CONFIGURACIONES BASICAS DEL

TRANSISTOR – PRACTICA 1
Cruz Mendoza Jessica, García Cuellar Luis Miguel, Hernández Bautista Angel, Acosta Calleja Angel
jessica.cruz.mendoza.jc@gmail.com, lgrcia10@gmail.com, fye87@hotmail.com, blackrock.shooter@hotmail.com

Universidad Autónoma de la Ciudad de México

RESUMEN- Esta práctica tiene como finalidad el de aprender que es

un Transistor BJT, los tipos (NPN y PNP) y sus tres configuraciones:

 Base común
 Emisor común
 Colector común

Parea el desarrollo de esta práctica, se deberá de cumplir que cada una

de las configuraciones del transistor cumpla con dos de las siguientes
características: Con una sola fuente, con dos fuentes, con fuentes de
corriente y con retroalimentación negativa.

Respecto al diseño de cada transistor se debe de calcular los valores Operación del Transistor BJT
de: Av, Ai, (IB, IC, IE), (iB, iC, iE) y β.
La unión p-n de un transistor (figura1) se polariza en inversa,
mientras que la otra (figura2) se polariza en directa:
INTRODUCCION

Transistor de Unión Bipolar (BJT)

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde

la señal de uno de los terminales controla las otras dos. Los
transistores se utilizan para amplificación, regulación de potencia y
como interruptores. El transistor de unión bipolar (BJT) está formado
por la unión de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p
y uno tipo n.

Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida

tanto por electrones como por huecos. La figura 1 muestra la
construcción de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n Como el material de la base es muy delgado y su conductividad baja,
separados por un semiconductor tipo p) y su correspondiente símbolo unos pocos portadores se irán en esa dirección. IB normalmente es del
esquemático. Los terminales del transistor se identifican como orden de microamperes.
Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo
La mayoría de los portadores mayoritarios se difundirá a través de la
pnp.
unión polarizada en inversa hacia el material tipo p.

En polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados

aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n. Todos
los portadores minoritarios de la región de empobrecimiento
atravesarán la unión polarizada en inversa.

Configuración de Base Común

La base es común tanto para la entrada como para la salida de la

La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemático de la parte configuración. La flecha en la figura3 define la dirección de la
inferior de un BJT que nos permite identificar sus terminales
corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
(Colector, Base y Emisor), respectivamente.

Note que los terminales son los mismos para NPN y PNP.
 Configuración en Colector Común

Se utiliza principalmente para acoplamiento de impedancias, ya que

tiene una alta impedancia de entrada y una baja de salida, lo contrario
de las configuraciones anteriores (figura6).

Para describir en su totalidad el comportamiento de un transistor

conectado en base común se necesitan dos conjuntos de
características: los parámetros de entrada y los parámetros de salida.

En la figura4 se muestran los parámetros de entrada para el

amplificador en base común, que relaciona la corriente de entrada I E
con la tensión de entrada V BE para varios niveles de la tensión de
salida VCB. La configuración de un circuito de colector común (figura7), se puede
diseñar utilizando las características de emisor común.

Para fines prácticos, las características de salida son las mismas que
para la configuración de emisor común.

Las características de salida se grafican como I E en función de VCE

para un rango de valores de I B (la corriente de entrada por tanto será
la misma).

El eje horizontal se obtiene cambiando el signo del voltaje del

colector al emisor.
El conjunto de parámetros de salida relacionan la corriente de salida El cambio de la escala vertical al reemplazar I C por IE será casi
IC con la tensión de salida V CB para varios niveles de la corriente de imperceptible ya que α ≈ 1.
entrada IE

Configuración en Emisor Común

La tensión de entrada se aplica entre base y emisor, y la tensión

amplificada se obtiene entre colector y emisor. Esta configuración se
denomina amplificador con emisor común, y es el circuito más
utilizado por su alta ganancia de tensión y corriente (figura5).

I C =I B∗β DC
Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de
corriente alterna. No tiene sentido amplificar una señal de corriente
continua, porque ésta no lleva ninguna información.

En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de DESARROLLO

corrientes (alterna y continua). La señal alterna es la señal a
amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operación A continuación se muestran los tipos de configuraciones del
del amplificador. Este punto de operación permitirá que la señal transistor, cada uno con sus respectivos cálculos, diseño y material
amplificada no sea distorsionada. utilizado.

Colector Común con una sola fuente (NPN)

I. Diseño Teórico (figuraA) con cálculos a partir de los valores

propuestos.
 IC 6.37 mA
IE 6.4 mA
VB 1 0.59 v
Datos VE 10.56 v
R1= 220 KΩ
VC 24 v
R2= 220KΩ
R3= 10 KΩ
VCC= 24 V Calculo de β con los datos obtenidos del multímetro:
VBE= 0.7 V

I c 6.37 mA
β= = =190
I B 45.60 µA

R2 220 x 103 Ω Emisor Común con una sola fuente (NPN)

V B=
( R1 + R2 )
V CC →V B=
( 3 3
24 V
)
( 220 x 10 Ω ) +(220 x 10 Ω) I. Diseño Teórico (figuraB) con cálculos a partir de los valores
propuestos.
V B =12 V

V B =V E +V BE →V E =V B −V BE →V E=12 V −0.7 V
Datos
V E=11.3 V R1= 2.2 KΩ
R2= 10KΩ
RE= 1 KΩ
RC= 3.6 KΩ
[ I C ≈ I E ]=0 A VCC= 10 V
β= 100

V R 3=(R 3)( I C )→ V RC =(10 x 103 Ω)( 0 V )

V R 3=0 V
(R¿¿ 2)( R 1) ( 10 x 103 Ω ) ( 2.2 x 103 Ω )
R1∨¿ R2 = → R1∨¿ R2= ¿
R2 + R1 10 x 103 Ω+ 2.2 x 103 Ω
II. Diseño Práctico en protoboard (figuraA1) y sus respectivas
mediciones con multímetro. R1∨¿ R2 =1.8 KΩ

R1 2.2 x 103 Ω
V B= ( )
R1 + R2
V CC →V B= (
2.2 x 103 Ω+ 10 x 103 Ω
10 V )
V B =1.803 V

V BB−V BE
I E=
(R ¿ ¿1∨¿ R2) 1.803 V −0.7V
RE+ → I E= ¿
β ( 1.8 KΩ )
1 KΩ+
Medición multímetro 100
IB 45.60 µA
I E =1.08 mA IC=βIB → IC =60( 45.08 μ A)

IC=2.70 10−3
[ I C ≈ I E ]=1.08 mA IE 2.75 mA
IB= → IB= =45.08 μA
β +1 60+ 1
II. Diseño Práctico en protoboard (figuraB1) y sus respectivas IB=45.08 μA
mediciones con multímetro.

VEE −VBE → IE= 4 V −0.7 V =¿ 2.75mA

IE= ℜ 1.2 K Ω
IE=¿2.75mA

−V CC + I C R C +V CE + I E R E −V EE =0

V CE =V EE+ V CC−I C RC −I E R E

V CE =V EE+ V CC−I E (RC −R E )

V CE =4 V +10V −2.75 mA (2.4 K Ω+1.2 K Ω)

Medición multímetro V CE =4.1V
IB 3.10 µA
IC 1.19 m A
IE 1.1 mA V CB =V CC −I C (R E )
VB 1.8 v
VE 1.19 v V CB =10 V −2.75 mA ( 2.4 K Ω)
VC 3.10 v V CB =3.5 V

Calculo de β con los datos obtenidos del multímetro:

V
I=
R
I c 1.19 mA
β= = =383 V =IR
I B 3.10 µA
V E=I E R E

Emisor Base Común CD V E=2.75 mA ( 1.2 K Ω)

I. Diseño Teórico (figuraC) con cálculos a partir de los valores V E=3.3 V
propuestos.

Datos
V C =I C R C
RC= 2.4 KΩ
RE= 1.2KΩ
Ci= 1 µF
V C =2.75mA (2.4 K Ω)
RC= 0F
V C =6.4 V
 I C 2.75 mA
β= = =59.8=60
I B 45.08 μA

rπ 1.2 K Ω
ℜ∨¿ = =1 K Ω
β +1 1.2 K Ω+9.1 K Ω

rπ 555.55
= =9. 1 K Ω
β+1 61

V 0 (t) rπ
Av=
V ¿ (t ) (
= gmRE∨¿
β+1
Rc )
555.55 Ω
(
Av= 0.108 ¿(1.2 K Ω)∨¿
60+1
¿) )
Av=¿)=2.59

IC 2.7 mA
gm= = =0.108
VT 25 mV

β 60
rπ = = → rπ=555.55 Ω
gm 0.108

CONCLUSION

Se realizaron las configuraciones de transistor BJT, las cuales

ayudaron a comprender más el funcionamiento de el, como su uso.
Asi mismo, las formulas y conocimientos desarrollados en clase se
utilizaron