04rectificadores Con Diodos

4 RECTIFICADORES POLIFASICOS
CON DIODOS
4.1 INTRODUCCION
A los efectos de rectificar q tensiones alternas de la forma:
v1 = Vm ⋅ sen ωt
 2π 
v 2 = Vm ⋅ sen ωt − 
 q  Ec.4.1
 2π 
v q = Vm ⋅ sen ωt − (q − 1) ⋅ 
 q 
cada una de ellas senoidales de valor máximo Vm y desfasadas un
ángulo 2π/q se utilizan conjuntos de diodos semiconductores con sus
ánodos o cátodos unidos. Ello permite definir los denominados
conmutadores positivos y negativos.
4.2 CONMUTADORES MAS POSITIVOS

Un conmutador de este tipo está compuesto por q diodos unidos a
través de sus cátodos y sobre el ánodo de cada uno de ellos se asientan
las q tensiones de entradas referidas a un punto común. La
configuración descrita se muestra en el gráfico 1 y permite obtener en
cada momento a la salida la mayor de las tensiones de entrada.
43
Su funcionamiento se resume en lo siguiente:
- Si la tensión de entrada v1 es mayor que v2, v3,... vq entonces el
diodo D1 conduce y la tensión sobre la salida será v1. Esto hará que
el resto de los diodos queden polarizados inversamente.
- Cuando la tensión de entrada v2 sea mayor que v1, v3, ... vq entonces
el diodo D2 conduce y la tensión sobre la salida será v2.
- Como regla general: conduce el diodo que mayor tenga la mayor de
las tensiones de entrada. La tensión de la salida adquiere el valor
instantáneo de la mayor de las tensiones existente a la entrada.
- Cuando una tensión que estaba haciendo conducir a un diodo de su
rama deja de ser la mayor de todas, se produce una conmutación de
corriente entre las ramas. Dicho momento se denomina punto de
conmutación natural.
Es conveniente para la realización de este conmutador colocar diodos
con cátodo a la carcaza de manera que el puente del conmutador se
pueda realizar sobre el disipador sin necesidad de aislamiento de los
componentes (fotografía 1).
D1
D2 R
Dq id
v1 L
v2
vq
E
u Puntos de conmutación natural
Vm ud
V1
V2
V3
0 ωt
2π
D1 D2 D3
Gráfico 1 - Conducción continua
44
RECTIFICADORES POLIFASICOS CON DIODOS
Fotografía 1
4.3 REGIMEN DE CONDUCCION

Cuando en el circuito, del lado de la carga, haya una fem de valor E,
solo se garantizará la conducción de los diodos mientras las tensiones
temporales v sean superior a E. Si esto ocurre en todo momento, se
garantiza que siempre haya un diodo en conducción. A este régimen se
lo denomina de conducción continua (gráfico 1) y en el mismo, el ángulo
de conducción de cada semiconductor vale:
2π
ψc = Ec.4.2
q
y la corriente a través del diodo valdrá:
v−E
iD = Ec.4.3
R
Si existe un momento donde la mayor de las tensiones de entrada no
supera el valor de E, no habrá ningún diodo en conducción mientras se
mantenga esta situación y el rectificador funciona en régimen de
conducción discontinua. Esta situación es típica en cargadores de
baterías y alimentación de motores de corriente continua. Este régimen
se muestra en el gráfico 2.
u
Vm ud
E
V1
V2
V3
0 ωt
2π
D1 D2 D3
Gráfico 2 - Conducción discontinua
45
4.4 CONMUTADORES MAS NEGATIVOS
En este esquema circuital existen q diodos que están unidos en sus
ánodos a un nodo común y en el cátodo de cada uno de ellos se
asientan las q tensiones de entrada. El funcionamiento permite que en
todo instante, la tensión de salida sea las más negativa de las tensiones
de entrada. Es extensible a este conmutador las consideraciones
realizadas para el caso anterior en cuanto al ángulo de conducción de
los semiconductores, conducción continua y discontinua. El gráfico 3
muestra el esquema circuital y la respuesta temporal esperada.
D1
D2 R
Dq id
v1 L
v2
vq
E
D1 D2 D3
0 ωt
2π
V1 V2 V3
-Vm ud
Puntos de conmutación natural
Gráfico 3 - Condución continua
Es conveniente para la realización de este conmutador colocar diodos

con ánodo a la carcaza de manera que el puente del conmutador se
pueda realizar sobre el disipador sin necesidad de aislamiento de los
componentes.
46
4.5 TIPOS DE RECTIFICADORES

Según como estén dispuestas las tensiones alternas de entrada y la
utilización de los distintos tipos de conmutadores, se distinguen los
diferentes montajes rectificadores:
- Rectificadores de conmutación paralela simple (tipo P)
- Rectificadores de conmutación paralela doble (tipo PD)
- Rectificadores de conmutación serie (tipo S)
Cada uno de ellos se distingue con letras acompañados del número de
fases q de la tensión a rectificar 1.
El estudio de los distintos tipos de rectificadores se hará sobre los
siguientes temas:
1. Estudio de Tensiones
2. Estudio de Corrientes
3. Caídas de Tensión
4. Funcionamiento en corto circuito
Dicho estudio será genérico de manera de poder extender las
expresiones halladas para distintos rectificadores y número de fases de
las tensiones de entrada. Asimismo se considerarán a las fuentes que
aportan tensiones senoidales equilibradas cuyo ángulo de defasaje es
2π/q.
Notaciones
q Número de fases de la tensión de entrada
T Período
ω Pulsación
ψc Angulo de conducción de los semiconductores
Udo Valor medio de la tensión rectificada en vacío
Ud Valor medio de la tensión rectificada en carga
Ud(rms) Valor eficaz de la tensión rectificada
ff Factor de forma de la tensión rectificada
Ud Tensión instantánea rectificada
∆Ud Caídas de tensión
Vm Tensión máxima de la senoidal de entrada
VDi Tensión inversa presente en los semiconductores
vimax Tensión inversa máxima presente en los semiconductores
K0 Factor de ondulación
fs Factor de Potencia
Id Corriente continua en la carga
is1, is2,... Corrientes circulantes por las ramas de los secundarios del
transformador
ip1, ip2,... Corrientes circulantes por el primario del transformador
1 Identificación utilizada en libro de “Electrónica de Potencia” de Guy Seguier.
47
4.5.1 Rectificadores de conmutación paralela simple (P)
Los rectificadores tipo P constan de un conmutador más positivo y las
tensiones provienen de una fuente conectada en estrella.
El gráfico 4 muestra el esquema circuital genérico de este tipo de
montaje.
Es importante recordar que la respuesta en tensión y corriente
dependerá del tipo de carga que se acople al rectificador. El análisis
inicial se hace sobre la base de carga fuertemente inductiva ya que es el
régimen de conducción continua más exigente para el rectificador y sus
componentes.
D1 i1
iq 1 D2 M id
iS1
Dq q iS2 i2
vq v1 2
iSq
vq-1 v2
iq-1 q-1
Ud
iSq-1 vq-2
Dq-1
q-2 iSq-2
iq-2 id
Dq-2 N
Gráfico 4 - Rectificador P genérico
4.5.1.1 RECTIFICADOR DE CONMUTACION PARALELA SIMPLE

BIFASICO (P2)
Según International Electrotechnical Commission (IEC) el código que
identifica a este tipo de montaje es M2UK. Este rectificador cuenta con
un conmutador más positivo compuesto por dos diodos D1 y D2 cuyos
cátodos unidos posibilitan proveer a la carga la tensión mayor de las
existentes a la entrada (gráfico 5). Sobre los ánodos de cada
semiconductor se asientan las tensiones v1 y v2 que provienen de un
transformador con secundario con punto medio. Estas tensiones vienen
desfasadas un ángulo π. La respuesta temporal de este circuito se
presenta en el gráfico 6 considerando una carga inductiva pura de
manera que el valor medio de la corriente en la carga es igual a su valor
máximo.
48
is1 D1 id
M
*
ip
n2 v1 Ud
*
vp n1 N
*
n2 v2
is2 D2
Gráfico 5
u
Vm
ud
v1 v2
0 ωt
2π
-Vm
vD1
-2Vm
D1 D2
iS1
Id
0 ωt
2π
ip
n2
Id
n1
0 ωt
2π
n2
- Id
n1
Gráfico 6
49
TRIFASICO (P3)
La IEC identifica a este tipo de montaje con el código M3UK. Este
rectificador cuenta con un conmutador más positivo compuesto por tres
diodos D1, D2 y D3 cuyos cátodos unidos posibilitan proveer a la carga la
tensión mayor de las existentes a la entrada. Sobre los ánodos de cada
semiconductor se asientan las tensiones v1, v2 y v3 que provienen de un
transformador con secundario en estrella con acceso al centro de
estrella. Estas tensiones vienen desfasadas un ángulo 2π/3.
El esquema circuital se presenta en el gráfico 7a y la respuesta, en
conducción continua, considerando que alimenta una carga inductiva,
en el gráfico 7b.
ip1 v1
iS1 D1 id
* *
ip2 v2
iS2 D2
* *
ip3 v3 ud
* * iS3 D3
n1 n2
Gráfico 7 a) Rectificador P3
Se destacan de este circuito que a medida que se aumenta el número de

fases q mejora la calidad de la tensión rectificada ya que aumentan las
tensiones donde conmutan los semiconductores y los diodos conducen
menos tiempo.
En el caso del rectificador P3 que se está analizando, la corriente iS en
los bobinados del secundario posee componente continua, mientras que
en el primario no es posible la circulación de esta componente
homopolar, ya sea en configuración triángulo o estrella, de manera que
la corriente primaria ip es alterna con valor medio nulo.
50
u
Vm
ud
V1
V2
V3
0 ωt
2π
vD1
-√3Vm
D1 D2 D3
iS1
Id
0 ωt
2π
ip1 (Y o ∆)
2 n2
Id
3 n1
0 ωt
1 n2 2π
- Id
3 n1
iL1 (∆)
n2
Id
n1
0 ωt
2π
n2
Id
n1
Gráfico 7 b) - Rectificador P3
51
-
HEXAFASICO (P6)
La IEC identifica a este tipo de montaje con el código M6UK. Este
rectificador cuenta con un conmutador más positivo compuesto por seis
diodos D1, D2, D3, D4, D5 y D6 cuyos cátodos unidos posibilitan proveer a
la carga la tensión mayor de las existentes a la entrada. Sobre los
ánodos de cada semiconductor se asientan las tensiones v1 , v2 , v3 , v4
v5 y v6 que provienen de un transformador con secundario en estrella
con acceso al centro de estrella. Estas tensiones vienen desfasadas un
ángulo π/3.
El esquema circuital se presenta en el gráfico 8 y la respuesta, en
conducción continua, considerando que alimenta una carga inductiva
en el gráfico 9.
Aquí, nuevamente se hacen las consideraciones realizadas para los
rectificadores anteriores.
N
ip1 v4 v1
* * *
ip2 v6 v3
* * *
iS4 iS1 Ud
ip3 v2 v5
* * *
n1 n2 n2
D4 D6 D2 D5 D3 D1 M
id
Gráfico 8 - Rectificador P6
A medida que aumenta que aumenta el número de fases q mejora la

calidad de la tensión rectificada ya que aumentan las tensiones donde
conmutan los semiconductores y los diodos conducen menos tiempo.
En el caso del rectificador P6 que se está analizando, la corriente iS en
los bobinados del secundario posee componente continua, mientras que
en el primario no es posible la circulación de esta componente
homopolar, ya sea en configuración triángulo o estrella, de manera que
la corriente primaria ip es alterna con valor medio nulo
52
u
Vm ud
4.5.1.4
V1
V2
V3
V4
V5
V6
0 ωt
vD1
-2Vm
D6 D1 D2 D3 D4 D5
iS1
Id
0 ωt
2π
Ip1(Y)
n2 Id
n1
0 ωt
2π
- n2 Id
n1
Ip1(∆)
2 n2 Id
3 n1
0 ωt
2π
- 2 n2 Id
3 n1
Gráfico 9
53
4.5.1.5 ESTUDIO DE TENSIONES
4.5.1.5.1 Tensión media en vacío

Es la tensión rectificada Udo que está formada por q fragmentos
simétricos de senoide de período T, de las tensiones alternas de
alimentación. Para hallar la expresión general, es necesario deducir el
valor medio de un fragmento de senoide y multiplicarlo por q.
Gráfico 10
Del gráfico 10 surge que:

π π
u d = Vm . cos ωt Para: − < ωt < + Ec.4.4
q q
π
+
q
q
q  π  π 
U do =
2π ∫πV m . cos ωt.dωt =
2π
⋅ Vm ⋅ sen − sen − 
 q  q 
Ec.4.5
−
q
q π
U do = ⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.6
π q
4.5.1.5.2 Tensión Eficaz Ud(rms)
π π
+ +
cos 2ωt 
q q
q q 1
U d ( rms ) = ∫ Vm cos ωt.dωt = ⋅ Vm ⋅ ∫π  2 +  ⋅ dω t
2 2 2
2π π 2π 2  Ec.4.7
− −
q q
q 2  2π 1 2π 
= ⋅ Vm  + ⋅ 2 ⋅ sen  Ec.4.8
2π  2q 4 q 
1 q 2π
U d ( rms ) = Vm ⋅ + ⋅ sen Ec.4.9
2 4π q
54
4.5.1.5.3 Factor de Ondulación

Este factor K0 tiene por objeto evaluar la calidad de la tensión
rectificada y se define como:
u dmax − u dmin
K0 = Ec.4.10
2 ⋅ U do
El valor de la tensión rectificada máxima udmax coincide con la tensión

máxima de las alternas de entrada, mientras que el valor mínimo de la
tensión rectificada udmin es el valor de la tensión en los puntos de
conmutación natural. Por lo tanto, en general vale:
u dmax = Vm
π Ec.4.11
u dmin = Vm ⋅ cos
q
De donde reemplazando las Ec.4.11 y Ec.4.10:
π
1 − cos
π q
K0 = ⋅ Ec.4.12
2q π
sen
q
q 2 3 6
Ko 0,7853 0,3023 0,0701
A medida que Ko tiende a cero, mejor es la calidad de la tensión

obtenida ya que el valor instantáneo máximo y mínimo se acercan. Esto
ocurre cuando se aumente el número de fases q a rectificar.
4.5.1.5.4 Factor de forma
Este factor ff, puede caracterizar la ondulación de la tensión rectificada,
y está definido como la relación entre su valor eficaz y su valor medio.
1 q 2π
+ ⋅ sen
U d ( rms ) 2 4π q
ff = = Ec.4.13
U do q π
⋅ sen
π q
q 2 3 6
ff 1,1107 1,0165 1,0009
55
Cuando el factor de forma tiende a 1 y ello ocurre cuando se incrementa
el número de fases q a rectificar, la tensión obtenida mejora en su
calidad.
4.5.1.5.5 Desarrollo en serie
La tensión en la carga ud desarrollada en Serie de Fourier contiene el
valor medio Udo y los términos de pulsación q ω, 2q ω y en general a cq ω.
 ∞
− 2(− 1) 
c
u d = U do ⋅ 1 + ∑ 2 2 ⋅ cos(cqωt ) Ec.4.14
 c =1 c q − 1 
4.5.1.5.6 Tensión inversa en diodos semiconductores
Conocer la tensión que deben soportar en polarización inversa los
semiconductores permite una adecuada selección del componente. Esta
tensión inversa es la repetitiva de trabajo. Para la selección, este valor
debería ser afectado por un factor de seguridad para obtener la tensión
de selección.
Cuando un diodo esta bloqueado, sobre su ánodo se encuentra la
tensión de la fuente correspondiente a esa fase y sobre el cátodo, la
tensión de la fuente que permite hacer conducir a uno de los diodos de
las otras ramas. Esta diferencia de potencial es la que debe soportar el
componente. Su expresión máxima viene dada por:
- Si el número de fases es par:
vimax = 2 ⋅ Vm Ec.4.15
- Si el número de fases es impar:

π
vi max = 2 ⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.16
q
Las respuestas representadas en los gráficos 6, 7 b) y 9 de los distintos
rectificadores presentan la evolución de la tensión inversa sobre uno de
los componentes.
4.5.1.6 ESTUDIO DE LAS CORRIENTES
4.5.1.6.1 Corriente en diodos semiconductores

Se supone que la corriente en la carga Id es constante, es decir en la
situación de una carga puramente inductiva, donde el valor medio de
dicha corriente coincide con su valor máximo. En esta situación, la más
desfavorable para los semiconductores, cada diodo estará recorrido por
la corriente de carga durante el ángulo de conducción 2π/q.
56
Las expresiones son:
imax = I d
Id
I med =
q Ec.4.17
Id
I rms =
q
Para la selección del componente se utiliza el valor medio de la corriente
Imed que debe conducir.
4.5.1.6.2 Corriente en el secundario del transformador
Esta corriente que recorre los bobinados del transformador es la misma
que atraviesa a los diodos durante el ángulo de conducción 2π/q de
ellos. Así su valor eficaz vale:
Id
IS = Ec.4.18
q
4.5.1.6.3 Factor de potencia del secundario

El factor de potencia f s también llamado factor de utilización relaciona
la potencia consumida en continua y la potencia aparente que debe
suministrar el transformador suponiendo despreciables las pérdidas en
los semiconductores.
Pd Ec.4.19
fs =
S
Donde:
Pd = U do ⋅ I d
Ec.4.20
S = q ⋅V ⋅ I s
Así:
q π
2 ⋅V ⋅ ⋅ sen ⋅ Id
U ⋅I π q
f s = do d = Ec.4.21
q ⋅V ⋅ I s Id
q ⋅V ⋅
q
2q π Ec.4.22
fs = ⋅ sen
π q
57
Si en la ec. 4.22 se reemplaza los valores de q para las configuraciones
bifásicas, trifásicas y hexafásicas se obtienen los valores de factor de
utilización que se presentan en la tabla siguiente:
q 2 3 6
fs 0,636 0,675 0,55
Como surge del análisis el factor de potencia disminuye con el
incremento de q y dicho factor es bajo. Esto se traduce en un
dimensionamiento del transformador que puede resultar muy costoso a
la hora de intentar usar estos esquemas en potencias elevadas. Así, el
interés de los montajes tipo P se centran en ser empleados en baja
potencia y con bajo número de fases q.
4.5.1.7 CAIDAS DE TENSION EN FUNCIONAMIENTO

Las caídas que se provocan en el funcionamiento normal se pueden
calcular con una buena aproximación si se hallan por separado y se
desprecia la influencia de las otras caídas. Posteriormente se sumarán
obteniendo así la caída de tensión total.
Las caídas a considerar son las provocadas por:
- Reactancias en el circuito ∆1Ud
- Resistencias en el circuito ∆2Ud
- Diodos con resistencias directas no nulas ∆3Ud
Así, a caída de tensión total será:
∆U d = ∆ 1U d + ∆ 2U d + ∆ 3U d
Ec.4.23
U d = U do − ∆U d
4.5.1.7.1 Caída de tensión por efecto de las reactancias

Las reactancias en el circuito provocan que un diodo que es conductor y
que por él circula la corriente Id no puede conmutar instantáneamente a
corriente nula. Lo mismo ocurre con un diodo que no esta en
conducción y que al momento de la polarización debe comenzar a
conducir la corriente de la carga. Ambos casos supondrían
discontinuidades de corrientes en los secundarios de los
transformadores.
Cuando un diodo comienza la conducción, existe una conmutación de
la corriente Id de una rama a la otra. Esta transferencia supone una
superposición o solape de diodos en funcionamiento que da lugar a una
caída de tensión ∆1Ud.
Se designa con Lc la inductancia de dispersión del transformador y la de
la red respecto del bobinado secundario.
58
En el gráfico 11 se representan las tres etapas de transferencia de la

corriente Id. de una rama a la otra.
Id Id Id
M M M
D1 D1 D2 D2
1 2 1 2 1 2
iS1 iS2 Ud iS1 iS2 Ud iS1 iS2 Ud

LC LC LC LC LC LC
v1 v2 v1 v2 v1 v2
Id Id Id
N N N
π π π π π π π π
ωt= q + 2 q + 2 <ωt< q + 2 +µ ω t= q + 2 +µ
Gráfico 11
Si se analiza los gráficos 11 y 12, cuando el diodo D1 conduce, is1 es

igual a Id y constante;
Para:
π π
ωt = + Ec.4.24
2 q
v2 se hace mayor que v1 entonces comienza la conducción de D2 y el
apagado de D1 o sea el intervalo de superposición de ambos
semiconductores. Dicho intervalo finalizará en:
π π
ωt = + +µ Ec.4.25
2 q
Durante este intervalo de solapamiento de semiconductores la tensión
rectificada viene dada por las ecuaciones siguientes:
di s1
u d = v1 − Lc Ec.4.26
dt
di Ec.4.27
u d = v 2 − Lc s 2
dt
Dado que is1 + is2 es igual a Id y de valor constante, entonces la suma de
sus derivada será cero. Por lo tanto:
di s1 di s 2
+ =0 Ec.4.28
dt dt
v + v2 Ec.4.29
ud = 1
2
59
Entonces el valor del ángulo de solapamiento µ se deduce de:
di s1 di di
v1 − Lc = v1 + Lc s 2 = v 2 − Lc s 2 Ec.4.30
dt dt dt
di s 2 v 2 − v1 Vm   2π  
= = sen ωt −  − sen ωt  =
dt 2 Lc 2 Lc   q  
V π  π
= − m ⋅ sen ⋅ cos ωt −  Ec.4.31
Lc q  q
Integrando la ecuación anterior se obtiene:
Vm π  π Ec.4.32
is 2 = − ⋅ sen ⋅ sen ωt −  + cte.
Lc ⋅ ω q  q
La constante se deduce teniendo en cuenta que is2 sea nula en:

π π
ωt = + Ec.4.33
2 q
Por lo tanto:
Vm π   π 
is 2 = ⋅ sen ⋅ 1 − sen ωt −   Ec.4.34
Lc ⋅ ω q   q 
Para hallar µ solo es necesario reemplazar en la ecuación anterior el

valor de ωt para el cuál is2 es Id ;
ωLc I d
1 − cos µ = Ec.4.35
π
Vm ⋅ sen
q
60
u
Vm
V1 ud
V2
V3
0 ωt
2π
π/2
π/q vD1
µ
-√3Vm
D1
D2
D3
Id
Id iS1 iS2 iS3
0 ωt
2π
Gráfico 12
La caída de tensión en el intervalo de solapamiento se debe a que la

tensión rectificada ud en lugar de valer v2 vale:
v1 + v 2
ud = Ec.4.36
2
Así, la caída de tensión media es:
π π
+ +µ
v1 + v 2 π
2 q
⋅ Vm ⋅ sen ⋅ (1 − cos µ )
q q
∆ 1U d =
2π ∫ (v
π π
2 −
2
) ⋅ dω t =
2π q
+ Ec.4.37
2 q
q
∆1U d = ⋅ ωLc I d Ec.4.38
2π
La caída de tensión debida a la conmutación no instantánea es

proporcional a la corriente, a las reactancias del circuito del secundario
y al número de fases.
61
El análisis realizado es válido para la conducción simultánea de dos
diodos y que se da en la mayoría de las aplicaciones. Si la corriente es
muy grande se puede dar la conducción de 3 o más diodos y las
ecuaciones anteriores no tienen validez.
El gráfico 13 muestra la característica de carga de un rectificador
trifásico desde vacío hasta el cortocircuito, indicando la simultaneidad
de diodos en conducción.
Ud
Ud0 1 o 2 diodos en
conducción
2 diodos en conducción
2 o 3 diodos en
conducción
0 id
Idcc
Gráfico 13
4.5.1.7.2 Caídas de tensión debido a las resistencias

Estas caídas están provocadas por la presencia de las resistencias de
los devanados primario y secundario y de la línea.
PjP PjS
~ ~
PjT
Las pérdidas por efecto Joule totales pjt son la sumatoria de las
pérdidas en el primario y las del secundario.
Las pérdidas primarias, a su vez pueden discriminarse en pérdidas por
efecto Joule en las resistencias de línea pjRL y las pérdidas causadas por
las resistencias de los bobinados del primario del transformador pjRp.
p jT = p jRL + p jRP + p jRS Ec.4.39
p jT = b ' ⋅ R L ⋅ I L + b ' ⋅ R P ⋅ I P + b ⋅ RS ⋅ I S
2 2 2
Ec.4.40
Luego la caída de tensión será:

p jT Ec.4.41
∆ 2U d =
Id
62
Donde:
Rp Resistencia por fase bobinado primario
Rs Resistencia por fase bobinado secundario
RL Resistencia por fase de la red de alimentación
b’ Nº de bobinados del primario del transformador
b Nº de bobinados del secundario del transformador
Para los distintos esquemas, esta expresión toma las siguientes
características:
• P2:
b=2 b' = 2
Id n2
IS = IL = IP = Id
2 n1
  n2  
2
∆ 2U d =  Rs + (R p + RL )   I d Ec.4.42
  n1  
• P3:
Primario en estrella:
Ip (Y)
2 n2
Id
3 n1
0 ωt
2π
- 1 n Id
2
3 n1
b = b' = 3
 2 n  T  1 n2  2T 
2 2
1 2 n2
IP =  2
I d  ⋅ +  I d  ⋅  = Id = IL
T  3 n1  3  3 n1  3  3 n1
Id
IS =
3
Reemplazando en las ecuaciones 4.40 y 4.41 se obtiene:
  n2  
2
∆ 2U d =  Rs + (R p + RL )   I d
2 Ec.4.43
 3  n1  
63
Primario en triángulo:
iL1 (∆ )
n2
Id
n1
0 ωt
2π
n2
Id
n1
b = b' = 3
 n  2T 
2
1 2 n
IL =  I d  ⋅  =
2
Id ⋅ 2
T  n1  3  3 n1
Id 2 n2
IS = IP = Id
3 3 n1
2 2
2 n  2 n 
∆ 2U d = RS ⋅ I d + 3 ⋅ ⋅ I d  2  ⋅ RL + 3 ⋅ ⋅ I d  2  ⋅ RP
3  n1  9  n1 
 n 
2
2 n 
2

∆ 2U d =  Rs + 2 RL ⋅  2  + R p ⋅  2  Id
  n1  3  n1  
 2  n2  
2
∆ 2U d =  Rs +  R p + 2 RL    I d Ec.4.44
 3  n1  
64
4.5.1.7.3 Caídas de tensión debidas a los diodos

Al circular la corriente Id por los diodos se produce una caída de tensión
que esta entre 0.7 y 1.5 V. Para obtener con precisión esta caída hay
que tomar las características directas del diodo provisto por el
fabricante. A continuación, en el gráfico 14 se halla la caída de un diodo
por donde circula una corriente de 30 A obteniéndose un valor de Vf de
1,07 V.
i F [A]
Tip.
Máx.
50
160º 160º
Tvj=
25º 25º
25
0
0 0.5 1 1.5 2 VF [V]
Gráfico 14
La caída de tensión debido a este efecto ∆3Ud vale:
∆ 3U d = V f Id
Ec.4.45
65
4.5.1.8 FUNCIONAMIENTO EN CORTOCIRCUITO
Como se analizó en el apartado anterior la presencia de las reactancias
provocan caídas de tensión en el funcionamiento a régimen normal.
Pero, cuando se produce un cortocircuito son las encargadas de limitar
la corriente de sobrecarga.
Cuando en los bornes MN se produce un cortocircuito franco, cada
bobinado del secundario está unido al cortocircuito por medio de un
diodo, de acuerdo al circuito del gráfico 15.
v1 iS1 i1
Lc 1 D1
v2 iS2 i2
Lc 2 D2
vq iSq iq
Lc q Dq
idcc
N M
Gráfico 15
La fase 1:
di s1
Lc ⋅ = v1 = Vm ⋅ sen ωt Ec.4.46
dt
La corriente is1 vale:

Vm
i s1 = ⋅ (1 − cos ωt ) Ec.4.47
ωLc
Esta expresión surge de considerar que es un circuito puramente
inductivo donde la componente natural tiene un valor constante e igual
a Vm/ ωLc (ver capítulo 3).
La corriente eficaz en el secundario vale:
T
Vm
Is = ⋅
1
∫ (1 − cos ωt )2 dωt Ec.4.48
ωLc T 0
V
Is = 3 ⋅ Ec.4.49
ωLc
66
Este valor es √3 veces mayor que si el cortocircuito se hace en bornes

del transformador y por lo tanto debe ser tomado en cuenta en la
construcción o selección de éste.
La corriente en cada diodo tiene un valor medio que vale:
V T
(1 − cos ωt ) ⋅ dt
I medCC = m
T ∫
0
ωLc
Ec.4.50
Vm
I medCC = Ec.4.51
ωLc
Y la corriente total media de cortocircuito es:
Vm
I d CC = q ⋅ I medCC = q ⋅ Ec.4.52
ωLc
Se desprende del análisis que el valor instantáneo idcc es igual a IdCC :
Vm
id CC = i s1 + i s 2 + ... + i sq = q ⋅ Ec.4.53
ωLc
La corriente de cortocircuito es constante como se muestra en el gráfico
16.
Gráfico 16
67
Entonces como la corriente de cortocircuito es limitada por el valor de la
reactancia, convendría que esta sea grande durante las sobrecargas y
nulas en funcionamiento normal. En el gráfico 17 se muestra la
característica de carga ud vs. Id de un rectificador ideal en líneas de
punto. Así, un montaje es mejor cuanto más se asemeje a la ideal y ese
factor es denominado Relación de Cortocircuito Kcc y es la relación entre
la corriente de cortocircuito real Idcc y la corriente de cortocircuito
teórica Idccth la que se obtiene prolongando la parte inicial de la
característica real hasta el valor de tensión nula. Cuanto menor sea Kcc
mejor es el rectificador.
Ud
Ud0 A
B
Idccth
C
0 id
Idn Idcc Idccth Idcc
Gráfico 17
I d CC Ec.4.54
K cc =
I d CCth
Si se compara un rectificador con característica B frente a otro con
característica C se observa que ambos tienen la misma corriente real de
corto circuito (Idcc), pero el B tiene la corriente de corto circuito teórica
(Idccth) mayor y por ende menor caída de tensión en funcionamiento
nominal.
Para hallar la teórica de cortocircuito se considera únicamente las
caídas de tensión provocadas por las reactancias:
q π q
U d = U do − ∆ 1U d = ⋅ Vm ⋅ sen − ⋅ ωLc I d Ec.4.55
π q 2π
Si se iguala la Ud a cero se obtiene la corriente teórica de cortocircuito
Idccth:
2 ⋅ Vm π
I d CCth = sen Ec.4.56
ωLc q
68
Entonces, reemplazando en la ecuación 4.54 se obtiene que:

q
K cc = Ec.4.57
π
2 ⋅ sen
q
Dando valores a q en la ecuación 4.57 se obtiene:
q 2 3 6
Kcc 1 1,73 6
Con el aumento de q, el rectificador se autoprotege cada vez peor. Esta

es otra razón para no utilizar este tipo de rectificador con gran cantidad
de fases.
Resumen: con el aumento de q, el rectificador aumenta el valor medio de
la tensión que entrega, mejora la calidad de la tensión rectificada, los
semiconductores trabajan durante un tiempo menor en el período, sin
embargo las prestaciones de este tipo de montaje sobre el factor de
potencia y régimen de cortocircuito empeoran cuando crece q.
4.5.2 Rectificadores de conmutación paralela doble (PD)

Los rectificadores tipo PD constan de un conmutador más positivo y
otro más negativo y las tensiones provienen de una fuente conectada en
estrella. El gráfico 18 muestra el esquema circuital genérico de este tipo
de montaje.
D’1 D1
i’1 i’2
i1 D’2 M id
Dq iq 1
D’q iS1 D2
q iS2
vq v1 2
i’q iSq i2
iq-1 vq-1 v2
q-1
Ud
Dq-1
iSq-1 vq-2
D’q-1
q-2 iSq-2
i’q-1 iq-2
id
Dq-2 N
D’q-2 i’q-2
Gráfico 18
69
4.5.2.1 RECTIFICADOR DE CONMUTACION PARALELO DOBLE
BIFASICO (PD2)
Según International Electrotechnical Commission (IEC) el código que
identifica a este tipo de montaje es B2U, también llamado puente de
Graëtz. Este rectificador cuenta con un conmutador más positivo
compuesto por dos diodos D1 y D2 cuyos cátodos unidos posibilitan
proveer a la carga la tensión mayor de las existentes a la entrada. Sobre
los ánodos de cada semiconductor se asientan las tensiones v1 y v2 que
Id
M
D1 D2
is
* n2
* v1
2
vp n1 0 Ud
n2
2 v2
D’1 D’2
N
u
2Vm ud
Vm
v1 v2
0 ωt
2π
-Vm
vD1
vD’2
-2Vm
D1,D’2 D2 ,D’1
iS
Id n1
iS= ip
n2
0 ωt
2π
-Id
Gráfico 19
70
provienen de un transformador con secundario con un punto medio

ficticio. Estas tensiones vienen desfasadas un ángulo π. Además, tiene
un conmutador mas negativo compuesto por dos diodos D’1 y D’2 cuyos
ánodos unidos posibilitan proveer a la carga la tensión menor de las
existentes a la entrada. Sobre los cátodos de cada semiconductor se
asientan las tensiones v1 y v2. El gráfico 19 muestra el circuito, las
tensiones y corrientes obtenidas.
4.5.2.2 RECTIFICADOR DE CONMUTACION PARALELO DOBLE

TRIFASICO (PD3)
La IEC identifica a este tipo de montaje con el código B6U. Este
rectificador cuenta con un conmutador mas positivo compuesto por tres
diodos D1, D2 y D3 cuyos cátodos unidos posibilitan proveer a la carga la
tensión mayor de las existentes a la entrada. Sobre los ánodos de cada
semiconductor se asientan las tensiones v1 , v2 y v3 que provienen de
un transformador con secundario en estrella con acceso al centro de
estrella. Estas tensiones vienen desfasadas un ángulo 2π/3. Además,
existe un conmutador mas negativo compuesto por tres diodos D’1, D’2 y
D’3 cuyos ánodos unidos posibilitan proveer a la carga la tensión menor
de las existentes a la entrada. Sobre los cátodos de cada semiconductor
se asientan las tensiones v1, v2 y v3. El gráfico 20 muestra el circuito, y
el gráfico 21 las tensiones y corrientes.
Id
M
D1 D2 D3
ip1 v1
is1
* *
ip2 v2
is2
* 0 * Ud
ip3 v3
is3
* *
D’1 D’2 D’3

N
Gráfico 20
71
u
√3Vm ud
3 Vm
2
V1m
VM-V0
V1
V2
V3
0 ωt
VN-V0
-V1m
vD1
−√3Vm
D1 D2 D3
D’2 D’3 D’1
iS1
Id
0 ωt
2π
-Id
iL1(∆)
2 n2 Id
n1
0 ωt
2π
n2
-2 Id
n1
Gráfico 21
72
4.5.2.3.1 Valor medio en vacío

Es la tensión rectificada que viene dada por el aporte de dos
rectificadores tipo P:
U do = (v M − vO )med − (v N − vO )med Ec.4.58
Donde:
π
(v M − vO )med =
q
⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.59
π q
π
(v N − vO )med = −
q
⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.60
π q
De donde:
2q π
U do = ⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.61
π q
Como primera conclusión se puede afirmar que a partir de las mismas
tensiones, el rectificador PD duplica el valor medio de la tensión
rectificada.
4.5.2.3.2 Tensión eficaz
π
+ 2
n n
 π
U d ( rms ) = ∫π  2 ⋅ Vm ⋅ sen q  cos ωt.dωt =
2
2π
−
n
Ec.4.62
π
2 +
n  π  1 cos 2ωt 
n
= ⋅  2 ⋅ Vm ⋅ sen  ⋅ ∫  +  ⋅ dω t
2π  q π2 2 
−
n
2
n  π   2π 1 2π 
= ⋅  2 ⋅ Vm ⋅ sen   + ⋅ 2 ⋅ sen 
2π  q   2n 4 n 
 π 1 n 2π Ec.4.63
U d ( rms ) =  2 ⋅ Vm ⋅ sen  ⋅ + ⋅ sen
 q  2 4π n
Para q par, n = q
Para q impar n = 2q
73
Este factor K0 tiene por objeto evaluar la calidad de la tensión
rectificada y se define como:
u dmax − u dmin
K0 = Ec.4.64
2 ⋅ U do
conmutación natural. Por lo tanto:
π
u dmax = 2 ⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.65
q
π π
u dmin = 2 ⋅ Vm ⋅ sen ⋅ cos Ec.4.66
q n
 π
1 − cos 
π  n Ec.4.67
K0 = ⋅
2n π
sen
n
Cuando q es par n = q y cuando q impar n = 2q
De aquí se puede concluir que un montaje PD6 tiene la misma calidad
de tensión que un PD3 y por lo tanto su utilización no estaría
q 2 3 6
Ko 0,7853 0,0701 0,0701
recomendada.
Este factor ff viene dado por:
1 n 2π
+ ⋅ sen
U d ( rms ) 2 4π n Ec.4.68
ff = =
U do q
π
q 2 3 6
ff 1,1107 1,0009 1,0009
Aquí nuevamente se comparan las prestaciones de un PD3 y PD6

obteniéndose el mismo factor de forma.
74

 ∞
− 2(− 1) 
c
u d = U do ⋅ 1 + ∑ 2 2
 ⋅ cos(c ⋅ q ⋅ ωt ) Ec.4.69
 c =1 c q − 1 
4.5.2.3.6 Tensión inversa en diodos semiconductores

Para estos rectificadores son válidos todos los conceptos expresados en
los rectificadores del tipo P:
- Si el número de fases es par:
vimax = 2 ⋅ Vm Ec.4.70
- Si el número de fases es impar:

π π
vimax = 2 ⋅ Vm ⋅ cos = 2 ⋅ Vm ⋅ sen Ec.4.71
2q q
Las respuestas representadas en los gráficos 19 y 21 de los distintos
rectificadores presentan la evolución de la tensión inversa sobre uno de
los componentes.
4.5.2.4 ESTUDIO DE LAS CORRIENTES
4.5.2.4.1 Corriente en diodos semiconductores

También para este análisis se supone que la corriente en la carga Id es
constante donde el valor medio coincide con su valor máximo. En esta
situación, la más desfavorable para los semiconductores, cada diodo
estará recorrido por la corriente de carga durante el ángulo de
conducción 2π/q.
Las expresiones son:
imax = I d
Id
I med =
q Ec.4.72
Id
I rms =
q
75
La corriente que recorre los bobinados del transformador es la misma
que atraviesa a los diodos del conmutador mas positivo +Id durante el
ángulo de conducción 2π/q y del conmutador mas negativo -Id en un
ángulo igual. Así, en el bobinado 1:
Is1 = +Id, cuando conduce D1
Is1 = -Id, cuando conduce D’1
De manera que el valor eficaz vale:

2
Id T Ec.4.73
IS = ⋅2⋅
T q
2
IS = Id ⋅ Ec.4.74
q
4.5.2.4.3 Factor de potencia del secundario

El factor de potencia f s será
Pd
fs = Ec.4.75
S
2⋅ q π
fs = ⋅ sen Ec.4.76
π q
Dando valores a q en la ecuación 4.76 se obtienen los factores de

utilización de la tabla siguiente:
q 2 3 6
fs 0,90 0,955 0,78
Si se compara con los rectificadores del tipo P, este factor es √2 mayor

de manera que este tipo justifica mayormente su uso en grandes
potencias, para pequeños números de fases ya que al aumentar estas,
se incrementa el dimensionamiento del transformador a utilizar.
76
4.5.2.5 CAIDAS DE TENSION EN FUNCIONAMIENTO

Las caídas que se provocan en el funcionamiento normal se calculan
como en el caso del rectificador tipo P siendo entonces las caídas a
considerar las provocadas por:
- Reactancias en el circuito ∆1Ud
- Resistencias en el circuito ∆2Ud
- Diodos con resistencias directas no nulas ∆3Ud
Así, la caída de tensión total será:

∆U d = ∆ 1U d + ∆ 2U d + ∆ 3U d Ec.4.77
U d = U do − ∆U d Ec.4.78

Las reactancias en el circuito provocan que un diodo que es conductor y
que por él circula la corriente Id no puede conmutar instantáneamente a
corriente nula. Lo mismo ocurre con un diodo que no esta en
conducción y que al momento de la polarización debe comenzar a
conducir la corriente de la carga. Ambos casos supondrían
discontinuidades de corrientes en los secundarios de los
transformadores.
Cuando un diodo comienza la conducción, existe una conmutación de
la corriente Id de una rama a la otra. Esta transferencia supone una
superposición o solape de diodos en funcionamiento que da lugar a una
caída de tensión ∆1Ud.
Las expresiones generales que se obtienen como en el caso del
rectificador tipo P son:
ωLc I d
1 − cos µ = Ec.4.79
π
Vm ⋅ sen
q
q
∆1U d = ⋅ ωLc I d Ec.4.80
2π
Estas ecuaciones son válidas si:
 No hay mas de dos diodos del mismo grupo en conducción
simultánea
 Si los diodos del conmutador mas positivo y del mas negativo que
están unidos al mismo borne secundario no conducen a la vez, o sea
si:
2π
µ <π − Ec.4.81
q
77
Lo anterior indica que:
• A un PD3, rectificador trifásico con seis diodos, las ecuaciones son
validas mientras µ sea inferior a π/3 o lo que es lo mismo que la
caída de tensión ∆1Ud sea inferior a 0,25 Udo. En el gráfico 22 se
representa este rectificador en carga con un µ de 30º.
u
√3Vm
ud
Vm
V1
V2
V3
0 ωt
2π
VN-V0
-Vm
VD1
µ vD1
-√3Vm
D1
D2
D3
D’1
D’2
D’3
iS1
Id
0 ωt
2π
-Id
Gráfico 22
• En un PD2 rectificador bifásico de cuatro diodos, las expresiones

4.79 y 4.80 no son aplicables porque no se satisface la condición de
la ecuación 4.81. Se desprende del análisis del gráfico 23 que en el
funcionamiento durante la conmutación hay cuatro diodos en
conducción.
78
u
2Vm ud
Vm
v1
0 ωt
µ π π+µ 2π
-Vm
vD1
vD’2
-2Vm
D1,D’2
D2,D’1
is1
Id
0 ωt
2π
-Id
Gráfico 23
Cuando conducen D’1 y D2 la corriente is1 es igual –Id y la tensión ud

es -2v1.
Durante el momento de la conmutación, 0 < ωt < µ :

ud = 0 Ec.4.82
dis1
2v1 − 2 Lc ⋅ =0 Ec.4.83
dt
De donde, integrando y hallando la constante de integración a partir del

reemplazo de is1 = –Id para t = 0:
Vm
i s1 = ⋅ (1 − cos ωt ) − I d Ec.4.84
Lc ⋅ ω
79
Y el ángulo de solapamiento vale:
2ωLc I d
1 − cos µ = Ec.4.85
Vm
Y la caída de tensión vale:
µ
2 ⋅ Vm ⋅ sen ωt ⋅ dωt = ⋅ Vm ⋅ (1 − cos µ )
2 2
∆ 1U d = ∫
2π 0 π
Ec.4.86
4
∆1U d = ⋅ ωLc I d Ec.4.87
π
4.5.2.5.2 Caídas de tensión debido a las resistencias
Estas caídas están provocadas por la presencia de las resistencias de
los devanados primario y secundario y de la línea. Como en el caso de
los rectificadores paralelos simples, las caídas se hallan analizando las
pérdidas por efecto Joule:
p jT = p jRL + p jRP + p jRS Ec.4.88
p jT = b ' ⋅ R L ⋅ I L + b ' ⋅ R P ⋅ I P + b ⋅ RS ⋅ I S Ec.4.89

2 2 2
Donde:
b’ Nº de bobinados del primario del transformador
b Nº de bobinados del secundario del transformador
IP Corriente del primario del transformador
IL Corriente de línea del primario del transformador
IS Corriente del secundario del transformador
• Aplicación a PD2:
b = b' = 1
n2
IS = Id IP = IL = Id
n1
  n2  
2
∆ 2U d =  Rs + (R p + RL )   I d Ec.4.90
  n1  
80
• Aplicación a PD3:
b = b' = 3
2 n2 2
IS = Id IP = IL = Id
3 n1 3
 2
2
n  2
∆ 2U d = 3 ⋅ (R p + RL ) ⋅  2  ⋅ + 3 ⋅ Rs ⋅  I d
  n1  3 3

  n2  
2
∆ 2U d = 2 Rs + (R p + RL )   I d Ec.4.91
  n1  
b = b' = 3
iL1(∆)
2 n2 Id
n1
0 ωt
2π
-2 n2 Id
n1
 n  T
2 2
1  2T  2 ⋅ n2 n
IL =  ⋅ I d 
2
+  ⋅ I d   = 2 ⋅ 2 ⋅ I d
T  n1  3  n1  3  n1
iP1
n2 Id
n1
0 ωt
2π
n2
- Id
n1
2 n2 2
IP = ⋅ ⋅ Id IS = ⋅ Id
3 n1 3
2 2
 2 n2   2 
2
 n 
3 2 2 I d  ⋅ R L + 3 I d  ⋅ R P + 3 I d  ⋅ RS
 n   3 n   3 
∆ 2U d =
1 1
Id
81
  n2  
2
∆ 2U d = 2 Rs + (R p + 3RL )   I d Ec.4.92

  n1  
4.5.2.5.3 Caídas debidas a los diodos

que esta entre 0.7 y 1.5 V. Para obtener con precisión esta caída hay
que tomar las características directas del diodo provista por el
fabricante. A la caída hay que duplicarla ya que en el circuito de
continua hay dos diodos en serie, uno del conmutador positivo y otro
del negativo.
∆ 3U d = 2 ⋅ V f Id
Ec.4.93

Cuando en los bornes MN se produce un cortocircuito, cada bobinado
del secundario está unido al cortocircuito por medio de dos diodos en
antiparalelo de manera que no hay semiconductores que se opongan a
la circulación de corriente en ambos sentidos. Así de acuerdo a la
disposición de los diodos y a la forma en que se realiza el cortocircuito
se genera un equivalente a un punto neutro y los bobinados están
conexionados entre este punto neutro y el del transformador. Como
ambos puntos son equipotenciales es como si estuviesen unidos
físicamente y el cortocircuito se hiciese sobre cada fase. En régimen
permanente, las corrientes secundarias son alternas.
La fase 1:
di s1
Lc ⋅ = v1 = Vm ⋅ sen ωt Ec.4.94
dt
di s1
0 = Vm ⋅ sen ωt − Lc Ec.4.95
dt
− Vm
i s1 = ⋅ cos ωt Ec.4.96
ωLc
La corriente eficaz en el secundario vale:
2π
Vm
∫ (cos ωt )dωt
1 Ec.4.97
I scc = ⋅
ωLc 2π 0
V Ec.4.98
I scc =
ωLc
82
Este valor es el mismo que si el cortocircuito se hiciese en bornes del

transformador.
La corriente en cada diodo tiene un valor medio que vale:
Vm
I medCC = Ec.4.99
πωLc
Y la corriente total media de cortocircuito es:
q Vm
I d CC = ⋅ Ec.4.100
π ωLc
Esta corriente no es constante y está formada, como se muestra en el
gráfico 24, por q o 2q tramos de senoide por período según se trate de
un rectificador con q par o impar.
Gráfico 24
83
La Relación de Cortocircuito Kcc que es la relación entre la corriente de
cortocircuito real Idcc y la corriente de cortocircuito teórica Idccth vale:
I d CC
K cc = Ec.4.101
I d CCth
Para hallar la teórica de cortocircuito se considera únicamente las

caídas de tensión provocadas por las reactancias:
2q π q
U d = U do − ∆ 1U d = ⋅ Vm ⋅ sen − ⋅ ωLc I d Para q impar Ec.4.102
π q π
4 4
U d = U do − ∆ 1U d = ⋅ Vm − ⋅ ωLc I d Para q =2 Ec.4.103
π π
Si se iguala la Ud a cero se obtiene la corriente teórica de cortocircuito

Idccth:
2 ⋅ Vm π Para q impar Ec.4.104
I d CCth = sen
ωLc q
Vm
I d CCth = Para q = 2 Ec.4.105
ωLc
Entonces reemplazando en la ecuación 4.101 se deduce que:

q Para q impar
K cc = Ec.4.106
π
2π ⋅ sen
q
2
K cc = Para q =2 Ec.4.107
π
q 2 3
Kcc 0,636 0,550
Como surge del análisis este tipo de rectificadores tiene menor Relación
de Cortocircuito que el tipo P, razón por la cuál, desde este punto
también es más conveniente su aplicación.
84
4.5.3 Rectificadores de conmutación serie

Si la fuente de alimentación del rectificador está dispuesta en polígono
el montaje a utilizar se denomina de conmutación serie y se identifica
con la letra S acompañada del número de fases q para identificarlo
habitualmente. El esquema circuital genérico es el que se presenta en el
gráfico 25 donde es posible identificar a los diodos que conforman el
conmutador más positivo D1, D2... Dq y los del conmutador más negativo
D’1, D’2 ... D’q.
D’1 D1 i1
iq
i’1 i’2 M id
Dq D’2
iS2
i S1
1 D2
D’q v2
q
v1
v’1
2 i2
i’q v’2
iq-1 iSq vq v’q
q-1
Ud
Dq-1 v’q-1
v’q-2
vq
D’q-1
-1
iSq
i’q-1 q-2
-1
iq-2 id
Dq-2 i’q-2 N
D’q-2
Gráfico 25
85
4.5.3.1 RECTIFICADOR DE CONMUTACION SERIE TRIFASICO (S3)
Este rectificador cuenta con un conmutador mas positivo compuesto
por tres diodos D1, D2 y D3 cuyos cátodos están unidos y un conmutador
más negativo D’1, D’2 y D’3 con sus ánodos unidos. Las tensiones v1, v2
y v3 que provienen de un transformador con secundario en triángulo y
vienen desfasadas un ángulo 2π/3.
El gráfico 26 muestra el circuito y el 27 la respuesta de tensión y
corriente.
Id
M
D1 D2 D3
ip1 v1,is1
* *
1
ip2 v2,is2
* *
2 Ud
ip3 v3,is3
3
* *
D’1 D’2 D’3

N
Gráfico 26
86
ud
Vm ud
V1
V2
V3
0 ωt
vD1
-Vm
D1 D2 D3
D’3 D’1 D’2
iS1
2 Id
3
0 ωt
2π
- 2 Id
3
iP1
2 n2 Id
3 n1
0 ωt
2π
- 2 n2 Id
3 n1
IL1(∆)
n2 Id
n1
0 ωt
2π
-
n2 Id
n1
Gráfico 27
87
4.5.3.2 RECTIFICADOR DE CONMUTACION SERIE HEXAFASICO
(S6)
Este rectificador cuenta con un conmutador mas positivo compuesto
por seis diodos D1, D2, D3, D4, D5 y D6 cuyos cátodos están unidos y por
seis diodos D’1, D’2, D’3, D’4, D’5 y D’6 con sus ánodos están unidos.
Las tensiones v1, v2, v3, v4, v5 y v6 provienen de un transformador
hexafásico proveyendo tensiones poligonales que vienen desfasadas un
ángulo π/3.
El gráfico 28 muestra el circuito y el 29 la respuesta de tensión y
corriente.
id
M
D2 D6 D4 D1 D3 D5
ip1 v4,is4 v1,is1
* * *
ip2 v6,is6
* * *
Ud
ip3 v3,is3
v2,is2
* * *
v5,is5
n1 n2 n2
D’2 D’6 D’4 D’1 D’3 D’5
N
Gráfico 28
88
u
2Vm ud
Vm
V1
V2
V3
V4
V5
V6
0
vD1
-2Vm
D1 D2 D3 D4 D5 D6
D’4 D’5 D’6 D’1 D’2 D’3
iS1
Id
2
0 ωt
2π
Ip1(Y)
4 n2 Id
3 n1
0 ωt
2π
4 n2
Id
3 n1
Ip1(∆)
n2 Id
n1
0 ωt
2π
- n2 Id
n1
Gráfico 29
89
A los efectos de extender el análisis realizado para los rectificadores de
conmutación paralela a este tipo de montaje se realizará la conversión
genérica de tensiones de una fuente poligonal a una de tensiones en
estrella. El gráfico 30 ayudará para realizar dicha conversión.
Si en lugar de las tensiones:
v1 = Vm ⋅ sen ωt
 2π 
v 2 = Vm ⋅ sen ωt − 
 q  Ec.4.108
 2π 
v q = Vm ⋅ sen ωt − (q − 1) ⋅ 
 q 
Se puede considerar el sistema de tensiones simples equivalentes:
v’1, v’2,.... v’q Ec.4.109
De tal manera que para arribar a esta conversión se debe trabajar

sobre:
• magnitud de la tensión: los valores eficaces y máximos están
relacionados entre sí por:
V π Ec.4.110
= 2 ⋅ sen
V' q
• desfasaje de las tensiones: las tensiones simples del mismo índice

están adelantadas respecto de las compuestas en un ángulo:
π π
− Ec.4.111
2 q
π π
2- q
v1 v2
v’1
v’q 2π
q v’2
Gráfico 30
90
con esto se puede entonces definir el nuevo sistema de tensiones

simples de la manera siguiente:
Vm   π π 
v'1 = ⋅ sen ωt +  − 
π   2 q 
2 ⋅ sen
q
Vm   π π  2π 
v' 2 = ⋅ sen ωt +  −  −  Ec.4.112
π   2 q q 
2 ⋅ sen
q
Vm  π π  2π 
v' q = ⋅ sen ωt +  −  − (q − 1) 
π  2 q q 
2 ⋅ sen
q
Estas tensiones obtenidas se muestran temporalmente en la gráfico 31

para un rectificador trifásico S3 junto a las tensiones de líneas que
alimentan al convertidor. Si con v’1, v’2, v’3 se analiza el comportamiento
como si se tratara de un PD3, se obtendrían las tensiones del
conmutador más positivo y negativo que darían como resultado la
tensión rectificada total.
u
Vm
v1 v2 v3
Vm
2.sen π/q v’1 v’2 v’3
0 ωt
2π
Gráfico 31
91
4.5.3.3.1 Tensión rectificada
Es posible utilizar las expresiones que han sido halladas para los
rectificadores de conmutación paralela doble (PD) reemplazando donde
corresponda la conversión realizada de la tensión en magnitud y fase.
4.5.3.3.2 Valor medio en vacío
El valor medio será:
2q π 2q Vm π
U do = ⋅ V ' m ⋅ sen = ⋅ ⋅ sen Ec.4.113
π q π π q
2 ⋅ sen
q
q
U do = ⋅ Vm Ec.4.114
π
4.5.3.3.3 Tensión eficaz
1 n 2π
U d ( rms ) = Vm ⋅ + ⋅ sen Ec.4.115
2 4π n
Para q par, n = q
Para q impar n = 2q

Este factor tiene por objeto evaluar la calidad de la tensión rectificada y
se define como:
u dmax − u dmin
K0 = Ec.4.116
2 ⋅ U do
conmutación natural. Por lo tanto:
π
u dmax = 2 ⋅ Vm' ⋅ sen Ec.4.117
q
π π
u dmin = 2 ⋅ Vm' ⋅ sen ⋅ cos Ec.4.118
q n
 π
1 − cos 
π  n Ec.4.119
Para q par, n = q K0 = ⋅
Para q impar n = 2q 2n π
sen
n
92
q 3 6
Ko 0,0701 0,0701
De aquí se puede concluir que un montaje S6 tiene la misma calidad de

tensión que un S3 y por lo tanto su utilización no estaría recomendada.
Este factor ff viene dado por:
1 n 2π
+ ⋅ sen
U d ( rms ) 2 4π n
ff = = Ec.4.120
U do q
π
q 3 6
ff 1,0009 1,0009
Aquí nuevamente se comparan las prestaciones de un S3 y S6

obteniéndose el mismo factor de forma.
 ∞
− 2(− 1) 
c
u d = U do ⋅ 1 + ∑ 2 2 ⋅ cos(c ⋅ q ⋅ ωt ) Ec.4.121
 c =1 c q − 1 
4.5.3.3.7 Tensión inversa en semiconductores
Reemplazando en las ecuaciones halladas para PD (Ec.4.70 y Ec.4.71),
por la magnitud de la tensión obtenida se arriba a:
Vm Para q par
vimax = Ec.4.122
π
sen
q
Vm Para q impar Ec.4.123
vimax =
π
2 ⋅ sen
2q
Las respuestas mostradas en los gráficos 27 y 29 de los distintos
rectificadores S3 y S6 presentan la evolución de la tensión inversa sobre
uno de los componentes.
93
4.5.3.4 ESTUDIO DE CORRIENTES
4.5.3.4.1 Corrientes en los diodos

También para este análisis se supone que la corriente en la carga Id es
constante donde el valor medio coincide con su valor máximo. En esta
situación, la más desfavorable para los semiconductores, cada diodo
estará recorrido por la corriente de carga durante el ángulo de
conducción 2π/q. Las expresiones son:
imax = I d
Id
I med = Ec.4.124
q
Id
I rms =
q
La corriente que recorre los bobinados se distribuye en el interior del
polígono entrando por el nodo unido a N y saliendo por el vértice unido
a M. Así se reparte por dos ramas que están formadas por las fases
cuyas tensiones son positivas y por las otras donde esta es negativa.
Por lo tanto se debe considerar el estudio para dos situaciones:
• Número de fases par
Si q es par existen q/2 fases en cada rama, de manera que si las
reactancias son iguales la corriente se repartiría en cada fase +Id/2
cuando la tensión es positiva y -Id/2 cuando es negativa.
Id T
i s1 = →0<t< Ec.4.125
2 2
I T
i s1 = − d → < t < T Ec.4.126
2 2
La corriente eficaz del secundario entonces será:
Id
Is = Ec.4.127
2
El factor de potencia fs será:
Pd 2⋅ 2 f s = 0,90 Ec.4.128
fs = fs =
S π
94
• Número de fases impar

Cuando se está en presencia de rectificadores de fases impares, S3, S9
existe una rama donde hay (q + 1)/2 fases y otra (q – 1)/2. Así, la
corriente Id se distribuye en relación inversa al número de bobinados
que tiene cada rama y entonces se da que:
q +1 Bobinados recorrido por: q −1 Ec.4.129

⋅ Id
2 2q
q −1 Bobinados recorrido por:
q +1
⋅ Id Ec.4.130
2 2q
Del gráfico 27 donde se muestra la corriente del secundario se

desprende que el valor eficaz vale:
1  
2 2
T  q −1  T  q +1
Is = (q + 1) ⋅ ⋅ ⋅ I d  + (q − 1) ⋅ ⋅ ⋅ I d  
T 2q  2q  2q  2q  

Ec.4.131
Id q −1 2
Is = ⋅ Ec.4.132
2 q
El factor de potencia fs será:

Pd
fs = Ec.4.133
S
q
f s = 0,90 ⋅ Ec.4.134
q2 −1
q 3 9
fs 0,955 0,905
Como se observa este factor tiende a 0,9 a medida que q tiende a

infinito.
95
4.5.3.5 CAIDAS DE TENSION
El análisis realizado para los otros montajes tiene validez para el
rectificador tipo Serie.
∆U d = ∆ 1U d + ∆ 2U d + ∆ 3U d Ec.4.135
U d = U do − ∆U d Ec.4.136

Cuando un diodo pasa al estado de conducción o de bloqueo la
corriente que lo circula no puede pasar abruptamente de un nivel a otro
debido a la presencia de las inductancias del circuito. Ello hace que la
conmutación entre diodos no sea instantánea provocando la conducción
de dos diodos simultáneamente.
• Número de fases par

El gráfico 32 muestra la secuencia de conmutación de la corriente de
una rama a otra. Como se ha analizado anteriormente, cuando el
número de fases es par la corriente secundaria es Id/2.
M M M
Id Id Id
Dq Dq D1 D1
is1 is1 is1
q 1 q 1 q 1
Id Id Id Id Id Id
q-1 2 q-1 2 q-1 2
2 2 2 2 2 2
q q q q q q
+1 +1 +1
2 2 2 2 2 2
i Sq+1 i Sq+1 i Sq+1
2 2 2
D’q D’q +1 D’q D’q +1
2 2 2 2
Id Id Id
N N N
2π 2π
- +µ <ω t<0 0<ω t<µ µ<ω t<
q q
Gráfico 32
96
Durante la conducción simultánea de dos diodos éstos ponen en

cortocircuito la fase que está conectada entre sus ánodos o cátodos,
según el conmutador. Así:
di s1
v1 = Lc ⋅ = Vm ⋅ sen ωt Ec.4.137
dt
Si se realiza la integral para hallar el valor de is1 y la constante de
integración que surge de considerar que el valor inicial de is1 es - Id/2 y
que no puede haber discontinuidad, se obtiene:
Vm I
i s1 = ⋅ (1 − cos ωt ) − d Ec.4.138
ωLc 2
Como en ωt = µ la corriente asume el valor Id/2 es posible hallar el
ángulo de solapamiento:
ωLc I d
1 − cos µ = Ec.4.139
Vm
Así, la caída de tensión vale:
µ
⋅ Vm ⋅ (1 − cos µ )
q q
∆ 1U d = ∫
2π 0
Vm ⋅ sen ωt ⋅ dωt =
2π
Ec.4.140
q
∆1U d = ⋅ ωLc I d Ec.4.141
2π
• Número de fases impar

En el gráfico 33 se muestra la conmutación de la corriente de una
rama de un diodo a otra. En este caso la distribución de la corriente
secundaria es:
q +1 Bobinados recorrido por: q −1 Ec.4.142
⋅ Id
2 2q
q −1 q +1
Bobinados recorrido por: ⋅ Id Ec.4.143
2 2q
97
Cuando conmutan los diodos, la fase está cortocircuitada por dos de
ellos que se hayan en conducción simultánea. Así, la corriente viene
dada por:
di s1 Ec.4.144
v1 = Lc ⋅ = Vm ⋅ sen ωt
dt
De donde se deduce que:
ωLc I d  1
1 − cos µ = ⋅ 1 −  Ec.4.145
Vm  q
Las conmutaciones no se producen al mismo tiempo en el nodo M y en
el N
q  1
∆1U d = ⋅ ωLc I d 1 −  Ec.4.146
2π  q
M
id
M M
id id
Dq Dq D1 D1
iS1 iS1 iS1
q 1 q 1 q 1
id q-1
2q
id q+1
2q
i q+1 ic ic
q+3
d 2q
q+3 q+3 id q-1
2 2 2 2 2
2q
2
q+1 q+1 q+1

2 2 2
D’ q+1
2 id D’ q+1
2 id D’ q+1
2 id
N N N
- π +µ<ω t<0 0<ωt<µ µ<ω t< π
q q
Gráfico 33
98
El gráfico 34 muestra la tensión rectificada y la corriente de un S3 con

µ = π/6.
Vm
ud
V1
V2
V3
0 ωt
2π
µ
-Vm
D1
D2
D3
D’1
D’2
D’3
iS1
2 Id
3
0 ωt
2π
- 2 Id
3
Gráfico 34
99
4.5.3.5.2 Caídas de tensión debidas a las resistencias
Las caídas provocadas por las resistencias de los devanados primario y
secundario y de la línea valen:
∆ 2U d = R ⋅ I d Ec.4.147
donde R es la resistencia total del montaje referido al lado de continua.

Para los distintos esquemas, esta expresión toma las siguientes
características:
• S3:
2 
2
n 
∆ 2U d =  Rs + (R p + RL ) 2  Id Ec.4.148
3  n1  

2 
2
n 
∆ 2U d =  Rs + (R p + 3RL ) 2  Id Ec.4.149
3  n1  

Donde:

4.5.3.5.3 Caídas debidas a los diodos

que vale:
∆ 3U d = 2 ⋅ V f Id
Ec.4.150
100

Cuando existe un cortocircuito realizado sobre los bornes MN cada fase
secundaria está unida a este por medio de dos diodos montados en
antiparalelo, tal lo muestra el gráfico 35.
vq,iSq v1,iS1 v2,iS2 v3,iS3 v4,iS4

q 1 2 3
i’q iq i’1 i1 i’2 i2 i’3 i3
D’q D’1 D’2 D’3

Dq D1 D2 D3
M
id,cc
N
Gráfico 35
di s1
Lc ⋅ = v1 = Vm ⋅ sen ωt Ec.4.151
dt
di
0 = Vm ⋅ sen ωt − Lc s1 Ec.4.152
dt
− Vm
i s1 = ⋅ cos ωt Ec.4.153
ωLc
Y el valor eficaz vale:
2π
V
∫ (cos ωt ) dωt
1
= m ⋅
2
I scc Ec.4.154
ωLc 2π 0
V
I scc = Ec.4.155
ωLc
Que es la misma corriente que si el cortocircuito se produjera

directamente sobre la salida del transformador.
101
La corriente que circula por los diodos unidos a un mismo nodo
secundario no es igual a la corriente de la fase sino a la diferencia de
dos fases consecutivas. Por el conjunto D1 y D’1 circula:
 
Vm 2π  
⋅ cos ωt −
is1 − is 2 =  − cos ωt  =
ωLc
  q   Ec.4.156
2V π  π
= m ⋅ sen ⋅ sen ωt − 
ωLc q  q
Y su valor medio es:

2 ⋅ Vm π
I medCC = ⋅ sen Ec.4.157
π ⋅ ωLc q
La corriente de cortocircuito es la suma de todas las corrientes que
pasan por los diodos y tiene como valor medio:
2q ⋅ Vm π
I d CC = q ⋅ I medCC = ⋅ sen Ec.4.158
π ⋅ ωLc q
En este caso la corriente idcc no es constante.
Relación de cortocircuito
I d CC
K cc = Ec.4.159
I d CCth
q π Para q par Ec.4.160

K cc = ⋅ sen
π q
q −1 π
K cc = ⋅ sen Para q impar Ec.4.161
π q
q 3 6
Kcc 0,550 0,955
102
4.6 EJERCICIOS PROPUESTOS
Ejercicio Nº 1:
Considere un rectificador con un montaje PD3 grafique y simule las
formas de ondas de tensión rectificada en las siguientes situaciones:
a) Si se suprime D1
b) Si se suprime D1 y D'1
c) Si se suprime D1 y D'2
Ejercicio Nº 2:
Dado un transformador de alimentación 3 x 380 V, tensión de salida 3 x
120 V, 3.5 KVA de potencia, reactancia inductiva de 0.236 Ω,
resistencia primaria por fase de 0.668 Ω y resistencia secundaria por
fase de 0.199 Ω; al cuál se le aplica un rectificador PD3; hallar:
a) Tensión rectificada media de vacío
b) Tensión inversa máxima en diodos
c) Corriente media por diodo para un régimen nominal
de 20 A.
d) Seleccionar los semiconductores
e) Caídas de tensión en conmutación, diodos y
resistencias.
f) Trazar la curva de carga desde 0 a 20 A.
g) Corriente de cortocircuito y relación de cortocircuito.
Ejercicio Nº 3:
Determinar la tensión mínima de entrada al rectificador para obtener
un régimen de conducción continua en una resistencia de carga
cuando existe una batería de tensión nominal E = 24 V cargándose
a través de un P3.
Ejercicio Nº 4:
Verifique el proyecto para el funcionamiento correcto de una instalación
rectificadora que alimentará equipos de protección catódica,
comunicaciones, balizamiento y accesorios, todos ellos de carácter
resistivo. Para ello se cuenta con los siguientes datos:
- Diodos: SKN 20/08
- Corriente total en la carga Id = 60 A
- Tensión en la carga Ud = 110 V
- Montaje rectificador P3
- Transformador 3 x 380 V/ 3 x 208 V/ 7 KVA Primario y secundario
en Estrella con acceso al centro de Estrella, Reactancia de dispersión
ωLc = 0,3 Ω y Resistencias Rp = 0,7 Ω y Rs = 0,2 Ω.
En el caso de sub o sobredimensionamiento proponer soluciones.
103
Ejercicio Nº 5:
Un rectificador PD3 con diodos debe alimentar una carga resistiva con
Id = 58 A y Ud = 120 VCC. Se dispone de acceso a red industrial
3 x 380 V, 50 Hz.
Determinar:
a) Seleccionar semiconductores
b) Especificar el transformador
c) Hallar ángulo de solape para la In
d) Dibujar respuesta temporal de tensión y corriente en la carga.
Datos típicos de transformadores:
ωLc = 0.20 Ω Rp = 0.6 Ω Rs = 0.2 Ω
104

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4 RECTIFICADORES POLIFASICOS

4.2 CONMUTADORES MAS POSITIVOS

u Puntos de conmutación natural

Gráfico 1 - Conducción continua

4.3 REGIMEN DE CONDUCCION

Gráfico 2 - Conducción discontinua

Gráfico 3 - Condución continua

Es conveniente para la realización de este conmutador colocar diodos

4.5 TIPOS DE RECTIFICADORES

1 Identificación utilizada en libro de “Electrónica de Potencia” de Guy Seguier.

Gráfico 4 - Rectificador P genérico

4.5.1.1 RECTIFICADOR DE CONMUTACION PARALELA SIMPLE

Se destacan de este circuito que a medida que se aumenta el número de

A medida que aumenta que aumenta el número de fases q mejora la

4.5.1.5.1 Tensión media en vacío

Del gráfico 10 surge que:

4.5.1.5.3 Factor de Ondulación

El valor de la tensión rectificada máxima udmax coincide con la tensión

A medida que Ko tiende a cero, mejor es la calidad de la tensión

- Si el número de fases es impar:

4.5.1.6 ESTUDIO DE LAS CORRIENTES

4.5.1.6.1 Corriente en diodos semiconductores

Las expresiones son:

4.5.1.6.3 Factor de potencia del secundario

4.5.1.7 CAIDAS DE TENSION EN FUNCIONAMIENTO

4.5.1.7.1 Caída de tensión por efecto de las reactancias

En el gráfico 11 se representan las tres etapas de transferencia de la

iS1 iS2 Ud iS1 iS2 Ud iS1 iS2 Ud

Si se analiza los gráficos 11 y 12, cuando el diodo D1 conduce, is1 es

Integrando la ecuación anterior se obtiene:

La constante se deduce teniendo en cuenta que is2 sea nula en:

Para hallar µ solo es necesario reemplazar en la ecuación anterior el

La caída de tensión en el intervalo de solapamiento se debe a que la

La caída de tensión debida a la conmutación no instantánea es

4.5.1.7.2 Caídas de tensión debido a las resistencias

Luego la caída de tensión será:

Reemplazando en las ecuaciones 4.40 y 4.41 se obtiene:

4.5.1.7.3 Caídas de tensión debidas a los diodos

La caída de tensión debido a este efecto ∆3Ud vale:

La corriente is1 vale:

Este valor es √3 veces mayor que si el cortocircuito se hace en bornes

Se desprende del análisis que el valor instantáneo idcc es igual a IdCC :

Entonces, reemplazando en la ecuación 4.54 se obtiene que:

Con el aumento de q, el rectificador se autoprotege cada vez peor. Esta

4.5.2 Rectificadores de conmutación paralela doble (PD)

provienen de un transformador con secundario con un punto medio

4.5.2.2 RECTIFICADOR DE CONMUTACION PARALELO DOBLE

D’1 D’2 D’3

4.5.2.3 ESTUDIO DE TENSIONES

4.5.2.3.1 Valor medio en vacío

Aquí nuevamente se comparan las prestaciones de un PD3 y PD6

4.5.2.3.5 Desarrollo en serie

4.5.2.3.6 Tensión inversa en diodos semiconductores

- Si el número de fases es impar:

4.5.2.4 ESTUDIO DE LAS CORRIENTES

4.5.2.4.1 Corriente en diodos semiconductores

De manera que el valor eficaz vale:

4.5.2.4.3 Factor de potencia del secundario

Dando valores a q en la ecuación 4.76 se obtienen los factores de