRUEBAS Y RESULTADOS............................................................148

4.1. Caracteristicas dinhmicas de conmutacion del inversor............. 148

4.2. Operacion del modulo de control................................................. 151

4.3. Operacion del inversor con diferentes tipos de carga................. 152

4.3.1. Pruebas en las seiiales SPWM del microcontrolador....152

4.3.2. Pruebas en 10s circuitos controladores de base.............156

4.3.3. Pruebas en la carga.......................................................159

4.4. Operation de los circuitos de protection.....................................190

4.4.1. Protection contra sobrecomente.................................. .I90

4.4.2. Circuitos snubber y diodos zenner .................................192

4.5. Detalles constructivos del inversor.............................................193

V . CONCLUSIONES..............................................................................195

5.1. Evaluaci6n tknico-economica ...................................................195

5.2. Discusion de resultados experimentales.....................................197

5.2.1. Caracteristicas dinarnicas de

 conrnutacidn del inversor............................................... 197

5.2.2. Operacidn del inversor con diferentes tipos de

carga.............................................................................. 198

5.2.3. Probtxion contra sobrecorrientes.................................. 202

5.3. Conclusiones y recomendaciones............................................... 202

ANEXOS.

BIBLIOGRAF~A .
 Ancho de pulso.

Anodo.

A
:, Amplitud de la sefial modulante.

Amplitud de la sefial portadora.

Base.

BJT: Transistor de juntura bipolar.

Colector.

Capacitancia base-emisor intemo.

Capacitancia colector-base.

Capacidad colector-base, emisor abierto.

Capacitor del snubber de sobrevoltajes,

Capacitor del snubber de apagado.

Diodo del circuito snubber de encendido.

Diodo del circuito snubber de sobrevoltajes.

D i d o del circuito snubber de apagado.

Emisor.

Fuente dc.

FBSOA: Area directa de operacion segura.

Frecuencia de la seAal modulante.

Frecuencia de la sefial portadora.

 Frecuencia de transicion.

Ganancia estatica de corriente en emisor comun.

Corriente continua de base, mbima.

Corriente de pico de base, maxima.

Corriente continua de colector.

Corriente de fuga de colector con emisor abierto (corriente de

corte de colector).

/CEO: Corriente de corte colector- emisor con la base abierta.

~ER: Idem, con la resistencia entre base y emisor.

ICES: Idem, con la base cortocircuitada al emisor.

IcEv: Idem, con la union base-emisor inversamente polarizada.

ICM: Corriente de pico de colector, maxima

JEBO: Corriente de fuga de emisor con el colector abierto.

(EM: Corriente de pico de emisor, maxima.

:,I hdice de modulacion.

lo: Corriente en la carga.

:,t Tiempo de recuperacion inversa.

IR: Corriente de bloqueo inverso o de fuga.

:,I Corriente de recuperacion inversa.

Is: Corriente de 10s switches de potencia.

K: Catodo.

Ls: Inductor del snubber de encendido.

MD: Darlingtons de potencia monoliticos.

MSPWM: Tecnica de control por modulaci6n de ancho de pulso senoidal

modificada.

N: Nllmeros de pulsos por cada medio ciclo.

NC: Terminates de un contacto norrnalmente cerrado

NO: Terminales de un contacto normalmente abierto.

PD: Potencia total disipable, mkima.

PON: Potencia de encendido.

PWM: Modulacion por ancho de pulso.

RBSOA: Area inversa de operacion segura.

R:, Resistencia del dopado de colector.

Re: Resistencia del dopado de emisor.

~B(oN): Corriente de base en estado encendido

RLs: Resistencia del circuito snubber de encendido.

R, : Resistencia de monitoreo para el circuito contra sobrecorriente.

Rov: Resistencia del circuito snubber de sobrevoltaje.

SOA: Area de operacion segura.

SPWM: Modulacion por ancho de pulso senoidal.

BD: Ganancia de corriente para una configuration darlington.

TB-: Transistor que proporciona la corriente negativa para el apagado

del transistor de potencia en el circuito controlador de base.

TB+: Transistor que proporciona la corriente positiva para el encendido

 del transistor de potencia en el circuito controlador de base.

Tiempo de retardo de encendido.

Tiempo de retardo

Tiempo de caida.

Tiempo de caida de voltaje.

Tiempo de apagado &+tf ).

Tiempo de excitation o de encendido (fd+fr).

Tiempo de subida.

Tiempo de subida de voltaje.

Tiernpo de alrnacenamiento.

UPWM: T h i c a de control por rnodulacion de ancho de pulso uniforrne.

Voltaje de polarizacion positivo del opamp (comparador) en el

circuito controlador de base.

Voltaje base-colector de encendido.

Voltaje base-emisor de encendido.

Voltaje de ruptura colector-base con el emisor abierto.

Voltaje de sostenimiento colector-emisor para una determinada

corriente de colector.

Voltaje de saturacion colector-emisor.

Voltaje de ruptura colector-emisor con la base abierta.

Idem, con una resistencia entre base y emisor.

Idem, con la base cortocircuitada al emisor.

 Voltaje de sostenimiento colector-emisor, para una deterrninada

corriente de colector.

Vcw: Idem, con la union base-emisor inversamente polarizada.

vd: Voltaje a traves de la region drift.

Vor: Voltaje en 10s diodos de paso libre (diodos de conmutacion).

VEBO: Voltaje emisor-base, con el colector abierto.

Vrni Voltaje de la fundamental para el inversor monofasico.

vo: Voltaje de carga.

vo oc: Voltaje promedio dc en la carga.

Vo RMS: Voltaje en la carga eficaz.

vs: Voltaje de 10s switches (BJT en configuration darglington).

C: Capacitor

F: Frecuencia

I: Corriente

L: Inductor

Q: Transistor

R: Resistencia

T: Periodo

t: Tiempo

v: Voltaje

W: Energia

AC: Corriente alterna

DC: Corriente directa

Fig. 1-01: Estructura vertical para un BJT de potencia npn........................7

Fig. 1-02: Caracteristicas I-V de un BJT de potencia npn............................ 9

Fig. 1-03: Formas de ondas durante el encendido de un BJT

de potencia.. ............................................,...................................I2

Fig. 1-04: Formas de ondas durante el apagado de un BJT

de potencia.. ................................................................................I4

Fig. 1-05: Area directa de operacion segura para un BJT

de potencia.. ..................................................................... ........... 18

Fig. 1-06: Area inversa de operacion segura para un BJT

de potencia.. ........................,.......................................................19

Fig. 1-07: Configuration darlington en base a transistores

de potencia.. ................................................................................2I

Fig. 1-08: Formas de ondas durante el apagado de la configuraci6n

darlington con transistores de potencia .....................................23

Fig. 1-09: Circuito controlador de base para un BJT..................................$27

Fig. 1-10: Circuito controlador de base para un BJT con diodos

de antisaturacion y de base........................................................ 28

Fig. 1-11: Trayectorias de encendido y apagado de un transistor

sin protection de 10s snubber..................................................... 31

Fig. 1-12: Circuito snubber de encendido...................................................36

Fig. 1-13: Formas de ondas de voltaje y corriente con snubber

de encendido..............................................................................-37

Fig. 1-14: Circuito snubber de apagado......................................................38

Fig. 1-15: Formas de ondas y trayectorias durante el apagado..................40

Fig. 1-16: Circuito snubber de sobrevoltaje................................................. 42

Fig. 1-17: Formas de ondas con y sin snubber de sobrevoltaje..................42

Fig. 1-18: Rama del inversor tipo puente con snubber de encendido.

apagado y sobrevoltaje..............................................................44

Fig. 1-19: lnversor monofasico tipo puente con diodos de

..
................................................................................48
conmutac~on

Fig. 1-20: Onda cuadrada entre 10s valores de la fuente E......................... 51

Fig. 1-21: Contenido armonico en la tecnica de control

por onda cuadrada..................................................................... -52

Fig. 1-22: Formas de ondas para la modulacion por ancho

..
de pulso unrco.............................................................................54

Fig. 1-23: Contenido armonico para la tecnica de control de

modulacion por ancho de pulso unico......................................... 55

Fig. 1-24: Modulacion por ancho de pulso multiple....................................-56

Fig. 1-25: Contenido armonico para la tecnica de control de

modulacion por ancho de pulso multiple.....................................59

Fig. 1-26: Modulacion por ancho de pulso senoidal.

control de dos niveles................................................................

61
Fig. 1-27:

control de dos niveles.................................................................63

Fig. 1-28: Modulacion por ancho de pulso senoidal.

control de tres niveles.................................................................64

Fig. 1-29: Contenido armonico para la tecnica de control SPWM.

control de tres niveles.................................................................67

Fig. 1-30: Ondas obtenidas con la tknica de sobremodulacion.................69

Fig. 1-31: Contenido armonico en la sobremodulacion...............................70

Fig. 1-32: Modulation de ancho de pulso senoidal modificada................... 71

Fig. 1-33: Contenido armonico para la tecnica SPWM modificada.............72

Fig. 1-34: Tecnica de control de desplazamiento de fase........................... 73

Fig. 2-01: Fuente dc para el modulo de potencia........................................77

..
Fig. 2-02: Filtro de secc~onen n................................................................ -78

Fig. 2-03: Formas de ondas de voltaje y corriente en el inversor

monofasico tipo puente, con carga resistiva............................... 82

Fig. 2-04: Formas de ondas de voltaje y corriente en el inversor

monofasico tip0 puente, con carga inductiva.............................. 85

Fig. 2-05: Circuito de protection contra sobrecorriente..............................92

Fig. 3-01: Diagrama de bloques del modulo de control............................. 103

Fig. 3-02: Circuito de control para el encendido y

apagado del inversor monofasico.............................................105

Fig. 3-03: Arquitectura del microcontrolador 87C52................................. .I

14
Fig. 3-04: configuracion utilizada con cristal de cuarzo

o resonador ceramico..............................................................I16

Fig. 3-05: configuracion utilizada con seiial extema de

oscilador....................................................................................I 16

Fig. 3-06: Ciclo de maquina para el microcontrolador 87C52............... ....1 17

Fig. 3-07: Forma de onda tipica de la corriente de base

para la configuracion darlington de potencia.. ..........................1 19

Fig. 3-08: Demostraci6n y medicion del tiempo muerto............................136

Fig. 3-09: Diagrama de bloques del software de control........................... 143

Fig. 4-01: Voltaje colector-emisor, sobrepico de voltaje en el

encendido de la configuracion darlington.................................. 149

Fig. 4-02: Voltaje colector-emisor, tiempo de encendido de la

configuracion darlington ...........................................................150

Fig. 4-03: Voltaje colector-emisor, tiempo de apagado de la

.,
configurac~ondarlington ........... ............ .................................... 150

Fig. SeAales SPWM generadas por el microcontrolador

4-04-4-09: a distintas frecuencias.. .............................................................153

Fig.. Seiiales de voltaje en la base del BJT de poten ' ...156

4-10-4-15:

Fig. Seiiales de voltaje y de corriente para carga R -=-

CIB - ESPOL
4-1 6-4-24: a la salida del inversor..............................................................161
Fig.. Sefiales de voltaje y de corriente para carga R-L
LITX~m
C ~a m

4-25-44 ESYOLl66
a la salida del inversor..............................................................

Fig.. Sefiales de voltaje y de corriente para carga L

a la salida del inversor..............................................................I75

Fig.. Sefiales de voltaje y de corriente teniendo como carga

4-61-4-65: el motor de fase partida............................................................ 185

Fig. 4-66: Grafico velocidad vs. frecuencia a un ,I = 1............................. 188

Fig. 4-67: Grafico velocidad vs. ,I a f = 60Hz...........................................189

Fig. 4-68: Arranque a f = 50Hz y un ,I = 0.2 , medicion

del tiempo de arranque.............................................................189

Fig. 4-69: Arranque a f = 60Hz y un ,I = 0.3 , medicion

del tiempo de arranque.. ...........................................................190

Fig. 4-70: Activacion de la proteccidn contra sobrecomente durante

el arranque a f = 50Hz e ,I = 0.3 .............................................191

Fig. 4-7 1: Activaci6n de la protection contra sobrecomente durante

el arranque a f = 60Hz e ,I = 0.4 .............................................192

Los inversores o conversores DCIAC tienen una gran cantidad de

aplicaciones, entre las principales encontramos: las fuentes de alimentacion

ininterrumpidas (UPS) y el control de la velocidad de 10s motores electricos;

al permitir variar en forma efectiva la magnitud y la frecuencia del voltaje AC

de salida a partir de una fuente DC.

Los inversores pueden ser monofasicos, trifasicos o polifasicos y utilizan

elementos semiconductores de potencia que pueden actuar coma switches

tales como: tiristores, IGBTs, BJTs de potencia, que pueden trabajar en

regimen de conmutaci6n de acuerdo a 10s requerimientos de diseiio, que

dependen del tip0 o tecnica de control a utilizar.

Los transistores BJT de potencia son 10s escogidos para este tipo de

aplicaciones, porque permiten la conmutacion en 10s tiempos apropiados de

rnanera mas sencilla que si utilizaramos tiristores. Las razones de esta

selection se justificaran mas adelante.

ldealmente se deben obtener voltajes y corrientes senoidales, desfasadas un

angulo 0 (dependiendo del tip0 de carga utilizada); pero en la practica 10s

elementos de switcheo que se usan para la conversion trabajan en regimen

de conmutacion, por lo que, las forrnas de onda son no senoidales y

contienen ciertos armonicos, 10s cuales podrian reducirse con ayuda de

filtros.

Para aplicaciones de mediana o baja potencia, 10s voltajes de onda cuadrada

o rectangular pueden ser aceptables, en tanto que, para 10s de alta potencia

o para cargas especiales se requieren formas de ondas senoidales de baja

distorsien.
 Capitulo 1

1. GENERALIDADES.

En la actualidad, el desarrollo de la tecnologia modema se encamina

cada dia al control automatico de 10s procesos, gracias a la enorme

ayuda que presentan 10s computadores y la microelectr6nica en general,

que se constituyen en instrumentos sumamente importantes cuando se

requiere aumentar la calidad, eficiencia, rapidez y seguridad de cualquier

sistema industrial. Los inversores tambiQn conocidos con el nombre de

conversores, tienen el objetivo de producir una salida senoidal AC de

magnitud y frecuencia variables a partir de una fuente de entrada DC,

utilizando dispositivos de potencia tales como: tiristores o transistores de

potencia que trabajan en regimen de conmutacion.

frecuencias, la facilidad de poder controlar su apagado y

disminucion de perdidas en la conmutacion; en comparacion

con la tecnologia de tiristores. Para tener una operacion

confiable del BJT se debe tener cuidado en escoger la

protection de 10s transistores de potencia, en el diseiio del

circuit0 controlador de base y la minimizacion de las perdidas

de conmutacion. En el mercado se encuentran transistores de

potencia modernos que operan a mayores frecuencias que 10s

tiristores y traen diodos antiparalelos que permiten el flujo de

la corriente en ambos sentidos, pero las capacidades de

voltaje y corriente son menores en comparacion con 10s

tiristores; razrjn por la cual, 10s transistores son normalmente

utilizados en aplicaciones de mediana y baja potencias ( hasta

40 Kw aproxirnadamente).

Justificado el uso de transistores de potencia BJT en lugar de

tiristores corno elernentos de conmutacion, se pone en

consideration 10s inconvenientes de su aplicacion:

a) Un BJT posee una baja ganancia de corriente (13); esto

implica tener una alta corriente de base que dependera de la

corriente que consuma la carga, existiendo una alta disipacion

de potencia.
b) Para reducir el tiempo de apagado del BJT, el circuito

controlador de base debe proporcionar una corriente negativa

en la base del BJT, con lo cual se logra reducir la disipacion de

potencia.

c) En aplicaciones donde sea necesario una aha capacidad

de corriente, se puede colocar algunos transistores de

potencia en paralelo con la condicion de que el circuito

controlador de base asegure el encendido y apagado

sincronizado de 10s mismos.

Con 10s antecedentes mencionados y considerando la

necesidad de poder manejar corrientes altas, elegimos para la

realization de este proyecto la configuration darlington con

transistores de potencia por su alto I3 y por su capacidad de

manejar altas corrientes ya que un solo transistor de potencia

no posee estas caracteristicas.

Es necesario entonces conocer las principales caracteristicas

de un transistor de potencia, a continuation se detallan estas

caracteristicas, analizando la estructura de un BJT de potencia

y como influye cada una de sus capas en las caracteristicas

del elemento.
1.1.2. El transistor BJT de potencia.

Estructura vertical.- En la figura 1-01 que se muestra a

continuacion se representa la estructura vertical de un

transistor de potencia npn, la misma que consiste en 4 niveles

de dopado alterno n-p [5].

Fig. 1-01: Estructura vertical de un BJT de potencia npn.

Para la mayoria de las aplicaciones se cumple que el terminal

de entrada es la base, el terminal de salida es el mlector, y el

emisor es comlin entre la entrada y la salida. Las razones por

las que se prefiere la estructura vertical son:

k La Corriente del dispositivo atraviesa la mdxima area

transversal.

k Durante el encendido la resistencia es minima.

> La potencia de disipacion es minima.

 > La resistencia termica es minima.
> Los problemas de disipacion de potencia permanecen

bajo control.

Las caracteristicas del dispositivo se ven afectadas de

acuerdo a 10s niveles de dopado y espesor de cada uno de 10s

estratos, un ejernplo es que el voltaje de ruptura del transistor

depende del espesor y la resistividad de la region drift del

calector (region deriva) [5];a medida que se incrernenta el

espesor del drift del colector elevamos el voltaje de ruptura,

per0 disminuye la capacidad de corriente. Con la finalidad de

obtener una buena capacidad de amplification se debe dejar

el espesor de la base lo mas pequeiio posible aunque esto

comprometa el voltaje de ruptura. El espesor de la base hace

que la ganancia de corriente (B= Iclle ) de 10s transistores de

potencia sea baja, tipicamente de 5 a 10.

Para poder reducir la disipacion de potencia en el BJT debido

a una disminucion de la resistencia parasita en el camino de la

corriente de base se ha tenido que elaborar 10s transistores de

potencia de manera que sus emisores y bases queden

separadas en forrna de delgados dedos para reducir 10s

efectos del agolpamiento de corriente, un fenomeno que

puede llevar a la segunda ruptura y a la posible destruccion

del dispositivo.

Caracteristicas de 1 4 . - Los transistores de potencia npn

tienen sus caracteristicas de salida (Ic Vs. VCE)representadas

en el siguiente grafico:

\ S s g u y Ruptura

Fig. 1-02: Caracteristicas I - V de un BJT de potencia npn.

Si comparamos los graficos ( ICVs. VCE) de un transistor de

potencia y uno de baja seiial, encontraremos que 10s

transistores de potencia tienen una region de cuasi-saturaci6n

a diferencia de 10s de baja seiial, esto se debe a que 10s

primeros poseen en su estructura la region drift del colector.

Cuasi-saturaci6n.- En funcionamiento la inyeccion de

portadores desde la base aumenta, la region drift es

gradualmente cortocircuitada y el voltaje en el drift cae aunque

la corriente de colector crece. Posteriormente la corriente de

base es sostenida para mantener la inyeccion de portadores

entrando a la zona de cuasi-saturacibn donde el valor de l3

efectivo decrece; por lo tanto, la corriente de colector tambien

decrece. La disipacion de potencia es mayor que cuando

tenemos dura-saturacion o saturacion profunda, debido a que

la region drift no esta completamente cortocircuitada por el

alto-nivel de inyeccion de portadores.

Dura-saturaci6n.- Se alcanza cuando la densidad de

portadores de la region drift llega al otro lado de la misma

(lado n+), entonces la caida de voltaje a traves de la region

drift es pequeiia y la potencia de disipacion en estado-

encendido es minima comparada con cuasi-saturacion.

Estudiemos las principales caracteristicas de conmutacion

para un BJT de potencia.

Caracteristicas de conmutaci6n.- Cuando el transistor

cambia de un estado a otro, no lo hace inmediatamente,

dependera de las propiedades inherentes que son unicas para

cada tipo de transistor. Para el encendido existe un tiempo de

retardo antes de que la corriente empiece a fluir, esto debido a

las capacitancias internas (Cce y CeE). Este retardo es

requerido para cargar las capacitancias de la juntura B-E

(aprox. 0.7V), luego del cual la corriente de colector sube a su

estado de encendido.

Para lograr apagar el BJT tambien debe transcurrir un tiempo

llamado de almacenamiento (ts) donde se remueve la carga de

saturacion de la base por medio de una corriente de base

negativa, despues del tiempo de almacenamiento la corriente

de colector sube hasta el valor establecido por las

especificaciones para ese transistor que a su vez sera

suministrada pro el circuit0 externo.

El valor de corriente de colector establecido para cada

transistor y 10s tiempos de vida de 10s portadores,

particularmente en la region drift del colector, determinan la

minima cantidad de carga almacenada que debe ser

mantenida en el BJT a fin de ser encendido. Si utilizamos la

relacion de ganancia de corriente (8) se puede establecer la

minima corriente de base (Ie) que debe ser provista para

establecer y mantener esta distribution de carga almacenada.

A continuacion en la figura 1-03 se ilustra la secuencia de

encendido para un transistor de potencia [5].

A medida que la corriente de base empieza a fluir, el voltaje

base-emisor (VBE) que era negativo se va polarizando

correctamente hasta que se fija (VBEaproximadamente 0.7 V);

esto lo realiza en un tiempo de retardo fd. Existiendo la

Fig. 1-03: Formas de onda durante el encendido de un BJT

de potencia para el circuit0 mostrado en (a).
de estado-encendido; para este proceso ha transcurrido un

tiempo de subida de corriente $9.

Durante todo este tiempo el voltaje colector-emisor (VCE)no a

variado, en el momento que la corriente de colector llega a su

valor de estado-encendido el VCE, experimenta una caida

rapida durante un interval0 de tiempo conocido como tiempo

de caida de voltaje tbi. Luego, entra en cuasi-saturacion (tm) a

medida que la juntura C-B empieza con la inyecci6n de

portadores de manera mas lenta debido a la reduction de 13

que acompaiia la operacion del transistor en esta situacion. Se

puede conocer que ha finalizado tM porque todo el exceso de

portadores se ha extendido completamente por la region drift

ocurriendo entonces la dura-saturacion.

Apagado del 6JT.- Para lograr este objetivo se debe

disminuir la corriente de base, pero para apagarlo en el menor

tiempo posible, en la practica, se aplica una corriente de base

negativa para remover la carga mas rapidamente. En la figura

1-04 se ilustra las variaciones de corriente y voltaje para el

apagado del BJT.

 Fig. 144: Formas de onda durante el apagado de un BJT de
potencia para el circuit0 mostrado en la Fig. 1-03.

En el momento en que la corriente de base (le) inicia o es

instantaneamente cambiada a un valor negativo, se empieza a

medir el tiempo (t = 0) para el apagado. Si le cambia en una

rapida transicion existen cambios significativos en la respuesta

de corriente de colector.

La figura 1-04 muestra cuando la corriente de base tiene una

transicion controlada para pasar de un valor positivo a un valor

negativo. El tiempo de apagado de un BJT sera kff= t, + tf ;

donde t, es el tiempo de almacenamiento y tf es el tiempo de

caida de corriente de un 90% a un 10% del valor inicial de la

corriente de colector.
Desde t=O el voltaje colector-emisor (VCE) permanece sin

cambios durante un tiempo de almacenamiento (b), luego del

cual el transistor de potencia entra en cuasi-saturacion y el

VCE crece con una baja pendiente, simultaneamente la

distribucion de carga almacenada es reducida a cero en la

juntura C-B al fin de la region drift durante un tiempo de subida

de voltaje .,t Despues de W

t l el transistor entra en la region

activa y debido al increment0 de TJ producido por la

disminucion de IBy la permanencia de Ic en su valor encendido

produce que el VCEllegue hasta el voltaje de (h)

con una

mayor pendiente, cargando la capacitancia de la juntura C-B.

Luego de t,,~ la Ic empieza a caer, hasta que llegue a cero

durante un tiempo de caida de corriente (tn). El BJT entra en

corte y la capacitancia de la juntura B-E se carga

negativamente (VBEnegativo) [5].

Voltajes de Ruptum- Estos voltajes se establecen cuando

uno de 10s tres terminales del transistor esta abierto en

conduction directa, inversa o cortocircuitada. La lectura del

voltaje entre 10s dos terminales restantes son 10s voltajes

maximos o de ruptura, bajo estas condiciones el voltaje

permanece relativamente constante, per0 la corriente crew

rapidamente.
Al gran flujo de corriente y la conventional avalancha de la

juntura C-B se la conoce como region de primera ruptura,

condiciones que producen gran disipacion de potencia razon

por la que debe ser evitada.

Segunda Ruptura.0 Los BJT, y en algun grado otros

dispositivos, tienen un potencial mod0 de dafio llamado

segunda ruptura, debido al flujo de corriente por una pequeiia

porcion de la base, produciendo puntos calientes localizados.

Esto provoca una relacion inversa entre el VCEy la Ic, es decir,

se producen precipitosas caidas del VCE mientras la Ic se

incrementa, experimentando un increment0 en la disipacion de

potencia.

Esta potencia no es uniforrnemente distribuida sobre el

dispositivo, sin0 concentrada en regiones que dan lugar a que

la temperatura se incremente muy rapidamente, provocando la

destruction del dispositivo. Esto se puede evitar usando un

rango controlado de cambio de IBdurante el apagado, uso de

circuitos snubbers de proteccion, didos de recuperacion y

ubicacion de 10s parametros de conmutacion dentro del limite

del ~ r e de
a operacion segura (SOA).
POrdidas en estado-encendido.9 Siempre que no se trabaje

a muy altas frecuencias de conmutacion, aproximadamente

toda la potencia disipada en mod0 de operacion de

conmutacion del BJT ocurre cuando el transistor esta en

estado de conduction, usualmente dura-saturation, entonces

PONes:

El VCE(SAT)
crece con la Ic. Algunas caidas de voltaje interno

contribuyen al VCE(SAT)
por lo cual:

Con el fin de establecer un increment0 en el VCE(SAT)

comparemos 10s voltajes VBE~ON)

y VB~SAT)
que difieren uno

del otro en 0.1 a 0.2 V dado que la juntura C-B es mucho mas

grande en area que la B-E y 10s niveles de dopado son mucho

mas bajos en la juntura 6-C comparada con la 6-E. Esta

diferencia de voltajes es relativamente independiente de la

corriente de colector, pero un voltaje que si depende de Ic

sobre todo a valores muy altos es la caida de voltaje en Re y

R,, siendo la mayor contribucion la caida de voltaje Vd a traves

de la region drift de colector.

Area Directa de Operacion Segura (FBSOA) .- Cuando un
transistor es excitado por una corriente de base para llegar a

estado-encendido y mantenerse alli [3] estara disipando un

deterrninado valor de potencia, la cuwa que define la

capacidad para poder disipar esta potencia se muestra en la

figura 1-05 y el area que se encuentra en el interior de esta

toma el nombre de area directa de operacion segura en

regimen de conduccion permanente.

lc
1CM
Segunda Ruptura

Fig. 1-05: Area directa de operacion segura para un BJT de

potencia.

Esta wrva es provista por el fabricante para condiciones de

pruebas especificas, ademas el area de operacion segura

se expande al trabajar en regimen pulsatorio, a menor

duracion del pulso el area se expande mas. Esto implica

que podernos salimos del area siernpre y cuando se trabajen

con pulsos de corta duracion caso contrario el BJT no debe

ser sometido a mayores potencias que aquellas mostradas en

la curva FBSOA.

El dafio del BJT puede ocurrir si se excede el limite maim0

para la corriente o por sobrevoltajes que sobrepasen el limite

de segunda ruptura en la cura para el FBSOA [3].

Area inversa de operacion segura (RBSOA) .- Con el fin de

poder apagar el BJT se debe proveer de una corriente

negativa en la base, que trae como consecuencia la

polarizacion inversa de la juntura B-E. La curva que indica la

capacidad de un BJT para manejar altas corriente y voltajes

con su juntura B-E polarizada inversamente se llama area

inversa de operacion segura (RBSOA).

Fig. 1-06: Area inversa de operacion segura para un BJT de

potencia.
 El transistor no deberia operar fuera de esta curva, una razon

por la cual se reduce la capacidad de esta curva es el uso de

corrientes inversas de base muy altas, debido a que crean un

voltaje interno que causa el crecimiento de la corriente bajo el

centro de los emisores en forma de dedos.

1.1.3. Breve andlisis de la configuracion darlington con

transistores de potencia.

Considerando las razones anteriorrnente mencionadas por las

cuales se escogi6 la configuraci6n darlington se presenta el

grafico para esta configuracion que se utilizara en la

realizacion de este proyecto de topico. El transistor Q1 es el

auxiliar, mientras que el Q2 es el principal. El transistor

principal Q2 es el que actrja en forma directa con la carga,

mientras que el auxiliar servira como soporte para el principal.

Esta configuracion darlington posee tres terminales, de las

cuales la base de Q1 y el emisor de Q2 se utilizan para control

(conmutacion), mientras el colector y el emisor de Q2 son para

manejar la carga (potencia).

Los circuitos que manejaran la base de la configuracion

darlington son iguales a las que controlan 10s BJTs de

potencia convencionales. La ganancia que maneja la

configuracion darlington con transistor de potencia se muestra

a continuacion:

Fig. 1107: Configuration darlington en base a transistores de

potencia. DI sirve en aplicaciones tip0 puente.

Donde 1 3 ~ 1es la ganancia de corriente del transistor auxiliar y

1 3 ~ 2es la ganancia del transistor principal. Para analisis de

circuitos que manejen la base y circuitos de protection tales

como redes snubber, se tomara en cuenta como si esta

configuracion darlington fuera un solo BJT de potencia ya que

estos circuitos no sufren variacidn.

Conmutacion de la Configuraci6n Darlington.- El proceso

de encendido de la configuracion darlington cualitativamente

es igual al de un BJT, sin embargo hay dos importantes

diferencias cuantitativas [5]:

9 La potencia disipada es mayor que la de un BJT, ya que

el transistor auxiliar no perrnite que el transistor principal

entre en estado-encendido a la regi6n de dura-

saturacion, sin0 que el transistor auxiliar fja un voltaje lo

suficientemente grande entre C-B del transistor principal,

permaneciendo en cuasi-saturacion.

La configuracion darlington se encendera con mayor

rapidez puesto que el transistor principal es manejado

por una corriente de base mas grande que la necesaria

para un simple BJT de potencia, siendo @+I) veces

mayor.

9 El tiempo de apagado sera mayor en comparacion con

un solo BJT en el mismo circuito, entonces se debe usar

un BJT de potencia de alta velocidad.

Las mas importantes diferencias y las formas de onda durante

la transicion de apagado de la configuracion darlington se

presentan en la figura 1-08.

Una vez que el transistor auxiliar se apaga, la corriente de

colector para este transistor debe ser cero, mientras que la

corriente de base del principal se hace negativa y la corriente

de colector se incrernenta ya que ahora debe llevar la corriente

que circulaba por el colector del auxiliar.

Fig. 1-08: Formas de onda durante el apagado de la

configuration darlington con transistores de potencia
para el circuit0 mostrado en la fig. 1-03.

Durante el tiernpo que el transistor principal tiene en su base

corriente negativa, descarga las regiones de la base y drift del

colector de tal rnanera que la corriente de base y la corriente

de colector del rnismo caigan a cero, para que el transistor

 principal se ponga en code produciendo el apagado de la

configuracion darlington.

La configuracion darlington que se utiliza para este proyecto

de topico, posee transistores de potencia simples, otra

alternativa que se encuentra en el mercado son 10s darlingtons

de potencia monoliticos (MD), que no pueden ser usados en

este tipo de aplicacion porque traen una resistencia entre la

base y el emisor del transistor principal la cual provee un

camino de encendido en la region inversa del MD cuando se

trabaja con carga inductiva, produciendo su destruction

cuando se llega a su voltaje de ruptura inverso, durante el

proceso de apagado.

1.2. Circuitos de Control para un BJT de Potencia.

El semiconductor escogido (BJT de potencia) debe ser controlado

por circuitos controladores de base (tambien conocidos como

"drivers") 151, que deben administrar la corriente de base (16) que a su

vez controla la corriente de colector de salida (I,). El BJT tiene la

caracteristica de tener una baja resistencia en la conduction, que

puede disminuir conforme la temperatura del mismo aumente.

Durante el encendido requiere elevadas corrientes de base y para el

apagado necesita corriente de base negativa.

I.2.1. Requerimientos:

El diseiio de 10s circuitos de control debe cumplir ciertos

requerimientos, para manejar las bases de 10s transistores de

potencia que garantizan el buen funcionamiento de la etapa de

potencia, 10s cuales complican su realizacion:

No se puede utilizar circuitos digitales que proporcionen

directamente la corriente de base, sobre todo durante el

encendido, ya que esta debe ser suficientemente grande

para garantizar el encendido de la configuration darlington.

Es necesario que la corriente de base para el apagado del

transistor de potencia sea negativa, puesto que de no ser

asi el tiempo de apagado puede alargarse, lo que

significaria una mayor disipacion de potencia en 10s

intervalos de conmutacion.

Si se utilizan algunos BJTs en paralelo para manejar la

ganancia de corriente, se debe asegurar que el circuit0 de

control 10s haga funcionar simultaneamente.

La disipacion de potencia en 10s drivers es significativa, por

lo que deben tomarse las medidas preventivas para evitar

daiios a 10s elementos que lo conforman.

 Cada controlador de base necesita sus fuentes auxiliares que

deben tener su propia referencia aislada de las demas y

conectada al emisor del transistor de potencia; de esta manera

se logra el aislamiento de cada circuito de control mediante un

transformador. De igual manera se debe proteger el

microcontrolador aislandolo de cada circuito controlador de

base utilizando un optoacoplador entre el microcontrolador y el

controlador respective.

1.2.2. Circuito Controlador de Base para un BJT.

El circuito utilizado para controlar la base del transistor de

potencia se muestra en la figura 1-09, su utilidad queda

demostrada porque permite un rapido apagado de la

configuration darlington de potencia. Para el interval0 de

encendido del BJT de potencia, el comparador shmitt trigger

LM339N de alta velocidad (de colector abierto) tiene su

transistor de salida apagado, polarizando correctamente y

permitiendo el encendido del transistor TB+que proporciona la

corriente de encendido (I&) para el BJT de potencia, su

c4lculo se muestra a continuacion:

 -

Fig. 4-09: Circuito Controlador de base para un BJT.

Se debe seleccionar el voltaje VBBmenor que el voltaje de

ruptura (5V - 7V) de la juntura B-E del BJT de potencia. La

entrada de referencia aplicada al pin 4 del comparador, tendra

un voltaje fijo y sera el voltaje medio entre VBB+y el emisor del

BJT de potencia, ya que la seiial viene del optoacoplador NTE

3087 y es suministrada por medio de un circuito Iogico

y el emisor del BJT de potencia.

conectado entre VBB+

Entre las opciones que se pueden aiiadir al circuito tenemos el

capacitor CON para acelerar el encendido, un diodo

denominado de antisaturacion entre el colector y la base del

BJT de potencia y otm diodo en su base para mantener el VCE

sobre su valor de saturacion, este diodo hace que el BJT se

mantenga ligeramente fuera de saturacion reduciendo el

tiempo de apagado, pero aumentando las perdidas. Este diodo

conectado en serie con la base del BJT de potencia permite

incrementar las frecuencias de trabajo; es mas si se desea

trabajar a altas frecuencias se puede afiadir mas diodos en

serie en la base del BJT, estos diodos se muestran en la figura

1-10.

Notese que para una configuration darlington con transistores

de potencia el voltaje VCEes el siguiente:

Fig. 1-10: Circuito Controlador de base para un BJT con

diodos de antisaturacion y de base.
Consideraciones del Circuito Deseado.

En algunos disefios, el circuito controlador de base es

realizado en circuito impreso a cierta lejania del BJT de

potencia, en este caso, es recomendable entorchar el cable de

tal manera, que el ruido inducido recogido sea minimo asi

como tambien la inductancia estatica entre emisor y tierra. Se

recomienda que esta distancia sea lo mas corta posible, de

otra manera pueden ocurnr oscilaciones.

Con el fin de reducir la presencia de inductancias estaticas el

BJT de potencia debe ser considerado como un dispositivo de

cuatro terminales: el colector y el emisor seran 10s terminates

de potencia y la base con el ernisor seran 10s terminales de

control. Ademas 10s circuitos controladores de base tienen

que estar separados el uno del otro, para no inducir ruidos.

Es de considerar y de precautelar la aparicion de posibles

cortocircuitos, que pueden ocurrir en configuraciones donde

trabajan en serie dos transistores de potencia en regimen de

potencia, tal como la configuracion del inversor monofasico

tip0 puente que posee dos ramas. Bajo esta situacion es

importante [5] suministrar un tiempo (zona muerta) tal que la

entrada de control de encendido para un transistor se retarde

 con respecto a la entrada de control de apagado del transistor

que se encuentra en serie. Esta zona muerta se escoge mayor

que el peor de 10s casos; es decir, para el maximo tiempo de

almacenamiento. Hay que notar que el uso de la zona muerta

introduce una no-linealidad en las caracteristicas de

transferencia del inversor.

La detetminacion del tiempo muerto se realiza con carga

inductiva para evitar 10s posibles corto-circuitos que se

producen al conmutar la corriente de un transistor de potencia

y la conduction del d i d o de paso libre del otro transistor de

potencia en la misma rama. Con el uso de la zona muerta

reducimos considerablemente 10s picos de corriente.

1.3. Protecci6n de 10s BJT en rbgimen de conmutacion

Para proteger 10s transistores de potencia BJT, ya sea que se

encuentren en configuration normal (un solo elemento) o en

Darlington (dos elementos), estan expuestos a sobrevoltajes y

sobrecorrientes que podrian exceder su capacidad de trabajo

produciendo su destruccion. Su proteccion se lleva a cabo utilizando

redes especiales para el encendido, apagado, sobrevoltaje y

sobrecorriente principalmente.
En el analisis de las redes de proteccion tambien conocidos como

SNUBBER, se asume que la corriente del transistor cambia

linealmente en el tiempo con una constante dildt, la cual es

determinada por el transistor y el circuito de control del mismo, puede

ser diferente para el encendido como para el apagado, per0 estas

protecciones deben actuar solo en caso de existir falla y no influir

en el normal trabajo del BJT bajo condiciones de conmutacion. De

esta manera se puede trabajar en forma mas simple para el diseiio

de 10s circuitos protectores del equipo a construir.

El diseiio final y 10s valores a utilizar en la implementacion del circuito

de proteccion, estan sujetas a las pruebas que se realizan en el

laboratorio.

I CURVA OE SWlTCEO IDEAL

Fig. 1-11: Trayectorias de encendido y apagado de un transistor

de potencia sin proteccion de snubbers.

En la figura 1-11 se muestra como serian la relacion Icvs VCEen un

BJT de potencia sin redes de proteccion. Es necesario que el ci~ujfo

controlador de base cumpla con 10s siguientes reguerimientos para

que se pueda lograr una buena pmtecci6n:

1. El controlador de base debe hacer operar el transistor de

potencia en estado de cuasi-saturation, es decir, tiene

que ser entregada la suficiente corriente de base para

saturallo sin llegar a la sobresaturacion, ya que daria tiempos

de almacenamiento inaceptables incrementando las perdidas

en la conmutacion.

2. La aplicacion de un voltaje negativo entre la base y el emisor

del BJT de potencia, es necesaria para tener corrientes de

fuga pequei'ios y podria resistir altos voltajes (Vceo) durante el

apagado.

3. En el apagado, la corriente negativa tiene que ser aplicada

despues que el BJT salga de cuasi-saturacion, caso contrario

la aplicacion de coniente de base negativa grande puede

resultar un efecto extremo.

4. El circuit0 controlador de base debe sumar el voltaje C-El de

manera de prevenir cualquier exceso, de igual forma para la

corriente de colector del BJT de potencia, estos valores deben

ser limitados por valores fijos escogidos. En caso de exceder

 10s valores lirnites el circuito controlador de base debe apagar

automaticamente el inversor.

1.3.1. Protecci6n contra Sobrecorrientes

Para el caso de 10s transistores de potencia empleados en 10s

diseAos de alta frecuencia no se aconseja el uso de breakers

por su respuesta lenta y por el arm que se presenta en 10s

fusibles cuando operan, entonces la deteccion de

sobrecorriente se debe realizar en el circuito controlador de

base.

El circuito controlador de base se encarga de monitorear

continuamente la corriente de carga de tal forma que en

presencia de corrientes elevadas que puedan dafiar 10s

elernentos se envia una seAal al microcontrolador para que se

tomen las medidas adecuadas, tal como el apagado inmediato

de todo el circuito de potencia junto a la seAalizacion visual

que indicara al usuario de la falla que se ha producido.

Esta proteccion se encuentra censando la caida de voltaje a

traves de una resistencia de muy bajo valor (despreciable

respecto a la carga) y se lo coloca en serie con el BJT de

potencia a continuacion del emisor. De esta forrna una

 sobrecorriente produce una mayor caida de voltaje en esta

resistencia y entra en comparacion con un nivel de voltaje de

referencia dado por la corriente m&ima permitida.

El comparador debe ser de aka velocidad para enviar la sefial

de sobrecorriente, la misma que tiene que ser aislada del

circuit0 manejador de base por medio de un optoacoplador el

cual manda esta seiial al microcontrolador.

1.3.2. Circuitos Snubber.

Los circuitos snubber son utilizados para proteger a 10s

transistores de potencia mejorando sus caracteristicas de

conmutaci6n. Estos circuitos reducen las perdidas en la

conmutaci6n, evitan que el transistor caiga en avalancha

secundaria y controlan el dv/dt del mismo. Los tipos basicos

de circuitos snubber son 10s siguientes:

Circuito snubber de encendido.

Circuito snubber de apagado.

Circuito snubber de sobrevoltaje.

Para simplificar el analisis de 10s circuitos snubber, se asume

que 10s intervalos de transicion de 10s dispositivos son muy

pequefios comparados con 10s periodos de conduccion y

bloqueo del transistor. Por lo tanto, la corriente en la carga lo

se mantiene constante durante la conmutacion.

Circuito Snubber de Encendido.

El objetivo de este circuit0 es reducir las perdidas en el

encendido. Esto se logra manteniendo el voltaje C-E minimo,

mientras la corriente en el transistor crece. La reduction en

dicho voltaje se consigue utilizando un inductor (Ls) el cual

provoca una caida de voltaje igual a:

AVCE= ( Ls.10 ) / t ri (1-6)

Donde t ~ es el tiempo de subida de la comente, durante el

momento del encendido, la corriente (lo) fluye por el inductor

(L,), la misma que sirve para limitar el dildt. En el instante del

apagado, la energia almacenada en L, se disipa a traves de la

resistencia (RLs)con la ayuda del diodo (DLS)que se pone en

conduction. Ver figura 1-12.

Para seleccionar RLs, debe considerarse que en el apagado

se genera un sobrevoltaje a traves del transistor de un valor

igual a:

= RLS.Jo
AVCE-MAX ( 1-7)

= 0.1E , entonces se tiene que:

Si AVcE-MAX

RLS= 0.1E / l o ( 1-8)

 Fig. 1-12: Circuito snubber de encendido.

Para deteminar L, se tiene que considerar que durante el

apagado la corriente en el inductor debe caer a un valor bajo,

por ejemplo 0.1lo, de manera que este snubber sea efectivo

durante la siguiente transicion de encendido. Asi, el minimo

periodo para el apagado del transistor debe ser:

f &ado apagado mi". > 3Ls 1 RLS (1-9)

Conociendo el tiempo en estado apagado dei transistor se

encuentra el valor del inductor Ls:

LS < ( RLS . f estadeapagado min ) 13 (1-10)

La figura 1-13, muestra las forrnas de onda del voltaje y la

corriente para vaiores pequefios y grandes dei inductor Ls.

Para valores pequeiios de Ls, figura 1-13a, la pendiente dildt

esta determinada por el transistor y su circuit0 controlador de

base y es igual a que no existiera snubber de encendido,

mientras que, para valores grandes de Ls, figura 1-13b, se

puede controlar el dildt y se reduce el pico de corriente de

recuperacion inversa del diodo; ademas, el VCEes casi cero

durante t.i

Ls grande

Fig. 1-13: Formas de onda del Voltaje y la corriente para el

snubber de encendido.

Cabe seiialar que al emplear un inductor grande se producen

sobrevoltajes durante el apagado, de mod0 que el tiempo de

apagado se alarga; lo cual no es conveniente.

Circuito Snubber de Apagado.

La meta de este circuit0 es de que exista un voltaje

aproximadamente igual a cero a traves del transistor, mientras

la corriente disminuye. Esto se puede conseguir utilizando

una red R-C-D como se muestra en la figura 1-14.

 Fig. 1-14: Circuito snubber de apagado.

Para el diseiio de este circuit0 se considera que, previo al

apagado, la comente del transistor es lo y el voltaje en el

transistor es cero.

En el momento del pagado, la corriente de colector icdecrece

con una constante dildt, mientras que, la corriente,i que fluye

a traves del diodo (Ds) y el capacitor (Cs) comienza a crecer y

es igual a i, - ic. Estas corrientes se expresan como:

y el voltaje en el capacitor es expresado como:

La figura 1-15a rnuestra las forrnas de onda del voltaje y la

corriente durante el transitorio en el apagado, el area

sombreada, representa la carga en el capacitor Cs durante el

apagado, la misrna que sera disipada en el proximo

encendido. La figura 1-15b muestra la trayectoria durante el

apagado para distintos valores de Cs , para valores pequeiios

de Cs, el voltaje en el capacitor alcanza al de la fuente antes

de que la corriente del transistor sea cero. Para un valor de

Cs = Csl , el voltaje en el capacitor alcanza al de la fuente

exactamente en el instante en que la corilente del colector es

cero. El valor de Csl se lo calcula de la siguiente manera:

Csi = I,.k / 2E (1-11)

Para valores grandes de Cs, el tiernpo que se demora el

capacitor en cargarse hasta la fuente E es mayor que b. Por

lo tanto, mientras mayor sea CS mas nos alejamos de las

regiones de peligro consideradas en la zona de operacion

segura de ruptura reversa (RBSOA).

ICt RBSOA

Fig. 1-15: Formas de onda y trayectorias durante el apagado.

La presencia del capacitor Cs alarga el tiempo de caida del

voltaje, de mod0 que aparece una energia adicional que es

disipada en el transistor durante el period0 de descarga del

capacitor. Esta situacion se corrige rnediante el uso de una

resistencia Rs en la cual se disipe la energia del capacitor en

10s instantes de encendido del transistor que es igual a:

WR= C S . E * / ~ (1-12)

Una condition adicional para escoger la resistencia, es que el

pico de corriente que la atraviesa sea menor que la corriente

de recuperacion reversa del d i d o de paso libre Df, la cual

puede limitarse a 0.2 lo, con lo cual Rs se calcula a partir de:

Rs = E / (0.210) (1-13)

Bajo las anteriores consideraciones, el tiempo de descarga

del capacitor Csl para que el voltaje del rnismo llegue a 0.1El

corresponde a un interval0 de:

f &ado encendido min > ~RsCS

Circuito Snubber de Sobrevoltaje.

El efecto de las inductancias parasitas en las anteriores redes

Snubber se ha omitido para facilidad del disefio, pero en este

snubber se las tomara en cuenta debido a que se producen

sobrevoltajes en el apagado del transistor. En la figura 1-16,

se observa el snubber en mencion, donde LT represents la

suma de todas las inductancias parasitas.

 Fig. 1-16: Circuito snubber de sobrevoltaje.

La figura 1-17 muestra las formas de onda del voltaje y la

corriente con y sin snubber de sobrevoltaje.

Fig. 1-17: Formas de onda con y sin snubber de sobrevoltaje.

En un comienzo el transistor esta conduciendo, el voltaje en el

capacitor Cov es igual a E y la corriente a traves de LT es 10.

Durante el apagado la corriente del transistor disminuye a cero

y la corriente por la carga se encierra en el diodo de paso libre

Dt, la energia almacenada en LT se transfiere a COV
por medio

de DOV
cumpliendose que:

(cov.AvcEw)/2 = (LT.IO~)/~

Si aceptamos un sobrevoltaje igual a 0.1E y que LT Ls,

tenemos entonces que:

Cov = (00Ls.I:
I )I E2 (1-15)

y en terminos de Cs = Csl:

Cov = ( 200Ls.C~l.l~
) I ( E.tn) (1-16 )

Esta ecuacion muestra que Cov es mayor que Csl. Siempre

con un valor grande de Cov, la energia disipada en Rov es del

mismo orden que la energia disipada en la resistencia Rs del

snubber de apagado.

Circuito Snubber para configuracion Tipo Puente.

Para inversores tipo puente controlados mediante t4cnica

PWM podemos utilizar el circuito snubber que se muestra en

la tigura 1-18. Este circuito consta de una misma

configuracion de 10s tres tipos de snubbers utilizados y protege

tanto a 10s transistores como a 10s diodos de recuperation.

El diseiio del circuito snubber (Rs, CS, Cov, y Ls) para una

rama del inversor, se realiza como si se tratara de snubbers

independientes.
 Fig. 1-18: Rama del inversor t i p ~
puente con snubber de
encendido, apagado y sobrevoltaje.

1.3.3. Consideraciones para 10s Disipadores de Calor.

En 10s elementos de estado solido la disipacion de potencia

admisible mimima se encuentra limitada por la temperatura de

la juntura. Un parametro tXil en la disipacion de potencia es la

resistencia termica.

La resistencia temica (8) se define en condiciones de estado

estable y es la elevation de la temperatura de juntura por

encima de la temperatura de la carcaza, por unidad de

potencia disipada en un dispositivo cuya configuracion esta

armada. Esta infomacion, junto con el regimen de mdxima

temperatura de juntura, nos permite determinar el nivel de

potencia mdxima con el que el dispositivo puede operar sin

riesgos, para una determinada temperatura de carcaza.

La resistencia termica de la carcaza al aire &A es

notoriamente mayor en un dispositivo que no utilice disipador,

con aquel que si lo utilice. Mas a h sera la diferencia entre la

resistencia termica de la carcaza al aire 8 c y~ la resistencia

termica de la juntura a la carcaza ~ J C ,al no tener disipador la

resistencia termica total neta de la juntura a1 aire estara dada

principalmente por &A. Mas alla del limite de unos pocos

cientos de miliwatts, resulta poco practico aumentar el tamaiio

de la carcaza para hacer 8 c comparable

~ con 8 ~ c Por
. lo tanto,

el principal prop6sito de un disipador externo es aumentar la

superficie efectiva de disipacion de calor, de tal manera que

10s dispositivos de potencia son diseiiados para usarse con

disipador de calor externo.

Existe una condicion que hace la resistencia termica del

disipador cero, aprovechando toda la capacidad de potencia

de un dispositivo, para esto, no debe haber diferencia de

temperatura entre la carcaza y el aire. En la practica no puede

darse ya que para cumplir esta condicion significaria tener el

dispositivo montado sobre un disipador infinite. Los

disipadores de calor utilizados en 10s equipos modernos

compactos son resultado de experimentaciones con la

transferencia de calor mediante radiacion, conveccion y

conduction. A continuacion la base de cada uno de ellos:

Conducci6n.- es un proceso de transferencia de calor en el

cual la energia calorica pasa de un Btomo al otro, mientras que

10s Btomos que toman parte realmente en la transferencia

permanecen en sus posiciones originales.

Convecci6n.- es un termino aplicado a la transferencia de

calor por el movirniento fisico del material caliente.

Radiaci6n.- es un proceso de emision de calor desde una

superficie.

Los disipadores se producen en diversidad de tamaiios,

formas, colores y materiales. Tenemos tres categorias de

disipadores:

Con aletas horizontales ci1indricas.- Se utilizan en

espacios reducidos para obtener maximo enfriamiento con

minimo volumen desplazado.

Con aletas verticales cilindricas o radiales.- Se 10s

utiliza cuando se requiere m&imo enfriamiento con minimo

desplazamiento lateral, usando conveccion natural.

 Con aletas verticales planas.- Son 10s mejores desde el

punto de vista de enfriamiento por conveccion natural y

tienen resistencia termica razonable para la conveccion

forzada con velocidades moderadas de circulation de aire.

Cuando la disipacion de potencia no es muy grande se

acostumbra utilizar la estructura mednica existente o el

chasis como disipador de calor.

1.4. Operacidn Basica de un converser dc-ac.

Los inversores dc-ac generan un voltaje alterno cuya forma de onda

no es senoidal pura. La forma mas sencilla para obtener un voltaje

alterno monofasico es el inversor monofasico tipo puente que genera

voltaje altemo cuya forma de onda es cuadrada. En la figura 1-19 se

muestra el circuit0 del inversor monofasico tipo puente.

Los switches son encendidos y apagados en parejas en forma

diagonal, es decir, S1 con Sp y S3 con S4, el numero de

conmutaciones depende del tipo de tecnica de control

implementada. Para cada tecnica se obtendra una onda de voltaje

de salida, cuadrada y alterna con armonicos de cierto orden, que

dependeran de la tknica utilizada.

 .-
t CARGA

Fig. 1-19: lnversor monofasico tipo puente con diodos de

conmutacion.

En este trabajo de topico la tecnica de control utilizada es la

modulacion por ancho de pulso senoidal, que a pesar de tener un

voltaje de salida cuadrado tiene una fundamental senoidal.

1.4.1. Carga Inductiva.

Un inversor [3] cuando trabaja con cargas inductivas necesita

de diodos que actuen en el instante en que se produce el

apagado de un par de switches y el encendido del otro par. En

el momento de la conmutacion la carga deja de percibir la

corriente que era conducida por el par de switches que se

apagaron, los switches que se encendieron establecen una

 corriente que ernpieza a crecer en otro s

aparece una corriente de carga que tiend

sentido anterior, lo cual no podria ser conseguido sin 10s

diodos que se encuentmn en la figura 1-19 ya que 10s switches

en la realidad son dispositivos unidireccionales.

La conmutacion de la corriente de salida para cargas

inductivas (cargas practicas), necesita de un carnino alterno en

direction contraria a la corriente del par de switches que esten

conduciendo. Este camino es permitido por 10s diodos que se

encuentran antiparalelos y por trabajar en el momento de la

conrnutaci6n de 10s switches, son denominados "diodos de

conmutacionn.

1.4.2. Diodos de Conmutacion.

Los diodos a utilizar deben ser de rapida recuperacion reversa,

de no ser asi, el peligro de formar un lazo de cortocircuito y un

elevado pico de corriente pueden destruir el BJT [3], si se

aplican altas frecuencias de trabajo el riesgo es mayor, ya que

si sobrevivio el BJT al elevado pic0 de corriente, no podra

soportar la disipacion de potencia. La conduction del diodo

puede dar lugar a inevitables inductancias parhitas, que

pueden ser reducidas escogiendo diodos que tengan un

 pequeiio dildt durante la recuperacion inversa que permite

minimizar el pico de voltaje en el apagado de estos.

1.5. Tecnicas de Control para lnversores

Si consideramos un inversor ideal, las formas de onda de voltaje de

salida deberian ser senoidales, sin embargo 10s inversores para

bajas o medianas potencias pueden trabajar con ondas de voltaje de

salida cuadrada que contendrbn ciertos armonicos 10s mismos que

pueden ser rninimizados [6] si se utilizan tecnicas de control

adecuadas. En aplicaciones de alta potencia se requieren forrnas de

onda senoidales con baja distorsion. Las principales tecnicas

utilizadas en mediana y baja potencia son:

> Onda cuadrada

> Modulacion del ancho de pulso unico.
> Modulacion de ancho de pulso multiple.
> Modulacion senoidal por ancho de mulso (SPWM).
> Modulacion por onda trapezoidal o sobremodulacion.
> Modulacion de ancho de pulso senoidal modificada (MSPWM).
> Control de desplazamiento de fase.
1.5.1 Generacion de Onda Cuadrada

Es la forma mas simple de control de un inversor, donde no se

tiene ningun parametro variable. El voltaje de salida eficaz

en la carga siempre se mantiene constante e igual a1

VqRMS)

valor de la fuente de voltaje continuo E, constituyendo esta su

principal desventaja.

La forma de onda en la carga corresponde a la de la figura 1-

20. Si trabajamos con este tipo de control se tiene la

presencia de arrnonicos de orden impar. El contenido

espectral para este tip0 de tecnica se muestra en detalle en la

figura 1-21 donde se observa que en efecto aparecen 10s

armonicos impares Onicamente.

Fig. 1-20: Onda cuadrada entre 10s valores de la fuente E.

La descomposicion de la forma del voltaje de salida en series

de Fourier esta dada en la ecuacion 1-18.

Fig. 1-21: Contenido armonico en la thnica de control por

onda cuadrada.

La ventaja de utilizar este control a altas potencias es que 10s

semiconductores utilizados solo tendran que hacer dos

conmutaciones por cada ciclo. Si se desea tener un control en

el nivel de voltaje y frecuencia en la seiial de salida AC se

debe considerar las otras alternativas mencionadas a1 inicio de

este capitulo, donde si podemos hacer variaciones tanto en el

voltaje como en la frecuencia y cuyos armonicos disminuyen o

se empujan a valores de frecuencia altos.

1.5.2. Modulation por ancho de pulso unico.

En este tipo de control se varia el ancho de pulso con el fn

i de

modificar el voltaje a la salida del inversor. Cabe seiialar que

en esta rnodulacion unicamente se tiene un pulso por cada

medio ciclo [6].

La generacion de las seiales de control se logra comparando

una sefial rectangular de referencia de amplitud A

,, con una

portadora triangular de amplitud &. La frecuencia fundamental

del voltaje de salida viene dada por la frecuencia de la onda

portadora.

La figura 1-22 nos detalla la rnodulacion por ancho de pulso

unico. La relacion de las amplitudes de la onda rectangular

(modulante) respecto a la triangular (portadora) se define

como INDICE DE MODULACI~N(I,), donde A, puede variar

desde 0 hasta A, asi:

El voltaje de salida RMS puede ser calculado como:

 Fig. 1-22 Formas de onda para la modulacion por ancho de
Pulso unico.

El voltaje de salida contiene todos 10s armonicos de orden

impar en un rango infinito, como se puede observar realizando

la descomposicion de la forma de onda del voltaje de salida en

series de Fourier:

Por este tipo de control podemos eliminar algunos armonicos.

Si escogemos un angulo de conduccion (P) por Ej.: f3 = 120"

eliminaria el tercer armonico dejando una zona muerta de 60°,

la desventaja seria que el voltaje disminuye a medida que se

 aumenta la zona muerta. La Figura 1-23, muestra el contenido

arrnonico y el factor de distorsion (DF) que indica la cantidad

de distorsion armonica que permanece en una determinada

forma de onda luego de que 10s armonicos de dicha forrna de

onda han sido sujetos a una atenuacion de segundo orden.

Fig. 1-23: Contenido armonico de la modulation por ancho de

pulso unico.

1.5.3. Modulaci6n por Ancho de Pulso Multiple o Uniforme

(UPWM).

Esta tknica de control obtiene varios pulsos de igual ancho en

cada medio ciclo, 10s anchos de 10s pulsos son variables para

poder controlar el voltaje de salida del inversor [6]. Este

metodo resulta adecuado para la reduccion del contenido

armonico del voltaje de salida Vo.

Fig. 1-24 Modulation por Ancho de Pulso Multiple.

En la figura 1-24 se ilustra la forma en que se genera la seiial

de control para el encendido y apagado de 10s switches de

potencia del inversor, igual que el caso anterior, esta seiial se

genera comparando una seiial modulante rectangular con una

portadora triangular. A diferencia con el caso anterior de pulso

unico, la frecuencia de la portadora (f,) determina el numero

de pulsos por cada medio ciclo (N), en tanto que la frecuencia

de la modulante )(,f es la que fija la frecuencia de salida.

Al variar el indice de modulacion tambien varia el voltaje de

salida (Vo), al comparar las amplitudes de las ondas portadora

y modulante. Al variar ,I desde 0 hasta 1, el voltaje en la carga

lo hace desde 0 hasta E y el ancho de pulso (13) varia desde 0

hasta ;/n.

Para el voltaje de salida instantaneo, su expresion en series

de Fourier es:

Vo(t)= AnSen(nwt)+ BnCos(mut) ; n=1.3.5... (1-24)

Se puede determinar 10s coeficientes A, y B, de la ecuacion 1-

24, para esto se toma un par de pulsos, un pulso positivo de

duracion 13 y que empieza en wt=a, mientras el pulso negativo

posee el mismo ancho f3 y empieza en wt=rr+a. Para tener el

voltaje efectivo de salida VO(~MS)

se debe combinar el efecto de

todos 10s pulsos.

Generalizando podemos considerar el m-esimo par de pulsos,

donde el positivo empieza en wt=am y termina en wt=n+am,

10s coeficientes de Fourier para un par de pulsos seran:

Si aiiadimos el efecto de todos 10s pulsos se encuentra el valor

de 10s coeficientes A, y B,; asi:

Si reemplazamos las ecuaciones 1-25 y 1-26 en la ecuacion

1-24 obtenemos el voltaje de salida Vo(t) descompuesto en

series de Fourier. El orden de 10s armonicos es el mismo de la

tecnica anterior; mientras se presenta una reduction

significativa en el factor de distorsion [6], per0 las perdidas

aumentaran por el gran n6mero de conmutaciones que

realizan 10s BJTs de potencia. La figura 1-25 muestra el

contenido armonico asi como el factor de distorsion (DF) para

este tip0 de control.

 Para este tip0 de control se puede experimentar una

disminucion de las amplitudes de 10s armonicos de bajo orden

y un increment0 en las amplitudes de 10s armonicos de orden

superior, pero, tales armonicos de orden superior producen

rizados despreciables o faciles de frltrar, todo esto si se

tomase valores grandes para N.

Fig. 'I-25: Contenido armonico para la tecnica de control

Modulacion por Ancho de Pulso Multiple. [6]

1.5.4. Modulaci6n por Ancho de Pulso Senoidal (SPWM).

Esta tecnica de control puede presentar dos tipos variaciones

en el voltaje de salida:
 Modulacion por ancho de pulso senoidal de dos niveles.

Modulacion por ancho de pulso senoidal de tres niveles.

1.5.5. Modulaci6n por Ancho de Pulso de dos Niveles.

A diferencia de 10s casos anteriores donde el ancho de pulso

se mantiene constante para cada semiciclo [5], en la

modulacion senoidal PWM el ancho de ada pulso varia en

forma proportional a la amplitud de una onda senoidal con

valor medio igual a la mitad de su valor pico-pico evaluada en

el centro del mismo pulso. En la figura 1-26 se muestra la

forma de onda del voitaje de saiida (Vo) para esta tknica de

control.

La duracion de cada pulso se puede modular senoidalmente,

lo cual se consigue encendiendo y apagando 10s switches del

inversor, esta sefial que controla 10s switches se la obtiene

comparando una sefial de referencia senoidal llamada

umodulanteucon una sefial triangular denominada '"portadoran.

La frecuencia de la componente fundamental de voltaje en la

saiida (Vo) se encuentra determinada por la frecuencia de la

seiial modulante y la amplitud por el valor del indice de

modulacion ( I ) . La frecuencia de conmutacion de 10s

SWITCHS de potencia depende de la frecuencia de la seial

de la portadora (f,) que debe ser mayor que la frecuencia de la

modulante (f,,).

Fig. 1-26: Modulacion por ancho de pulso senoidal.

Control de Dos Niveles.

La relacion entre las amplitudes de la modulante y la portadora

se conoce como indice de modulation )(,I ecuacion 1-27,

mientras que la relacion entre la frecuencia de la portadora y la

frecuencia de la modulante se llama indice de frecuencias

ecuacion 1-28.

Donde el indice de modulacion debe ser menor que 1 para

que haya control modulado senoidalmente, caso contrario

ocurre la sobremodulacion. El valor del indice de frecuencia

tambien debe ser analizado, si es un nllmero entero se tiene

modulacion senoidal PWM sincronica de lo contrario sera

asincronica, arrastrando problemas propios de este tipo de

modulacion.

A medida que se incremente el nirmero de pulsos (N) por cada

medio ciclo la aproximacion a la onda senoidal deseada sera

mas optima. El voltaje de la componente fundamental de

frecuencia [5] esta dada por la ecuacion 1-29:

Donde wl=2nf1 (fl es la frecuencia de la fundamental o la

frecuencia del primer armonico). Para este caso la frecuencia

de la fundamental del voltaje de salida es igual a la frecuencia

de la modulante (f,). El voltaje RMS de la componente

fundamental del voltaje de salida varia linealmente con el

indice de rnodulacion siempre y cuando Im sea menor que la

unidad. Cuando ,I es mayor que la unidad se pierde la

linealidad y en este caso se tiene sobremodulacion.

La relacion entre la frecuencia de la portadora y la modulante

debe ser mayor que 21 para disminuir la amplitud de 10s

arrnonicos en el voltaje de salida [S]. Los armonicos presentes

en el voltaje de salida con un indice de rnodulacion menor que

la unidad aparecen en una banda cercana a la frecuencia de la

portadora y sus multiplos (f,, 2fp, 3fp, .....), esto se puede

apreciar en el grafico 1-27.

Fig. 1-27: Contenido armonico para la tecnica de control

SPWM. Control de dos niveles [5].
 En el caso de existir sobremodulacion el nllmero de

armonicos en el voltaje de salida sera mayor.

1.5.6. Modulaci6n por Acho de Pulso Senoidal de Tres Niveles.

Esa tecnica es muy similar a la SPWM de dos niveles, donde

161 tambien se modulan 10s anchos de pulso en proporcion a la

amplitud de una onda senoidal evaluada en el centro del

mismo pulso. La onda del voltaje de salida (Vo) tendra tres

diferentes niveles de voltaje (+El 0, -E) como se muestra en la

siguiente figura 1-28.

Fig. 1-28: Modulaci6n por Ancho de Pulso Senoidai.

control de Tres Niveles.

El procedimiento para tener este voltaje de salida es de

comparar; una seiial de referencia senoidal llamada modulante

con una sefial triangular positiva para el primer semiciclo de

cada periodo y negativa para el segundo semiciclo de dicho

periodo

La frecuencia de la sefial de referencia deterrnina la frecuencia

de Vo y su amplitud controla el indice de rnodulacion y voltaje

RMS de salida, mientras que la frecuencia de la portadora

determina el numero de pulsos por semiciclo.

Variando el indice de modulaci6n (Im) controlamos el nivel de

voltaje (VORMS)
en la salida ya que estariamos variando 10s

anchos de cada pulso. Si el ancho del m-esimo pulso es p,, la

ecuacion 1-23 puede extenderse para encontrar el voltaje

RMS de salida para este tip0 de control 161:

Las ecuaciones 1-25 y 1-26 pueden servir para encontrar 10s

coeficientes de Fourier del voltaje de salida Vo(t); por lo tanto,

si el voltaje de salida esta dado por:

V, ( t ) = 4 ~ n ( n w t+)B,Cos(nwt) ; n=I , 3, ..... (1-31)

Sus coeficientes A, y B, seran:

Esta tecnica reduce significativamente el fador de distorsion y

10s armonicos de mas bajo orden, elimina todos 10s armonicos

menores o iguales que 2N-1 donde N es el numero de pulsos;

asi por ejemplo: para N=5, el armonico de mas bajo orden

sera el noveno.

La frecuencia de conmutacion de 10s dispositivos de potencia

deberia ser tan aka como sea posible de tal manera que

facilite el filtrado de 10s armonicos, sin embargo, existe un

inconveniente: las pdrdidas dinamicas [5] en inversores se

incrementan proporcionalmente con la frecuencia de

conmutacion. Por lo tanto, en muchas aplicaciones, dicha

frecuencia se selecciona menor de 6 khz por encima del rango

audible.

Cuando existe sobremodulacion hace que el voltaje de salida

contenga mayor cantidad de armdnicos en comparacidn con el

rango lineal (Imcl). Los armonicos con amplitudes

dominantes en el rango lineal pueden no ser dominantes

durante la sobremodulacion mas importante, con

sobremodulacion la amplitud de la componente fundamental

no varia linealmente con el Im. En aplicaciones con UPS para

minimizar la distorsion se evita la region de sobremodulacidn

mientras que para manejar motores de induccion si se puede

usar la sobremsdulacion.

Fig. 1-29: Contenido annonico para la tecnica de control

SPWM. Control de tres niveles.

El PWM empuja las armdnicas de las altas frecuencias

alrededor del valor de conmutacion (f,) y sus multiples, es

decir, alrededor de 10s armonicos mf, 2mr, 3mr y asi

sucesivamente. Las frecuencias a las cuales ocurren 10s

armonicos de voltaje se pueden relacionar por:

 Donde la armonica de orden n se iguala a la banda lateral de

orden k de j veces la relacion frecuencia (indice de frecuencia)

"mi.

P I =j . m f _ + k

~ 1 = 2 . j N + k paraj=l, 2, 3, ... y k = 1,3, 5, ..... (1-35)

Se puede determinar el voltaje pico aproximado de la

fundamental de salida para el control PWM y SPWM, a partir

de :

V,, = d.E para 0 Id 5 1 (1-36)

Para d=l, la ecuacion 1-36 da la amplitud pico mdxima de

voltaje fundamental de salida como Vmi(mal = E. A fin de

aumentar el voltaje fundamental de salida, d, debera

incrementarse mas alla de 1 y se presentaria la

sobremodulacion.

1.5.7. Modulacidn por Onda Trapezoidal o Sobremodulacion.

Para la tecnica SPWM que ya se trato se mencion6 el termino

sobremodulacion, este caso se presenta cuando se usa una

seiial modulante de amplitud mayor que la portadora (I, > 1)

perdiendo informacion en 10s intervalos en 10s cuales sucede

10s mencionado, la figura 1-30 ilustra la forma de onda que se

obtiene en este caso.

La presencia de distorsion en la modulante en caso de

sobremodulacion, es inevitable, empeorando el contenido

armonico de la onda de salida, que ahora tiene forrna

trapezoidal. A medida que se incrementa el indice de

modulacion la salida del inversor presentara una onda

cuadrada cada vez mas grande.

FIG. 1-30: Ondas para la tecnica de sobremodulacion.

El contenido arrnonico en la sobremodulacion es mayor que el

caso anterior tal como se muestra en la figura 1-31. Una

ventaja de usar esta tecnica, es el mejor aprovechamiento de

la fuente DC (E), ya que es posible obtener voltajes eficaces a

 la salida mas altas respecto a la PWM senoidal, considerando

la misma fuente de alimentacion. A mayor sobremodulacion, el

en la carga se aproxima a la fuente DC (E).

valor eficaz VO(~MS)

Si comparamos la tknica de control PWM senoidal con la

sobremodulada, la amplitud del voltaje de la fundamental es

en el mejor de 10s casos un 70% de E para PWM senoidal, en

cambio en sobremodulacion se puede conseguir hasta un 90%

- -

Fig. 131: Contenido armonico en la sobremodulacion

1.5.8. Modulaci6n de Ancho de Pulso Senoidal Modificada.

Para la tecnica SPWM, si fijamos un valor de frecuencia y

variamos el indice de modulation, el ancho de 10s pulsos

cambian per0 aquellos pulsos que se encuentran cerca al pic0

de la onda sen0 no sufren una variacion significativa. Esta

caracteristica da lugar a una modification en la aplicacion de

la onda portadora que aparecera en 10s primeros y ultimos 60°

de cada medio ciclo. Este tipo de modulation se conoce corno

MSPWM y se la rnuestra en la figura 1-32.

Corno se puede observar en la figura 1-32 el numero de

pulsos disminuye, es decir, se reduce el numero de

conmutaciones del transistor y por consiguiente disminuye en

igual proporcion las perdidas dinamicas. La componente

fundamental se incrementa y las caracteristicas armonicas

mejoran.

Fig. 1-32: Modulacion de Ancho de Pulso Senoidal

Modificada.
 El nlimero de pulsos para el period0 de 60° (q), se relaciona

con el indice de frecuencias (mf), especialmente para

inversores trifasicos, asi:

mf = 6 q + 3

Fig. 133: Contenido armonico para la tecnica SPWM

modificada.

1.5.9. Control del Desplazamiento de Fase.

Esta tecnica de control permite obtener un voltaje de salida

producido por la suma de voltajes de salida de inversores

individuales. Por ejemplo: un inversor trifasico se puede

asumir como la suma de tres inversores monof&sicos.

La figura 1-34 muestra el empleo de este control aplicado para

un desfasamiento de 180° donde las ondas de voltaje figura 1-

34a y 1-34b son salidas de voltaje de inversores de medio

puente y I-34c muestra el voltaje de salida para este valor de

desfase. Si se aplica un angulo de desfasamiento O en la

figura I-34d genera un voltaje indicado en la figura I-34e. El

voltaje de salida eficaz VqRMS)para este tipo de control es:

Fig. 1-34: Tecnica del control de desplazamiento de fase.

Para el caso del puente monofasico constituido por dos

inversores de media onda, del grafico 1-19, 10s voltajes

instantaneos son:
El voltaje de salida instantaneo corresponde a:

El voltaje de salida eficaz de la fundamental queda:

En la ecuacion 1-42 se observa que si se varia el angulo de

desfasamiento (B), el voltaje de salida VO(RMS)

tambien lo

ham.

Este tipo de control es (:ti1 en aplicaciones de aha potencia, lo

cual, es posible ubicando varios transistores en paralelo para

mejorar su ganancia de coniente, ya que un elevado pico de

corriente pueden destruir el BJT [3]. Si se aplican altas

frecuencias de trabajo el riesgo es mayor, ya que si sobrevivio

el BJT al elevado pico de corriente, no podra soportar la

disipacion de potencia.
 Capitulo 2

2. DISENO DEL MODULO DE POTENCIA.

Este trabajo de topico esta formado por 10s modulos de control y de

potencia, en este capitulo estudiaremos el diseiio del modulo de

potencia. El mWulo de potencia consta de una fuente de voltaje continuo

(E) que alimenta las 2 ramas del inversor tip0 puente, cada una de las

cuales se halla constituida por dos switches de potencia, que deben ser

capaces de conducir corrientes de carga considerables y elevados

voltajes; por lo tanto, tiene que estar provisto de protecciones cuyos

elementos seran dimensionados en este capitulo.

2.1. Descripci6n General y Especificaciones del M6dulo de Potencia.

El inversor monofasico utilizara como elementos de conmutacion

seleccionados: 10s transistores de potencia BJT, en configuracion

darlington para mejorar la ganancia de corriente, cada configuracion

tendra su diodo de conmutacion antiparalelo necesario para cargas

inductivas, como se muestra en la figura 1-19. Cada rama del

inversor se protege por medio de redes snubber de encendido,

apagado y sobrevoltaje que se encuentran integrados en un mismo

circuito figura 1-18! para disminuir las perdidas en el encendido,

ayudar al apagado y proteger de sobrevoltajes, respectivamente.

Ademas se protegera de sobrepicos de voltaje por medio de didos

zener que recortan a un nivel seguro de voltaje evitando ia

destruccion de 10s elementos de potencia.

En 10s manejadores de base se ha colocado un circuito de monitoreo

(R), para detectar sobrecorrientes, en cada camino formado por un

par de switches donde circulars la corriente de carga. Se analiza con

detalle la operation de esta proteccion en el numeral 1.3.1. El

modulo de potencia ha sido diseiiado y construido para que cumpla

con las siguientes especificaciones:

Fuente dc de alimentacidn: E = 170 V.

Carga en KVA: So = 1KVA. CIB - MPOL

Frecuencia de Operacidn variable: Desde 50 hasta 300 Hz.

Frecuencia mdxima de conmutacidn

De 10s elementos de potencia: f = 3.6 KHz.

Voltaje de salida variable: indice de Modulacion desde 0.1 a 1.

Comente instantanea maxima: ,I = 10.21 A.

&
2.2. Disefio de la Fuente de Alimentaci6n para el Modulo de Potencia

Esta parte del equipo suministra el voltaje dc para el inversor,

convirtiendo el voltaje de entrada alterno (toma 120V RMS) en-una

tension prkticamente continua llamada "Emque es el voltaje dc para

el modulo de potencia del inversor, se encuentra constituido por un

rectificador de onda completa (tipo puente) y un filtro R (CLC) y se lo

muestra en la figura 2-0 1.

I I

Fig. 2-01 : Fuente dc para el Modulo de Potencia.

Este bloque consigue rectificar el voltaje AC en un voltaje DC y es

donde se introducen componentes armonicos. Mediante el desarrollo

en serie de Fourier se obtiene la expresion analitica de la onda de

corriente de salida en un rectificador de onda completa. Entonces la

corriente a la salida es:

En esta ecuacion se observa que la frecuencia angular fundamental

"w"no aparece en la ecuacion siendo '2w"la frecuencia mas baja en

la salida, es decir, el segundo armonico. Esto representa una notable

ventaje a la hora de filtrar con efectividad la salida.

Filtro de seccion en rn (CLC).

Puede obtenerse una salida con un rizado muy pequeio utilizando

un filtro que consta de dos condensadores separados por una

inductancia, como se representa en la figura 2-02. Se utilizan si, para

un transformador dado, se necesita una tension mayor que la que

puede obtenerse con un filtro en L (LC) y si se desea un factor de

rizado inferior al de un filtro por condensador o de seccion en L.

Fig. 2-02: Filtro de seccion en n.

Puede comprenderse mejor el funcionamiento de un filtro de seccion

en n considerando la inductancia y el segundo condensador como un

filtro en L que actlia sobre la onda triangular de la tension de salida

del primer condensador. Recordernos las ecuaciones de un

rectificador con un filtro C:

Donde : V,: es el voltaje de rizo de pico a pico.

V r ~es~el~voltaje
: de rizo efectivo.

V,,: es el voltaje dc en el primer capacitor "C".

F: es la frecuencia del voltaje de la toma de entrada.

Vm:es el voltaje maximo de entrada al rectificador.

La tension de salida es, entonces, aproximadamente la del

condensador de entrada "Cn, menos la caida de tension continua en

la inductancia ecuacion 2-07.El rizado presente en esta salida se

reduce por el filtro en L, las ecuaciones para dimensionar el filtro en

seccion -rr son:

Para la ecuacion 2-08 10s valores de capacitancia estan en p F y de

inductancia en H. Si combinamos las ecuaciones 2-02, 2-03 y 2-04

obtenemos la ecuacion 2-05 para dimensionar C:

Si deseamos que V~ci=169.71 V y la lDc=5.88 A, entonces

RL=28.86n para tener un rizo del5% tenemos que:

1
C = = 1667.10pF
2&(2)(60)(0.05)(28.86)

El valor fijado para C es de C = 1500 ,uF.

El filtro en seccion -rr queda formado por el capacitor C = 1500 p F

como capacitor de entrada que proporciona el voltaje dc, la

inductancia Ll y el capacitor Cl. Si la resistencia de Ll es

despreciable, entonces:

VXl = &, - M R L , ) = VX

El valor del rizo para el filtro "CLIC1" dependen de 10s valores de L1 y

Cl. Si escogemos un rizo de 0.05% la relacion dada por la ecuacion

2-08 queda expresada asi:

3300 --
3300
= 244mH
= CC, RLr 600(1500)(28.86)(O.OOO5)
 Al disponer de un capacitor Cl=6OO p F formado por dos capacitores

en paralelo de 300 p F el valor de L1 es de Ll=0.244 H, para lo cual

se construyo una bobina de nucleo toroidal de alambre esmaltado de

L=220 mH.

2.3. Dimensionamiento y Seleccion de 10s Dispositivos de Potencia.

Este trabajo de topico aplica la tecnica de rnodulacion por ancho de

pulso senoidal de 2 niveles, por lo tanto, la selection de 10s

dispositivos de potencia deberia realizarse de acuerdo a esta tecnica;

sin embargo, tomando el peor de 10s casos (sin rnodulacion senoidal

I,=0.1) y para simplificar el analisis se 10s dimensionara de acuerdo a

las tecnicas de control de generacion de onda cuadrada de dos

niveles. Calcularemos 10s valores de voltaje y corriente para 10s

limites de operacion, es decir, para carga resistiva R y para carga

inductiva (L).

2.3.1. Tknica de control S P W de dos Niveles con carga R.

La figura 2-03 muestra las formas de onda de voltaje y

corriente en el inversor monofasico tipo puente, con carga

resistiva y considerando que el voltaje de salida es una onda

cuadrada de dos niveles por lo expuesto en el parrafo anterior.

Segrjn las formas de onda para carga resistiva de la figura

anterior podemos calcular la corriente de la carga eficaz y el

valor de la resistencia:

Voltaje de salida: Vo, = E=169,71V

So lKVA
Corriente de salida: lo,, = -= = 5.89A.
Vo,, 169.71V

Vo,, - 169.71V = 28,86Cl

L=-----
Carga resistiva:
10, 5.89A

La corriente de 10s switches (I,) y de 10s diodos de

conmutacion (Id)en dc, RMS y m6xima sehn:

1
Is,, = -lo,, = 4.l7A

Is,, =lo, = 5.89A

Id, = Id,, = Id,, = OA.

La corriente en la entrada del inversor ( I i n ) en voltaje dc,

RMS y ac son:

Iin, = l o , = 5.89A.

Iin,, =lo, = 5.89A.

Iin,, = ,/]in,2 -Iin,2 = 0A.

 Se asume que la impedancia de la fuente dc es lo

suficientemente baja para no tomar en cuenta el rizado de

voltaje, de no ser asi, las formas de onda de voltaje sufririan

modificaciones.

Los voltajes de 10s switches (V,) y en 10s diodos de

conmutacion (VJ, se calculan de la siguiente manera:

2.3.2. Tecnica de Control SPWM de Dos Niveles con Carga L.

La forma de onda de la corriente de salida con carga inductiva

esta determinada por dos factores: la forma de onda del

voltaje de salida y la magnitud de la impedancia de carga

inductiva. La fase entre el voltaje y la corriente de salida

determina la distribucion de corriente entre 10s switches y 10s

diodos de conmutacion.

Para el inversor monofasico tip0 puente con carga inductiva y

onda de voltaje de salida cuadrada de dos niveles se muestran

las seiiales de voltaje y de corriente en la carga, en 10s

diodos y en la entrada del inversor, en la figura 2-04.

Los ~Alculos teoricos de voltaje y corriente para carga

inductiva de acuerdo al grafico de la figura anterior son:

Voltaje de salida: VO,, = 169.71V.

So
Comente de salida: I o ~ = - - - 5.89A.
vo,
Si analizamos la forma de onda de la corriente de carga en un

period0 de conduction (T), notaremos que entre 0 y TI2 la

corriente tiene pendiente positiva, mientras que para TI2 y T la

corriente es la misma per0 con pendiente negativa.

Definiremos la ecuacion de la forrna de onda de la corriente

por periodos dadas por las ecuaciones:

T = -1
f
Notemos entonces que la corriente de pico de salida es:

La relacion entre 10, y la lo,, es:

Io,, = 10.21A.

Por lo tanto la carga inductiva deberia ser:

Las corrientes para 10s switches (Is) y diodos de conmutacion

(Id) son:

J3
Is, = -10, = 1.28A
8

Is, = lo,, = &lom = 10.2 1A

-
1
Id,, = -lo,, = 2.9514
2
Id, = lo,, = &.lo,, = 10.21A

Los voltajes que soportaran 10s switches OI,) y diodos de

conmutacion Old) seran 10s mismos valores calculados para la

carga resistiva entonces:

Las corrientes en la entrada del inversor son:

2.3.3. Selecci6n de 10s Dispositivos de Potencia.

Para poder visualizar 10s resultados de 10s ~Alculosde voltaje

y corriente para los diodos de conmutacion y switches,

obtenidos tanto para carga resistiva e inductiva con tknica de

control SPWM de dos niveles, se 10s clasifica en la siguiente

tabla:
De la tabla mostrada tenemos que escoger 10s valores

mhimos de corriente y de voltaje para 10s switches y diodos

de conmutacion, ya que estos son 10s valores que serviran

para dimensionar 10s elementos de potencia que garantice la

normal operacion del equip, 10s cuales son:

Cuando el indice de modulation es igual a uno el voltaje RMS

en la carga es E / & . Para elegir 10s elementos de potencia.

escogemos un margen de seguridad del 50% de sobre-

dimensionamiento de 10s valores de corriente, mientras que

para seleccionar 10s valores de voltaje, se considera el peor

caso cuando 10s capacitores de 10s circuitos snubber se

cargan hasta el doble de la fuente dc de voltaje; por lo tanto se

sobredimensionan en aproximadamente tres veces el valor

calculado por seguridad.

Por lo expuesto, 10s valores que se tomaran en cuenta para el

dimensionamiento de 10s elementos de potencia, tales como,

switches y diodos de conmutacion seran:

SWITCHES DIODOS DE CONMUTACION

Is, =4.43 A
I

Is,, =6.65 A Id,, =4.43 A

Is,, =15.32 A Id,,=15.32 A

Vs,, =509.13 V Vd,, =-509.13 V

En el numeral 1 . 1 . 1 . se explic6 el motivo por el cual se hizo la

eleccion de la configuration darlington con BJTs de potencia

como el switch a utilizar, ademas la caracteristica mas

 importante es que deben conmutar a una frecuencia maxima

de 3.6K Hz a continuacion se detalla 10s BJTs escogidos y 10s

diodos de conmutacion:

CONFIGURACI~NDARLINGTON

BJT PRINCIPAL: NTE386

BJT AUXILIAR: NTE385

DIODOS DE CONMUTACI~N:FR20-10

Las caracteristicas de estos elementos se presentan en el

Anexo 5.

2.4. Protecciones.

Estos circuitos fueron detallados en el numeral 1.3. y en esta seccion

sersn dimensionados 10s elementos que forman parte de: las redes

snubber, diodos Zener, circuit0 contra sobreconiente y disipador de

calor.

2.4.1. Protecci6n Contra Sobrecorriente.

El elemento utilizado para determinar si existe sobrecorriente

es una resistencia de monitoreo (Rm), que se ubica en serie a

continuacion del emisor de la configuration darlington de 10s

BJTs de potencia, por lo tanto, circula por ella la corriente de

colector fijando una caida de tension. Este voltaje esta siendo

siempre cornparado con el voltaje VMt, determinado por la

miixirna corriente que puede conducir el transistor de potencia.

A continuacion se muestra la figura del circuit0 de proteccion

contra sobrecorriente:

Fig. 2-05 Circuito de proteccion contra sobrecorrientes.

En el instante que exista sobrecorriente, la caida de voltaje en

Rm sera tal que a la salida del comparador (pin 12) se fija un

nivel bajo de voltaje a -5V, entonces el optoawplador en via^

una seiial al microcontrolador evitando el daiio de 10s BJTs de

potencia, pues se apagar4n inmediatamente.

El valor de la resistencia de monitoreo (R), debe ser muy

pequeiio en comparacibn con el valor de la carga asi:

R, = Rt4= 0.05 0

La potencia de disipacibn m6xima para R, sera:

,P =IC&.R~ (2-14)

Por disefio para precautelar el dafio de 10s BJTs de potencia y

no trabajar con corrientes muy grandes, tomamos el valor de

la corriente de coledor mkima de 6.06 A.

Icmy = 10.21A Ic,, = 5.89A

Entonces:

Los valores de las resistencias en el divisor de voltaje serdn:

R12= 8.80 R13

Por lo tanto si escogemos R13= 2k el valor de R12sere igual a

17.6 1k Q entonces:

R12=18 k 0

R13= 2 k. 0

Faltaria por dimensionar RBque perrnite el encendido del led

del optoacoplador, que necesita 15 mA, entonces:

Un valor norrnalizado seria:

R 9 = 1K Q

El optoacoplador utilizado es el NTE 3040 se encarga de

recibir la seiial de sobreconiente y enviarla al microcontrolador

protegiendolo y aislandolo del circuito. Las caracteristicas de

este optoacoplador se encuentran en el ANEXO 5.

El cornparador utilizado es el LM319N que trabaja con altas

frecuencias, el CI. Consta de 2 comparadores: el empleado en

esta seccion y el otm en el manejador de base del BJT de

potencia analizando en el numeral 2.4 , las caracteristicas de

este cornparador se pueden observar en el ANEXO 5. A

continuacion se presentan 10s valores para la implernentacion

de este circuito:

R12= 18 K f2

R13= 2 K Q

R9=1KR

RI4 = 0.05 fl

Optoacoplador NTE3040

Comparador de voltaje LM319N

 El circuito de protection contra sobrecorriente se muestra en

el ANEXO 2, de la forma que se encuentra implementado en el

modulo del inversor monofasico.

2.4.2. Circuito Snubber

En el numeral 1.1.2. se estudia las areas de operaci6n

seguras para el transistor de potencia, ya que las redes

snubber permiten que el BJT de potencia trabaja en estas

areas. [3] La red snubber de encendido debe mantener a 10s

BJTs de potencia dentro del area directa de operacion segura

(FBSOA), mientras que la red snubber de apagado 10s debe

mantener dentro del area inversa de operacion segura

(RBSOA).

El circuito Snubber a implementar fue deducido en el numeral

1.3.2. figura 1-18 donde encontramos el grafico de este

circuito y las ecuaciones que se van a utilizar, de acuerdo a la

ecuacion 1-16:

entonces:
Por lo tanto:
R, = 2.88Q

Utilizaremos la ecuacion 1-10 para dimensionar L,

calcularemos el valor del tiempo de apagado minirno de 10s

BJTs de potencia, de tal manera, que para una frecuencia de

3600 Hz y una relacion de trabajo maims del90% obtenernos

un tiempo minirno de apagado de:

Se escoge un valor grande para Ls con el fin de controlar el

dildt de la coniente, entonces se escoge:

Ls = 30 uH.

Para la configuracion darlington se asumira un tiempo de

caida de corriente, tfl, igual a 1 us. ANEXO 5, asi el valor de

Cs dado por la ecuacion 1-11:

El valor utilizado en la irnplernentacion es:

Cs= 0.018 uF1 400 V

El valor de Rssegun la ecuacion 1-13 sera:

El valor normalizado mas proximo es:

 Rs= i s o n

La potencia de Rses [3]:

Con 10s datos anteriormente considerado el tiempo minimo en

estado encendido (t,-m,,,) igual a 27.79 us, realicemas la

comparacion segun la ecuacion 1-14:

27.79 us > 2.3Rs.C~

27.79 us > 5.63 us

Segun la ecuacion 1-15 el d c u l o de Covsera:

100.~s.1: - (100)(34.79pH)(5.89~)~
cov = = 4.19pF
1702

El valor normalizado mas proximo es:

C, = 3.5 uF.

Los diodos Dl, y DPsson de las mismas caracteristicas que 10s

diodos de conmutacion, por lo tanto:, se ha escogido 10s

diodos FR20-10, en el ANEXO 5 se pueden apreciar sus

principales caracteristicas.

Los valores para la implernentacion de este circuit0 son:

Rs= 150 n/2 w

C, = 0.018 uF/ 400 V

Cov= 3.5 UF
 El grafico del circuit0 implementado en el equipo se encuentra

en el ANEXO 2.

Se recomienda para la efectividad de la red snubber, que sea

esta ubicada lo mas cerca posible de 10s elementos de

potencia a proteger.

2.4.3. Diodos Zener

Dada la susceptibilidad de 10s BJTs de potencia a 10s picos de

voltaje, es necesario recortar estos picos mediante la

utilization de diodos zener, con lo que, logramos limitar estos

voltajes a valores que no causen dafios, como se habia visto

para el caso de 10s dispositivos de potencia, el voltaje zener se

sobredimensiona aproximadamente tres veces el valor de la

fuente; por lo tanto, el voltaje zener sera 450V. Si utilizaran

tres diodos zener en serie de 150 V15 W.

Diodos zener de 150 V; 5 W = 1N5383A

El ANEXO 2 muestra la forma como se conectan 10s diodos

zener.
2.4.4. Disipadores de Calor

Aunque no existen formulas fijas de diseiio que proporcionen

las especificaciones de 10s disipadores para una determinada

aplicacion, existen varias reglas sencillas que permiten reducir

el tiempo requerido para establecer el mejor diseiio para un

trabajo particular. Estas reglas senciltas son:

La superficie del disipador debe ser lo mas grande posible

para permitir la mbima transferencia de calor.

La superficie del disipador debe tener un valor de

emisividad cercano a la unidad para obtener una

transferencia de calor por radiacion optima. Se obtienen

mejores resultados cuando el disipador tiene un acabado

negro mate.

La condudividad termica del material del disipador debe

ser tal que no se establezcan gradiente termicos excesivos

a traves del disipador.

Para lograr una eficiente disipacion de calor, debe existir

un contact0 intimo entre el disipador y por lo menos la

mitad de la base de la Gpsula. Si se emplea montaje

mechico (no se recomienda soldadura para 10s

 transistores), se tiene que utilizar grasa-silicona entre el

dispositivo y el disipador para eliminar 10s huecos

superficiales, impedir el aumento del aislamiento debido a

la oxidacion y facilitar la conduction del calor a traves de

la superficie de contacto.

La resistencia temica del disipador puede reducirse al

minimo utilizando un material de alta conductividad, como

el cobre o el aluminio.

Finalmente, 10s factores economicos son tambien

importantes en la seleccidn de 10s disipadores.

Frecuentemente es mas economico utilizar un disipador

con varios dispositivos de potencia adecuadamente

colocados que utilizar un disipador para cada dispositivo.

Teniendo en cuenta estas reglas se han escogido disipadores

de aluminio , tan grandes como ha sido posible y con aletas

para mejorar la disipacion. En cada disipador se montan

mechicamente por medio de tomillos dos BJTs de potencia

en mnfiguracion darlington. Para evitar problemas de ruido en

el cableado 10s disipadores se montan directamente sobre 10s

respectivos circuitos impresos. Entre las carcazas de 10s BJTs

de potencia y 10s disipadores se coloca grasa-siliconada de tal

manera que se prevenga 10s puntos calientes que aparecen

debido a las irregularidades presentes en el area de contacto.

El area de contacto es extremadamente importante para

minimizar la resistencia termica. Las superficies deben ser

planas, lisas y libres de polvo, corrosion y oxido.

Para tener una mejor disipacion de calor, el equipo cuenta con

rejillas de ventilacion que ayudan a evacuar el aire caliente,

permitiendo una disipacion de calor aceptable para el equipo.

 Capitulo 3

3. DISENO DEL MODULO DE CONTROL

La implernentaci6n del inversor monofasico tipo puente ha sido realizada

mediante el microcontrolador 87C52 de la familia INTEL, el cual ha sido

programado para aplicar la tknica de control de modulacion por ancho

de pulso senoidal (SPWM) de dos niveles. El microcontrolador nos

proporciona la forma de onda para el control con 10s tiempos correctos

para la conmutacion de 10s transistores de potencia en configuracion

darlington.

3.1. Requerimientos del Mddulo de control.

r-------- MODULO DE------
'---em'
CONTROL '-'-""-'--
1

MODULO DE POTENCIA
> IWERSQRIV#lI\KHASICO <

Fig. 3-01: Diagrama de bloques del mMulo de control.

> Un encendido secuencial de proteccion.

> Manipulacion del equipo mediante circuitos de seiializacion y

mando que pemiten la comunicacion con el inversor

implementado.

> Conmutacion de 10s BJTs de potencia por la tdcnica de control

SPWM de dos niveles.

P Puesta en marcha y paro del mMulo de potencia con el tipo

de carga seleccionada.

P Apagado secuencial de proteccion.

3.2. Circuito de Control para el Encendido y Apagado del inversor

Monofasico.

La importancia de este bloque de control es notoria al momento de

necesitar un encendido que cumpla con el siguiente orden

secuencial:

1. La tajeta de control SPWM que contiene el microcontrolador

debe ser energizada, una vez estabilizadas las salidas del

microcontrolador, activara la bobina de un rele que garantice

el encendido del microcontrolador.

2. El rele activado debe energizar las cuatro tarjetas

controladoras de base para obtener las cuatro seiiales de

control BI,B2, B3 y B4.

3. Con el modulo de control encendido el modulo de potencia

puede entrar en funcionamiento con la carga seleccionada.

4. El modulo de potencia podra ser conectado y desconectado

con su respectiva carga de la fuente dc (E), sin afectar el

funcionamiento del modulo de control.

5. El momento de apagar el inversor el primer m6dulo en ser

apagado es el de potencia y finalmente el modulo de control.

 Fig. 3-02: Circuito de control para el encendido y apagado del
inversor monofasico.

En la figura 3-2 se presenta el circuito de control implementado para

el encendido y apagado del inversor, su analisis se Ilevara acabo con

la identificacion de cada uno de 10s elementos del circuito:

ON: Botonera normalmente abierta para el encendido del m6dulo

Control.

OFF: Botonera normalmente cerrada para el apagado del modulo

de control y del inversor.

C: Rele auxiliar con dos contactos normalmente abiertos,

permite el encendido de la tarjeta de control SPWM.

R: Rele con un contact0 normalmente abierto ubicado en la

tarjeta de control SPWM, permite el encendido de las cuatro

tarjetas manejadoras de base y habilita la posibilidad de

encender el mdulo de potencia.

MARCHA: Botonera normalmente abierta, al ser pulsada conecta la

fuente dc (E) al modulo de potencia.

PARO: Botonera normalmente cerrada que desconecta la fuente dc

(E) del mCKlulo de potencia.

P: Bobina de un contactor cuyo contact0 normalmente abierto

permite conectar la fuente dc a1 modulo de potencia.

Funcionamiento del Circuito de Control de Encendido y ,.

Apagado.

La botonera ON a1 ser pulsada permite energizar la bobina del rele C

cuyo contacto realiza el enclavamiento que deja energizado este rele

y a su vez por su segundo contacto energiza las tarjetas de control

SPWM y por consiguiente el encendido del rele R. La energizacion

del rele R permite por medio de su contacto normalmente abierto el

encendido de las cuatro tarjetas manejadoras de base con sus

respectivos indicadores ( leds ) y deja lista la opci6n de conectar el

modulo de potencia.
 Encendido el modulo de control el modulo de potencia con la carga

seleccionada puede entrar en funcionamiento el momento de pulsar

la botonera MARCHA que energiza la bobina del contactor P cuyos

contactos normalmente abiertos permiten enclavar la excitacion de la

bobina PI conectar la fuente dc al m6dulo de potencia con la carga

seleccionada mediante uno de sus contactos norrnalmente abierto y

enclavar la energizacion de la bobina del rele "Cnconsiguiendo que

aunque se eplaste la botonera OFF el m6dulo de control no se

apague hasta que se realice lo correcto, que sera apagar el modulo

de potencia desenergizando "P" pot la botonera PAR0 y pulsando

OFF que apagara el inversor.

Note que con el modulo de control encendido usted podra dar

marcha y par0 al mddulo de potencia las veces necesarias hasta que

decida apagar el inversor primeramente desenergizando el modulo

de potencia y finalmente el modulo de control.

3.3. Tarjeta de Control SPWM de Dos Niveles.

El circuito de la tajeta de control SPWM de dos niveles se encuentra

graficada en el ANEXO 2 donde podemos visualizar las entradas y

salidas con su respective circuito de sefializacion y mando, en esta

seccion explicaremos cada una de ellas:

REINICIAR: Botonera normalmente abierta (NO.) conectada al pin 9

del microcontrolador, cada vez que sea necesario resetear el equipo,

se pulsara la botonera reiniciar que envia una seiial de nivel alto de

voltaje ( + k c ) con lo cual es activada mediante la programacion del

microcontrolador.

FRECUENCIA: Es una entrada activada mediante una botonera

(NO) conectada al pin 10 del microcontrolador, normalmente existe

un nivel alto de voltaje (+Vcc) presente en esta entrada, pero, al

pulsar la botonera frecuencia se envia una seTial de nivel bajo de

voltaje (GND) con la que se activa s e g h la programacion del

microcontrolador. Esta botonera de mando juega un papel

importante en el momento de seleccionar una frecuencia de trabajo,

tendra que ser pulsada cada vez que se desee hacer un cambio en

la frecuencia de operacion y se puede verificar si esta listo para el

cambio si el led de valor aceptado se apaga, debe seleccionar la

frecuencia deseada con las botoneras sube y baja seguida de la

botonera aceptar.

INDICE DE MODULACION: Entrada activada por una botonera NO,

conectada al pin 11 del microcontrolador. Cuando no es presionada

existe un nivel alto de voltaje ( + k c ) en esta entrada, al ser pulsada

la botonera indice de modulaci6n se envia una seiial de nivel bajo

(GND), adivandose la entrada por la programacion en el

microcontrolador. Esta botonera de mando pennite seleccionar el

indice de rnodulacion de trabajo y debe ser presionada cada vez que

se desee cambiar el indice de rnodulacion de operacion, fijara el

valor deseado por medio de las botoneras sube y baja seguida de la

botonera aceptar.

SUBE: Es una entrada con botonera NO. Conectada al pin 15 del

microcontrolador, esta entrada tiene un nivel alto de voltaje ( + k c )

cuando el equipo esta en operacion y por mas que sea pulsada esta

botonera de mando no estara habilitada hasta que se pulse

previamente o la botonera frecuencia o la botonem indice de

rnodulacion que habilita la botonera SUBE. Si se encuentra

habilitada al ser pulsada se envia un nivel bajo (GND) hacia el

microcontrolador incrementando en 50 Hz si escogio cambiar

frecuencia o en 0.1 si escogio cambiar indice de modulaci6n.

BAJA: Entrada activada por botonera (NO), conectada en el pin 13

del microcontrolador, esta entrada tiene un nivel alto ( + k c ) cuando

el inversor esta trabajando y no podra realizar ningun cambio, hasta

que sea habilitada al ser pulsada ya sea la botonera frecuencia o la

botonera indice de modulacion. Si baja esta habilitada cada

pulsacion envia un nivel bajo de voltaje (GND) hacia el

microcontrolador disminuyendo en 5 Hz si escogio cambiar

frecuencia o en 0.1 si escogio cambiar indice de rnodulacion,

seguido de la botonera aceptar para fijar el nuevo valor de

operacion, caso contrano el cambio de valor no se realizara.

ACEPTAR: Entrada que se activa por una botonera (NO),

conectada al pin 14 del microcontrolador . En operacion normal el

inversor en esta entrada tiene un nivel alto de voltaje (+Vcc) y a1

ser pulsada envia un nivel bajo (GND) que activa esta entrada por

programacion en el microcontrolador. Esta botonera de mando tiene

que ser pulsada cada vez que se realice un cambio en frecuencia o

en indice de modulacion, de no ser asi, el cambio no se efecttja y el

led de valor aceptado no enciende.

SPWMl y SPWMZ: Salida del microcontrolador por el pin 1, posee la

seiial de control por ancho de pulso senoidal de dos niveles para 10s

switches S1 y S2 . Esta seiial pasa por dos inversores para tener la

misma seiial de salida del microcontrolador, pero, con mayor

capacidad de corriente, ser& el inverso de PWM3 y PWM4.

S ~ W My ~SPWM4: Es una salida enviada del pin 2 del

microcontrolador, tiene la seiial de control por ancho de pulso

senoidal de dos niveles para 10s switches 3 y 4, de igual manera que

el caso anterior debe pasar por 2 inversores para obtener la misma

seAal de salida del microcontrolador, pero, con mayor capacidad de

corriente, sera el inverso de PWMl Y PWM2.

SC'l, SC2, SC3 y SC4: Son entradas enviadas de su respectiva

tarjeta manejadora de base que al ingresar a la tarjeta de control

pasan por el integrado 74LS21 que es una puerta AND que envia un

nivel bajo de voltaje (GND) al microcontrolador que mediante

programacion activa la seiial de sobrecorriente ordenando apagar

10s BJTs de potencia , encendiendo el led de sobrecomente y

encerando 10s displays de frecuencia e indice de modulacibn.

CAI y CA2: Son salidas de la tarjeta de control que pertenecen a

10s terminales de un contacto (NO), este contacto es de un rele

activado por el pin 4 del microcontrolador que pasa por un inversor

para tener un nivel alto de voltaje (+Vcc) y mayor capacidad de

corriente en serie con una resistencia que gobiema la conmutacion

de la bobina del rele de este contacto. El contacto CAI y CA2

garantizan que el microcontrolador este funcionando, es decir, que el

modulo de control pueda comandar el rn6dulo de potencia.

Vcc y GND: Entradas de la tarjeta de control SPWM, son 10s

terminales de una fuente de +5V que polariza el microcontrolador y

propordona 10s niveles de voltaje TTL para pulsadores, leds y

displays.
Los displays utilizados para indicar frecuencia e indice de modulation

son anodo comb y su respective manejador es el 74LS47.

3.3.1. Fuente para la Tarjeta de control SPWM.

Para dimensionar 10s elementos de la fuente regulada +5V de la

tarjeta de control SPWM que proporciona el voltaje para todos

10s elementos de esta tarjeta incluido el microcontrolador, por lo

tanto necesitamos a la entrada del regulador un voltaje minimo

de +8V condition que debemos cumplir para el correct0

funcionamiento del regulador (diferencia de voltaje entre la

entrada y la salida +3V). Utilizaremos las ecuaciones 2-02, 2-

03, 2-04 y 2-05 para el calculo de 10s elementos del rectificador

y filtro necesarios.

Escogemos un factor de rizo del 5%, un voltaje VoDc de 9V y

una corriente de I A , entonces el voltaje de rizo de pico a pico y

la resistencia de carga seran:

Vr = %F~.(z&).(v%) = 0.05.(2&)(9) = 1-59'

Entonces 10s voltajes mkimos y minimos del rizo son:

V max = 9V + 0.775V = 9.775V

V min = 9V - 0.775V = 8.225V

El angulo en el cual el capacitor empieza a conducir es:

El tiempo en el que empieza a conducir el capacitor sera:

Entonces el tiempo de conduction de 10s diodos y de carga del

capacitor son T I y el tiempo de descarga del capacitor es T2

asi:

El valor del capacitor que me asegure el voltaje deseado sera:

El valor del capacitor normalizado ubicado en la fuente fue de

C=6800p. El voltaje de pico en el secundario del

transformador es:

Entonces 10s vabres de 10s elementos escogidos son:

 Capacitor de 6800 pF

Transformador de 120V:gV / 1A.

Diodos con voltaje inverso de 9V y de 5.494 A de pico

Regulador de +5V escogido : 7805

3.3.2. Breve descripcidn del microcontrolador 87C52 de INTEL.

En la figura 3-03 se muestra la aquitectura Msica del

microcontrolador 8752, que nos da una idea del hardware

asociado al pc necesario para la description del mismo.

nc PARALELO

Fig. 3-03: Arquitectura del microcontrolador 87C52.

A continuacion se menciona las caracteristicas generales del

microcontrolador 8752:
 CPU de 8 bits optimo para aplicaciones de control

Un procesador booleano, ofrece la capacidad de realizar

operaciones a nivel de bits.

256 bytes de memoria intema RAM util para el usuario y

384 bytes en total considerando el area de 10s registros

especiales (SFR).

8K bytes de memoria interna EPROM.

Espacio de memoria de 64K bytes para programa extemo.

Espacio de memoria de 64K bytes para datos externos.

32 lineas bidireccionales de entrada y salida (110).

Contiene 3 contadores-temporizadores(timers).

Comunicacion asincr6nica fullduplex.

Oscilador interno.

6 fuentes de intermpciones con niveles de prioridad.

- 2 interrupciones externas.
- 3 interrupciones de 10s timers.
- 1 interruption de la comunicacion serie.

El manejo de 10s tiempos se realiza a trav6s de una frecuencia

de reloj que dependera del oscilador a utilizar. Los pines 18 y

19 del microcontrolador son destinados para este fin, asi el pin

18 (XTAL2) y el pin 19 (XTALI) son la entrada y la salida,

respectivamente de un amplificador inversor que puede ser

configurado para su uso como un chip oscilador figura 3-04.

Se puede utilizar indistintamente un cristal de cuarzo o un

resonador ceramico.

Cl C l ,C2 30pftl-4 lJpf

I1 PARAWTALES

C l ,C2 = 43pfti-I Opf

I1
' PARAFES0NAIX)RES
miuYfic0s
L ~ s s

Fig. 3-04: Configuracion utilizada con cristal de cuarzo

o resonador ceramico.

Fig. 3-05: Configuracion utilizada w n seiial externa de

oscilador.
Para que el microcontrolador sea conducido por un reloj

extemo, se debe conectar la entrada de reloj como se indica

en la figura 3-05.

Para este proyecto se escogio la primera opcion, a

continuation ilustremos como se maneja 10s tiempos de

acuerdo a la frecuencia de reloj seleccionada.

Ciclo de Mhquina

Un uclo de maquina, para este microcontrolador, consiste en

una secuencia de 6 "estados", nombrados S1 a S6. Cada

estado esta formado por dos periodos de la sefial de reloj que

se denominan "fases" (fase~y fasez).

Fig. 3-06: Ciclo de Maquina para el microcontrolador 87C52.

Teniendo en cuenta que cada ciclo de maquina tiene 12

periodos (6 estados por 2 fases), si el oscilador genera una

 seiial de "reloj" de una frecuencia de 12 Mhz la duracion del

ciclo de maquina sera de 1u seg. Figura 3-06.

Para este proyecto de topico se seleccion6 un cristal de 24

MHz, que brinda 10s tiempos correctos para la frecuencia de

trabajo del inversor de 0.5 us por ciclo de maquina.

3.4. Circuitos de Control de Base.

En el numeral 1.2.1. figura 1-09 se propuso el circuito de control de

base que se ha desarrollado en la figura 2-04, el grafico muestra el

circuito de control para cada configuracion darlington con

transistores de potencia y sus respectivas fuentes de polarization.

Existen fuentes de +5V y -5V para poder controlador las bases de

10s transistores Qp y Q3 y porque se recomienda para la fuente

negativa un voltaje ligeramente menor que el voltaje de ruptura B-E

del BJT de potencia. Ademas se esage una fuente negativa

principalmente porque ayuda al apagado del transistor de potencia,

al absorber la comente de base logra que las capacitancias parasitas

se descatguen rapidamente. La fuente de +12V fue implementada

para poder conducir la mayor cantidad de corriente hacia la base de

la configuracion de 10s BJTs de potencia; de esta manera se logra

que el BJT de potencia que maneja la carga se sature rapidamente,

a tal punto que las perdidas dinamicas Sean minimas:

3.4.1. Circuito Controlador de Base para 10s BJTs de Potencia.

La forma de onda para la comente de base de la configuracion

darlingon de potencia se muestra en la figura 2-05. [3] Los

factores que determinan la corriente directa de base, lw son:

La ganancia

El voltaje de saturacion

La velocidad de conmutacion y

La capacidad de cortocircuito.

Fig. 3-07: Forma de onda tipica de la corriente de base

para la configuracion darlington de potencia.

El sobre-pico observado en la figura 3-07 reduce el tiernpo y

las perdidas en el encendido, pero, no es aceptable en

circuitos que emplean redes snubber de encendido para limitar

el dildt.

Para diseiiar el circuit0 de control de base se toman en

consideration 10s siguientes datos: la corriente a traves de la

configuracion darlington: Ic = 5.89 A y la ganancia de coniente

de 10s BJTs de potencia : pa4 = 8 y pa5 = 10.

El limite inferior [5] de le4 esta deterrninado por la ganancia de

corriente del dispositivo de potencia. Cuando se utiliza BJTs

de potencia operando en conmutacion, la comente directa de

base es generalmente seleccionada por la ecuacion:

le4 = (1.5 a 2.0) ($1 (3-1)

En esta ecuacion p es la minima ganancia de corriente. La

ganancia de coniente para la configuracion darlington de BJTs

de potencia sera calculada por la ecuacion 1-3 entonces:

Con esta ganancia equivalente se calculara el valor de 1 ~ :4

La operacion de 10s transistores Q1 y Qz figura 2-04

conectados en configuracion darlington mejoran su capacidad

de corriente y trabajan en la region activa normal (RAN) para

rapidas conmutauones. El ANEXO 5 muestra las

especificaciones para Qly Q2.

Dado que el transistor Q2deberia conducir la corriente lei:

Se debe cumplir que:

donde:

por lo tanto:

Para minimizar las perdidas en conduction [3],es conveniente

incrementar IEMpara minimizar VCESATdel BJT de potencia

principal (Q5). En la practica, el limite superior de 164 ocurre

cuando el VCESATQ~
no se reduce significativamente, operando

a la mkima corriente de colector. Para incrementar lei, se

tiene que reducir el valor de Rll; por lo tanto:

Rll = 6 8 Q / 10 W
 Las desventajas de incrementar lei es que compromete la

capacidad de cortocircuito y alarga el tiempo de

almacenamiento (ts).

La election del comparador de voltaje CI: LM319N se realiza

porque presenta una salida con flancos practicamente

perpendiculares y perrnite obtener la corriente negativa len,

consiguiendo que 10s tiempos de encendido y apagado Sean

10s mas pequefios posibles. Este CI. Consta de dos

comparadores, uno se utiliza en el circuito manejador de base,

mientras que el otro en el circuito de protection contra

sobrecorrientes (numeral 2.3.1.). Las salidas de este

comparador de voltaje son de colector abierto y sus

especificaciones se pueden observar en el ANEXO 5.

Si aplicamos la ecuacion 1-3 para la configuracion darlington

formado por 10s transistores Q1 y Qz, obtenemos una ganancia

CIB - EGPOL
igual a 440, aplicando la ecuacion que relaciona la comente de

colector y de base tenemos que la corriente de base para Q1

es:

lB1 Ice2
=-=--
440
I,,
440
- 0.273mA
Para poder establecer una corriente en la base del transistor

Q1 se fija el voltaje en la base mediante la salida de colector

abierto del comparador del CI. LM319N. Esta salida necesita

de una resistencia Rlo, por donde circular& aproximadamente

la corriente de base de Ql (IBQI) que segljn el dlculo anterior

es de 0.273 mA, entonces:

donde:

'M(ON)Q2 = vBE(ON)Q1 Oo6'

R~~= 34065.93 n

Este es el valor tdrico para RIO , para asegurar la saturacion

de esta configuracion darlington escogemos el siguiente valor:

Rl0 = 39 K n

Para obtener la corriente de base inversa de 10s transistores

de potencia se utiliza el transistor Q3 cuyas especificaciones

se pueden observar en el ANEXO 5. Esta corriente permite

reducir 10s tiempos de almacenamiento y de caida de

corriente.

Como proteccidn del microcontrolador se utiliza un

optoacoplador, elemento que aisla la parte de control de la de

potencia y que tendria que trabajar a la frecuencia mfvtima de

operacibn de 10s BJTs de potencia igual a 3.6 kHz. El

optoacoplador que cumple, con estos requerimientos es el

NTE3087, sus principales caracteristicas se encuentran en el

ANEXO 5.

La salida del optoacoplador es de colector abierto y opera con

niveles de voltaje TTL, haciendo necesaria la presencia de una

resistencia extema Rg para conseguir el nivel de voltaje alto:

donde:
I,, = 10mA.

entonces:

Rg = 500 R

Llamemos a V' del comparador el voltaje Vreay a V - el voltaje

Vref3que son las entradas del comparador, Los valores de

operacidn del NTE3087 para un voltaje alto en la salida apaga

el dispositivo de potencia y un nivel bajo 10s enciende.

Sea:

= 2.5 V
VreP;!

Por lo tanto en el divisor de voltaje entre R7 y R8 tendria que

darse:

Entonces:
 El microcontrolador envia seiiales en niveles de voltaje TTL a1

circuito de mando, necesitando una resistencia Ri que

asegure el encendido del led del optoacoplador (*: 15mA ), asi:

Un valor normalizado proximo es:

Rl = 270 R

El ANEXO 2 muestra el circuito controlador de base

implementado en el equipo. A continuacidn se muestran 10s

valores dimensionados para el controlador de base:

Rl = 270 O Ql = 2N3904

Rs = 560 O QZ= NEC D362

R7= 10 k Q Q3 = 2N2907A

R8=10kQ

R~~= 3.9 k n
Rii = 68 R

Optoacoplador NTE3087

Comparador de voltajes LM3l9N

3.4.2. Fuentes de Voltaje para el Circuito Controlador de Base.

El Transformador de voltaje reduce el voltaje de II 0 VRMS/

60Hz a 18 VRMS
con tap central que permite tener 10s voltajes
de 9 VRMSnecesarios para el disefio de las fuentes de +12V,

+5V y -5V. La cantidad de comente demandada por el

controlador de base es en su mayor parte la corriente de base

de Qs que es mucho menor a 1 A, por lo tanto, el

transformador es :

Transformador: 110V118V con tap central, IA.

Una vez reducido el voltaje se procede a rectificarlo utilizando

un rectificador de onda completa formado por 10s diodos Dl,

D2, D3 y D4 que deben soportar un voltaje pico inverso mayor

que 12 V y una corriente mayor que 1 A, siendo seleccionados

10s diodos IN4007 cuyas caracteristicas cumplen 10s

requerimientos.

La filtracion del voltaje esta a cargo de C1 y C2, si calculamos

el valor de C1 usaremos la ecuacion:

de donde:

Vooc = 12 V = voltaje DC en C1

lom w I,, = 1A corriente DC en C1

f, = 120 Hz (rectificador de onda completa)

 rl = rizado de voltaje en Cl

entonces:

Si la fuente no va a ser regulado debemos considerar una

regulation de voltaje de r1< 10% de esta fonna:

Entonces:

C, = 2200 p.
Para calcular el capacitor C2 utilizaremos la ecuacion:
1

donde:

Para el capacitor C2 que es utilizado solo para obtener la

fuente de -5V, que es regulada por medio de un diodo zener

se considerarb un rizado mayor que para C1, el valor escogido

es 1-2= 15%, entonces C2 ser-6:

Asi:
De esta forma se ha obtenido la fuente de +12V para la

polarization de 10s elementos que poseen salidas de colector

abierto, tanto para 10s optoacopladores como para 10s

comparadores, otra razon valida es que se puede entregar la

cantidad de comente necesaria en la base del transistor Q4.

De igual manera se puede aprovechar la existencia de este

voltaje +12V para realizar las fuentes +5V y -5V.

Se puede obtener +5V y -5V produciendo una caida de voltaje

por medio de resistencias R3 y %, su dimensionamiento

depende del voltaje en sus terminales y de la corriente que la

atraviesa. Cada una de las fuentes posee una corriente de

consumo aproximado de 20 mA, de esta manera 10s valores

de R3 y %esta dado por:

12V - Vz
R3 = R4 =
(Iconsumo+ Iz)
donde:

Vz = 5.1 V

lconsumo aproximadamente 20 mA

lz = 10mA

Por lo tanto:

R 3 = R4=230 n
Un valor normalizado proximo sera:

R3 = & = 220n

La regulation del voltaje para las fuentes de +5V y -5V lo

realizan 10s diodos zener; D6,que deben ser de 5.1V y 1W; por

lo cual han sido escogidos 10s diodos zener IN4733A que

cumplen con estas caracteristicas.

La presencia de 10s capacitores C3 y C4 es necesaria para

filtrar el rizado que se produce al introducir la seiial de control

de frecuencia 3.6 kHz. Dado que filtran la misma frecuencia y

los valores de voltaje DC son iguales (+5V y -5V), 10s dos

capacitores son de igual valor C3 = C4, entonces se debe

cumplir que:

a fs = 3.6 kHz
Xc3 << R L, ~

asi:
 Entonces 10s valores implementados en las fuentes necesarias

para el circuito controlador de base del equipo ANEXO 2 son:

R3 = 220Q

R4 = 220Q

Ci = 2200 uF

C2 = 1000 UF

C3 = 10 UF

C 4 = 10 UF

4 diodos 1N4007

Diodos zenec DZ11N4733 5.1V; 1W

DZ21N47335.1V; 1W

Transformador = 110V / 18V, tap central; 20VA

3.4.3 Tarjetas de 10sControladores de Base.

El micmcontrolador se encuentra aislado de 10s circuitos

controladores de base y por ende del modulo de potencia,

utilizando un optoacoplador (NTE3087), que recibe la seiial del

microcontrolador (seiial SPWM de dos niveles) y la envia al

circuito controlador de base. Este cirwito recibe la seiial

SPWM y la convierte en 10s niveles correctos de voltaje y de

comente necesarios para realizar la conmutaci6n de 10s BJTs

de potencia.
Cada tarjeta de circuito de control (driver) posee 10 terminales

de las cuales 7 son de control y 3 de potencia. A continuacion

se enumera 10s siete terminales de control y 10s 3 de potencia:

C1: terminal 1 del transformador de aislamiento

C2: terminal del tap central del transformador de aislamiento.

C3: terminal 2 del transformador de aislamiento.

C4: +5V de la fuente regulada del microcontrolador.

C5: seiial SPWM de dos niveles del micromntrolador.

C6: salida de deteccih de sobrecorriente.

C7: GND de la fuente regulada del microcontrolador

PI: Terminal del colector de la configuracion darlington,

entrada de la corriente de carga.

P2: Terminal del emisor de la configuracion darlington, salida

de la corriente de carga.

P3: Terminal para las redes snubbers de proteccion.

De 10s terminales de control seis son entradas y la unica salida

de control es Cs para cada driver que envia las seiiales de

proteccion contra sobrecorriente que previamente pas6 por un

optoacoplador NTE3040 para aislar esta sefial del circuito

controlador de base y de la parte de potencia del

microcontrolador ANEXO 2 (diagramas de 10s circuitos de

control de base para las tarjetas 1, 2, 3, y 4), que se encargara

de enviar las seiiales de apagado de todos 10s elementos de

potencia. El terminal C5 recepta las seiiales SPWM enviadas

desde el microcontrolador y pasan por el optoacoplador

(NTE3087) que aisla el microcontrolador del circuito de

control de base.

Las seiiales Ci, Cp, y Cg pertenecen a 10s terminales del

secundario del transformador, donde Ci y Cj son las lineas y

C2 es el tap central. Este transformador proporciona el voltaje

AC necesario para la realization de las fuentes de polarization

(+12V, +5V y -5V) de 10s elementos del circuito manejador de

base, cada circuito de mando tiene su propio transformador ya

que las fuentes deben proveer su propia referencia aislada

para cada tarjeta de 10s circuitos controladores de base.

Los terminales C4 y C7 pertenecen a la fuente regulada de

polarizaci6n del microcontrolador y de todos 10s elementos del

circuito de mando y de seiializacion tales como pulsadores,

displays, leds, etc. que permiten el ingreso de datos y la

presentacion de 10s parametros escogidos para el

funcionamiento. Un rele es activado cada vez que se encienda

el microcontrolador indidndonos cuando se estabilizan las

salidas del microcontrolador. Este rele es normalmente abierto

y permite que el modulo de potencia pueda entrar en

funcionamiento.

Los tres terminales de potencia son utilizados para las

protecciones tales como: redes snubber y proteccion contra

sobrecomente, el terminal P1 es por donde va a ingresar la

corriente de carga que van a pasar en primera instancia por L,

que pertenece tanto para la red de encendido como para la de

sobrevoltaje y R, que pertenece a la red snubber de

encendido. El terminal P2 es par donde sale la comente de la

carga que previamente pasa por R, que es la resistencia de

monitoreo contra sobrecomente.

Finalmente tenemos a P3que es uno de 10s terminales de Cov

que pertenece a la red snubber de sobrevoltaje y que va

conectada a tierra. Hay que tomar en cuenta que solo las

tarjetas de 10s circuitos de mando para 10s switches 1 y 3

p o s e redes snubbers de proteccion de sobrevoltaje y de

encendido, ya que cualquiera que sea la pareja de switches

(S1 con $ y S3 con Sq) que esten funcionando , estan

protegidos 10s dos caminos de la corriente de carga, por lo

tanto las tarjetas de 10s circuitos manejadores de base de 10s

 switches 2 y 4 que no poseen las redes snubber de

sobrevoltaje, de encendido y apagado 10s terminales P2 y P3

son 10s mismos, ver ANEXO 2.

3.5. Descripci6n y Diagrama de Bloques del Software de Control.

3.5.1. Descripcion del Software de Control.

Los pines 1 y 2 son 10s dos primeros bits del puerto uno (p1.0

y p l .I) del microcontrolador y poseen las dos sefiales de

control por modulation de ancho de pulso . El pin p1.0 luego

de pasar por dos inversores para mejorar la capacidad de

corriente y mantener su !Mica se convierte en 10s dos

terminales SPWMI y SPWM2 que son enviadas a la tarjeta

de control de base 1 y 2 respectivamente para generar Bi y 52

que son las seiiales de control de base para cada

configuration darlington. El mismo procedimiento se repite

para el pin p l .Ique se convierte en 10s terminates SPWM3 y

SPWM4 que son enviadas a las tajetas de control de base 3

y 4 para generar B3 y Bq.

La sefial de sobrecorriente son enviadas desde cada tarjeta

de control de base y son recibidas en 10s terminales SCI, SC2,

SC3 y SC4 de la tarjeta de control SPWM , estas entran a un

CI 74LS21 que es una puerta AND de 4 pines d entrada y

cuya salida (pin 6) es la seiial de sobrecorriente conectada al

pin 12 del microcontrolador, siendo esta la entrada de

interrumon extema lNf0 del microcontrolador. Cada ocasion

que se recibe un nivel bajo TTL se activara la interrupcion de

sobrecorriente apagando el modulo de potencia, encerando

10s displays y encendiendo el led de sobrecorriente.

En las figuras del numeral 4.3.1 se muestran las seiiales

SPWMl y SPWM4 para varios valores de frecuencia y de

indice de modulation, 10s cursores muestran 10s periodas de

las ondas con 10s cuales se puede verificar la exactitud de la

frecuencia de operation en comparacion con 10s valores

mostrados en 10s displays, que se indican en el pie del

grafico.

Para evitar el riesgo de posibles cortocircuitos en una rama

S1 y S4 o S3 y S2 figura 1-19, se genera una zona muerta

mediante software, que ademas ayudara a disminuir las

perdidas de conmutacion. La zona muerta figura 3-08 es un

tiempo en el que las seiiales de control SPWMl Y SPWM4

perrnanecen en alto, es decir una orden de apagado,

recordernos que un alto de SPWM al entrar en la tarjeta de

control de base se convierte en una orden de apagado y el

caso contrario una orden de encendido, revisar conexiones.

Fig. 3-00: Demostracion y medici4n del tiempo muerto.

De esta forma si SPWMl esta en un nivel bajo y SPWM4 en

alto, para producirse el cambio deberan pasar 10s dos en alto

durante un tiempo muerto de 10.5 useg, para que SPWM4

pase a nivel bajo. El valor utilizado para el tiempo muerto fue

establecido mediante pruebas experimentales.

El modulo de control permite variar el indice de modulation

desde 0.1 hasta 1 en pasos de 0.1 y la frecuencia desde 50

Hz hasta 300Hz en pasos de 5 Hz. Esto implica que la

frecuencia de la modulante sera de 50 Hz hasta 300 Hz y la

frecuencia de la portadora seria desde 600 Hz hasta 3600 Hz,

debido al valor de indice de frecuencia de 12 escogido para el

pmyecto.

La formula utilizada para establecer 10s tiempos de

perrnanencia en alto para SPWMl y SPWM4 se obtiene

mediante la siguiente formula:

Para saber 10s valores de 0 para reemplazar en la formula

debemos dividir 10s 360' que conforman la modulante para 12

que es el indice de frecuencia, obteniendo 30° que es el valor

de un period0 de la portadora, para el primer medio ciclo de la

portadora la modulante es menor mientras que en el segundo

medio cido la modulante es mayor, durante este tiempo debe

haber un pulso positivo de duraci6n CCa99 ecuacion 3-2, por lo

tanto, 10s angulos a reemplazar seran: 15O, 45O, 75O, 105°,

135O, 16S0, 195°, 225O, 285O, 315' y 345O estos angulos swan

10s mismos para cualquier frecuencia de operacion.

Para realizar las operaciones de la ecuacion 3-2, dicha

ecuacion ha sido ajustada para incluir el tiempo rnuerto, el

valor del indice de modulation entre 1 y 10 (indice real por

10) en pasos de 1 , ya que en el programa no se pueden

incluir nljmeros decimales y el valor de Tp que debe ser

deducido para el valor de frecuencia de operation incluyendo

el tiempo muerto , considerando que la frecuencia varia desde

10 hasta 60 en pasos de 1 (frecuencia real para 5). De esta

fonna la ecuacion que utiliza el software para la generacion

de 10s tiempos de encendido para las configuraciones

darlington, que tiene una exactitud de 16 bits mas

significativos de 10s 32 bits de la ecuacion 3-3:

El software implementa 5 tablas que son: taba patnjn, tabla

"frec-periodo", "tablal", tabla "displayfrec" y tabla "displayind",

10s procedimientos 'actualiza tablal" y "rnultiplicacion" y la

subrutina de interruption cuando exista sobrecorriente. La

tabla patron contiene el primer factor de la rnultiplicacion de la

ecuacion 3-3, la tabla f r w p r i o d o contiene el segundo factor

y finalmente el resultado de "an sera guardado en tablal que

entonces contiene 10s tiempos que deben pasar en alto

SPWMl y SPWM4.
Tabla Patron

Esta tabla se encuentra definida en la memoria EPROM del

micromntrolador, para cada valor de indice de modulacion le

corresponde doce bytes; es decir, seis valores de 16 bits,

entonces el primer valor se encuentra en la direccion #tabla

pat& y el liltimo en la direccion #tabla patron + 77H.

Tabla Frecuencia-period0

Esta tabla se encuentra definida en la memoria de programa

del microcontrolador y posee la conversibn del valor de

frecuencia real a un factor multiplicador praporcional a1

periodo, contiene 61 valores de 16 bits y el primer valor se

encuentra en la posicion #frecuenciaperiodo+l4 H,ya que 10s

primeros valores son nada mas de relleno para facilitar el

acceso a 10s valores por Ej.: si deseo llegar al valor que le

mrresponde a una frecuencia de 20 Hz buscara el mntenido

de la direccion #frecuenciaperiodo + 40d .

Tabla 1

Se encuentra en la memoria de datos del microcontrolador y

mntiene valores dados en ciclos de maquina de 16 bits que

deben ser cargados en el timer 1, contiene 24 valores que son

la duracion en ciclos de maquina de 10s doce pulsos que

deben estar encendido p1.0 y los 12 pulsos que deben estar

encendido p l . I , por lo tanto contiene 48 bytes de memoria. El

valor inicial se encuentra en la posicion 40H y la ultima en la

6FH de la memoria RAM.

Cada vez que se escoja un nuevo valor de frecuencia o de

indice de rnodulacion, el programa principal llama a1

procedimiento actualiza tabla 1 para llenarla con 10s nuevos

valores de operation, debido a que 10s valores de una onda

sen0 son repetitivos por su simetria las multiplicaciones entre

10s dos factores de la ecuacion 3-3 se reducen a solo 6 veces

por periodo.

Descripci6n del Programa Principal

El programa principal empieza definiendo las direcciones en

la memoria RAM para 10s valores que se debe ingresar, tales

como la frecuencia, indice de modulacion, etc. por medio de

etiquetas y las direcciones de ciertos valores (variables

internas) que se necesitan en el programa, de esta forma

cuando deseemos saber aquellos valores simplemente

recordaremos el nombre de la etiqueta. La subrutina

interrupcion se encuentra definida en la direccion 03H de la

memoria eprom, esta intermpcion entra en funcionamiento

cuando la sefial de sobrecorriente haya sido activada

procediendo a apagar el modulo de potencia, el led de valor

aceptado y encerando 10s displays.

Debemos pmgramar el modo de trabajo del timerl como un

temporizador de 16 bits, la interrupcion extema INTO

programada por flanco, mientras que 10s valores de

frecuencia y de indice de modulacion se inician con 10 (indice

de rnodulacion real por 10 y frecuencia real para 5). Los

valores iniciales de operacion son mostrados en 10s displays,

cada valor que puede tomar la frecuencia se encuentra

decodificada en la tabla displayfrec, de igual manera sucede

con el indice de rnodulacion que se encuentra decodificada en

la tabla displayind, la primera tabla contiene 61 bytes y la

segunda 10 bytes de memoria respectivamente.

El lazo infinito inv99 es el que envia las sefiales SPWM a las

tarjetas controladores de base, es aqui donde se debe tomar

en cuenta el tiempo que tarda la ejecucion de las

instrucciones seteando pl.1 y p1.0 (apagado de las

configuraciones darlington), parando el timerl y cargandolo

 con el valor que corresponde a tener un nivel bajo en p1.0

(encendido de las configuraciones darlington 1 y 2) que se

encuentra en la primera direction de tabla 1, cuyo valor es el

que tiene que cargarse en el timer para llegar a 65536d, es

decir, el valor cargado en el timers es el 65536d menos el

valor de encendido. De esta manera si ya se ha cumplido el

tiempo muerto se habilita el timer que empieza el conteo

enviando un bajo por p l .O.

Las operaciones descritas en el parrafo anterior se realizan 24

veces, pero con diferentes tiempos para p1.0 y p l . 1, para

cada valor de tablal que contiene 10s 12 tiempos de

encendido de p1.0 y 10s 12 tiempos de pl.?. Al finalizar

revisara la botonera para verificar si ha sido seleccionado

algun cambio, de no ser asi seguirh en el lazo anterior, caso

contrario, se lee el valor seleccionado y una vez aceptado se

llena la tabla con 10s nuevos valores por medio del

procedimiento actualiza tablal y se repite lo anteriormente

descrito para 10s nuevos valores.

3.5.2. Diagrama de Bloques del Software de Control.

Segun la descripcion del software realizado en el numeral

anteriores, se puede deducir el siguiente diagrama de bloques

que sintetiza el software de control en la figura 3-09.

 LAZO INFINIT0DE
VARIACION OENERACION DE
WLSOS S W
CONTROL SPWM
DE
2 NNELES
A - ImRRtJPCION
DE SOBRECORRlENTE

Fig. 3-09: Diagrama de Bloques del Software de Control.

 3.5.3. Diagrama de Flujo del Software de Control.

DESHABIWAR LOS TRANSISTORES Y

APAGAR TODOS LOS INDICADORES
I

1
1 INICIAUA7AR LA TABLA DONDE SE ENCUENTRANLOS TIEMPOS EN I
I CM QUE D E B E W ESTAR ENCENDIDOS LOS TRANSISTORES
I
&
HABIUTAR EL RELE W E ENERGIZ.4 LPS
TARJETAS CONTROLADORAS DE BASE

6 RETARDO DE 1S

+
PROGRAM4 EL MOD0 DE TRABAIO DEL
TIMER1 Y HABILRN? LA IMD
+
1 GENERA? LOS 24 ELEMENTOS DEL ClCLO 1
I QUE CONFORMAN LA SEF~~L
PWM I
1

SE APAGA LED DE VALOR ACEPTADO Y SE APAGA LED DE VALOR ACEPTAOO Y

OPERACION ES IGUALA VARMFREC OPERACION ES IGUAL A VARlARlND
 C;-
MENOR

iENCENDER LED DE
VALOR ACEPTADO Y
DESACTNAR
OPERACION

INCREMEWAR FRECUENCIA Y DECREMENTS! INDICE DE

MOSTRaR EN DISPLAYS, SIN MODUMON Y MOSTRAR EN
MECTAR FRECUENClA DE DISPLAYS, SIN MECTAR INDICE DE
OPERACIONACTUAL OPERACION ACTUAL
 ENCENDER LED DE
VALOR ACEPTADO Y
DESACTNPR
OPERACKIN

1) 1)
INCREMENTAR FRECUENCIA Y DECREMENTAR INDICE DE
MOSTAAR EN DISPLAYS, SIN MODULACION Y MOSTAAR EN
NECTAR FRECUENCIA DE DISPLAYS, SIN NECTAR INDICE DE
OPERACION ACTUAL O P W I O N ACTUAL
 ACARREO t BASE"PERIOD0
[LOS 8 BrrS MSB)

1
AUXlLlARl t-BASE*PERIODO2+ACARREO
[LOS 8BITS LSB)
I
L 1IC
AUXlLWR2 t-BASE"PERIODO2+ACAF4REO
[LOS 8BlTS MSB)

1
AMLIAR3 +-8 BlTS LSB DE BASE 2"PERIODO
ACARREO + 8 BlTS MSB DE BASE2'PERIODO

1
AUXILIAR4 t 8 BITS LSB DE BASE2?ERIOD02+ACARREO
AUXILIARS +8 BITS MSB DE BASE2?ERIOD02+ACARREO

ACC t-AUXILIAR3 +AUXI119R1

ACC +- AUXILIAR4 + AUXIUAR2 + [CARRY FLAG DE LA S U M ANTERIOR)
AUXlLIAR4 6 ACC
ACC t AUXILIARS + O+ [CARRY FLAG DE LA S U M ANTERIOR)
AUXILIARS + ACC

SUBRUTINA DE INTERRUPCI~N(la que comienza en la direccicin 03h

del programa
 Capitulo 4

4.PRUEBAS Y RESULTADOS.

Una vez implementado el inversor se realizara pruebas con diferentes

t i p s de cargas, donde se podra variar 10s parametros conocidos como

frecuencia e indice de modulacion, con la finalidad de tomar datos que

ayudaran a interpretar las caracteristicas de operacion del inversor

monofasico. Estos datos seran lltiles par sacar conclusiones del

comportamiento del inversor con cada una de las cargas.

4.1. Caracteristicas Dinemicas de Conmutaci6n del Inversor.

Los elementos de conmutacion escogidos se indican en el numeral

2.2.3, estos BJTs son switches de alta velocidad de operacion,

caracteristica necesaria para conmutar en el rango de diseiio. Sus

caracteristica necesaria para conmutar en el rango de diseiio. Sus

tiempos de conmutacion se muestran en el ANEXO 5, per0

determinaremos estos valores realizando una prueba experimental.

Las caracteristicas dinamicas del inversor seran determinadas

utilizando un osciloscopio TEKTRONIX TDS-210, con el cual se

capturaran las seiiales de analisis para este trabajo de topico. Las

seiiales a tomar con este objetivo seran las formas de onda de: el

voltaje colector-emisor y de la corriente de colector para la

configuracion darlington con BJTs de potencia. En las figuras que se

presentan a continuacion se puede determinar 10s tiempos de retardo

en el encendido y en el apagado, asi como las caracteristicas en

estado transitorio como el sobrepico de voltaje.

Fig. 4-01: Voltaje Colector-Emisor, sobrepico de voltaje en el

encendido de la configuracion darlington.
 I...i...
. ... . . . ~ . . . . . . .. .

...........................................
1) [T* TC@210 CHI 50 V 101 US V(C-E) ,EJTI I

Fig. 4-02: Voltaje Colector-Emisor, tiempo de encendido de la

configuracion Darlington .

Fig. 4-03: Voltaje Colector-Emisor, tiempo de apagado de la

configuracion Darlington .
4.2. Operation del M6dulo de Control.

En el ANEXO 3 en la foto 11 se puede observar el diseiio grafico del

modulo del inversor (portada) en funcionamiento con el control

programado y 10s parametros de trabajo aceptados, en esta foto

observamos el circuit0 de control de encendido y apagado (lado

central izquierdo), el modulo de la tarjeta de control SPWM de dos

niveles (parte superior central) y el bloque controlador de base (parte

superior derecha), cada bloque con sus respectivos elementos de

mando y de seiializacion. Tambien podemos observar el modulo de

potencia con el diagrama del inversor monofasico (toda la parte inferior

de la portada del modulo del inversor).

La foto 1 en el ANEXO 3 muestra el estado de 10s elementos de

seiializacion cuando el modulo de control recien ha sido encendido,

con valores de indice de modulacion Im = 1.0 y frecuencia f = 50 Hz,

mientras que el led central (tarjeta de control SPWM) indica que 10s

parametros mostrados estan aceptados como valores actuales de

operacion y 10s leds del lado derecho (tarjetas manejadoras de base)

indican que estan en funcionamiento.

La foto 2 en el ANEXO 3 rnuestra el caso, en el cual se ha decidido

cambiar, ya sea, frecuencia o indice de rnodulacion, por lo tanto el led

central (de color verde de la tarjeta de control SPWM) esta apagado

t...:
1)[Tek TDS210].CHl 5: V $5 rnS SPWMI, S-2 1

Fig. 4-04: Salidas de la Tarjeta de control SPWM

a f = 50 Hz, Im = 0.1

- 4-05:
Fig. Salidas de la Tarjeta de control SPWM
a f = 50 Hz, Im=0.5
 indicando que debe realizar el cambio y aceptarlo solo entonces,

encendera el led anteriorrnente mencionado.

4.3.Operacion del lnvetsor con Diferentes Tipos de Carga.

A fin de poder registrar el comportamiento de la seiial de control, se

realizaran pruebas en 10s circuitos controladores de base capturando

las seiiales de voltaje en las bases de 10s BJTs de potencia con

diferentes t i p de carga. La parte de potencia fue analizada en el

numeral 4.1 donde se registran las caracteristicas de conmutaci6n

para 10s elementos de potencia.

4.3.1. Pmebas en las Sefiales SPWM del Microcontrolador.

Las figuras que se muestran a continuation han sido tomadas

para la verif1caci6n de la frecuencia real de operacion, para lo

cual, se indica en cada grafico el valor de indice de modulation,

la escala utilizada, identification de las seiiales diferenciadas

por colores y ademas 10s cursores que nos muestran el periodo

de la onda de control. El lector pod& verificar la exactitud del

periodo de la onda de control mostrada por el cursor "dx" y el

valor que se indica en el pie del grafico que corresponde a la

lectura de 10s displays.

Fig. 4-06: Salidas de la Tarjeta de control SPWM
af=50Hz, Im= 1 .

Fig. 4-07: Salidas de la Tarjeta de control SPWM

a f = 300Hz, Im = 0.1
Fig. 4-08: Salidas de la Tarjeta de control SPWM
a f = 3 0 0 H z ; im=O.S

. . . . . . .I . . . ......................
) [Tek S21Q].CHl 5: lf

Fig. 4-09: Salidas de la Tarjeta de control SPWM

a f=300Hz;Im=l
4.3.2. Pruebas en 10s Circuitos Controladores de Base.

Para el inversor monofasico tipo puente las pruebas se han

realizado en la tarjeta 1, con 10s valores topes de frecuencia y

tres valores de indice de modulation, igual que el caso anterior

se presenta el cursor para verificar la exactitud de la frecuencia

real de la sefial de control en comparacion a la indicada en 10s

displays. Las figuras que se presentan a continuation

pertenecen a la sefial de control de base de la tarjeta 1 (BI) de

10s BJTs de potencia en configuracion darlington que conforman

el switch 1, la sefial de control de base 2 (B2) debe tener la

misma forma, debido a que 10s switches S1 y S2 trabajan en

pareja.

Fig. 4-10: Sefial de control en la base del BJT de potencia

a f = 5 0 H z ; Im=O. 1
Fig. 4-11: Seiial de control en la base del BJT de potencia
a f = 5 0 H z ; Im=0.5

I . . . .

.I' . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
-:I. ). [Tek . . . . . , . * . , . . 5, . ,U- -2.. 5* .rriS
. . . . . TOS210J.CHl . . .y. .82
. . . 81 . . . .1 . . . . . . . . -
:I : -

Fig. 4-12: Seiial de control en la base del BJT de potencia

af=50Hz; Im=1
Fig, 4-13: Seiial de control en la base del BJT de potencia
a f = 3 0 0 H z ;Im=0.1

Fig. 4-14: SeAal de control en la base del BJT de potencia

a f = 3 0 0 H z ;Im=0.5
 ;...I i*..i
ins. . . . . : . . . . : . . I . : . . . . : . . .
: I :
. . . . ! . . . . . ..[....

..........................

Fig. 4-15: Seiial de control en la base del BJT de potencia

a f = 3 0 0 H z ; Im= 1

4.3.3. Pruebas en la Carga.

A fin de saber el comportamiento del inversor, capturaremos las

formas de onda para el voltaje y la corriente con diferentes

cargas y con el inversor operando con 10s valores tope del

rango de variacion para frecuencia y de indice de modulation.

La forma de onda de la corriente es tomada indirectamente, a

traves de una resistencia colocada en serie con la carga a la

que se ha denominado resistencia de corriente de carga (Rc)

Rc = 0.1R,a la seiial de voltaje capturada en esta resistencia se

la debe multiplicar por 10 para tener 10s valores de corriente

correctos, para todas las figuras que se muestran a

continuacion la forma de onda en la parte superior corresponde

al voltaje y la de la parte inferior a la de corriente. Ademas se

realizan curvas de analisis donde se ha graficado corriente de

carga VS. indice de modulacion para diferentes cargas.

Carga Resistiva.

Los graficos que se muestran a continuacion pertenecen a una

carga resistiva R =200 f2, en cada figura se indica la escala

utilizada para la medicion , el valor de indice de modulacion y

de frecuencia.
 Carga R = 200n

Fig. 4-16: f = 50 Hz.; Im = 0.1

Fig. 4-17: Carga R: f = 50 Hz.; Im = 0.5

 Fig. 4-18: Carga R: f = 50 Hz.; Im = 1;

Fig. 4-19: Carga R: f = 150 Hz.; Im =O.1

 Fig. 4-20: Carga R: f = 150 Hz.; Im =0.5

I.'... : . . . . : . . . . . . . . . : . . . I..
. . : . . . .: . . . .:. . . . . . .
6, [Telc TOS2101.CHI 100 V* 1 mS VOLTAGE: :

Fig. 4-21: Carga R: f = 150 Hz.; Im =1

t . . ..:'. . . .. . . . . : . . . .-. . . . .I. . . .-. . . . : . . . . i . . . . . . . . A
1)(Tolc TOS2101.CHI I W Vf 500 US VOLTAGE :

Fig. 4-22: Carga R: f = 300 Hz.; Im =0.1

t...:
. . . . : . . . . : . . . . : . . . A. . . . : . . . . : . . .: . .

Fig. 4-23: Carga R: f = 300 Hz.; Im =0.5

 t...:
. . . . : . . . . : . . . . : . . . A. . . . : . . . . . . . . . t . . . . : . . . A
) [Tek TDSZIO].CHl ID0 V 500 US UQLTRGE :
1rrek TRS2PUCHh 3; M I I

Fig. 4-24: Carga R: f = 300 Hz.; lm =1

Carga R-L.

Los graficos que se muestran a continuation pertenecen a una

-
caOrga R L, en cada figura se indica la escala utilizada para la

medicion , el valor de indice de modulation y de frecuencia. A

fin de tener un a mayor vision de lo que ocurre a1 incrementar la

inductancia con cargas R-L se han tomado un mayor nlimero de

graficos indicando 10s valores de la carga. En algunas graficas

se puede verificar la frecuencia real de trabajo de la seiial de

salida, utilizando 10s cursores que muestran el periodo de la

onda dx, el lector puede verificar la exaditud del periodo en

comparacion con el valor que muestran los displays indicado en

el pie de cada grafico.

 Carga R = 200 0, L= 86.5 mH

b) [Tek TOSZIOJ.CH1 190 V* 5 mS VOLTAGE: : 4

Fig. 4-25: Carga R-L: f = 50 Hz.; Im =O.1

Fig. 4-26: Carga R-L: f = 50 Hz.; Im =0.5

 Fig. 4-27: Carga R-L: f = 50 Hz.; Im =1

.
TRSI1OLCtl2, z D P . ~ l~ I, ~ ~ C F i W W ~; ,S.?
,,

Fig. 4-28: Carga R-L: f = 150 Hz.; Im =O.1

Fig. 4-29: Carga R-L: f = 150 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-30: Carga R-L: f = 150 Hz.; Im =I

 500 US 'VOLTAGE :

Fig. 4-31: Carga R-L: f = 300 Hz.; Im =0.1

Fig. 4-32: Carga R-L: f = 300 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-33: Carga R-L: f = 300 Hz.; Im = I
Carga R = 200 f2 ; L = 166.5 mH.

Fig. 4-34: Carga R-L: f = 50 Hz.; Im =O.1

:ig. 4-35: Carga R-L: f = 50 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-36: Carga R-L: f = 50 Hz.; Im =I

Fig. 4-37: Carga R-L:

Fig. 4-38: Carga R-L: f = 150 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-39: Carga R-L: f = 150 Hz.; Im =l
Fig. 4-41: Carga R-L: f = 300 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-42: Carga R-L: f = 300 Hz.; Im =1

Carga L.

Las figuras que se presentan a continuation pertenecen a una

carga inductiva, en cada figura se indica la escala utilizada

para la medicion , el valor de indice de modulacion y de

frecuencia. lgual que se realizo en la carga anterior se va

realizar para dos valores de carga diferentes para tener una

mejor apreciacion de lo que ocurre con la corriente.

CARGA: L = 166.5 mH.

Fig. 4-43: Carga L: f = 50 Hz.; Im =0.1

Fig. 4-44: Carga 1: f = 50 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-45: Carga 1: f = 50 Hz.; Im =I

Fig. 4-46: Carga L: f = 150 Hz.; Im =O. 1
b) IT& TRS219IrCR2. 1MmP . .24mS .GQRRIFNTE ; . . . .I
Fig. 4-49: Carga L: f = 300 Hz.; Irn =O.1
Fig. 4-50: Carga 1: f = 300 Hz.; Im =0.5

Fig. 4-51: Carga 1: f = 300 Hz.; Im =I

Fig. 4-53: Carga L: f = 50 Hz.; Im =0.5
 Fig. 444: Carga L: f = 50 Hz.; Im =I

raszlsl,cn,r; M , ,Ssmi , . , . ; , . . ; . . ; . . .4
Fig. 4-55: Carga L: f = 150 Hz.; Im =O. I
Fig. 4-56: Carga L: f = 150 Hz.; Im =0.5

ek TDS2101.CHl Ill0 U
m
TRS~l~1FC;~2l5Z)P~
Fig. 4-57: Carga L: f = 150 Hz.; Im =I
Fig. 4-58: Carga L: f = 300 Hz.; Im =0.1

Fig. 4-59: Carga L: f = 300 Hz.; Im =0.5

Carga Motor de lnduccidn de Fase Partida.

Los graficos que se muestran a continuacion se obtienen al

tener como carga un motor de induction de fase partida, en

cada figura se indica la escala utilizada para la medicion, el

valor de indice de rnodulacion y la frecuencia seleccionada. El

arranque correct0 se obtiene programando el modulo de control

para operar a una frecuencia de 60 Hz y un indice de

rnodulacion de 0.3, con esto valores se consigue un arranque a

tension reducida optimo con una corriente de pico en el

Fig. 4-62: Carga MOTOR: f = 60 Hz.; Im = 0.5
 I
f-t

Fig. 4-63: Carga MOTOR: f = 60 Hz; im =I

Fig. 4-64: Carga MOTOR: f = 80 Hz.; Im = 1.

 L.11.. . . . . . . . . . . . . . - . . .. A .l . . . . . ...I.

Fig. 4-65: Carga MOTOR: f = 100 Hz.; Im = 1.

GRAFICO VELOCIDAD VS. FRECUENCIA a Im = 1

FRECUENCIA VELOCIDAD

50 Hz 1492 RPM

55 Hz 1645 RPM

60 Hz 1795 RPM

65 Hz 1943 RPM

70 Hz 2090 RPM

75 Hz 2240 RPM

80 Hz 2390 RPM

85 Hz 2540 RPM

90 Hz 2691 RPM

95 Hz 2836 RPM

100 Hz 2984 RPM

Fig. 4-66: Grafico velocidad vs. Frecuencia a un Im = 1

Im VELOCIDAD

0.2 1686 RPM

0.3 1762 RPM

0.4 1780 RPM

0.5 1786 RPM

0.6 1789 RPM

0.7 1790 RPM

0.8 1793 RPM

0.9 1794 RPM

1 1795 RPM
 Fig. 4-67: Grafico velocidad vs. Im a f = 60Hz.

GRAFICOS DE LA CORRIENTE DE ARRANQUE.

Fig. 4-68: Arranque a f = 50 Hz y un Im = 0.2, tiempo de

arranque de 32 s aproximadamente.
 Fig. 4-69: Arranque a f = 60 Hz y un Irn = 0.3, tiempo de
arranque de 20 s aproximadamente.

4.4. Operation de 10s Circuitos de Proteccih.

4.4.1. Proteccidn contra Sobrecorriente.

La protecci6n de sobrecorriente fue diseiiada para actuar

cuando la corriente de carga intente sobrepasar 10s 10

Amperios, la demostracion practica se lleva a cabo cuando se

tiene como carga el motor de fase partida, en el momento del

arranque del motor la corriente crew considerablemente , de

tal manera, que s e g h las pruebas realizadas el arranque a

tension reducida produce una corriente inferior a 10s 10 A

cuando se programa el control para operar a: Im = 0.2 con f =

50Hz o a Im = 0.3 con f = 60 Hz. . Si usted desea arrancar el

motor con otros valores de control la protection de

sobrecorriente no lo permitid ya que produciria valores de

corriente mayor a 10 A. A continuaci6n se muestran los

graficos de corriente de arranque, en los cuales se puede

observar el momento que se activa sobrecorriente, esto

suceda al intentar arrancar el motor con valores de frecuencia

e indice de modulaci6n incorrectos, indicados al pie de cada

grafico.

Fig. 4-70: Activation de sobrecorriente durante el arranque a

f=50HzeIm=0.3
 Fig. 4-71: Activacion de sobrecorriente durante el arranque a
f=60HzeIm=0.4

4.4.2. Circuitos Snubber y Diodos Zener.

La irnplementacion de 10s circuitos snubber a fin de reducir las

perdidas en la conmutacion asi como 10s sobre picos de voltaje

colector-emisor en 10s BJTs de potencia. De acuerdo a 10s

resultados obtenidos en la figura 4-01 se puede decir que el

sobre pico de voltaje C-E es del 8.08% .

En caso de presentarse sobre picos de voltaje que intenten

pasar el limite VCE-MAXpara 10s BJTs 10s diodos zeners

actuaran recortandolos.
4.5. Detalles Constructivos del Inversor.

La foto 3 en el ANEXO 3 es una vista superior de una de las tarjetas

controladoras de base con snubber en la que se puede identificar la

bomera de control de 7 servicios (parte superior izquierda), la bomera

de potencia de 3 servicios (parte inferior derecha), 10s dos BJTs de

potencia (parte central) de la configuration darlington montados sobre

su disipador de calor, las fuentes de polarization de +12V y k 5V

(parte superior izquierdo entre las bomeras de control y 10s BJTs de

potencia) con su puente rectificador y sus filtros, 10s dos

optoacopladores que realitan el aislamiento (debajo de las fuentes de

polarizaci6n) que a su lado derecho tienen el comparador LM319N, 10s

transistores Q1, Q2 y Q3 (abajo del comparador) y la resistencia por la

cual atraviesa la corriente de encendido de 10s BJTs de potencia

(debajo de 10s optoacopladores) y del lado derecho de los BJTs de

potencia 10s elementos de las redes snubber.

Las redes snubber se encuentran en las tarjetas manejadoras de base

1 y 3 de tal manera que se protege las dos ramas del inversor ( I con4

y 2 con 3) y estan lo mas cerca posible de 10s elementos que se

protegen. La foto 5 del ANEXO 3 es una vista del lado de la soldadura

de la tarjeta controladora de base con circuit0 snubber.

La foto 7 del ANEXO 3 es una vista lateral izquierda del modulo del

inversor en las que se puede identificar la toma de alimentacion de

120 V y su respective fusible de 10 A. La foto 8 del ANEXO 3 muestra

al equipo en funcionamiento junto al osciloscopio tektronix TDS 210

que sirvio para las tomas de las ondas y el motor de fase partida

utilizado como carga.

Para tener una idea del cableado y de la ubicacion interna de cada

modulo dentro del inversor observamos la foto 9 en el ANEXO 3. Aqui

podemos visualirar en la parte baja del inversor implementado la

distribution de la alimentacion 110 V (parte inferior derecha) para

potencia y control, la fuente del inversor (E) con sus respectivos filtros

(parte baja central) y la fuente regulada para la tarjeta de control

SPWM (parte inferior izquierda). En la parte alta (centro) se encuentra

el microcontrolador ubicado en la tarjeta de control SPWM.

En la foto 10 se indica las tajetas controladoras de base y su

ubicacion vertical en el interior del inversor que se encuentran

montadas sobre la plataforrna metalica. Cada tajeta puede ser

facilmente desmontada de la plataforma metalica.

 Capitulo 5

5. CONCLUSIONES

5.1. Evaluacion Tecnico-Econ6mica.

El costo del modulo del inversor en cuanto tiene que ver a 10s

elementos electronicos y a todos 10s accesorios utilizados para la

implernentacion del equipo se encuentran detallados en el ANEXO 6.

El correct0 funcionamiento del equipo implementado se logra en base

a muchas pruebas llevadas a cabo en el laboratorio, donde es

inevitable encontrarse con una serie de problemas en la

equipo. Al momento de realizar las primeras pruebas se compraron

elementos que despues fueron reemplazados o que no se utiiizaron.

Se ha estimado que el costo economico mostrado en el ANEXO 6 se

incrementa aproximadamente un 25% por estas causas.

Ademas el modulo de control fue implementado por medio de un

microcontrolador 87652 que no se encontro en el mercado y que fue

pedido por Internet a 10s EEUU, el envio representa un aumento del

costo del microcontrolador. Esto implica un esfuerzo adicional en el

estudio de su programacion y el tiempo necesario para poder acoplarlo

a1 sistema, el cual no representa un costo p r lo que no se lo toma en

cuenta, per0 que indirectamente elevaria el costo del equipo.

Tambien debe considerarse el costo de informacion que representa el

25% del costo del equipo. Por lo tanto debemos concluir que por 10s

motivos ya expuestos se contempla un increment0 del 50% del costo

econdmico del equipo, entonces el costo total real aproximado seria

igual a 982,89 dolares.

El alto costo en el desarrollo de este equip es resultado de perdidas

de pruebas, en informacion necesaria acerca del diseiio del inversor y

de programacion del microcontrolador. Sin dudas la reproduction del

equip representaria un costo mucho menor.

5.2. Discusion de Resultados Experimentales.

5.2.1. Caractensticas Dinamicas de Conmutacion del Inversor.

Fueron deterrninadas experimentalmente las respuestas

transitorias para el voltaje colector-emisor con Im = 1 en la

figura 4.01 donde se puede notar que el mhximo sobrepico de

voltaje es aproximadamente del 8% que fue operando con 10s

valores topes, estos valores en la practica no podrian ocasionar

ninglln daiio a 10s BJTs de potencia, ya que fueron

seleccionados para que soporten hasta aproximadamente tres

veces el valor de la fuente dc (E). Se puede afirmar que estos

sobrepicos de voltaje no aiiaden disipacion de potencia o

Nrdidas en la conmutacion debido a que ocurren cuando la

corriente de colector es practicamente cero.

Los valores de sobrepico de corriente no deberian ser reducidos

ya que una disminucion de estos provocarian tiempos de

encendido mucho mas grandes, que resultan perjudiciales al

momento de trabajar con las frecuencias mas altas ya que 10s

pulsos de voltaje en la carga empiezan a perderse.

La selection de 10s BJTs de potencia de alta velocidad junto

con 10s circuitos de protection, nos permite obtener resultados

 donde 10s margenes para las perdidas dinamicas son

pequeiias, cabe mencionar que para la tknica de control de

dos niveles donde el riesgo de cortocircuito en cada rama del

puente (1 con 4 y 3 con 2) es eminente, se hace necesario el

uso de un tiempo muerto entre el apagado de una configuracion

darlington y el encendido del otro en la misma rama.

5.2.2. Operacibn del lnvetsor con diferentes tipos de carga.

Pruebas en 10s Circuitos Controladores de Base.

En la figura 4-03 se observa las formas de onda de 10s

controladores de base de 10s BJTs de potencia, estos

resultados muestran aproximadamente 1.5V en nivel alto para

conseguir el encendido de la configuracion darlington y un nivel

bajo de -5V para apagar dicha configuracion. Con la

configuracion darlington como switche de potencia se consiguio

mejorar la ganancia de corriente, que permite tener valores de

corriente aceptables durante el encendido en las bases de cada

configuracion garantizando la saturacion, de esta manera se

reduce la disipacion de potencia en las resistencias limitadoras

de base (drivers) aproximadamente 2w.

Para lograr el apagado de cada configuracion darlington se

conecta un voltaje negativo en la base de cada configuracion,

que no exceda las especificaciones del voltaje de ruptura 6-E

para 10s BJTs de potencia, el voltaje negativo es entregado por

la fuente de -5V a traves de un transistor de seiial PNP. Se ha

conseguido que 10s circuitos manejadores de base trabajan a la

maxima frecuencia de la portadora que para este proyecto es

de 3600 Hz, por medio del comparador de voltaje LM319N de

elevada rapidez y el uso del optoacoplador NTE3087 que puede

trabajar a altas frecuencias.

El minimo retardo provocado en el circuit0 controlador de base,

depende del optoacoplador que recibe la seiial SPWM de dos

niveles del microcontrolador, pero este es despreciable en

comparacion con 10s retardos ocasionados en 10s BJTs de

potencia (configuracion darlington) que son 10s que limitan la

frecuencia de operacion del inversor.

PRUEBAS EN LA CARGA.

Carga Resistiva.- Se puede observar que las forrnas de onda

para el voltaje y la corriente son iguales (numeral 4.3.3), aunque

la distorsion de la forma de onda de la corriente que se

manifiestan en pequefios picos es notoria por el transciente de

tiempo que no existe comente debido al tiempo muerto. A

medida que se incrementa la carga R 10s valores de corriente

disminuiran.

Carga R-L : Se puede apreciar para una frecuencia y una carga

dada que a1 partir con un Im = 0.1 (numeral 4.3.3) se pierde la

modulacion senoidal y el valor de comente es pequefio en

comparacion con el Im = Idonde se aprecia el incremento de la

comente con forma senoidal (modulacion senoidal). Esto

sucede porque al incrementar el Im se incrementa el voltaje (

representado por 10s anchos de 10s pulsos de control de

modulacion senoidal) y 10s tiempos de conmutacion se apegan

mas a la sefial de la modulante (onda seno).

A medida que se incrementa la frecuencia el rizado de la

comente disminuye por el incremento de la impedancia de la

bobina (filtro R-L).

Carga L : Se cumple que a un bajo Im se pierde la modulacion

senoidal, la corriente experimenta un incremento, pero, su

rizado disminuye en comparacih con la carga R-L para el

mismo indice de modulacion, ya que la carga representa un

filtro inductivo de corriente que disminuye la cantidad de

armonicos a la salida. Como caracteristica general se observa

que no se debe usar valores muy altos de inductancia ya que

combinada con 10s valores altos de frecuencia producen una

coniente demasiado pequeiia.

Carga Motor de Fase Partida: Con 10s datos obtenidos en el

numeral 4.3.3 se observa como caracteristica general que el

arranque posee dos alternativas: arranque con frecuencia de 50

Hz y un Im de 0.2 con un tiempo de arranque de 32 s y

arranque con frecuencia 60 Hz y un Im de 0.3 con un tiempo de

arranque de 20 s, en ambos casos la corriente no excede 10s 10

Amperios y la proteccibn de sobrecorriente no se activa.

Una vez en funcionamiento el mkimo valor de frecuencia de

trabajo no debe sobrepasar 10s 100 Hz con un indice de

modulaci6n 1, ya que el motor llega a su maxima velocidad

aproximadamente 3000 RPM, luego de lo cual el motor

empezara a perder velocidad despegandose el centrifugo de

funcionamiento del motor.

Los resultados de velocidad vs. frecuencia manteniendo el Im

en 1 y velocidad vs Im manteniendo constante la frecuencia a

60 Hz, permite realizar las siguientes observaciones: en el

primer caso el rango de variation de velocidad es mayor desde
 1491 RPM hasta 2984 RPM, es decir llega a duplicarla y el

increment0 en cada paso de 5Hz produce un aumento de 150

RPM manteniendose asi durante todo el rango de variacion de

frecuencia, mientras que en el segundo caso, el rango de

velocidad es menor desde 1686 RPM hasta 1795 RPM, esto se

produce debido a que la frecuencia de 60 Hz es la nominal del

motor, por lo tanto, la mkima velocidad que se podia obtener

es la nominal.

5.2.3. Proteccion Contra Sobrecorriente.

Se pudo comprobar la actuacion de esta protection teniendo

como carga el motor de fase partida, y la activation de la

misma cuando se desea arrancar con otros valores que no

sean, frecuencia 50 Hz y un Im de 0.2 o frecuencia de 60 Hz y

un Im de 0.3 . Los valores mencionados son 10s optimos para el

arranque ya que lo hacen en un tiempo corto y con una

comente no excedente a 10s 10 A, que es el margen de

seguridad para la corriente sin causar daiio a 10s elementos de

conmutacion.

5.3. Conclusiones y Recomendaciones.

El diseiio y construction del inversor monofasico manejado por

microcontrolador y realizado como proyecto de topico, surgio del

deseo de brindar at Laboratorio de Electronics de Potencia un equipo

que permita realizar pradicas, donde el estudiante pueda notar la

utilidad y ventajas de esta tecnica de control que lo diferencian de 10s

otros equipos (inversores monofasicos) que adualmente se

encuentran en el laboratorio. Este proyecto de topico fue llevado a

cab0 mediante la investigacion de la tknica de control, el diseiio y la

realizacion de muchas pruebas que permitieron tener en la actualidad

(entrega del proyecto) este modulo inversor trabajando en optimas

condiciones.

CONCLUSIONES:

La realizacion practica de un proyecto permite verificar la teoria

referida al tema tratado, por la continua experirnentacion que esto

implica. Las conclusiones que se presentan se las ha realizado

tomando en cuenta las debilidades y fortalezas que tiene el equipo.

- El diseiio de un inversor, implica mucho m6s que la generacibn de

pulsos, es tan importante la parte de potencia, 10s circuitos

auxiliares, circuitos de monitoreo y sobre todo el acoplamiento de

todas estas partes, constituye un trabajo que requiere mucho

cuidado ya que se trabaja con voltajes elevados que generan

problemas, principalmente de ruidos, descargas estaticas,

aislamientos, etc.
- La disipacion de potencia en 10s BJTs de potencia hace necesario el
montaje de disipadores de calor, ya que en ausencia de estos, la

capacidad para soportar sobrecargas instantaneas es minima, ademas

el equipo consta de rejillas de ventilation que ayudan a evacuar el aire

el aire caliente permitiendo un margen de disipacion de calor

aceptable, el otro elemento que disipa calor es la resistencia limitadora

de la corriente de encendido (en 10s controladores de base), la misma

que con un correct0 dimensionamiento de potencia no tiene problemas

de operation.

- La reduccion de las perdidas dinamicas en al configuracion darlington

fue posible haciendolos trabajar en estado de cuasi-saturacion, que

garantiza la saturation (encendido) per0 permite un rapido apagado

(corte), a esto se aiiade la presencia de un voltaje negativo entre 10s

terminates 6-E para ayudar a1 apagado, que es donde mas p6rdidas

se presentan.

- Las perdidas dinamicas son reducidas con la utilization de 10s

circuitos snubber que mejoran sus caracteristicas de conmutacion,

controlando las variaciones de voltaje y corriente en parametros

aceptables, 10s dimensionamientos efectuados para 10s elementos de

estos circuitos han sido mejorados con 10s resultados obtenidos en

pruebas.
- En un inversor monofasico tip0 puente utilizando la tecnica de control
SPWM de dos niveles, el riesgo de cortocircuito en un ramal es

eminente, cuando una de las dos configuraciones darlington de un

ramal se enciende y la otra se apaga, dado al retardo de tiempo de 10s

BJTs de potencia desde que ha llegado la seiial de control de apagado

y esta configuracion la cumpla. Los cortocircuitos instantaneos son

evitados usando un tiempo de zona muerta en el caso mencionado,

tratando de no excederse en este tiempo para que no afecte al ancho

de 10s pulsos de control (modulacion senoidal).

- El uso del tiempo muerto quedaria restringido a una sola vez por

ciclo de operacion si se aplica la tecnica de control SPWM de tres

niveles, en lugar de hacerlo mf veces por ciclo como en la SPWM de

dos niveles, en la que si se pueden presentar estos tipos de

cortocircuitos instantaneos tratados en el parrafo anterior.

- No se pueden utilizar darlingtons monoliticos en lugar de la

configuracion darlington con BJTs de potencia simples, poque con

carga inductiva pura la resistencia entre base y emisor del transistor

principal que permite un camino para la comente de base cuando el

transistor esta polarizado inversamente (C-E); esto produce que el

darlington monolitico se active en su region activa inversa que produce

su daiio cuando el otro elemento de la rama del puente se ponga en

conduction, ya que habria un instante en que ambos conducirian.

- La variacion de velocidad es mayor cuando se varia la frecuencia, ya

que un incremento de 5 Hz representa un aumento de 150 RPM

manteniendo constante el Im en 1, mientras que, un incremento del Im

en 0.1 representa una variacion muy pequeiia en la velocidad si la

frecuencia pennanece invariable.

- El rango de variacion de la velocidad es mayor si se escoge variar la

frecuencia, mientras que la variation del indice de modulation

representa un menor rango de variacion de velocidad.

- Debido a que en el inversor se usa un rectificador no controlado con

filtro de entrada, el voltaje practicamente no se distorsiona, pero la

corriente de entrada es distorsionada debido a la presencia del filtro de

entrada capacitive, siendo en este caso necesario el uso de

inductancias en la entrada del inversor para suavizar 10s picos de

corriente.
RECOMENDACIONES:

- La eleccion de 10s elementos de conmutacion para este trabajo de

topico pudo haber sido transistores de potencia de efecto de campo o

IGBTs que tendrian un mejor rendimiento a las frecuencias de

operacion. Esa opcion fue descartada, ya que la operacion de estos

elementos es mas delicada ante las constantes pruebas que necesita

la realizacion de este proyecto, donde el factor economico tambien

entra en juego por 10s posibles daiios que pueden ocurrir. Esta

recomendacion debe ser considerada para futuros proyectos, siempre

que se revise la operacion de este equipo, a fin de mejorar su

funcionamiento.

- La tecnica de control utilizada puede ser reemplazada por la

modulaci6n de ancho de pulso senoidal de tres niveles, que disminuye

el riesgo de cortocircuitos en cada una de las dos ramas del puente.

- Una opci6n para la realizaci6n de este proyecto es 10s circuitos

manejadores de base para controlar 10s BJTs de potencia, que en la

actualidad se pueden encontrar en Internet, las ventajas de utilizarlos

llevan a la disminuci6n del tamaiio del equipo y del tiempo de

implementacion el inversor, con la desventaja de ocurrir un error en las

pruebas para la realizacion del equipo el daiio seria para todo el

controlador , reemplazandolo en su totalidad.

- El uso de un microcontrolador que tenga incorporado salidas SPWM
como el microcontrolador 80C196MC de INTEL, el cual genera salidas

SPWM donde se puede variar directamente el indice de modulacion y

la frecuencia de la portadora requerida.

- Durante el tiempo de pruebas la realizacidn de un proyecto de este

t i p se recomienda revisar que las seiiales de control se encuentren

en correcto funcionamiento, debido a que cualquier cortocircuito por

muy pequeiio que sea producen la destruction del transistor de

potencia.

- Se hace imprescindible el uso de un circuit0 de control que

proporcione una secuencia de encendido correcto, tal que, permita el

encendido siempre y cuando el mMulo de control (microcontrolador)

posea sus &ales estabilizadas autorizando el encendido del modulo

de potencia. De igual manera, se debe cumplir con una secuencia de

apagado que apague primer0 potencia y por liltimo control.

 ANEXO 1
PROGRAMA EN ASSEMBLER DEL

MICROCONTROLADOR 8752.
; PROGRAMA PARA EL INVERSOR MONOFASICO,
; El cristal del microcontrolador es de 24.000000 Mhz.
; Tiempo muerto para este programs: 10 us.
; Los pines que proporcionaran las salidas son:
; p1.0 corresponde a 10s transistores 1 y 2 (que tienen la misma senal).
; pl.1 corresponde a 10s transistores 3 y 4.
; p1.2 es la salida SOBRECORRIENTE.
; p1.3 es la salida ENABLE RELE.
; p1.4 es la salida VALOR-~ E P T A D O .
; Se utilizaran 3 display de 7 segmentos para la frecuencia:
; DIGITO MENOS SIGNIFICATIVO (solo puede valer 0 o 5):
; pO.0 iran a1 pin 2 ("C") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos)
; y tambien a1 pin 7 ("A") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; pin 1 ("B") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.
; pin 6 ("Dm)del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.
; DIGITO INTERMEDIO:
; p0.1 iran a1 pin 1 ("B") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p0.2 iran a1 pin 2 ("C") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p0.3 iran a1 pin 6 ("D") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p0.4 iran a1 pin 7 ("A") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; DIGITO MAS SIGNIFICATIVO:
; p0.5 iran a1 pin 1 ("B") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p0.6 iran a1 pin 7 ("A") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; pin 2 ("C") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.
; pin 6 ("D") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.

; Se utilizaran 2 display de 7 segmentos para el indice de modulacion:

; DIGITO MENOS SIGNIFICATIVO:
; p2.7 iran a1 pin 1 ("B") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p2.6 iran a1 pin 2 ("C") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p2.5 iran a1 pin 6 ("Dm)del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; p2.4 iran a1 pin 7 ("A") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).

; DIGITO MAS SIGNIFICATIVO:

; p2.3 iran a1 pin 7 ("A") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos).
; pin 1 ("B") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.
; pin 2 ("C") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.
; pin 6 ("D") del 7447/7448 (decoder de display de 7 segmentos) a GND.

; CINCO teclas:
; Tecla conectada en p3.0 ----> CAMBIAR FRECUENCIA
; Tecla conectada en p3.1 ---- > CAMBIAR INDICE DE MODULACION
; Tecla conectada en p3.5 ---- > SUBIR EL VALOR
; Tecla conectada en p3.3 ----> BAJAR EL VALOR
; Tecla conectada en p3.4 ---- > ACEPTAR
; p3.2 es la entrada de interrupcion que indica Sobrecorriente. (INT 0)
; Cuando el programa empieza, envia pulsos para que el motor gire a 50 Hz.
; Indice de rnodulacion = 1.0
; N=12.
IDLE equ 0
VARIARFREC equ 1
VARIARIND equ 2

frecuencia equ 30h ; valor entre 10 y 60 (frecuencia real para 5)

frecuencial equ 31h ; valor entre 10 y 60 (frecuencia real para 5)
indmodulacion equ 32h ; valor entre 1 y 10 (indice real por 10)
operacion equ 33h
contadorciclos equ 34h
periodo equ 35h
period02 equ 36h
base equ 37h
base2 equ 38h
auxiliarl equ 39h
auxiliar2 equ 3ah
auxiliar3 equ 3bh
auxiliar4 equ 3ch
auxiliar5 equ 3dh
acarreo equ 3eh
tabla1 equ 40h
;donde se almacenan 10s 48 bytes que corresponden a las longitudes de
;los altos y bajos de 10s 12 pulsos que se envian a 10s transistores.
1jmp inicioprog

org 03h ;donde debe estar ubicada subrutina de interrupcion para INT 0.
;Si en p3.2 se recibe pulso en bajo hay sobrecorriente y procedemos a
;encerar 10s displays, encender el led "sobrecorriente" conectado a1
;pin p1.2 y apagar el rele enviando un alto por el pin p1.3:
clr p1.2
setb p1.3
setb p1.4
mov PO, #O
mov p2, #O
inv46:
nop ;entro en este lazo infinito del que se sale reseteando.
sjmp inv46

inicioprog:
mov sp,#08h ;inicializo el punter0 de la pila de memoria interna.
;para que utilice el segundo banco de xegistros.
;pues el programa utiliza el primer banco.
setb p1.0
setb pl. 1
setb p1.2
setb p1.3 ;todas las salidas son asertadas en bajo.
setb p1.4
 rnov frecuencia , #10 ;correspondiente a 50 Hz.
rnov frecuencial , #10 ;correspondiente a 50 Hz.
rnov indmodulacion , #10 ;correspondiente a 1.0
rnov operation , #IDLE

lcall actualizatablal
;con frecuencia e indice de modulacion conocidos puedo actualizar
;tabla1 que contiene las 24 longitudes de 10s niveles altos y bajos.
;Lo siguiente envia 10s valores de frecuencia e indice a 10s displays: I

mov a , frecuencia
mov DPTR,#displayfrec 1
movc a , @a+DPTR i
mov pO , a ; enviar la frecuencia decodificada a sus displays. I

mov a , indmodulacion
rnov DPTR,#displayind
movc a , @a+DPTR
mov p2 , a ; enviar el indice decodificado a sus displays.

setb p1.0
setb p1.l
setb p1.2
clr p1.3 ;habilito RELE.
clr p1.4 ;enciendo led "VALOR ACEPTADO".

rnov a,#30
rnov r7,#150 ; producir un delay de 1.1342 seg. f=24.000 Mhz.
e24
rnov r6,#240 ; tiempo del delay T = (((Z*r5+3)*r6+3)*r7+3)*12/f.
e23
mov r5,a
e22
djnz r5,e22
djnz r6,e23
djnz r7,e24
; Primero revisamos el pin p3.2 para ver si no hay sobrecosriente:
jb p3.2 , inv43
; S I p3.2 esta en bajo hay sobrecorriente y se toma la accion de
;encerar 10s displays, encender el led "sobrecorriente" conectado a1
;pin p1.2 y apagar el rele enviando un alto por el pin p1.3:
clr p1.2
setb p1.3
setb p1.4
rnov PO, #O
rnov p2, #O
inv44 :
nop ; e n t r o e n e s t e l a z o i n f i n i t o d e l g u e sesalereseteando.
sjmp inv44
inv43:

mov tmod , #10h ;programando mod0 de trabajo del Timer 1.

;para que trabaje como timer de 16 bits.
 mov tcon , #01 ;Se programa la INT 0 por flanco.
mov ie #81h ;Habilita interruption INT 0,

; este es el lazo gue se repite infinitas veces y que envia las senales
; a 10s transistores.
; las intrucciones desde "setb pl.1" hasta "clr p1.0" demoran
; 1+2+2+2 +1+10 + 2 + 1 =
; 21 ciclos de maquina = 10.5 us en ser realizadas.
; Como son 24 porciones de onda, el tiempo total perdido en crear
; tiempos muertos es de 10.5 * 24 = 252 us.
setb pl .l ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,40h
rnov thl,4lh
rnov r6,#5
inv47: djnz r6,inv47
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv0l: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 1 DE 24.
jnb tcon.7 , invOl
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,42h
rnov thl,43h
rnov r6,#5
inv48: djnz r6,inv48
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl.1 ;habilitar transistores 3 y 4.
inv02: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 2 DE 24.
jnb tcon.7 , inv02
setb pl .l ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,44h
rnov thl,45h
rnov r6,#5
inv49: djnz r6,inv49
rnov tconl#41h ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv03: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 3 DE 24.
jnb tcon.7 , inv03
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,46h
rnov thl,47h
rnov r6,#5
inv50: djnz r6,inv50
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl. 1 ;habilitar transistores 3 y 4.
inv04: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 4 DE 24.
jnb tcon.7 , inv04
setb pl .l ;inhabilitar tsansistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,48h
 rnov th1,49h
rnov r6,#5
inv51: djnz r6,inv51
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv05: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 5 DE 24.
jnb tcon.7 , inv05
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,4ah
rnov thl,4bh
rnov r6,#5
inv52 : djnz r6,inv52
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl.1 ;habilitar transistores 3 y 4.
inv06: ;ELEMENSO DEL CICLO NUMERO 6 DE 24.
jnb tcon.7 , inv06
setb pl. 1 ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,4ch
rnov thl,4dh
rnov r6,#5
inv53: djnz r6,inv53
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv07: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 7 DE 24.
jnb tcon.7 , inv07
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#Olh
rnov tll,4eh
rnov thl,4Eh
rnov r6,#5
inv54 : djnz r6,inv54
rnov tconr#41h ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl. 1 ;habilitar transistores 3 y 4.
inv08: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 8 DE 24.
jnb tcon.7 , inv08
setb pl.1 ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,5Oh
rnov thl,51h
rnov r6,#5
inv55: djnz r6,inv55
mov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
cls p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv09: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 9 DE 24.
jnb tcon.7 , inv09
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,52h
rnov thl,53h
rnov r6,#5
inv56: djnz r6,inv56
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl. 1 ;habilitar transistores 3 y 4.
invl0: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 10 DE 24.
jnb tcon.7 , invlO
setb pl. 1 ;inhabilitar transistores 3 y 4.
 rnov tcon,#0lh
rnov t11,54h
rnov thl,55h
rnov r6,#5
inv57: djnz r6,inv57
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
invll : ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 11 DE 24.
jnb tcon.7 , invll
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tl1,56h
rnov thl,57h
rnov r6,#5
inv58 : djnz r6,inv58
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl.1 ;habilitar transistores 3 y 4.
invl2 : ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 12 DE 24.
jnb tcon.7 , invl2
setb pl.1 ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,58h
rnov th1,59h
rnov r6,#5
inv59: djnz r6,inv59
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
invl3: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 13 DE 24.
jnb tcon.7 , invl3
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,5ah
rnov thl,5bh
rnov r6,#5
inv60: djnz r6,inv60
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl .l ;habilitar transistores 3 y 4.
invl4 : ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 14 DE 24.
jnb tcon.7 , invl4
setb pl.1 ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,5ch
rnov thl,5dh
rnov r6,#5
inv61: djnz r6,inv61
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
invl5: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 15 DE 24.
jnb tcon.7 , invl5
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,5eh
rnov thl ,5fh
rnov r6,#5
inv62: djnz r6,inv62
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl. 1 ;habilitar transistores 3 y 4.
invl6: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 16 DE 24.
 jnb tcon.7 , invl6
setb pl.1 ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,60h
rnov thl,61h
rnov r6,#5
inv63: djnz r6,inv63
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
invl7: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 17 DE 24.
jnb tcon.7 , invl7
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
mov tll,62h
rnov thl,63h
rnov r6,#5
inv64: djnz r6,inv64
rnov tconr#41h ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl. 1 ;habilitar transistores 3 y 4.
invl8: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 18 DE 24.
jnb tcon.7 , invl8
setb pl .l ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov t11,64h
rnov thl, 65h
mov r6,# 5
inv65: djnz r6,inv65
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
invl9: ;ELEMENTO DEL CICLO MMERO 19 DE 24.
jnb tcon.7 , invl9
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,66h
rnov thl, 67h
rnov r6,#5
inv66: djnz r6,inv66
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.l ;habilitar transistores 3 y 4.
inv20: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 20 DE 24.
jnb tcon.7 , inv20
setb pl .l ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
mov tl1,68h
rnov thl,69h
rnov r6,#5
inv67: djnz r6,inv67
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv21: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 21 DE 24.
jnb tcon.7 , inv21
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,6ah
rnov thl, 6bh
rnov r6,# 5
inv68: djnz r6,inv68
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
 clr pl .l ;habilitar transistores 3 y 4.
inv22: ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 22 DE 24.
jnb tcon.7 , inv22
setb pl .l ;inhabilitar transistores 3 y 4.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,6ch
rnov thl,6dh
rnov r6,#5
inv69: djnz r6,inv69
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr p1.0 ;habilitar transistores 1 y 2.
inv23 : ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 23 DE 24.
jnb tcon.7 , inv23
setb p1.0 ;inhabilitar transistores 1 y 2.
rnov tcon,#0lh
rnov tll,6eh
rnov thl,6fh
rnov r6,#5
inv70: djnz r6,inv70
rnov tcon,#4lh ;para arrancar el timerl utilizado para contar.
clr pl .l ;habilitar transistores 3 y 4.
inv24 : ;ELEMENTO DEL CICLO NUMERO 24 DE 24.
jnb tcon.7 , inv24

; si no hubiera que revisar el teclado, iriamos directamente

; a la etiqueta "inv99" para repetir el lazo infinito.
; per0 antes de realizar el salto a "inv99" procesamos el teclado
; (las 5 teclas) y 10s displays si debemos cambiar la frecuencia.
; el tiempo de ejecucion de las siguientes instrucciones
; (saltos normales) es de 1+2+2+2+2 = 9 ciclos de maquina = 4.5 us.

rnov a, operacion
cjne a , #IDLE , inv25
;cuando estamos en "IDLE" debemos revisar la tecla 2 del teclado para
;indica que queremos cambiar la frecuencia, la tecla 3 indicaria que
;queremos cambiar el indice de modulacion.
jb p3.0 , inv26
setb p1.4
rnov operacion, #VARIARFREC
rnov contadorciclos , #O
ljmp inv99
inv26:
jb p3.1 , inv27
setb p1.4
rnov operacion, #VARIARIND
rnov contadorciclos , #O
ljmp inv99
inv27:
ljmp inv99

inv25:
cjne a , #VARIARFREC , inv39
 ;debemos incrementar la frecuencia.
inc contadorciclos
mov a,frecuencia ;un valor entre 10 y 60.
cjne a, contadorciclos , inv33
rnov contadorciclos, #O
inc frecuencial
;se ha incrementado la frecuencia, ahora la enviamos a1 display.
rnov a , frecuencial
cjne a , #61 , inv28
rnov frecuencial , #10 ;cuando se pasa de 60 regresa a 10.
rnov a , frecuencial
inv28:
rnov DPTR,#displayfrec
movc a , @a+DPTR
mov pO , a ; enviar la frecuencia decodificada a sus displays.
ljmp inv99

;debemos decrementar la frecuencia.

inc contadorciclos
mov a,frecuencia ;un valor entre 10 y 60.
cjne a, contadorciclos , inv33
rnov contadorciclos, #O
dec frecuencial
;se ha decrementado la frecuencia, ahora la enviamos a1 display.
rnov a , frecuencial
cjne a , #09 , inv29
rnov frecuencial , #60 ;cuando se pasa de 10 regresa a 60.
rnov a , frecuencial
inv29 :
rnov DPTR,#displayfrec
movc a , @a+DPTR
mov pO , a ; enviar la frecuencia decodificada a sus displays.
ljmp inv99
inv33 :
jb p3.4 , inv41
; se ha presionado la botonera ACEPTAR:
rnov a,frecuencial
rnov frecuencia,a
lcall actualizatablal
clr p1.4
rnov operacion, #IDLE
inv41:
ljmp inv99

d - D e wau
CIB - ESPOL
inv39:
cjne a , #VARIARIND , inv40
 ;debemos incrementar el indice de rnodulacion.
inc contadorciclos
mov a,frecuencia ;un valor entre 10 y 60.
cjne a, contadorciclos , inv34
rnov contadorciclos, #O
inc indmodulacion
;se ha incrementado el indice, ahora la enviamos a1 display.
rnov a , indmodulacion
cjne a , #11 , inv36
rnov indmodulacion , #1 ;cuando se pasa de 10 regresa a 1.
rnov a , indmodulacion
inv36:
rnov DPTR,#displayind
movc a , @a+DPTR
mov p2 , a ; enviar el indice decodificado a sus displays.
ljmp inv99

;debemos decrementar el indice de rnodulacion.

inc contadorciclos
mov a,frecuencia ;un valor entre 10 y 60.
cjne a, contadorciclos , inv34
rnov contadorciclos, #O
dec indmodulacion
;se ha decrementado el indice, ahora la enviamos a1 display.
rnov a , indmodulacion
cjne a , #00 , inv37
rnov indmodulacion , #10 ;cuando se pasa de 1 regresa a 10.
rnov a , indmodulacion
inv37 :
rnov DPTR,#displayind
movc a , @a+DPTR
mov p2 , a ; enviar el indice decodificado a sus displays.
ljmp inv99

inv34 :
jb p3.4 , inv40
; se ha presionado la botonera ACEPTAR:
lcall actualizatablal
clr p1.4
rnov operacion, #IDLE
inv40:
ljmp inv99

actualizatablal
;primer0 transformamos la frecuencia a su correspondiente periodo
;que es un valor de 16 bits (cargado en la tabla "frec-periodow).
rnov a , frecuencia
rl a ;duplicamos ese valor de punter0 porque son numeros de 16 bits.
rnov DPTR,#frec periodo
movc a , @~+DP?R
mov period0 , a ; 8 bits menos significativos.

rnov a , frecuencia
rl a ;duplicamos ese valor de punter0 porque son numeros de 16 bits.
inc a
rnov DPTR,#frec periodo
movc a , @~+DPTR
mov period02 , a ; 8 bits mas significativos.

rnov a, indmodulacion
dec a
rnov b,#12 ;cada tabla para cada indice de modulation ocupa 12 bytes.
mu1 ab
rnov DPTR,#tablapatron
add a,DPL
rnov DPL,a
rnov a,b
addc a,DPH
rnov DPH,a
;En DPTR esta un puntero a1 inicio de la tabla que contiene 10s valores
;base que se van a multiplicar por [periodoZ:periodol.

;Ahora rellenaremos "tablal" realizando 6 multiplicaciones, debido a que

;cada valor de 16 bits de "tablal" esta repetido 4 veces. Recordando que
;la tablal tiene 24 valores (de 16 bits).

; PRIMERA MULTI PLICACION:

rnov a,# O
movc a , @a+DPTR
mov base , a ; 8 bits menos significativos.
rnov a,#l
movc a , @a+DPTR
mov base2 , a ; 8 bits mas significativos.

;a continuacion realizamos la multiplication de dos numeros de 16 bits:

;[base2:basel por [periodoZ:periodo].
lcall multiplica ;resultado en [auxiliar5:auxiliar4].
clr c
rnov a,#255
subb a,auxiliar4
mov 40h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 54h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 5ah , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 6eh , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
rnov a,#255
subb a,auxiliar5
mov 41h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 55h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 5bh , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 6fh , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
rnov a,6eh
add a,#9
rnov 6eh,a
rnov a,6fh
addc a,#O
rnov 6fh,a

; SEGUNDA MULTIPLICACION:
rnov a,#2
movc a , @a+DPTR
mov base , a ; 8 bits menos significativos.
rnov a,#3
movc a , @a+DPTR
mov base2 , a ; 8 bits mas significativos.

;a continuacion realizamos la multiplicacion de dos numeros de 16 bits:

;[base2:base] por [periodo2:periodo].
lcall multiplica ;resultado en [auxiliar5:auxiliar4].

clr c
rnov a,#255
subb a,auxiliar4
mov 42h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 56h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 58h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 6ch , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
rnov a,#255
subb a,auxiliar5
mov 43h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 57h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 59h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 6dh , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.

; TERCERA MULTIPLICACION:
rnov a,# 4
movc a , @a+DPTR
mov base , a ; 8 bits menos significativos.
rnov a,#5
movc a , @a+DPTR
mov base2 , a ; 8 bits mas significativos.

;a continuacion realizamos la multiplicacion de dos numeros de 16 bits:

;[base2:basel por [periodo2:periodol.
lcall multiplica ;resultado en [auxiliar5:auxiliar4].
clr c
rnov a,#255
subb a,auxiliar4
mov 44h , a I establezco bits menos significativos en tablal.
mov 50h , a I establezco bits menos significativos en tablal.
mov 5eh , a I establezco bits menos significativos en tablal.
mov 6ah , a I establezco bits menos significativos en tablal.
rnov a,#255
subb a,auxiliar5
mov 45h , a I establezco bits mas significativos en tablal.
mov 51h , a I establezco bits mas significativos en tablal.
mov 5fh , a I establezco bits mas significativos en tablal.
mov 6bh , a I establezco bits mas significativos en tablal.

; CUARTA MULTIPLICACION:
rnov a,#6
movc a , @a+DPTR
mov base , a ; 8 bits menos significativos.
rnov a,#7
movc a 1 @a+DPTR
mov base2 , a ; 8 bits mas significativos.
;a continuacion realizamos la rnultiplicacion de dos numeros de 16 bits:
;[base2:basel por [periodo2:periodol.
lcall multiplica ;resultado en [auxiliar5:auxiliar4].

clr c
rnov a,#255
subb a,auxiliar4
mov 46h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 52h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 5ch , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 68h , a ; establezco 8 bits menos significativos en tablal.
rnov a,#255
subb a,auxiliar5
mov 47h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 53h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 5dh , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 69h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.

; QUINTA MULTIPLICACION:
rnov a,#8
movc a , @a+DPTR
mov base , a ; 8 bits menos significativos.
rnov a,# 9
movc a , @a+DPTR
mov base2 , a ; 8 bits mas significativos.

;a continuacion realizamos la rnultiplicacion de dos numeros de 16 bits:

;[base2:basel por Eperiodo2:periodol.
lcall multiplica ;resultado en [auxiliar5:auxiliar4].
clr c
rnov a,#255
 subb a,auxiliar4
mov 48h , a I establezco bits menos significativos en tablal.
mov 4ch , a I establezco bits menos significativos en tablal.
mov 62h , a , establezco bits menos significativos en tablal.
mov 66h , a I establezco bits menos significativos en tablal.
rnov a,#255
subb a,auxiliar5
mov 49h , a I establezco bits mas significativos en tablal.
mov 4dh , a , establezco bits mas significativos en tablal.
mov 63h , a I establezco bits mas significativos en tablal.
mov 67h , a I establezco bits mas significativos en tablal.

; SEXTA MULTIPLICACION:
rnov a,#10
movc a , @a+DPTR
mov base , a ; 8 bits menos significativos.
rnov a,#ll
movc a , @a+DPTR
mov base2 , a ; 8 bits mas significativos.
;a continuacion realizamos la multiplication de dos numeros de 16 bits:
;[baseZ:base] por [periodoZ:periodo].
lcallmultiplica ;resultado en [auxiliar5:auxiliar4].

clr c
rnov a,#255
subb a,auxiliar4
mov 4ah , a , establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 4eh , a I establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 60h , a , establezco 8 bits menos significativos en tablal.
mov 64h , a , establezco 8 bits menos significativos en tablal.
rnov a,#255
subb a,auxiliar5
mov 4bh , a , establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 4fh , a I establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 61h , a p establezco 8 bits mas significativos en tablal.
mov 65h , a ; establezco 8 bits mas significativos en tablal.
; aqui ya finalizo la actualizacion de "tablal".
ret

multiplica

rnov a , period0
rnov b , base
mu1 ab
rnov acarreo, b
rnov a , period02
rnov b , base
 mu1 ab
add a, acarreo
rnov auxiliarl,a
rnov a r b
addc a,#O
rnov auxiliar2,a
rnov a , period0
rnov b , base2
mu1 ab
rnov auxiliar3,a
rnov acarreo,b
rnov a , period02
rnov b , base2
mu1 ab
add a, acarreo
rnov auxiliar4,a
rnov a,b
addc a,#O
rnov auxiliar5,a
rnov a , auxiliarl
add a , auxiliar3
rnov a , auxiliar2
addc a , auxiliar4
rnov auxiliar4,a
rnov a , auxiliar5
addc a , #O
rnov auxiliar5,a
;los 16 bits mas significativos de la multiplicacion estan en
;[auxiliar5:auxiliar41 y son 10s que se cargaran en "tablal".
ret

tablapatron

;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=O.l

db 4
db 10
db 132
db 9
db 116
db 10
db 20
db 9
db 181
db 10
db 211
db 8
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.2
db 69
db 10
db 67
db 9
db 37
db 11
db 99
db 8
db 166
db 11
db 226
db 7
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.3
db 134
db 10
db 2
db 9
db 214
db 11
db 178
db 7
db 152
db 12
db 240
db 6
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.4
db 198
db 10
db 194
db 8
db 135
db 12
db 1
db 7
db 137
db 13
db 255
db 5
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.5
db 7
db 11
db 129
db 8
db 55
db 13
db 81
db 6
db 123
db 14
db 13
db 5
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.6
db 72
db 11
db 64
db 8
db 232
db 13
db 160
db 5
db 108
db 15
db 28
db 4
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.7
db 136
db 11
db 0
db 8
db 153
db 14
db 239
db 4
db 94
db 16
db 42
db 3
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.8
db 201
db 11
db 191
db 7
db 74
db 15
db 62
db 4
db 79
db 17
db 57
db 2
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=0.9
db 10
db 12
db 126
db 7
db 250
db 15
db 142
db 3
db 65
db 18
db 71
db 1
;Este grupo de bytes es para indice de modulacion=l.O
db 75

;A continuation la tabla period0 versus frecuencia:

frecgeriodo
; A continuacion la tabla para 10s displays de frecuencia:
displayfrec
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuenciade
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;irewencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
 ;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de
;frecuencia de

;A continuacion la tabla para 10s 2 displays de indice modulation:

displayind
db 7
db 23
db 1 3 5
db 1 5 1
db 71
db 87
db 199
db 215
db 39
db 55
db 15
 ANEXO 2

DIAGRAMAS CIRCUITALES DEL INVERSOR.

CNT-I

Gcuela Superior Politicnioa Del Litoral

Facultad dc Ingenieria Aictrica y Computacik
EspeeiaUzacl6n Eledrbnica Industrial
Reahado por: Rene Lara Moscom y Annrl Reina Rojas
Revisado poi-: Ing. Norman Chootong Ching

She Document Number Rw

A Esqumna # 2
BORNERAS DE MANDO
 'I
+5 VCC
0
Fw'Ml 1.5 A$ I

FWMZ
PWM3 1
- 4o
+5 VCC (C

41
2;
4
8
----% BIIRBO
B
C
D
9
I .
I)
I R6

-0
E
WM4
2
3
39.
38
---4
4 LT
RBI F
G
9 '
32?1
I I
37 - -

36 7447 +5 VCC
, IC6 3;
R5

11 30
+5 VCC
12 29
13

RESET 23
R16 19 22
r i 720 21

CRYSTAL
24 MHZ t 5 vcc

INDMOD (-
+5 VCC - R9

BAJA I-
+5vCC -
- R10 QIRELE

-
Escuela Superior Politecnica Del Litoral
ACEPTAR I- Facultad de lngenierla Elktrica y Cornputacidn
t5VCC
R11 EspecializacidnElectrdnica Industrial
Realizado por: Rene Lara Moscoso y Annel Reina Rojas
SUBE I- Revisado por: Ing. Norman Chootong Ching
t5vcc itle
R12
Circuit0 de control SPWM (tarjeta del microcontrolador).

,ize Document Number ev

A Esquema # 3
@
kte: Tuesday, September 03.2002 Fheet 3 of 5
 VDC

+5 VCC

D3 D5 Tc5T

Escuela Superior Politbcnica Del Litoral

Facultad de lngenierla Elbctrica y Computaci6n
Especializaci6n Industrial
Realuado por: Rene Lam Moscoso y Annel Reina Rojas
Revisado por: Ing. Norman Chootong Ching
Title
Circuit0 para las Fuentes de Potencia y de Control del M6dulo lnversor

Size Document Number ev

A Esquema # 5 Q
 ANEXO 3

FOTOS DEL INVERSOR.

Foto 1: Parametros iniciales cuando el modulo de control ha sido encendido.

Foto 2: Modulo de control permitiendo variaciones de frecuencia o lm.

Foto 3: Tajeta de Control de Base I,con circuito Snubber.

Foto 4: Tarjeta de Control de Base 2, sin circuito Snubber

Foto 5: Vista del lado de la soldadura de la tarjeta 1.

Foto 6: Vista del lado de la soldadura de la tarjeta4.

 Foto 7: Vista lateral izquierda del modulo del inversor.

Foto 8: Equipo en funcionamiento junto al osciloscopio tektronix TDS 210 y

el motor de Fase Partida.
 Foto 9: Vista interna del Modulo lnversor

Foto 10: Morrtaje de las tarjetas controladoras de base.

Foto 11: Vista de el lado de la soldadura de la tarjeta SPWM de dos niveles.

Foto 12: Tarjeta SPWM de dos niveles.

 Foto 13: Vista frontal del modulo del inversor.

Foto 14: Fuente de voltaje para el modulo de potencia tipo puente.

 ANEXO 4

ESQUEMAS DE ClRCUlTOS IMPRESOS.

UBlCAClON DE COMPONENTES (TARJETAS 'ly 3)
ClRCUlTO IMPRESO (TARJETAS I y 3)
UBiCACiON DE COMPONENTES (TARJETAS 2 y 4)
UBDCACDON DE COMPONENTES
DEL CONTROLADOR "SPWM"
 0 0 0
J 0 0
OOOOOOLI 0 0

ClRCUlTO IMPRESO LAD0 DE COMPONENTES

ClRCUlTO lMPRESO LAD0 DE COBRE
 ANEXO 5

CARACTER~STICASDE LOS ELEMENTOS

UTILIZADOS.
 NTEI23AP
Silicon NPN Transistor
Audio Amplifier, Switch
(Compl to NTE159)

Bsolute Maximum Ratin=

>ollector-Emitter Voltage, VcEo ...................................................... 40V
:ollector-Base Voltage, VcB .........................................................60V
imitter-Base Voltage, VEB ...........................................................6V
:ontinuous Collector Current, Ic .................................................. 600mA
otal Device Dissipation (TA= 25OC), Po .......................................... 350mW
Derate Above 25°C .....................................................2.8mW/OC
otal Device Dissipation (Tc = 25"C), PD .............................................1.OW
Derate Above 25°C ..................................................... 8.0mW/"C
Iperating Junction Temperature Range, TJ ..................................-55" to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg .......................................... -55" to +150°C
Thermal Resistance, Junction to Case, ReJc ......................................125OCMI
Thermal Resistance, Junction to Ambient, RBjA ................................... 357OCW
. .
;(TA = +2S°C unless otherwise specified)
aectrical Charactenst~cs
I Symbol I Test Conditions 1 Min ( Typ (Max I Unit (
OFF Characteristics
I
Collector-Emitter Breakdown Voltage I V(BR)CEOIC= lmA, IB= 0,Note 1 140 1 -
Collector-Base BreakdownVoltage
1 Emitter-Base BreakdownVoltage
Collector Cutoff Current
Base Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
DC Current Gain

Note 1. Pulse Test: Pulse Width 1300ps, Duty Cycle 12%.

 j g (TA = +2S°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol I Test Conditions
I N Characteristics (Note 1) (Cont'd)
;ollector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC= 150mA, Is= 15mA - - 0.4 V
Ic= 500mA, Is= 50mA - - 0.75 V
Base-Emitter Saturation Voltage VBE(&) JC = 150mA. Is = 15mA 0.75 - 0.95 V
lc= 500mA, Is= 50mA - - 1.2 v
SmalCSignal Characteristics
Current Gaidandwidth Pmduct fT 1lc= 20mA. VcE = lOV, f = 100MHz 250 - - MHz
Collector-Base Capacitance Ccb VCB= SV, IE= 0, f = 100kHz - - 6.5 pF
Emitter-Base Capacitance Ceb VcB = 0.5V, IC= 0, f = 1 0 0 k H ~ - - 30 pF
Input Impedance hie lc=lmA,VCE=lOV,f=lkH~ 1.0 - 15 ki2
Voltage Feedback Ratio h, Ic=lmA,VCE=lOV,f=lkH~ 0.1 - 8.0 x lo4
Small-Signal Current Gain be Ic=lmA,VCE=lOV,f=lkH~ 40 - 500
Output Admittance ,h lc=lmA,VCE=lOV,f=lkH~ 1.0 - 30 I~ h o s
Switching Characteristics
Delay Time td Vcc = 30V, V ~ q ~=f 2V,
f) - - 15 ns
Rise Time tr
Ic = 150mA, lal = 15mA - - 20 ns
L
Storage lime 4 Vcc = 30V, lc= 150mA, - - 225 ns
, Fall Time tf
Isl= la2 = 15mA - - 30 ns

Note 1. Pulse Test: Pulse Width 1300ps,Duty Cycle 1 2%.

 4 D ,135 (3.45) Min

.210
(5.33)
Max Seating Plane

500 .021 (.445) Dia Max

(12.7)
Min

1 0 5 (2.67) Max
Max
.205 (5.2) Max
 ".
.............. :;.: ..........
kt,);*2'1, C 5:. a S:
pr .p.7"
.:

14 FARRAND STREET
-

%LOOMFIELD,NJ 07003
¶3) 748-5089

NTE54 (NPN) & NTE55 (PNP)

Silicon Complementary Transistors
High Frequency Driver for Audio Amplifier

)escrintion:
The NTE54 (NPN) and NTE55 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type case
lesigned for use as a high frequency driver in audio amplifier applications.

b DC Current Gain Specified to 4A:

hFE= 40 Min @ Ic = 3A
= 20 Mln @ Ic = 4A
D Collector-Emitter Sustaining Voltage: V C E ~ ~="150V
~ ) Min
D High Current Gain-Bandwidth Product: fT = 30MHz Min @ Ic = 500mA

Collector-Emitter Voltage, V C E .....................................................

~ 150V
Collector-Base Voltage, Vcso ...................................................... 150V
Emitter-Base Voltage, VEB) ........................................................... 5V
Collector Current, lc I
Continuous ................................................................... 8A I
Peak .......................................................................16A I

Total Power Dissipation (Tc = +25OC), PD ............................................ 50W

Derate Above 25°C ...................................................... 0.04WI0C
Total Power Dissipation (TA = +2S0C), PD .............................................. 2W
Derate Above 25OC ..................................................... 0.016WI0C
Operating Junction Temperature, TJ ........................................ -65' to +750°C
Storage Temperature Range, Tstg .......................................... -65" to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC ....................................+2.5OCNV
Thermal Resistance, Junction-&Ambient, RthJA ................................. +62.5OCNV
Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE55MCP). Matched comple-
mentary pairs have their gain specification (hFE)matched to within 10% of each other.
 ctrical C h a r e n s t i c s (TA= +25OC unless otherwise specified)
Parameter Test Conditions I Min I Typ I M u I Unit
OFF Characteristics
Collector-Emitter Sustaining Voltage VcE(sus) lc= IOmA, Is= 0, Note 2 150 - - V
I
Collector Cutoff Current lCEo VCE= 150V. IB= 0 - - 0.1 mA
lcBo VCE= 150V, IE= 0 - - 10 pA
Emitter Cutoff Current ( VCE= 150V. Ic = 0
IEBO - - 10 /,LA
ON Characteristics (Note 2)
DC Current Gain hFE VCE = 2V, lC= 0.1A 40 - -
VCE= 2V, IC= 2A 40 - -
VCE= 2V, IC= 0.1A 40 - -
VCE= 2V, lC= 0.1A 20 - -
DC Current Gain Linearity ~ F E VCEfrom 2V to 20V, - 2 -
lcfrom 0.1A to 3A
NPN to PNP - 3 -
Collector-Emitter Saturation Voltage V C E ( ~ ) IC= 1A. Is = 0.1A - - 0.5 V
Base-Emitter ON Voltage VBE(rn) VCE= 2V, IC= 1A - - 1 V
Dynamic Characteristics
Current Gain-Bandwidth Product
I VCE= 10V, IC= 500mA.
fhqt = 10MHz. Note 3

Note 2. Pulse Test: Pulse Width I300ps, Duty Cycle s 2%.

Note 3. fT = (hfel ftest

( 2 ) +\---ab
 -@g"."l"Ki> -
%!
-.,
,
-.
-.
C.
I ! , . , L , L; i

FARRAND STREET
DOMFlELD, NJ 07003
3 ) 748-5089

NTEI23A (NPN) & NTE159M (PNP)

Silicon Complementary Transistors
General Purpose

le NTE123A (NPN) and NTE159M (PNP) are widely used "Industry Standard" complementary transis-
s in a TO18 type case designed for applications such as medium-speed switching and amplifiers from
~dioto VHF frequencies.

,atures:
Low Collector Saturation Voltage: 1V (Max)
High Current Gain-Bandwidth Product: fT = 300MHz (Min) @ lc20mA

psolute Maximum Ratinm:

;ollector-Emitter Voltage, VCEo
NTE123A ................................................................... 40V
NTE159M ...................................................................60V
:ollector-Base Voltage, Vcso
NTE123A ................................................................... 75V
NTE159M ................................................................... 60V
imitter-Base Voltage, VEBo
NTEl23A .................................................................... 6V
NTE159M ....................................................................5V
:ontinuous Collector Current, Ic
NTE123A ................................................................800mA
NTE159M ................................................................ 600mA
btal Device Dissipation (TA = +25OC), Po ............................................0.4W
Derate Above +25OC ................................................... 2.28mW1°C
rota1 Device Dissipation (Tc = +25OC), PD
NTE123A ..................................................................1.2W
Derate Above +25OC ................................................6.85mW1°C
NTE159M ..................................................................1.8W
Derate Above +25OC ................................................ 10.3mW1°C
3perating Temperature Range, TJ ..........................................-65" to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg ..........................................-65O to +200°C
 ectrical Characteristics: (TA = 25OC unless otherwise specified)
Parameter I Symbol I Test Conditions I Min I Typ 1 Max I Unit
IFF Characteristics
:ollector-Emitter Breakdown Voltage
NTE12%
I I
I I

NTEI59M 6 0 1 - I - I I
V
:ollector-8ase Breakdown Voltage V(BR)cBo
NTE123A lc= lo@, IE= 0 75 - - V
NTE159M 60 - - V
!mitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO
NTE123A lE= lo@, Ic= 0 6 - - V
NTE159M 5 - - V
:ollector Cutoff Current ~CEX
NTE123A V s = GOV, VEqoff)= 3V - - 10 nA
NTE159M VCE= 30V VBE = 500mV - - 50 nA
:ollector Cutoff Current ICBO
NTEI23A VCB= 60V, IE= 0 - - 0.01 pA
V a = 60V, IE= 0, TA = +150°C - - 10 pA
NTE 159M VcB = 50V, JE = 0 - - 0.01 pA
VcB = 50V, IE= 0, TA = +lW°C - - 10 pA
tmitter Cut& Current (NTE123A Only) lEeo VEB= 3V, IC=0 - - 10 nA
lase Cutoff Current IBL
M E 123A VCE= 60V, VEB(rn= 3V - - 20 nA
NTEI59M Vm = 30V, Vwm = 500mV - - 50 nA
ON Characteristics
DC Current Gain ~ F E
NTEl23A VcE = 10V IC= O.lmA, Note 1 35 - -
I c = 1mA 50 - -

I I

Ic = 150mA Note 1 100 - 300

VcE = I V lc = 150mA, Note 1 50 - -
VCE= 10V IIC= 500mA, Not e 1 40 - -
NTE159M

lc = 1omA 100 - -
lc= 150mA, Note I I00 - 300
lc= 500mA, Note 1 50 - -
NTE 12% -
I I I I

lc= 500mA, Is= 50mA, Note 1 - 1 - 11.0 I V

-
NTEI59M
I lc= 1SOmA, Is = 15mA. Note 1
IC= 500mA, IR = SOmA, Note 1
-
- -
0.4
1.6
V
V

Uote 1. Pulse Test: Pulse Width 1 300ps, Duty Cycle 12%.

 4 = 25OC unless otherwise specified)
Parameter I Symbol Test Conditions I Min 1 Typ I Max I Unit 1
IN Characteristics(Cont'd)
ase-Emitter Saturation Voltage vefc~at)
NTE12% Ic= 150mA, lB= 15mA, Note 1
Ic= WmA, le= 50mA,Note 1
NTE159M lc= 150mA, Is= 15mA, Note 1
lc= WmA, Is= 50mA
mallSignal Characteristics
umnt Gain-Bandwidth Product f~
NTEI23A I
Ic= 20mA VcE = 20V, f = IOOMHZ,
NTEl59M lc= m
Output Capacitance cob0 VCB= IOV, IE= 0, f = IOOkHz
Input Capactiance Citm
NTEI23A

Input Impedance (NTEl23A Only) hie

Voltage Feedback Ratio hm

(NTE123A Only)

SmalCSignal Current Gain hfe

(ME123A Only)

Output Admittance (NTEl23A Onty) ,h

- I
Collector-Base Time Constant rb%,
(NTEI23A Only) = 2 0 m 1VCB= 20V, f = 31.8MHz
IE
Noise Figure (NTE123A Only) NF Ic= IOOpA, VCE= IOV, RS = IkQ
f= lkHz
Real Part of Com-ia High Re(h,) lc = 20mA, VCE= 20V, f = 300MHz
Frequency lnput Impedance
(NTE123A Only)
Switching Characteristics
NTE123A
Delay lime ,,i VCC= 30V, VBE(rn= 500mV, - - 10 ns
Rise Time t Ic= 1- lBl 15mA - - 25 ns
Storage lime t, VCC= 30V lc= 150mA, - - 225 ns
lei = IB2
= 15mA - -
Fall Time t 60 ns
NTE159M
Turn-On Time t, V z = 30V, lc = 150mA, - 26 45 ns
Delay Time b
lBl= 15mA - 6 10 ns
Rise Time t - 20 40 ns
Tum-Off Time Vcc=6V,I~=150mA, - 70 100 ns
IBi= Iw= 15mA -
Storage lime k 50 80 ns
Fall Time 4 - 20 30 ns

Note 1. Pulse Test: Pulse Width 1 3 0 0 ~Duty

' Cycle 12%.
Note 2. fT is defined as the frequency at which Ihfelextrapolates to unity.
 - ,230 (5.84) Dia Max
- .I95 (4.95) Dia Max

1:,030 (.762)Max
T

I I-- Base
Emitter
Collector
 MtRAND STREET
n)OMFIELD, NJ 07003
13) 748-5089

NTE385
Silicon NPN Transistor
Audio Power Amp, Switch
escription:
he NTE385 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high speed,
ower switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line operated
inritch mode applications.

EubfwXs
Fast Turn-Off Times

I lute Maximum R a t i i
ollector-Emitter Voltage, VCEO(sw)................................................. 400V
ollector-Emitter Voltage (VBE= -1.5V), Vcu< ........................................850V
mitter-Base Voltage, VEB ...........................................................7V
ollector Current, Ic
Continuous .................................................................. 15A
Peak (Note 1) ................................................................30A
Overload .................................................................... 60A
ase Current, Is
Continuous .................................................................. 5A
Peak (Note 1) ................................................................ 20A
rota1 Power Dissipation (Tc = +25OC), PD ........................................... 175W
Derate Above 25°C ....................................................... 1.OWf°C
rota1 Power Dissipation (Tc = +1OO°C), PD .......................................... 100W
3perating Junction Temperature Range, TJ .................................. -65" to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg .......................................... -65" to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJc ..................................... 1.O°C/W
Lead Temperature (During Soldering, 118" from case, 5sec), TL ....................... +275OC
Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle I 10%.
l
E riect(Tc = +25OC unless otherwise specified)
Parameter 1 1- 1 Test Conditions IMin ITyp IMax 1 Unit *
OFF Characteristics (Note 2)
' CollecQr-Emitter Sustaining Wtage = 200mA, le = 0, L = 25mH
IC 400 - - V
Collector Cutoff Current Icw V m = 85W.V~qm = 1.W - - 0.2 mA
' vcn/ = 850V, VBE(* = 1.W,Tc = +1250C - - 2.0 mA
-1 vE=85011,hE=1(XZ - - 0.5 nu4
.v, = W V , hE = Tc = +1000C - - 3.0 mA
Emitter CutaR Cwrent lEm V B =~W,Ic = 0 - - 0.1 mA
I Mi- & e a k d Vdtage
~~~ VW)EBO lE= 5 0 m -lc = 0 7 - - V

Note 2. Pulse test: Pulse Width = 300ps, Duty Cycle 12%, VCI = 300V, VBE(om= 5V, LC = 180pH.
 .. 'dl; (Tc = +2S°C unless otherwise specified)
Parameter I Symbol I Test Conditions 1 Min 1 Typ I Max 1 Unit I
)N Characteristics (Note 2)
K= Current Gain ~ F E VcE = RI, IC= 1OA 8 - -
MlectorImitter Saturation Voltage V E ( ~ ~ ) IC= 10A, IB= 2A - - 1.5 V

I I I I I I

3ase-Emitter Saturation Vdtage . . - I - 11.61 V

I Ic = IOA, IB= 2A, Tc = +100"C - I - 11.61 V
Iynamic Characteristics
lutput Capacitance 1Cab IVCB= IOV, IE= 0, fDsst= IkHz - 1 - 1 350 1 pF J

Switching Characteristics (Resistive Load)

Way Time t,j VCC= 300V,lc= 104 lB= 2A, - 0.1 0.2 p
tise 3me
tp=30p, DutyCyde=2%, - 0.4 0.7
%orage'lime
\ B,E.( =
-
p
4 1.3 2.0 p
:all Time tf - 0.2 0.4 p
hitching Characteristics (Inductive Load, Clamped)

I
I I I I

:a11Time I 4i - 10.17 10.35 1 j~

dote 2. Pulse test: Pulse Width = 300ps, Duty Cycle 5 2%, VI, = 300V, V B E ( =~SV,
~ LC = 180yH.
-- .I
35 (3.45) Max
(8.89) 7

-
1 ~
7 .875 (22.2)
Dia Max
Seating
Plane
1

COLLECTOR
Q
-312 (7.93) Min 4 I- .040 (1.02)

BASE

.I56 (3.96) Dia

(2 Holes)

.I88 (4.8) R Max

35) R Max
Base -/ ~ollectorl~a&
 NTE386
Silicon NPN Transistor
Audio Power Amp, Switch

gscri~tion;
le NTE386 is a silicon NPN power transistor in a TO3 type package designed for high vottage. high-
~eedpower switching in inductive circuit where fall time is critical. This device is particularly suited
r line operated switchmode applications.

Switching Regulators
Inverters
Solenoid and Relay Drivers
Motor Controls
Deflection Circuits

ibsolute Maximum Ratinas:

>oflector-Emitter Voltage. VcEqsus) ................................................. 500V
2ollector-Emitter Voltage, VCEV..................................................... 800V
f mitter-Base Voltage, VEB ........................................................... 6V
>ollector Current, lc
Continuous ..................................................................20A
Peak (Note 1) ................................................................ 30A
3ase Current, Ic
Continuous ................................................................ 1OA
Peak (Note 1) ................................................................ 30A
Total Power Dissipation (TC= +lOO°C), PD .......................................... IOOW
Total Power Dissipation (TC= +25OC), PD ........................................... 175W
Derate Above 25°C ....................................................... 1.OWI0C
3perating Junction Temperature Range, TJ ..................................-65" to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg ..........................................- 6 8 to +200°C
Thermal Resistance, Junction-t-Case, Rthjc .....................................1.O°CMI
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 118" from case, 5sec), TL .............. +275OC
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle s 10%.
 g t
.. t (Tc = +25OC unless otherwise specified)
Parameter 1 Symbol I
I I
Test Conditions I Min I Typ I Max 1 Unii
I I I I

FF Characteristics
dlector-EmMer Sustaining Vottage VcEqsus) IC= 1OOmA, 1s = 0 500 - - V
ollector Cutoff Current ICE= VCEV= 800V, VEqom= 1.5V - - 0.25 mA
ICE= VCE = 800v RBE= 50Q TC = +1000C - 5.0 mA
sitter Cutoff Current lEw VBE = 6V, IC
=0 - - 1.0 mA
3N Characteristics (Note 2)
DC Current Gain hFE VcE = 5V, IC= 5A 10 - 60
Cdlector-Emitter Saturation Vdtage VCE(&) IC= 1OA, Ig = 2A - - 1.8 V
IC= 20A, lg = 6.7A - - 5.0 V
Base-Emitter Saturation Voltage VBE(&) IC= IOA, IB= 2A - - 1.8 V
Dynamic Characteristics
Output Capacitance I C* IVcB = IOV, lE= 0, ftest= lkHz I 125 I - 1500 1 pF
Switching
- Characteristics (Resistive Load)
Dealy Time b VCC= 250V, IC = IOA, lei= 2A, - 0.02 0.1 ps
VsE(,ff) = 5V, t = 1OPS, - 0.3 0.7
Rise Time ps
Duty Cyde 5 $%
Storage Time $3
- 1.6 4.0 ps
Fall Time
- - -- --- -
4 - - -- - - - -- -
- 0.3 0.7 ps

Jote 2. Pulse Test: Pulse Width = 300ms. Duty Cycle 5 2%.

- .I35 (3.45) Max

. S O (8.89) --
I!
1 .875 (22.2)
Dia Max

4
*
T

.I56 (3.96) Dia

(2 Holes)

.I88 (4.8) R Max

.35) R Max
Base -/ ~ollector/~ase
 LEe"'rNt.lli lYS. I M C
FARRAND STREET

NTE3040
Optoisolator
NPN Transistor Output

he NTE3040 is a gallium arsenide, infrared emitting diode in a &Lead DIP type package coupled
ith a silicon phototransistor.

~-amxium_~arits: (TA = +25"C, unless otherwise specified)

~fraredEmitting Diode
. .
ower Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .200mW
Derate above 25°C ambient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6mWI0C .
.
oward Current (Continuous), Ic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
.
orward Current (Peak), Ic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
(Pulse Width Ipsec, 300pps)
everse Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

hototransistor
. .
-ower Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .200mW
.
Derate above 25°C ambient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6mW1°C
. .
2ollector to Emitter Voltage, VCEo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
. . .
2ollector to Base Voltage, VcBo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
fmitter to Collector Voltage, VEco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . , . . . . . . . . . 7V
. .
Zollector Current (Continuous), lc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Total Device
Storage Temperature, TsQ . . . . . . . . . . .. . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55" to + I 50°C
Operating Temperature, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .... . .. -55" to + I 00°C
.
Lead Soldering Temperature (10 seconds) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C .
Surge Isolation Voltage (Input to Output)
.
(Peak) . . .. . . . .. . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . l5OOV
(RMS) .................................................................... lO6OV

mctrical Characteristics: (TA = +25OC, unless otherwise specified)

Parameter Symbol I
Test Conditions 1 I Min I Typ 1 Max IUnit
Infrared Emitting Diode
Forward Voltage VF IF=lOmA - 1.1 1.5 V
Reverse Current IR VR= 3V - - I0 mA
Capacitance CJ V=O,f=lMHZ - 50 - pf
 rctrical Characteristics [Cont'd?: (TA= +25OC, unless otherwise specified)
Parameter I Symbol I Test Conditions I Min I Typ I Max I Unit
lototransistor
~llector-EmitterBreakdown Voltage V(B~)CEOIC= 10mA, IF= 0 30 - - V
:ollector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBOIC= 100p.A IF= 0 70 - - V
.mitter-Collector Breakdown Voltage VIBR)ECO lE= 100@, IF= 0 7 - - V
:ollector Dark Current l C ~ o VCE= 1OV, IF = 0 - 5 50 nA
2apacitance CJ VCE=lOV,f=lMHZ - 2 p f
>oupledCharacteristics
3C Current Transfer Ratio CTR IF= IOmA, VCE= IOV 6 - - %
2ollector-Emitter Saturation Voltage VCEqsatt)IF= 60rnA, Ic = 1.6mA 100 - - V
soiation Resistance q1-0)v(1-0)= ~ ~ V D C 100 - - GSZ
nput to Output Capacitance C(1-01 VII-o) = 0, f = 1MHz
- - 2 pf
Witching Speeds t, tf VCE = IOV, ICE= 2mA - 5 p s
R~= IooR - 3 -
t
=
'IcB I
ps
Pin Connection Diagram

Cathode H Collector

N.C. 9 Emitter

.260
(6.6)
Max

.085 (2.16) Max .I00 (2.54)

 I FARRAND STREET
LOOMFIELD, NJ 07003
6'3) 748-5089

NTE3087
Optoisolator
High Speed, Open Collector, NAND Gate Output
B s c m C
he NTE3087 is an optoisolator which combines a GaAsP LED as the emitter and an integrated high
ain multistage high speed photodetector. The output of the detector circuit is an open collector,
chottky clamped transistor capable of sinking 50mA. The open collector output provides capability
)r bussing, ORing and strobing. The NTE3087 is packaged in a plastic S p i n mini-DIP.
eatures:
LSTTL/TTL Compatible: 5V Supply
Ultra High Speed
Guaranteed Performance Over Temperature
High Isolation Voltage: 2500V-
:- (TA = O°C to +70°C unless otherwise specified)
put Forward Current (Note 2), IF.................................................. 20mA
ulse Forward Current (Note 3), IF^ ................................................ 40mA
everseVoltage,V R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5V
~utputCurrent, lo ............................................................... 50mA
3utputVoltage,Vo ................................................................. N
5upply Voltage (1 minute max), Vcc .................................................. 7V
f nable Input Voltage (Not to Exceed Vcc by More than 500mV) VEH ...................5.5V
3utput Collector Power Dissipation, Po ............................................ 85mW
.
3perating Temperature Range, Topr ...........................................O0 to +70°C
Storage Temperature Range, Tstg .........................................-55" to +125OC
solation Voltage (Note 3), BVs .................................................. 2500Vrms
Vote 1. Device considered a two-terminal device: Pinl, 2,3, and 4 are shorted together, and Pin5,
6, 7, and 8 are shorted together.
,Note 2. 50% Duty Cycle, 1ms Pulse Width.
Note 3. R.H. = 40 to 60%, ACIlmin.
Recommended Operatinu Conditions:
Parameter 1 Symbol
I -
I I
Test Conditions I Min I Typ IMax I Unit
I I I I

Input Current, Low Level (Each Channel) 1 lFL I I

1 0 I - 12501M
I I

Input Current, High Level (Each Channel) IFH 6.3 - 15.0 mA

Enable Voltage, Low Level (Output High) VEL 0 - 0.8 V
Enable Voltage, High Level VEH 2.0 - Vcc V
Operating Temperature TA 0 - 70 OC
I I I

Fan Out (JTL Load) I N I - 1 - 1 8 1

 ~Chatacteristics:
(TA = O°C to +70°C, Note 4 unless otherwise specified)
Parameter ] Symbol I Test Conditions 1 Min I
I
Typ I Max I Unit 1
gh Level Output Current lm Vcc=5.5V,Vo=5.5V,
IF= 250pA, VE = 2V
~wLevel Output Voltage
I I I 1 I I

ligh Levd EnaMe Current I JEH 1 VcC = 5.5V, VE = 2.OV I - I-1.01 - I mA

.ow Level Enable Current lEL VCC= 5.5V, VE = 0.5V - -1.6 -2.0 mA
iigh Level Supply Current l c C ~ VCC= 5.5V, IF= 0, VE = 0.5V - 7 14 mA
.ow Level Supply Current lea Vcc = 5.5V, IF= 10mA, VE = 0.5V - 12 18 mA
iesistance (Input-to-Output) R14 Vw = 500V, TA = +25OC - 1012 , a
Sapacitance (Input-to-Output) CK) f = 1MHz, TA = +25OC - 0.6 - pF
nput Forward Voltage VF IF= lOmA, TA = +25OC - 1.65 1.9 V
nput Reverse Breakdown Voltage V(BR)R IR= lo@, TA = +25OC 5.0 - - V
nput Capacitance GIN VF = 0, f = ?MHz - 30 - pF
hrrent Transfer Ratio CTR IF= 5mA. RI = ? O n - 1000 - %

late 4. All typical values at Vcc = 5V, TA = +25OC.

..
; (TA = +25OC, VCC= 5V unless otherwise specified)
Character~sttcs
Parameter symbor Test Conditions Min Typ Max Unit
.aropagation Delay Time tpLH RL = 350Q = 15pF. IF= 7.5mA - 60 120 ns
to High level Output
Propagation Delay Time ~PLH - 60 120 ns
to Low level Output
Output Rise-FalI Time (10% to 90%) ,t tf RL = 3504 CL = 15pF, IF
= 7.5mA - 30 - ns
Propagation Delay Time t~~~ RL = 35052 CL = 15pF, IF= 7.5mA, - 25 - ns
of Enable from V E to~ VEL VEH= 3V. VEL=0.5V
Propagation Delay Time ~ H L
- 25 - ns
of Enable from VELto VEH
Common Mode Transient Immunity CMH VcM = IOV, RL = 3504 - 150 - Vlps
at Logic High Outut Level Vo(rnin) = 2V. IF= OmA
Common Mode Transient Immunity CML VCM= IOV, RL = 350Q - -150 - Vlps
at Logic Low Outut Level VO(-) = 0.8V, IF= 5mA

Truth Table: (0.1pF bypass capacitor must be connected between Pin8 and Pins)

O Input Enable Output

l
 Pin Connection Diagram

Anode (+I

Cathode (-)
p*[-d VE
VOU~

N.C. b GND

.020(S08)Min
I
7
.390(9.9)Max
t r
Seating
1
 August 200(
#National Sernlcanducior

High Speed Dual Comparator

General Description sipation. H w v e r , the high speed, wide operating vdtage
range and low package count make the LM119 much more
The LM119 series are precision high speed dual compara- versatile than older devices like the LM711.
tors fabricated on a single monolithic chip. They are de-
signed to operate over a wide range of supply voltages down The LM119 is specitied from -5SC to +12SC. the LM219 is
specified from -2SC to +8SC, and the LM319Aand LM319
to a single 5V logic supply and ground. Further, they have
higher gain and lower input currents than devices like the are specified from O'C to +7O'C.
LM71O. The uncommitted collector of the output stage
makes the L M l l 9 compatibk with RTL, DTL and TTL as well Features
as capable of driving lamps and relays at currents up to 25 Two independent comparators
rnA. Operates from a single 5V supply
The LM319A offers improved precision over the standard Typically 80 ns response time at fin/
LM319, with tighter tolerances on offset vultage, offset cur- Minimum fan-out of 2 each side
rent, and voltage gain. m Maximum input current of 1 pAover temperature
Although designed primarily for applications requiring opera- Inputs and outputs can be isolated from system ground
tion from digital logic supplies, the LM119 series are fully m High common mode slew rate
specified for power supplies up to f1W. It features faster r e
sponse than the L M l l l at the expense of higher power dis-

Connection Diagram

DuaCln-Line Package
Typical Applications (Note 2)

-r----L Relay Driver

SV

v- 8
omnt I

Top View
Order Number LMIISJ, LM119J1883 (Note I),
Note2: Pin numbers are for metal can package.
LM219J. LM319J. LM319AM,
LM319M, LM319AN or LM319N Window Detector
See NS Package Number J14A. M14A or N14A
Note 1: Also available per SMWf 8601401 or JM3851W10306

VOW for vLT6 VIN 6 vm

Vom = 0 for VIN s V L ~ wVIN 2 V m

-mama
O 2000 National Semiconductor Corpaation DS005705 www.national.com CIB POL
 ,solute Maximum Ratings
- Storage Temperature Range
111319N319 (Note 9) Lead Temperature
(Soldering, 10 sec.)
lilitarylAerospace specified devices are required, Soldering Information
Ise contact the National Semiconductor Sales W c e l
ributors for availability and specifications. Dual-ln-Line Package
Solderina- (10
. sec.)
1Supply Voltage 36V Small Outline Package
put to Negative Supply Voltage 36V Vapor Phase (60 sec.) 215'C
und to Negative Supply Voltage 25V Infrared (15 sac.) 22032
und to Positive Supply Voltage lev See AN-450 "Surface Mounting Methods and Their Effect
srential Input Voltage f 5V on Product Reliability" for other methods of soldering
~tVoltage (Note 10) f15V surface mount devices.
ier Dissipation (Note 11) 500 mW
put Short Circuit Duration 10 sec Operating Temperature Range
1 rating (1.5 kR in series with
DO PF)

sctrical Characteristics (Note 12)

Parameter Conditions LM319A LM319 Units
Min Typ Max Min Typ Max
Offset Voltage (Note 13) TA = 25'C, Rs 1 5 k I 0.5 1.0 2.0 8.0 mV
Offset Current (Note 13) -
T, = 25'C 20 40 80 -200 nA
Bias Current , = 25'C
T 150 500 250 loo0 nA
re Gain -
T, = 25'C (Note 15) 20 I
40 8 40 VImV
m e Time (Note 14) TA = 25'C, V, = f 15V 80 80 ns
ation Voltage V, I -10 mV,
, I = 25 mA
TA = 25% 0.75 1.5 0.75 1.5 V
t Leakage Current VIN 2 10 mV,
, ,V = 35V,
V- = "GND = OV.. Ta = 25'C- I
0.2 10 0.2 I
10 I
u
.
A
W e t Voltage (Note 13) Rs 15k I 10 1 0 1 r n ~
t Offset Current (Note 13) 300 1 300 1 nA
t Bias Current 1000 1200 nA
t Voltage Range V, = f 15V f 13 f 13 V
V' = 5v, v- = 0 1 3 1 3 v
ration Voltage V' 2 4.5V, V- = 0 0.3 0.4 0.3 0.4 V
V, I -10 mV,,,,,I 5 3.2 mA
rrential Input Voltage f5 f5 v
tive Supply Current T, = 25'C. V' = 5V.V- = 0 4.3 4.3 rnA
itiie Supply Current
ative SUDDIVCurrent
te 10: F a supply vdtages less than f 15 the absdute maximum input voltage is equal to the supply voltage.
b 11: The maximumJunctionternperalum of the LM319Aand LM319 is S C . F a operating at elerated tampemtures, dwke3 in the H10 padragemust be d e
ed based on a thermal resistance of 180'UW. junction to ambient, or 19'UW. jundlon to case. The tharmal resfstance of the N14 and 514 padrage b 100'CIW.
tctlon to ambient. The Mermal resistam of the MI4 p a d q e is 11SC/W,jundion to ambient.
he 12: These spesikatamapply for Vs = f 1%. and O'C s TA5 7072. unless omerrrise stated. The oRset voltage. offset anent and bias cunent Speciticalions
ply for any supply voltage from a single 5V supply up to f15V suppfies. Do not operate the device with mcre than 16V from ground to Vs.
h, 13: The offset volteges and offset currents given are Ihe maximum values requiredto drive the output within a volt of either supply with a 1 mA load. Thus, these
gmeters define an w o r band and take inlu account me WO etfects
capeISI of vdlap gain and input impedance.
b 14: The response time specified is fa a 100 mV input step with 5 mV overdrive.
#e 15: Output is pulled up to 15V through a 1.4 M resistor.
Typical Performance Characteristics L M ~ A ~, ~ 3 (Continued)
1 9

Response Time for Various Response Time for Various Output Saturation Voltage
Input Overdrives lnput Overdrives

o w im 1s aos rse 3 r 3%
rmt In)
m7c6za

Supply Current Common Mode Limits Output Limiting

Characteristics
hematic Diagram

's
ry~icalDimensions inches (mil!imetws) unless othelwise noted (Continued)

D u a l - W n e Package (M)
Order Number LM319AM or W319M
NS Packega Number H 4 A

Molded DuaCin-Une Package (N)

Order Number LMNSAN or LM319N
NS P ~ k e g eNumber N14A
 ANEXO 6

EVALUACION ECONOMICA DEL EQUIPO.

 IUNIDAD. / ELEMENT0 I P UNITARIO. /TOTALI
15 Arandelas de porcelana 0.05 0.60
1 Bornera de 3 s e ~ i c i o s 1.50 1.50

/ 1 /c.I.Comparador LM319N / 2.50 12.501

1 2 /Diodes Zeners 1N4733A 1 0.70 / 1.40 /

1 3 l~iodos
Zeners 1N5383A 150V/5W. I 2.00 ( 6.00 1
1 Diseiio y Construccibn de tarjeta 25.00 25.00

1
I I I

1 l~umpermacho 0.05 / 0.05

I 1 / ~ e rojo
d 1 0.30 / 0.30 1
1
I I I

3 /metros de alambre de mbre esmaltado 0.25 1 0.75

1 1 l~ucleo
toroidal de ferrita 1 1-00 I 1.00 I
1 Optoacoplador 4N27 2.00 2.00
1 Optoacoplador NTE3087 13.00 13.00

4 Remaches 0.05 0.20

 1 Resistencia de 68 M 10 W. 0.50 0.50
1 Resistencia de 560 QI 114 W. 0.05 0.05
2 Resistencias de 0,lM 5 W 0.50 1 .OO

( 1 kocalo de 3 pines por lado

I
I 0.10 I 0.10 I
1 I~ocalode 4 pines por lado 0.10 0.10
1
I I I

1 I~ocalode 7 pines por lado 0.10 0.10

16 Tomillos 0.08 1.28
1 Transformador 1 10 V l 18 V de I A con T.C. 3.50 3.50

I
1 I I

1 (~ransistorNEC 0362 1.20 11.20

SUMA TOTAL: 85.68

El Costo total por las dos tarjetas con snubber es: 2x 85.68 = 171.36
 I
15 Arandelas de porcelana 0.05 0.60
I 1 l~omerade 3 servicios
I
I
I
1.50
I
1 I~ornerade 7 servicios 3.00 1 3.00

I 1 IC.I. Comparador LM319N 1 2.50

I 1 (capacitorde 0.1 uFI 50V I 0.10 1 0.10

4 Diodos 4007 0.30 1.20

2 Diodos Zener 1N4733A 0.70 1.40
1 3 IDiodos Zeners 1N5383A 150V15W. I 2.00 1 6.00

I 1 l~iseiioy Construocion de tarjeta

1 Disipador 2.00 2.00
I 1 l~umperhembra
I I I
1 l~umpermacho 0.05 1 0.05
1 Led rojo 0.30 0.30
1 Optoacoplador 4N27 2.00 2.00
1 Optoacoplador NTE3087 13.00 13.00
I 1 bocalo de 3 pines por lado I 0.10 1 0.10 1
II 1
1
I

pocalo de 4 pines por lado

p c a l o de 7 pines por lado
I

1
0.10
0.10
I

1
1
0.10
0.10 1
I

I 1
I I

1 bransformador 110 Vl 18 V de 1A con T.C. I 3.50 1 3.50

1 Transistor 2N2907A 0.40 0.40
1 Transistor 2N3904 0.40 0.40

1 Transistor NEC D362 1.20 1.20

I
I

PUMA TOTAL
I

I 77.98
I

El costo total por las dos tarjetas sin snubber es: 2 x 77.98 = 455.96

Por lo tanto, el costo en realizar las cuatro tarjetas Controladoras de

base es =I 71.36 + l55.96= 327.32 dolares.

IUNIDAD. I
I ELEMENTO I
I
P. UNITARIO I TOTAL /
I
26 lanillos de porcelana 0.05 1 1.30
20 Anillos metalicos 0.05 1.OO
1 Bornera de control de 7 servicios 1.50 1.50
2 Borneras de control de 2 servicios 0.50 1.OO
1 C.I. 74LS21P 1.OO 1.OO
5 C.I. 74LS47N 2.50 2.50

2 C.1.74LS04 0.50 1.OO

1 Capacitor de 47 uFI16V 0.10 0.10

1
I I 1

1 l~ristalde 24M Hz. 3.00 3.00

I 1 l~isefio y Construccion de tarjeta 1 25.00 / 25.00 1

5 Displays de 7 segmentos anodo c o m h 2.50 12.50
1 2 l~umpermachos I 0.05 / 0.10 1
2 Jumpers hembras 0.05 0.10
I

1
I I

1 l ~ e de
d color rojo 0.30 0.30
I 1 l ~ e de
I
d color verde 1
I
0.30 1
I
0.30 /
1 Microcontrolador 87C52 50.00 50.00

t
1 I I

1 Resistencia de 2K f21 114 W 0.05 0.05

 1 Zocalo de 10 pines por lado 0.10 0.10
1 Zocalo de 15 pines por lado 0.10 0.10
3 Zocalos de 7 pines por lado 0.10 0.30
I
5 ~ocalosde 8 pines por lado
I
0.10 I
I
0.50

1 Transistor D768K 1.20 1.20

SUMA TOTAL 113.5

( 1 l~ornerade 4 servicios 1 10 A 1 2.00 / 2.00 (

1
I I I

1 l~omerade 2 servicios 1 10 A 1.OO 1 1.00

1 4 jE3ornera de 2 servicios 1 3 A 1 0.50 1 2.00 1

1 Fusible de 10 A 0.10 0.10

10 Metros de alambre esmaltado 0.25 2.50
I 1 /~ucleo
I
Toroidal /
I
1.50 11.50
I
1
1 I~uenterectificador monofasico KBPC 1508 4.00 4.00

I I I

~SUMATOTAL 51.10
 FUENTE DC REGULADA DEL MICROCONTROLADOR.

IUNIDAD.~ ELEMENT0 I P. UNlTARlO (TOTAL

/ 12 pandelas de porcelana
/ 1 l~omerade 2 servicios I1 A

SUMA TOTAL 8.22

MODULO DEL INVERSOR

1 UNIDAD1 ELEMENT0 I P. UNlTARlO / TOTAL I

1 Acrilico protector de 42x63 cm 12.00 12.00
48 Amarras plasticas 0.02 0.96
26 Anillos porcelana 0.05 1.30
42 Anillos metalicos 0.03 1.26
1 Botonera de seis servicios 5.00 5.00
1 Breaker de 2301400V - 6A. 6.00 6.00
I 1 lcaja metalica
I I I

1 l~iseiiografco frontal (Portada) 35.00 35.00

1 Enchufe hembra y cable 110 V AC 3.00 3.00
I 1 l~nchufemacho de 110 V AC
I
1
I
1.00 11.00
I

4 Jack 0.25 1.OO

I 1 [lamina de 15x20 cm de acero
I
1
I
2.00 (
I
2.00
1 Lamina de 3x15 cm de acero 1.OO 1.OO
I 1 ( ~ upiloto
I
z 11OVI color verde I
I
0.80 1
I
0.80
10 Metros de cable # I 6 0.30 3.00

1 10 l ~ e t r o de
s cable #12 1
I
0.40 1 4.00
4 Niveladores 1.OO 4.00

1 Pulsador NC grande 120 V16 A color rojo 5.00 5.00

1 Pulsador NC Pequefio 0.40 0.40
1 Pulsador NO grande 120 V16 A color verde 5.00 5.00
1 Resistencia de 0,1 Ql 15 W 0.50 0.50
1 Super Bonder 2.00 2.00
30 Terminales 0.10 3.00
50 Tomillos 0.08 4.00
2 Tornillos de 4x10 mm 0,15 0.30
64 Tuercas 0.05 3.20
SUMA TOTAL 155.12

El Costo total del equipo es de :

319.72+113.5+51.1+8.22+155.12= 655.26 dolares.

[1] Gonzalez Jose A., INTRODUCCION A LOS MICROCONTROLADORES,

Mc. Graw-Hill, 1992.

[2] Gualda J., Martinez S., Martinez P., ELECTRONICA INDUSTRIAL:

TECNICAS DE POTENCIA, Alfaomega, 1992.

[3] Hart Daniel W., INTRODUCTION TO POWER ELECTRONICS, Prentice

Hall International, 1997

[4] Kosow Irving, MAQUINAS ELECTRICAS Y TRANSFORMADORES,

Prentice-HallHispanoamericana S.A., 1974.

[5] Mohan N., Robins W., POWER ELECTRONICS, John Wiley- Songs Ing.,

1995.

[6] Muhamed Rashid, ELECTRONICA DE POTENCIA, Prentice Hall

Hispanoamericana S.A. , 1993.