Numero 08
Numero 08
Numero 08
Sedes:
•Ciudad Universitaria, ubicada en la Ciudad de México, Distrito Federal pceim@www.posgrado.unam.mx
•Centro de Ciencias de la Materia Condensada, ubicado en la Ciudad de Ensenada, Estado de Baja California heiras@ccmc.unam.mx
•Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada, ubicado en Campus UNAM de Juriquilla, Qro. castano@fata.unam.mx
•Centro de Investigación en Energía, ubicado en la Ciudad de Temixco, Estado de Morelos. wrgf@cie.unam.mx
CALENDARIO
Cursos Propedéuticos:
Registro definitivo de aspirantes:
Reunión Informativa para aspirantes: REGISTRO DE ASPIRANTES:
Exámenes de diagnóstico: Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM,
Entrevista con el Subcomité de Admisión y Becas: Ciudad Universitaria, Apdo. Postal 70-360, Coyoacán, 04510,
Publicación del resultado final del proceso de admisión: México, D. F.
Inicio del semestre: Tel: 56224731, Fax: 56224730
Fin de curso:
Presentación
Noticias 4
ISSN 1665-7071
Certificado de reserva de derechos al uso exclusivo del título Premio a la mejor tesis doctoral
Núm. 04-2003-041612533600-102. Certificado de Licitud de en el área de Ciencia e Ingeniería de
Título 12619 y Certificado de Licitud de Contenido 10191.
Impresa en Editorial Color, s.a. de c.v. Naranjo 96-bis, Santa
Materiales 42
María la Ribera, 06400 México, d.f. Tatsuo Akachi Miyazaki
Agradecemos a la Galería de Arte Mexicano y a los artistas plásticos
cuyas obras se reproducen en estas páginas su valiosa colaboración.
Damos las gracias también a la Fundación Cultural María y Pablo
Unos cuantos versos y un consejo 47
O’Higgins, A.C., a Oscar Gutman por permitir la reproducción Pedro Bosch Giral
de su obra y a Josel por sus collages.
Impreso en México
NOTICIAS
laboratorio, que funcionan en el rango
de las microondas. Se piensa que el in-
tervalo de frecuencias se puede extender
al infrarrojo y aun al espectro visible con
sistemas llamados cristales fotónicos. La
propuesta es rodear el objeto en cuestión
Agua metálica con una capa de metamaterial, de esta
forma los rayos de luz rodean el objeto
Debido al gran avance que se ha logrado, siguiendo trayectorias dentro de la capa
tanto en técnicas experimentales como y salen sin ser perturbados, por lo que
computacionales, ahora es posible estu- un observador externo no se percataría
diar la materia bajo condiciones extremas de la presencia del objeto. La aplicación
de presión y temperatura; encontrándo- práctica más cercana es de tipo militar,
se en muchos casos propiedades físicas pues se pueden cubrir aviones con capas
sorprendentes. Éste es el caso del agua, de metamaterial para hacerlos invisibles
cuyo diagrama de fases se ha estudiado a los radares. Science, 312 (2006) 1777 y
teóricamente en condiciones extremas 312 (2006) 1780.
de altas presiones y temperaturas. Por
ejemplo, se ha encontrado una fase Materia supercaliente
“superiónica”, en la que los átomos de ¿Invisibilidad?
hidrógeno se desligan de los de oxígeno Ahora es posible obtener temperaturas
y se pueden mover libremente como io- Hacer invisibles los objetos puede pa- extremadamente altas en laboratorios
nes dentro de la estructura rígida forma- recer ciencia ficción, pero la posibilidad terrestres. Esto se ha logrado con un dis-
da por los átomos de oxígeno. También no está lejos de ser real. Se han hecho positivo experimental llamado “la má-
se ha hallado una nueva fase: la metálica, propuestas teóricas serias para abordar quina Z”, que en su parte fundamental
que aparece a una temperatura de 4000 el problema de hacer indetectables los funciona al cargar capacitores en parale-
K y presiones de alrededor de un millón objetos ante la incidencia de radiación lo que, al descargarse sobre alambres de
de atmósferas. Se piensa que esta fase electromagnética. También existe la tungsteno, generan corrientes eléctricas
del agua podría existir en los planetas materia prima para elaborar “capas de de 20 millones de amperes. La corriente
gigantes como Júpiter y Neptuno. Phys. invisibilidad”, que son materiales ar- eléctrica genera campos magnéticos in-
Rev. Lett., 97 (2006) 017801. tificialmente creados por el hombre, tensos que confinan el material fundido
llamados metamateriales. Consisten en y producen un efecto de implosión. En
arreglos periódicos de anillos y alam- este proceso se generan temperaturas
bres metálicos que tienen propiedades del orden de 2000 millones de grados
ópticas desconocidas en los materiales Celsius y rayos X de alta intensidad.
ordinarios: presentan un índice de re- Phys. Rev. Lett., 93 (2004) 145002 y 96
fracción negativo. La historia de estos (2006) 075003.
materiales comenzó en 1964, cuando
el físico ruso V.G. Veselago propuso
teóricamente la existencia de materiales
que tuvieran la permisividad eléctrica
y la permeabilidad magnética simultá-
neamente negativas. Estas suposiciones
no violan ningún principio físico pero
dan como resultado nuevas propiedades
ópticas, tales como la existencia de un
índice de refracción negativo en el que
la triada de vectores compuesta por el
campo eléctrico, el magnético y el vector
de onda obedecen la denominada regla
de la mano izquierda. Debido a esta ca-
racterística, estos sistemas se conocen
también como materiales zurdos. En
2000 se crearon metamateriales en el
Contenedores de hidrógeno
and Engineering Laboratory). Después materiales tienen aproximadamente un ronas afectadas. Si se reduce el nivel de
de un controvertido proceso para elegir millón de veces más defectos de red que proteínas defectuosas podría obtenerse
un proyecto ganador, la Nacional Scien- los diodos de AlGaAs y otros diodos en un beneficio terapéutico importante.
ce Foundation (NSF) acaba de anunciar película delgada convencionales, lo que Nature, 441 (2006) 513.
la reapertura de recepción de propuestas en principio significaría una pérdida de
para el diseño conceptual del laboratorio luminosidad; sin embargo, los investi- Patente y género
subterráneo. El proceso considera una gadores de la Universidad de Tsukuba y
primera etapa con apoyos de 500 000 otros colaboradores en Japón y Estados De acuerdo con la Escuela de Negocios
dólares para los grupos (tres a cinco) Unidos proponen la existencia de pe- de Harvard, las patentes presentadas por
que presenten los mejores proyectos queñas estructuras en forma de cadenas mujeres que trabajan en investigación
de diseño. La idea original proviene de In-N-In-N-In que capturan porta- en ciencias naturales representan sólo
de la reutilización de una mina de oro dores positivos de carga y son los sitios 40 por ciento de las solicitadas por los
abandonada en Lead, Dakota del Sur. El de emisión de luz. Chem. & Eng. News, hombres. Los autores analizaron a los
costo estimado de la inversión asciende 84 (2006) 38. científicos que terminaron su doctora-
a 300 millones de dólares y la decisión do entre 1967 y 1995 y no encontraron
final se dará a conocer en la primave- evidencia de que las mujeres realicen
ra del próximo año. Science, 313 (2006) investigaciones menos importantes; sin
285. embargo, tienen menos contactos con la
industria. Las mujeres manifestaron que
¿Que hace a los LEDs el proceso de identificar una idea que sea
azules más brillantes? comercialmente interesante implica de-
dicar mucho tiempo al proceso; comen-
Los diodos emisores de luz azul, que re- taron también que buscar esa utilidad
presentaron una novedad hace sólo unos comercial podría entorpecer su carrera
cuantos años, se utilizan actualmente en académica. El apoyo formal por parte
una gran variedad de aplicaciones, en de las instituciones es un factor iden-
particular en aquellas relacionadas con tificado como importante por las mu-
el despliegue digital de imágenes. Estos jeres. De acuerdo con el estudio, estas
dispositivos, basados en GaN y otros diferencias se han acortado en las nuevas
compuestos similares que contienen In generaciones de científicos. Science, 313
y Al, presentan una brillantez inusual (2006) 665.
que ha sorprendido a los expertos. Estos
Radicales libres y muerte
neuronal
O R
R=Me, Bn, n–Bu, iBu
HO KO
17-β-estradiol
OK
O R
O
Ana Montiel, 2005. Fotografías de la serie “París
Figura 4. Actividad de los parabenos. en noviembre” (detalle).
Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 9-14 13
3 J.R. Byford, L.E. Shaw, M.G.B. Drew, Q. Xie, J. Wu, R. Perkins, J.D. Walker,
G.S. Pope, M.J. Sauer, P.D. Darbre, W. Branham, D.M. Sheehan, Environ-
Journal of Steroid Biochemistry & Molecular mental Health Perspectives, 110 (2002)
Biology, 80 (2002) 49–60. 29-36.
4 P.D. Darbre et al., J. Appl. Toxicol., 24 12 H. Fang, W. Tong, L.M. Shi, R. Blair,
Environ. Health Perspecives., 110 (2002) Williams, P.B. Sigler, Proc. Natl. Acad.
29-36. Sci. USA, 95 (1998) 5998-6003.
6 R.L. Elder, J.Am.Coll.Toxicol., 3 (1984) 14 H. Chermette, Journal of Computational
gés, J. Antimicr. Chemotherapy, 55 (2005) Still, J. Am. Chem. Soc. 111 (1989) 4379;
Perspectivas 1013-1015. b) M. Saunders, K.N. Houk, Y.D. Wu,
Si bien es cierto que el desarrollo de 10 I.F. Nes, T. Eklund, J. Appl. Bacteriol., W.C. Still, M. Lipton, G. Chang, W.C.
diversos materiales ha hecho nuestra 54 (1983) 237-242. Guida, J. Am. Chem. Soc., 112 (1990)
vida infinitamente más operativa, es 11 H. Hong, W. Tong, H. Fang, L. Shi, 112, 1419.
conveniente de vez en cuando detener-
se a analizar las posibles consecuencias
del uso de ciertos materiales, sobre todo
cuando se trata de aquellos que, de una
u otra forma, incorporamos a nuestro
organismo. En el caso de los parabe-
nos, nuestro propósito es estudiarlos
a través de cálculos precisos dentro de
los métodos de la mecánica cuántica,
para sentar un precedente de la posi-
ble actividad estrogénica, así como de
la actividad antibacteriana. Con el uso
de herramientas de la química compu-
tacional podremos asignar un índice de
reactividad relacionado con la capacidad
carcinogénica, que nos ayude en un fu-
turo a hacer predicciones que nos aler-
ten sobre el uso de agentes químicos en
productos de uso cotidiano que pueden
tener efectos nocivos en la salud.
Bibliografía
1 Soni et al., Food Chem. Toxicol., 39
(2001) 513-532.
2 P.D. Darbre, J.R. Byford, L.E. Shaw,
Sobre la electroquímica
y los materiales
Arturo Manzo–Robledo,* Laboratorio de Electroquímica y Corrosión, Escuela Superior
de Ingeniería Química e Industrias Extractivas (ESIQIE), IPN.
Josel. Collage.
16 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 15-20
ZnSO4 (aq)
Celdas electroquímicas CuSO4 (aq)
En las celdas electroquímicas general-
mente ocurren procesos redox.5 Existe
una gran diversidad de celdas electro-
químicas, cada una difiere de la otra en la
forma en que se lleva a cabo la reacción:
celda electrolítica, celda galvánica, celda Zn(s) Zn2+(aq)+2e– Cu2+(aq)+2e– Cu(s)
fotoelectrolítica, celda fotogalvánica.
Se puede crear una celda electroquí-
mica (figura 1) al introducir dos elec- Figura 1. Representación de una celda electroquímica galvánica (celda de Daniell).
(8)
La termodinámica describe el equilibrio
dN
dt
=
1 dQ
nF dt
de un sistema
Como se observa, es fácil demostrar obtenida en el proceso electroquímico de intercambio (i0). Butler y Volmer es-
que la variación en el número de moles redox: la suma de la corriente cinética y tudiaron estos fenómenos y su corres-
(N) es una función de la corriente que la corriente de difusión. pondiente análisis matemático y los re-
pasa por el circuito eléctrico. Si susti- La figura 3 muestra las características sultados están resumidos en la ecuación
tuimos la ecuación (6) en (8) se cumple de corriente (i) versus potencial (E) para de Butler–Volmer; la deducción de esta
que: un proceso catódico (primer cuadrante) ecuación y algunas de sus variantes apa-
y anódico (segundo cuadrante). recen en la bibliografía.6 Los fenómenos
(9) De esta figura es posible verificar de transporte se explican con la ecuación
dN i
= = velocidad (mol / s) que a potenciales comprendidos entre de Koutecky–Levich y la técnica de Ro-
dt nF
50 y 200mV (parte anódica) y -50 a -200 tating–Ring Disk Electrode (RRDE).6
mV (parte catódica), existe una región
Sin embargo, a la gran mayoría de lineal cuya corriente corresponde a efec- Electroquímica y
las reacciones electroquímicas les afecta tos cinéticos (ik). A partir de 200mV (o termodinámica
el transporte de materia. La difusión de -200mV) se presentan los efectos difu- La cinética describe, por lo tanto, el
las especies del seno de la solución a la sionales; en consecuencia, la corriente estado de evolución del flujo de masa
superficie del electrodo modifican la ci- estará dada por la parte de transporte re- a través de un sistema, incluyendo el
nética de la reacción global. En general, presentada en la ecuación (10), es decir, estado próximo al equilibrio y, en con-
estos efectos se representan matemática- iD. También las pendientes (conocidas secuencia, el estado dinámico en dicho
mente de acuerdo con la ecuación: como pendientes de Tafel) sistema. La termodinámica, por su parte,
describe únicamente el equilibrio. Sin
(10) embargo, la termodinámica predice la
1 1 1 (1-a) nF anF
= + ; - factibilidad de que una reacción redox
iT ik iD RT RT
se lleve a cabo. Si suponemos que un
Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 15-20 19
vítreo
energía
región de banda
prohibida
(15) ocupado
banda de valencia
ΔG = -nFE ocupado
dos materiales (figura 5b), confirma el molecular del electrodo, en las secuen- mejoramiento del medio ambiente y,
hecho de la diferencia tan marcada en el cias primarias del fenómeno electroquí- también, despertar el interés de los jó-
sobrepotencial y, en consecuencia, en la mico y en el desarrollo y caracterización venes investigadores mexicanos.
trasferencia de electrones: los electrones de nanocatalizadores soportados sobre
deben “saltar” de la banda de valencia a dichos sustratos. En este contexto, el Bibliografía
la de conducción y esta barrera de ener- desarrollo de métodos analíticos in situ 1 J.L. Rosenberg, Química general,
gía es más grande en semiconductores. de alta resolución para el estudio de su- McGraw Hill, 1980.
Además, este sobrepotencial (corriente perficies ha esclarecido algunos aspectos 2 M. Samuel H., Fisicoquímica fundamen-
prácticamente igual a cero) corresponde que se desconocían en la década pasada. tal, México, Limusa, 1980.
a la carga del capacitor que se genera en Por otro lado, la electroquímica toma 3 R. Chang, Química, México, McGraw
la doble capa o interfase (película cerca- ventaja de metales de transición que ac- Hill, 2002.
na a la superficie del electrodo, véase el túan como mediadores redox.13 4 C.R. Metz, Fisicoquímica, McGraw
circuito eléctrico en la figura 2). Por tal Una manera de acelerar el proceso Hill, 1976.
motivo, en ocasiones esta corriente se de electrorreducción es modificar la su- 5 Skooge, West, Holler, Crounch, Quí-
denomina “corriente capacitiva”. perficie de un electrodo (sustrato) con mica analítica, McGraw Hill, 2000.
Las transformaciones de la materia una subcapa de un metal donador de 6 A.J. Bard, L.R. Faulkner, Electroche-
vía electroquímica son un tema de in- átomos (metal ad-atom) vía depósito elec- mical Methods: Fundaments and Applica-
terés creciente. Se pueden mencionar troquímico (underpotential deposition).14 tions, John Wiley & Sons, Nueva York,
por ejemplo las reacciones de la electro- Otra forma es el uso de materiales de 2001.
oxidación de metanol para aplicaciones estructura similar al carbón (DLC, dia- 7 G. Prentice, Electrochemical Engineering
de energía portátil; la electrorreducción mond-like carbon), como el BDD, debido Principles, The Johns Hopkins Universi-
del oxígeno,11,12 reacción importante a su gran sobretensión catódica (ciné- ty, Prentince Hall, Baltimore, 1991.
en pilas de combustible (fuel cells) y en tica lenta de evolución de hidrógeno y 8 A. Manzo–Robledo, A.C. Boucher, E.
la prevención de la corrosión. Actual- oxígeno) comparada con otros metales Pastor, N. Alonso–Vante, Fuel Cells, 2
mente, algunos puntos importantes y semiconductores.10,15 (2002) 109.
en las investigaciones en estas áreas se Finalmente, también se puede men- 9 M. González Pereira, M. Dávila Jimé-
centran en cómo las moléculas interac- cionar como una alternativa viable el nez, M.P. Elizalde, A. Manzo–Roble-
cionan con el sustrato–electrodo (e.g., uso de catalizadores metálicos o bime- do, N. Alonso–Vante, Electroch. Acta, 49
carbón vítreo-GC-, Pt, Rh, Pd, In), en tálicos de tamaño nanométrico deposi- (2004) 3917.
la relación entre la estructura atómica y tados sobre sustratos modelo como el 10 A. Manzo–Robledo, “Réduction
electroquímica, la variación del tamaño so–Vante, J. Phys. Chem. B., 108 (2004)
de partícula (soportadas o no soportadas) 11024.
y/o la ruta de preparación, les confiere 12 H. Yang, C. Coutanceau, J.M. Leger,
Nanocúmulos de silicio:
hacia el láser de silicio
Oscar Gutman, 2005. Gráfica digital de la serie “Andamio para un cielo” (detalle).
22 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 21-30
La integración completa de la óptica que está pasando de los laboratorios aca- por cables metálicos producen mucho
y la electrónica requiere, sin embargo, la démicos a los fabricantes de chips. más calor que la luz a través de fibras
fabricación de diodos emisores de luz “La microelectrónica se enfrenta al ópticas.
(LEDs, del inglés light emitting diodes) problema de que el principal retardo en El láser es la mejor fuente de luz para
y/o láseres de silicio, sobre la misma los circuitos no se debe a la velocidad la transmisión de datos. Si una PC tie-
oblea de silicio que contiene detectores de las puertas lógicas, sino al cableado” ne un lector de CD o de DVD, hay un
y dispositivos electrónicos. Por des- explica Lorenzo Pavesi, un profesor de pequeño láser también. Para conseguir
gracia, como es bien sabido, el silicio física experimental de la Universidad la promesa de la fotónica, sin embargo,
es un emisor de luz extremadamente de Trento. Es lo que se llama “cuello los fabricantes de chips necesitan poner
ineficiente y por esta razón ha tenido
una influencia y un desarrollo muy re-
ducidos en el campo de la fotónica (dis- La integración de la optoelectrónica
positivos emisores de luz, como LEDs
y láseres). En la tecnología actual, los depende de que el silicio pueda mejorar
dispositivos semiconductores emisores
de luz se fabrican casi exclusivamente a su capacidad para emitir luz
partir de semiconductores compuestos
III-V y II-VI, de banda directa, como
el arseniuro de galio, el fosfuro de in- de botella de interconexión”. Por si un láser no en el interior del ordenador,
dio, el zinc selenio, el nitruro de galio fuera poco, los diseñadores de PCs y sino en el interior de un chip de sili-
y otros, los cuales tienen eficiencias de de procesadores están preocupados por cio: han de construir un láser de silicio.
emisión de luz mucho mayores que el la potencia disipada en forma de calor, Hoy en día los láseres son relativamente
silicio. A pesar de que en la actualidad potencia que, de seguir creciendo al rit- fáciles de fabricar y son bastante comu-
existe una gran diversidad (en frecuen- mo actual, podría hacer que un CPU nes en comunicaciones, pero aún son
cias y potencias) de láseres construidos ardiera. Pavesi asegura que “la fotónica demasiado grandes y caros como para
con semiconductores compuestos, su jugará un importante papel en la reso- caber en un chip. Para conseguir com-
integración directa sobre una oblea de lución de estos cuellos de botella”.1 La putación fotónica asequible en un chip,
silicio ha probado ser muy problemá- luz es inherentemente más eficiente que los fabricantes han de conseguir que el
tica. Cabe señalar que el láser, por ser la electricidad. Es más rápida y se puede propio silicio emita luz láser que se pue-
una fuente de luz coherente y de alta multiplexar (una fibra puede transportar da activar y desactivar para transmitir
densidad de energía, es preferible sobre varios canales a diferentes frecuencias) y, información digital. Desgraciadamente,
otras fuentes de luz como los LEDs, ya como cualquier poseedor de una laptop el silicio no es un buen elemento para
que la luz incoherente de estos últimos con un procesador Pentium IV puede fabricar un láser. Se han intentado varias
no es suficiente para hacer interconexio- asegurar, los electrones que se mueven estrategias para conseguir que el silicio
nes de alta velocidad y densidad, debido
a las ineficiencias ópticas para enfocar la
luz incoherente.
Electroluminiscencia
silicio, en todo el mundo se han realiza- 12
80 K absorben la luz que atraviesa el silicio y
110 K
do numerosos esfuerzos por soslayar de 180 K cuyo efecto se potencia sobre todo para
diferentes maneras el inconveniente del 260 K altas intensidades de luz.
8
gap indirecto, para aumentar su eficien- 300 K Un grupo de investigadores del ma-
cia luminiscente y obtener dispositivos yor fabricante del mundo de microchips
4
emisores de luz basados en el silicio. resolvió el problema, llamado absorción
Las estrategias seguidas para lograr este de dos fotones, con una técnica propia
0
fin son las siguientes: a partir de silicio 1.030 1.080 1.130 1.180 1.230 del mundo de los semiconductores:
volumétrico ultrapuro, a partir del sili- crearon regiones tipo p+ y tipo n+ al-
Longitud de onda (nm)
cio nanoestructurado, a partir del silicio rededor del trayecto del rayo (lo que se
dopado con erbio y a partir de cascadas Figura 4. Espectros de emisión típicos en fun- conoce como estructura PIN), dejando
ción de la temperatura de los dispositivos emi-
cuánticas de silicio–germanio. sores de luz basados en el silicio en bulto que
así para el trayecto del láser una zona
emplean dislocaciones para confinar a los porta- fuertemente empobrecida que “aspi-
Dispositivos luminiscentes dores y propiciar la recombinación radiativa. ra” a los electrones y evita que ocurra
basados en el silicio volumétrico
ultrapuro
En el silicio en bulto ultrapuro el núme- Existen varias estrategias para obtener
ro de impurezas que constituyen centros
de recombinación no radiativos se redu- diodos emisores de luz basados en silicio
ce al máximo y es posible observar una
emisión eficiente de luz. Las superficies volumétrico ultrapuro
también son centros de recombinación
no radiativos, por lo que deben ser pasi-
vadas con óxido de silicio o nitruros de área de las regiones de dopaje a las áreas absorción en la zona por donde pasa el
silicio. Con esta idea se han seguido dos de contacto, entre otras medidas.3 De haz láser. En la figura 5 se muestra un
estrategias para obtener diodos emisores esta manera se obtuvieron diodos con esquema del láser de silicio fabricado
de luz basados en silicio. En la primera eficiencias de potencia cercanas a uno utilizando el efecto Raman. Un rayo
se han diseñado diodos en los que se por ciento. El espectro de electrolumi- continuo generado a partir de silicio,
reduce al máximo la recombinación no niscencia de los diodos así obtenidos es que es luz infrarroja, podría dejar atrás
radiativa: se utilizan sustratos de alta ca- típico de la recombinación banda–banda las limitaciones de costos y tamaño de
lidad, se pasivan las superficies con óxi- y ocurre en la región del infrarrojo cer- los actuales sistemas usados en cirugía y
dos térmicos de alta calidad y se limita el cano (figura 3). comunicaciones, que necesitan materia-
La segunda estrategia para la obten- les más caros y extraños.
ción de dispositivos emisores de luz a No obstante, este descubrimiento
7
Texturada X1 partir del silicio en bulto se basa en la aún no sustituye a los láseres semicon-
6 creación ex profeso (por medio del es- ductores comunes utilizados en la vida
fuerzo mecánico) de dislocaciones. Estas diaria como los lectores de DVD y en
5 dislocaciones sirven de barrera a la difu- equipos de telecomunicaciones. Cabe
planar X10 sión de los portadores, recluyéndolos en señalar que bajo esta estrategia la lu-
Electroluminiscencia
4
regiones libres de defectos y por lo tanto
Celdas para
el espacio
3 X100
favoreciendo la recombinación radiati-
Calculada va. Las eficiencias cuánticas logradas de
V
2 esta manera son de alrededor de uno
planar X1 por ciento y en la figura 4 se muestran
1 espectros de emisión típicos.
Más recientemente, un nuevo inten-
0
to por obtener luz láser a partir del sili- -
1000 1050 1100 1150 1200 1250 1300
Longitud de onda (nm) cio fue publicado en la revista Nature:4
Figura 3. Espectros de emisión típicos de un Laboratorio de Tecnología Fotónica
+
distintos dispositivos emisores de luz basados de Intel reveló una manera de superar el
en el silicio en bulto ultrapuro. obstáculo inicial del uso del silicio como Figura 5. Esquema del láser Raman de silicio.
26 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 21-30
miniscencia que se obtiene de los dis- con respecto a que se estaba a punto
positivos de silicio en bulto representa de lograr la integración optoelectróni-
energías de alrededor del tamaño de su ca basada en el silicio, despertó un gran
gap óptico (1.1 eV), que es la región del interés en la aplicación del silicio poroso
infrarrojo cercano. en la tecnología de despliegues visua-
les (pantallas, señaladores, etc.), que
Obtención de dispositivos requiere dispositivos que emitan en
emisores de luz a partir de silicio el rojo, el verde y el azul. Este trabajo
nanoestructurado también produjo gran actividad de in-
La obtención de dispositivos emisores vestigación básica (íntimamente ligada
de luz a partir de silicio nanoestructura- a la investigación tecnológica) hacia el
do es una de las estrategias que más éxi- logro de un entendimiento de las pro-
to ha tenido en los últimos años. Todo piedades fundamentales de este material
comenzó en 1990 cuando Canham5 y de los mecanismos que dan origen a
descubrió las propiedades luminiscen- su luminiscencia.5
tes del silicio poroso (SP), obtenido tras A pesar de lo anterior, las investiga-
realizar un ataque electroquímico en un ciones tecnológicas subsecuentes indi-
sustrato de silicio con ácido fluorhídrico caron que antes de poder concluir que Oscar Gutman, 2005. Gráfica digital de la serie
(figura 6). Estas estructuras son capaces el SP podía convertirse en la base para “Andamio para un cielo” (detalle).
de luminiscer fuertemente entre el na-
ranja y el rojo a temperatura ambiente.
La elevada eficiencia cuántica interna de Desde hace diez años existen emisores de
fotoluminiscencia observada en el SP se
explicó gracias a los efectos de confina- luz basados en silicio nanoestructurado
miento cuántico que provocan un au-
mento del gap y mayor probabilidad de a temperatura ambiente
recombinación, el confinamiento espa-
cial de los portadores libres impide que
alcancen los centros de recombinación una tecnología optoelectrónica compa- que la intensidad de luz emitida por
no radiativa, la reducción del índice de tible con el silicio se deberían resolver una muestra fresca (recién anodizada)
refracción del material incrementa de varios problemas. de este material se degradaba después
esta manera la eficiencia de extracción El problema de la estabilidad de la de cierto tiempo (disminuía su intensi-
de la luz a través del material. El traba- luminiscencia del silicio poroso (SP) se dad) e incluso se llegaba a extinguir, y
jo de Canham además de generar una identificó como uno de los más impor- lo mismo sucedía con los LEDs prepa-
gran especulación en todo el mundo tantes por resolver, ya que se encontró rados con SP fresco.
El modelo más aceptado para ex-
plicar el origen de la luminiscencia de
SP, basado en estudios de su estructura
mediante microscopia electrónica y es-
pectroscopia Raman fue el de confina-
miento cuántico. Este modelo supone
que el SP está formado por regiones de
silicio cristalino de tamaño nanométrico
separadas por poros llenos de aire como
se muestra en la figura 6, y que debido
a un efecto de confinamiento cuántico
la brecha prohibida de los nanocristales
de silicio se incrementa con respecto a
la del silicio en bulto, además de que se
convierte en una brecha directa.6 Bajo
este modelo simple, suponiendo que
los nanocristales de silicio son cubos
de arista L y usando la aproximación de
Figura 6. Estructura del silicio poroso. la masa efectiva, se obtiene que la bre-
Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 21-30 27
Intensity (c.p.s.)
-65 cm-1
tensa actividad de investigación básica bestequiométrico se somete a un tra- 1.000
y tecnológica dirigida hacia la forma- tamiento térmico a altas temperaturas
ción, mediante diversos procesos, de (1000-1300 oC) se produce la segrega-
1.0
Normalized intensity
10
Eficiencia Cuántica Extrema (%)
1
1.280
0.1
0.01
1E.3 1.275
Figura 7. Eficiencia
-3 -2 -1 0 1 2 3
1E.4 cuántica externa de
Angle (ideg)
LEDs basados en sili-
1E.5 Figura 9. Ganancia óptica y emisión estimulada
cio poroso obtenidos
1E.6 a lo largo de la década en nanopartículas cristalinas de silicio, Nature
1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 de los noventa. Materials, 4 (2005) 887-891.
28 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 21-30
Las investigaciones realizadas desta- Cabe señalar que en la investiga- se explota para lograr la amplificación.
can las ventajas y desventajas comparati- ción orientada hacia la preparación de Hasta hoy, siguiendo esta misma línea,
vas del uso de óxido de silicio o nitruro nanocúmulos o nanocristales de silicio se han obtenido LEDs de silicio dopado
de silicio como matriz para alojar na- embebidos en películas delgadas de óxi- con Er que operan a temperatura am-
nocúmulos de silicio y fabricar disposi- do de silicio y nitruro de silicio destaca el biente. Un hallazgo importante en estas
tivos electroluminiscentes. Por ejemplo, uso de las técnicas de depósito de vapores investigaciones fue el notable aumento
como ventaja del SiO2 se destaca su alta químicos asistido por plasma (PECVD), de la luminiscencia del cuarzo dopado
calidad de aislamiento eléctrico (altos debido a que éstas son cien por ciento con Er cuando el cuarzo contiene n-Si
voltajes de ruptura) debido a su amplia compatibles con la microelectrónica del embebidos.12 Con este sistema se han
brecha de energías prohibidas (bandgap silicio. Otro aspecto que destaca es que diseñado dispositivos emisores de luz
∼ 8-9 eV). Sin embargo, esto origina una el gas fuente de silicio más comúnmente MOS con eficiencias cuánticas mayores
altura de barrera de potencial nc-Si/SiO2 utilizado para producir nanocúmulos de de uno por ciento. Para los dispositivos
relativamente alta (2.1-3.4 eV), que da silicio embebidos en películas delgadas de óxido de silicio subestequiométrico
lugar a altos voltajes de operación de de dióxido de silicio y nitruro de silicio dopado con Er se han reportado efi-
los LEDs fabricados con nc-Si embe- es el silano (SiH4) y que, consecuente- ciencias de alrededor de 10 por ciento,
bido en películas de óxido de silicio.9 mente, en la gran mayoría de los casos si bien todavía no resultan confiables.
En este sentido, el nitruro de silicio subsiste el problema de la estabilidad en El sistema de nanocristales de silicio
por tener una brecha prohibida menor las propiedades luminiscentes, de absor- (nc-Si) dopado con Er es muy promete-
(bandgap∼4-5 eV) da lugar a una barre- ción óptica y conducción electrónica, dor para aplicarlo en láseres por diver-
ra de potencial nc-Si/Si3N4 menor (1.5- debido a la incorporación de hidrógeno sas razones: primero, el material activo
2.0 eV), lo cual permitiría en principio en las películas matriz (SiOx:H, SiNx: (Er3+ en SiO2) ya ha demostrado lasing
reducir los voltajes de operación de los H) que alojan los nanocúmulos.7-10 properties; segundo, la tecnología para
LEDs fabricados con nc-Si embebidos Debido a que los enlaces del silicio producirlo es compatible con el proce-
en películas de nitruro de silicio.10 con los elementos halógenos (Si-Cl y samiento CMOS, y tercero, ya se han
demostrado LEDs con una enorme efi-
ciencia, y microcavidades con excelentes
Para llegar al láser de Si se emplea silicio propiedades luminiscentes (figura 10),
a pesar de todo esto uno de los grandes
dopado con erbio, que aumenta la capaci- inconvenientes es que su emisión es en
el infrarrojo, lo cual limitaría el número
dad de transmisión de las fibras ópticas de sus aplicaciones.
Estudios recientes señalan también Si-F) son mucho más estables que los
ventajas del hecho de que los nc-Si em- enlaces S-H, recientemente se ha pro-
Nanocristales de
bebidos en las matrices aislantes sean ducido un creciente interés en el uso de Microcavidades
400 Silicio dopados
amorfos en lugar de cristalinos. Debido fuentes halogenadas de silicio como el con Er
Referencia
a que la energía de la brecha prohibida SiH2Cl2 y el SiCl4 para el depósito por
del silicio amorfo en bulto, a-Si (1.6 eV), PECVD de nanocúmulos de silicio em- 300
Intensidad de PL (a.u.)
21
cada cuántica, y un tercer aspecto favo- -0.95 23
25
rable es que la energía de los fonones -1.00
27
29
ópticos en el silicio es mucho mayor que 31
-1.05 33
en el GaAs (64 meV, comparado con 36 35
37
meV), por lo que la ventana de frecuen- -1.10 39
cias dentro de la cual la dispersión por SiGe HH2
-1.15
fonones ópticos está suprimida es ma- Si
yor. Finalmente, la conductividad tér- -1.20
mica del silicio es mucho mayor que la 50 kV/cm
-1.25
del GaAs, lo que significa mejores pers- -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
pectivas para la operación de los pozos Distancia (nm)
cuánticos a temperaturas no criogénicas
(figura 11). Figura 11. Estructura y emisión de un láser de Si/SiGe en cascada.
30 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 21-30
pozos cuánticos del tipo SiNx/nc-Si/ Zhang, Y. Liu, Y. Lu, X. Fan, Physica E.,
Figura 12. Espectros de fotoluminiscencia de SiNx, con muy buenos resultados en 27 (2005) 284.
nanocúmulos de silicio embebidos en diferentes cuanto a eficiencia de emisión.15 La fi- 9 K.S. Cho, N.M. Park, T.Y. Kim, K.H.
compuestos de silicio. gura 14 muestra, en una imagen de alta Kim, G.Y. Sung, J.H. Shin, Appl. Phys.
resolución, un sistema de pozos cuán- Lett., 86 (2005) 071909.
ticos de silicio crecidos en las instala- 10 A. Puzder, A.J. Williamson, J.C.
ron crecidos gracias al uso de compues- ciones de IIM, donde se puede apreciar Grossman, G. Galli, Phys. Rev. Lett., 88
tos clorados de silicio, la distribución la estructura de barreras de nitruro de (2002) 097401-1.
de tamaños de los cúmulos obtenidos silicio de 20 nanómetros de ancho con 11 S. Coffa, S. Libertino, G. Coppola, A.
se encuentran entre 1.5 y 4 nm, lo cual pozos cuánticos de silicio cristalino con Cutolo, IEEE Journal of Quantum Elec-
implica que la emisión puede variar en espesores de 2 nanómetros. También tronics, 36, 10 (2000) 1206.
diferentes zonas del espectro visible en se muestra una imagen del color de la 12 S.T. Huxtable, A.R. Abramson, C.L.
función del tamaño y la densidad de fotoluminiscencia obtenida al ser exci- Tien, A. Majumdara, Appl. Phys. Lett.,
los nanocúmulos que prevalezcan y tado el sistema con un láser de He-Cd 80, 10 (2002), 1737.
pueden de esta manera sintonizar dife- a 325 nm. Esta emisión de color rojizo 13 G. Santana, B.M. Monroy, A. Or-
rentes colores según las condiciones de se produce por confinamiento cuántico tiz, L. Huerta, J. Aguilar–Hernández,
crecimiento.14 en la dirección z del crecimiento. G. Contreras–Puente, J.C. Alonso,
Como se demuestra en este trabajo, “Influence of the surrounding host in
se han obtenido importantes logros tan- obtaining tunable and strong visible
to en el ámbito internacional como en el photoluminescence from silicon nano-
nacional en el tema de fotónica cuántica, particles”, Appl. Phys. Lett., 80, 04 (2006)
pero aún falta un buen tramo por reco- 1916.
rrer en la ruta hacia el láser de silicio. 14 A. Ponce, A. Benami, G. Santana,
n k
n PMAA (CH3)2(N)CH2)WN(CH3)2 m
W=2,4,6
O O
X- +N(CH3)2 X- +N(CH3)2
O S O O S O
(CH2)w (CH2)w
W=1 (resina 1)
CH3 CH3 W=4 (resina 2)
W=6 (resina 3)
m k
O
H3C S O
O
Figura 1. Síntesis de polinorbornileno iónico reticulado.
En los últimos años se ha incrementado selectividad, etc. Gracias a la habilidad velocidad de intercambio del ión y su
el interés en la preparación de polímeros de los polímeros iónicos para formar alta estabilidad química y mecánica.
iónicos, debido a sus versátiles aplicacio- complejos polímero–metal, éstos pue- Existen muchos trabajos de inves-
nes como agentes antiestáticos, dispo- den utilizarse para la extracción de dife- tigación acerca de la preparación de
sitivos biomédicos, membranas de alta rentes metales en minerales de baja ley polímeros funcionalizados vía poli-
y para recuperar metales de residuos de merización por metátesis con apertu-
minerales.2 Por ejemplo, algunos com- ra de anillo (PMAA) de derivados de
puestos de cromo se utilizan amplia- norbornileno.10-12 Los monómeros de
mente en la industria del recubrimiento norbornileno son de gran interés debido
y los desechos de esas industrias pueden a la relativa facilidad con que se pueden
contener Cr(VI) en un rango de 15-70 introducir diferentes grupos funciona-
ppm.3 Se sabe que estos compuestos son les, a su alta reactividad en PMAA y a la
perjudiciales para la salud humana y, por polimerización sin apertura de anillo.13
lo tanto, es importante eliminarlos de Además, a partir de estos monómeros
los residuos industriales.4-6 es posible obtener polinorbornilenos
70
1594.91
a
Cr(VI) Cr(III) Ni(II)
1457.52
60
2871.34
1292.42
50
1.5 ± 0.1 1.4 ± 0.1 1.0 ± 0.1
1097.40
40 1
818.05 774.07
556.55
30
665.10
20
1.7 ± 0.1 1.7 ± 0.1 1.1 ± 0.1
1184.98
1356.36
657.82
10 2
(87%) (86%) (67%)
3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
1.8 ± 0.1 1.8 ± 0.1 1.3 ± 0.1
Figura 2. Espectros de IR-FT de polinorbornile- 3
(95%) (97%) (78%)
no a) antes y b) después de su modificación con
N,N’-tetrametil-hexametileno-diamina. En paréntesis, el porcentaje de adsorción de las resinas para iones metálicos.
34 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 31-35
la desorción de Cr(VI) de la resina 3 con tiletilendiamina (resina 1) y N,N’-te- ra, Angew. Makromol. Chem., 220 (1994)
la base, seguido por el tratamiento con trametilbutilendiamina (resina 2) como 61.
el ácido, es muy alta; la desorción del agentes entrecruzantes mostraron una 8 B.L. Rivas, H.A. Maturana, I.M. Peric,
cromo es de 95 por ciento, de 80 por habilidad pobre de adsorción de meta- Polym. Bull., 33 (1994) 195.
ciento para la resina 2 y de 76 por ciento les comparada con el polinorbornileno 9 B.N. Kolarz, J. Jezienska, D. Bar-
para la resina 1. Además, no se observan iónico preparado con N,N’-tetrametil- tkowiak, A. Gontarczyk, React. Polym.,
cambios en la capacidad de la resina 3 hexametilendiamina (resina 3). La resina 23 (1994) 53.
después de tres ciclos de operación de 3 es altamente selectiva para Cr(VI) y 10 L. José, V. N. Pillai, Macromol. Chem.
adsorción y desorción. Se encontró que Cr(III) a pH=1 y no cambia su capaci- Phys., 197 (1996) 2089.
el porcentaje de degradación del tama- dad después de tres ciclos de operación 11 M.A.Tlenkopatchev, E. Mirando,
ño de partícula está entre 1.5 y 2 por de adsorción y desorción. M.A. Canseco, R. Gavino, T. Ogawa,
ciento. Polym. Bull., 34 (1995) 385.
Agradecimientos 12 M.A. Tlenkopatchev, S. Fomine, L.
iónico para la adsorción selectiva de agradecemos a Miguel A. Conseco, Mirando, L. Fomina, T. Ogawa, Polym.
los iones Cr(VI), Cr(III) y Ni(II). Las Juan M. García L. y Rubén Gaviño por J., 27 (1995) 1173.
propiedades de complejación de iones su ayuda en los análisis de IR, GPC y 14 V. Maya, A.P. Contreras, M–A. Con-
metálicos de las resinas (1-3) dependen RMN. seco, M.A. Tlenkopatchev, React. Funct.
del pH y de la estructura de las diaminas Polym., 49 (2001) 14
entrecruzadas. Los polímeros iónicos Bibliografía
que se prepararon con N,N’-tetrame- 1 Primer Encuentro Universitario del tma@servidor.unam.mx
1M 4M 0.25M 1M
Olga Costa, 1985. La mesa roja. Óleo sobre tela 110 £ 120 cm (detalle).
38 Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 37-41
Nuevos materiales
La siguiente gráfica muestra el avance de los Cerámicos, vía Compuestos, y su
importancia hacia el futuro de los Materiales en Ingeniería. constructivos
60
Los nuevos materiales constructivos son
ACERO aquellos que se emplean actualmente,
50 de forma innovadora, en la edificación y,
P
E
S
como su nombre indica, en la construc-
O 40
COMPUESTOS DE ción en general; se consideran innova-
dores porque mejoran las características
MATRÍZ
% POLIMÉRICA
Conclusiones
Se concluye que los materiales abarcan Resina alquidálica Pinturas y selladores alquidálicos.
numerosos campos de aplicación y que
tienen que ver con la mayoría de las in-
dustrias en el mundo; en la industria de Resina acrílica Pinturas y selladores acrílicos.
la construcción, los materiales son de
gran importancia porque esta industria
exige cada día mejores soluciones a dis- Silicón Plástico mineral usado como semiconductor.
*Material que contiene como materia principal y aglutinante materiales sintéticos de tipo plástico
o polímeros.
Hierro (He-C) Tuberías, ventanas y puertas, y accesorios como tapas, clavos, etc. bibliográfico, así como su apoyo para la
publicación de artículos relacionados
Titanio, cadmio, boro, Su aplicación en la construcción aún está en investigación, pero se con temas de materiales constructivos
etc. (y sus combina- están probando aleaciones superresistentes para materiales estructura- desde el punto de vista de los arquitectos
ciones para formar les, anticorrosivos, tanto en láminas como en fibras para refuerzos de
y constructores de edificios.
aleaciones especiales) compuestos.
*Material que tiene como materia principal o única a los metales. Bibliografía
1 K. Potter, An Introduction to Composite
Products, Chapman and Hall, University
of Bristol, Bristol, 1997.
tintos requerimientos en la edificación; Se concluye también que los princi- 2 J.F. Shackelford, Ciencia de materia-
por lo tanto, se proporciona un panora- pales materiales del futuro serán com- les para ingenieros, Pearson Education,
ma muy general de la situación de los puestos formados por materiales cerá- México, 1995.
materiales empleados en la construcción micos, poliméricos y metálicos; y que 3 S.K. Mazundar, Composite manufactu-
y sus posibles usos y aplicaciones. Es- además la producción de nuevos ma- ring, CRC Press, Florida, 2000.
tas líneas ponen de manifiesto que en
la industria de la construcción, como
en otras, se requieren nuevos materia- Los nuevos materiales permitirán
les que satisfagan las necesidades por
venir. innovaciones arquitectónicas porque sus
características serán mejores
teriales no sólo dependerá de mejorar 4 A.K. Kaw, Mechanics of Composite Mate-
de híbrido triple con la finalidad de encontrar propiedades chas nanofibras cónicas de carbono (5-70 nm OD; < 5µm de
electroquímicas mejoradas. El diseño de estos híbridos se rea- longitud). En las puntas de las fibras se observaron partícu-
lizó en un solo paso a partir de la intercalación de PPy o PAni las de paladio en forma de diamante (forma poligonal), que
dopada con hexacianoferrato (HCF) entre las capas de V2O5. son responsables de la formación de conos de grafito apila-
Así, se obtuvieron nuevos híbridos, cuyas propiedades elec- dos (abiertos, en forma de pantalla de lámpara, o cerrados)
troquímicas como cátodo de inserción de Li ofrecieron valores que constituyen las nanofibras. Se propone un modelo de
iniciales altos de carga específica (160 Ah/Kg). La reversibili- crecimiento para las nanofibras que incluye la posibilidad de
dad de las celdas ensambladas debe optimizarse mediante un obtener conos abiertos con distintas helicidades. Los ángu-
ajuste de la ventana de voltaje. los (30º, 50º y 70º) observados en las puntas de los conos,
Adicionalmente, se abordó la síntesis en un solo paso de prohibidos por el modelo de cono cerrado, se explican en
nuevos híbridos basados en VOPO42H2O con estructura términos de los conos abiertos. La presencia de estos sitios
laminar. Los materiales híbridos obtenidos con impurezas abiertos (enlaces sueltos) abre la posibilidad de utilizar las
de V2O5, además de la fase VOPO4 y el COPs, se proba- fibras en la fabricación de emisores de electrones y compo-
ron con éxito por vez primera en celdas de Li. Los híbridos nentes para almacenamiento de gases, entre otros. También
PPy/VOPO4 revelaron una carga especifica inicial irreversible se analizó la coalescencia de los conos en las fibras mediante
que se redujo con lavados sucesivos en disolventes orgánicos un tratamiento térmico. Para tener un mejor panorama de la
que eliminaron las impurezas de V2O5, dando como resul- dirección de los emisores de electrones, se realizó un estudio
tado valores estables de carga específica de 90 a 100 Ah/Kg teórico y sistemático de las propiedades electrónicas de algu-
durante 35 ciclos (I=20 mA/g) para el híbrido novedoso de nas estructuras cónicas de carbono, abiertas y cerradas, con
formula Py(VOPO4)0.13·1.1H2O. Por otro lado, el híbrido diferentes simetrías. Con el método de espacio real con un
PAni/VOPO4/V2O5 dio valores iniciales de carga específica Hamiltoniano de amarre fuerte en la aproximación restrin-
de 118 Ah/Kg (I=10 mA/g) que fueron estabilizados de 100 gida de Hartree–Fock, las propiedades electrónicas se expresan
a 110 Ah/Kg y mantenidos durante 20 ciclos. Estos híbridos en términos de la densidad de estados, que se obtiene a través
presentaron buena cinética de intercalación. de la función de Green con el método de recursión. Se en-
Finalmente, materiales híbridos moleculares formados por contró que las estructuras cónicas consideradas presentan un
polioxometalatos dispersos en PAni representan materiales comportamiento metálico o semimetálico, además de inducir
conceptuales interesantes para almacenar energía. El trabajo una concentración de carga mayor en el extremo angosto res-
constituye la primera realización práctica de electrodos basados pecto del más ancho; este comportamiento refleja el “efecto
en estos materiales para supercapacitores electroquímicos. Los punta” de la electrostática. La simetría de los bordes abiertos
híbridos moleculares PAni/SiW12 PAni/PW12, PAni/PMo12 afecta de manera significativa los estados ocupados en el nivel
se han preparados electroquímicamente en sustratos de car- de Fermi, lo que favorece mayor ocupación de los sitios con
bono, el híbrido PAni/PMo12 es un ejemplo prototipo. Este simetría (local) “armchair”. Mas aún, la distribución electró-
híbrido mostró la actividad combinada de sus componentes nica en los sitios (local) “zigzag” se ve afectada al cambiar la
para almacenar y liberar carga en celdas supercapacitivas de helicidad del cono, no así los “armchair”. Cuando los conos
estado sólido con valores prometedores de 120F/g y buenas están cerrados, se observa una redistribución de la carga con
ciclabilidades (103 ciclos). respecto a la curvatura local, teniendo una concentración ma-
yor los anillos con curvatura positiva. La forma de la punta
Propiedades electrónicas de (distribución de los anillos con curvatura positiva, negativa o
nanoestructuras: estudio teórico– ambas) en los conos desempeña un papel importante en las
experimental de nanoestructuras de carbono propiedades electrónicas. Asimismo se discutieron los efec-
con paladio como catalizador y propiedades tos del tamaño y la coalescencia en los conos del espectro
magnéticas de cúmulos binarios de Co-Rh electrónico.
Milton de Jesús Muñoz–Navia Las propiedades magnéticas de las nanoparículas de
CoNRhM se estudiaron teóricamente de manera sistemáti-
En esta tesis se estudian las propiedades electrónicas de dos ca. El momento magnético total 2hSi + hLi del estado base,
sistemas relevantes en el campo de las nanoestructuras: na- momento magnético por átomo de cobalto µNCo y la energía
noestructuras de carbono y cúmulos binarios de metales 3d y de anisotropía magnética se calcularon con el método de es-
4d. Experimental y sistemáticamente se analizaron las propie- pacio real en la aproximación no restringida de Hartree–Fock,
dades catalíticas del paladio en las nanoestructuras de carbono. incluyendo las correcciones relativistas al Hamiltoniano. El
Con la técnica de pirólisis, en una atmósfera de argón sobre comportamiento magnético experimentalmente observado de
compuestos orgánicos de paladio, se caracterizó la morfología estos cúmulos binarios se explica a través de un análisis local
de las nanoestucturas de carbono generadas y se tomó como de la dependencia de propiedades magnéticas con respecto a
variable la temperatura del experimento. la estructura, la concentración de cobalto y la fase química de
Con temperaturas entre 850 y 1050 ºC, se obtuvieron mu- los cúmulos. Los resultados muestran que los cúmulos con
Materiales Avanzados, 2007, Núm. 8, 42-45 45
un núcleo de rodio cuya razón superficie/volumen sea gran- prototipos para infraestructura eléctrica, como cables transmi-
de y una mezcla de cobalto–rodio en la interfaz es el arreglo sores y generadores de poder, motores y trenes flotantes con
químico más favorable. Los momentos magnéticos locales de componentes hechos de materiales superconductores tipo II
espín y orbital inducidos en los átomos de rodio de la interfaz e incluso aplicaciones tangibles como los reactores de fusión
y los momentos orbitales en los átomos de cobalto tienen un nuclear (Tokamaks) y los magnetómetros ultrasensibles Squid
papel crucial en la interpretación del experimento. Los resul- (acrónimo de Superconducting Quantum Interference Device) que
tados para la razón L/2(Si) (Rh) están en excelente acuerdo emplean superconductores tipo II de baja Tc. En medicina
con el experimento. La energía de anisotropía magnética EAM se emplean imanes superconductores de NbTi para obtener
como función de la concentración de cobalto xCo en los cú- imágenes por medio de resonancia magnética.
mulos de CoNRhM presenta comportamientos singulares y En ciencia básica es posible estudiar los superconductores
en algunos casos crece hasta cien por ciento con respecto a la tipo II, caracterizados por la interacción entre los vórtices y los
de CoN puro. defectos del material, empleando el modelo de estado crítico
de Bean (1962), que propone un valor para la densidad de
Corte de líneas de flujo magnético en corriente crítica Jc (Bean estableció que un material supercon-
superconductores duros isotrópicos y ductor tipo II está en estado crítico si es capaz de mantener,
anisotrópicos: estudio fenomenológico con sin disipar energía, una corriente macroscópica hasta que ésta
modelos de estado crítico innovadores alcanza un valor crítico denominado densidad de corriente
Carolina Romero Salazar crítica Jc) que permite la descripción cuasiestática del estado
de vórtice.
El estudio de la superconductividad y, específicamente, del Aun cuando este modelo ha tenido éxito para reproducir
estado de vórtice en materiales superconductores tipo II de curvas de magnetización, transporte de corriente o cuantificar
alta y baja temperatura crítica sigue vigente al existir empresas el flujo remanente y la energía disipada por histéresis en su-
destinadas al desarrollo e ingeniería de materiales supercon- perconductores tipo II, está limitado al no considerar ningún
ductores tipo II y debido a que el premio Nobel de Física tipo de anisotropía, ya sea asociada a la estructura del material
2003 se otorgó a A.A. Abrikosov, V.L. Ginzburg y A. Leggett o inducida debido a la interacción vórtice–vórtice (de una gran
por su contribución a la ciencia del estado de vórtice. Existen cantidad de vórtices, razón por la que se ha denominado corte
de líneas de flujo magnético, CLF, flux-line cutting).
Y es que en el estudio de la respuesta magnética de ma-
teriales superconductores sometidos a campos magnéticos
multicomponentes y/o variables en dirección, en los que no
es posible ignorar el CLF, aún no han sido despejadas todas
las incógnitas debido a que en esta geometría surgen diversos
fenómenos complejos e interesantes, como el colapso de la
magnetización, el paramagnetismo, el consumo de flujo mag-
nético, la aparición de tubos de Meissner y la generación de
estructuras turbulentas de flujo magnético, entre otros.
Así, esta tesis es un trabajo que propone modelos innova-
dores de estado crítico (MEC) para la descripción del compor-
tamiento magnético de superconductores tipo II e irreversi-
bles, estructuralmente isotrópicos o anisotrópicos, sometidos
a campos magnéticos con magnitud y dirección variable y que
consideran tanto el anclaje de los vórtices en los defectos del
material como el CLF. Hasta ahora, los MEC representan
el único puente entre la respuesta magnética de un material
superconductor tipo II irreversible —que se obtiene a través
de mediciones experimentales— y el estudio teórico de ésta.
Este trabajo ha contribuido con éxito al estudio teórico de
los materiales superconductores tipo II irreversibles al descri-
bir toda la gama de experimentos conocidos en la literatura
sobre este tipo de materiales y su objetivo fue colectar, ensam-
blar e interpretar, desde un punto de vista fenomenológico,
una serie de fenómenos magnéticos, que si bien ya habían sido
analizados con diferentes MEC, presentaban limitaciones para
Manuel Felguérez, 1996. Mujer de Saliagos. su reproducción.
SPECTRAMEX, S.A. DE C.V.
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