Boletin Tema1 2019
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TCR
11. La densidad de corriente total que circula por un semiconductor es constante e igual a
⁄ . Está compuesta por una corriente de arrastre de electrones y una
corriente de difusión de huecos. La concentración de electrones es constante e igual a
⁄ La concentración de huecos viene dada por:
( )
( )
12. Se puede considerar como una aproximación razonable que la dependencia con la
temperatura de la concentración intrínseca de portadores, tiene forma exponencial,
⁄
( ) , donde C y son constantes. Si suponemos un material de
Silicio:
a) Calcule la temperatura para que se incremente por un factor 10 respecto a
temperatura ambiente.
b) ¿Cuál sería el valor de a temperatura ambiente de un material con una banda
prohibida de un 30% mayor que la del silicio.
13. En un semiconductor, la probabilidad de que los electrones ocupen estados de energía
es de . Determinar la posición del Nivel de Fermi en dicho material.
14. Un dispositivo de Silicio está caracterizado por el diagrama de bandas que se muestra
en la figura:
Ec
Ei
EF Ev
EG/3
A
x1 x2
0 L/3 2L/3 L x
( ) ( ) .
c) Si la barra es finita, de dimensión W, la expresión resultante es:
( )
( ) ( )[ ]
( )