Boletin Tema1 2019

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Boletín de Problemas de ELECTRÓNICA FÍSICA

Tema 1: Física de Semiconductores

1. En condiciones de equilibrio térmico:


a) Calcule la concentración de portadores a T ambiente (300K) de un semiconductor
de Silicio dopado con 1015at/cm3 de fósforo. Suponer el 100% de las impurezas
ionizadas.
b) Obtenga la posición del Nivel de Fermi:
i Tomando como referencia Ei.
ii Tomando como referencia EC.

2. Calcule la máxima concentración de impurezas que puede tener un semiconductor para


que sea no-degenerado en estos casos:
a) Semiconductor tipo N.
b) Semiconductor tipo P.

3. Obtenga ecuaciones simplificadas para el cálculo de portadores y posición de Nivel de


Fermi a T ambiente en semiconductores compensados (con ambos tipos de impurezas):
a) En el caso que ND >> NA.
b) En el caso que NA >> ND.
Suponga que en ambos casos se verifica |ND-NA|>> ni.

4. Sea silicio dopado con ⁄ y con una vida media de portadores en


exceso de 1µs:
a) Si se ilumina uniformemente con una luz que genera 1017 portadores por segundo
y cm3, calcule la variación con el tiempo de los portadores de este semiconductor.
b) Después de estar iluminando durante un tiempo muy largo, se apaga la luz,
calcule de nuevo la evolución temporal de los portadores.
Suponga T = 300K.
5. A una barra de semiconductor de área A y longitud L, dopada uniformemente con
⁄ impurezas donantes se le aplica un potencial V en sus extremos, tal
como se indica en la figura:
a) Obtenga la relación I-V en estado estacionario, indicando las aproximaciones
efectuadas.
b) Se ilumina uniformemente la barra con un haz que genera ⁄ .
¿Cómo sería la nueva relación I-V? Suponer estado estacionario, bajo nivel de
inyección y despreciar los efectos superficiales.
c) Explicar los cambios en los apartados anteriores si el material fuera dopado con la
misma cantidad de impurezas, pero aceptoras.
6. a)Compare la Resistencia que presentarán dos capas de material, una de Arseniuro de
Galio (AsGa) y otra de Silicio (Si), con las mismas dimensiones y dopado, cuando se le
aplica una diferencia de potencial V entre sus extremos.b)Explique qué ocurre si la
distancia entre sus terminales es muy pequeña.

7. El coeficiente de temperatura de una Resistencia se define como:

TCR

Suponiendo que tenemos Silicio tipo n con dopado N D  ni :

a) Calcular el valor de dicho coeficiente a T ambiente.


b) Explicar cómo incidirá la cantidad de dopado.
c) ¿Variará el TCR si el semiconductor es tipo P? ¿y si es intrínseco?
Razone las respuestas.
8. Se dispone de un semiconductor de Silicio dopado con 1016 at/cm3 de Boro, y de otro
semiconductor compensado con 1018 at/cm3 de Boro y 9.9·1017 at/cm3 de Fósforo.
a) Establezca una comparación de la movilidad y conductividad de ambos
semiconductores a temperatura ambiente.
b) Asimismo, compare las dependencias de dichos parámetros respecto a la
Temperatura en ambos casos. Suponga que todas las impurezas se encuentran
ionizadas.

9. a) Explique cuál es el comportamiento de la velocidad de arrastre de los portadores en


un semiconductor con el campo eléctrico, a qué se debe este fenómeno y cuál es la
importancia que tiene en las tecnologías actuales.
b)Para modelar este fenómeno, se puede definir la movilidad efectiva como:
0

 0
1
v sat

c) Si se tiene un semiconductor de 0.2µm de largo y se le aplica una diferencia de


potencial de 1V entre sus extremos:
i Calcule el campo eléctrico y la movilidad efectiva de dicho
semiconductor.
ii Calcule la máxima tensión permitida para que la movilidad efectiva
disminuya sólo un 10% respecto a su valor máximo.
Comente los resultados obtenidos.
2
Datos:  0  1470 cm , vsat  10 7 cm
V ·s s
10. Supongamos un semiconductor en equilibrio que tiene una estructura cristalina de
forma que se le puede aplicar el modelo de enlace covalente.
a) Describa en qué consiste dicho modelo y cómo puede explicar el tipo y la
concentración de portadores que tendrá dicho semiconductor a temperatura
ambiente.
b) Discuta como cambia dicha concentración en función del número atómico:
i Si el semiconductor tiene un número atómico Z al que se le introducen
impurezas de otro material tipo Z+1, indique cómo se verá afectado el
número de portadores.
ii ¿y si las impurezas son del tipo Z-1?

11. La densidad de corriente total que circula por un semiconductor es constante e igual a
⁄ . Está compuesta por una corriente de arrastre de electrones y una
corriente de difusión de huecos. La concentración de electrones es constante e igual a
⁄ La concentración de huecos viene dada por:

( )
( )

Donde , la constante de difusión de huecos es ⁄ y la

movilidad de los electrones es ⁄ Calcule y dibuje para

a) La densidad de la corriente de huecos.


b) La densidad de la corriente de electrones.
c) El campo eléctrico.

12. Se puede considerar como una aproximación razonable que la dependencia con la
temperatura de la concentración intrínseca de portadores, tiene forma exponencial,

( ) , donde C y son constantes. Si suponemos un material de
Silicio:
a) Calcule la temperatura para que se incremente por un factor 10 respecto a
temperatura ambiente.
b) ¿Cuál sería el valor de a temperatura ambiente de un material con una banda
prohibida de un 30% mayor que la del silicio.
13. En un semiconductor, la probabilidad de que los electrones ocupen estados de energía
es de . Determinar la posición del Nivel de Fermi en dicho material.
14. Un dispositivo de Silicio está caracterizado por el diagrama de bandas que se muestra
en la figura:

Ec

Ei

EF Ev
EG/3
A

x1 x2
0 L/3 2L/3 L x

a) Dibuje el potencial electrostático de este semiconductor.


b) Dibuje el campo eléctrico.
c) ¿Se dan condiciones de equilibrio?
d) Indique si en alguna posición el semiconductor es degenerado.
e) En , calcule la concentración de huecos.
f) Obtenga la densidad de corriente total de electrones total que fluye en .
g) ¿Cuál es la densidad de corrientes de arrastre de huecos en ?
h) Obtenga la energía cinética de un hueco en la posición A marcada en .
15. Tenemos una barra de semiconductor tipo N en el que hemos inyectado portadores
minoritarios en uno de sus extremos. Realice las siguientes suposiciones: estado
estacionario, bajo nivel de inyección, no hay campo eléctrico y no hay iluminación:
a) Obtenga, partiendo de las ecuaciones de continuidad cuál es la ecuación a resolver
para calcular ( ).
b) Suponiendo que la barra es muy larga y el valor de portadores en un extremo de la
barra es es ( ) y en es 0, deduzca ( ).
c) ¿Y si la barra tiene una longitud de valor W?
Solución:
a) La ecuación a resolver es: La solución es:
( ) +

siendo la Longitud de difusión: √ .

b) Si la barra es infinita, con un valor de ( ) . La expresión queda simplificada a

( ) ( ) .
c) Si la barra es finita, de dimensión W, la expresión resultante es:

( )
( ) ( )[ ]
( )

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