LIBRO Desarrollo - Experimental - Diodos

Índice
INTRODUCCIÓN 1
1. PRUEBA DE SEMICONDUCTORES 3
1.1. PRUEBA DE TRANSISTORES UNIJUNTURA (U JT ) . . . . 5
1.2. PRUEBA DE TRANSISTORES BIPOLARES (BJT )(N P N
Y PNP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2. LABORATORIOS ELECTRÓNICA I 15
2.1. CARACTERIZACIÓN DEL DIODO . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2. EL DIODO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA . . . . . . . 21
2.3. EL DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA . . . . 23
2.4. EL DIODO COMO RECORTADOR . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.5. FIJADORES DE NIVEL (SUJETADORES) . . . . . . . . . . . 27
2.6. EL REGULADOR ZENER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.7. EL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN (EC) . . . . . . . . . 33
2.8. AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN (EC) SEGUNDA PARTE 35
2.9. AMPLIFICADOR COLECTOR COMÚN (CC) . . . . . . . . . 37
2.10.AMPLIFICADOR COLECTOR COMÚN (CC). SEGUNDA
PARTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.11.EL TRANSISTOR COMO SUICHE O INTERRUPTOR . . . 43
2.12.AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B . . . . . . . . . . 45
i
ÍNDICE
2.13.AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR J-FET . . . . . . . . . 47
3. LABORATORIOS ELECTRÓNICA II 49
3.1. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.2. CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS AO . . . . . . . . . 53
3.3. APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERA-
CIONALES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.4. COMPARADORES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.5. FILTROS ACTIVOS 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.6. FILTROS ACTIVOS 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.7. EL PLL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.8. EL UJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.9. EL OSCILADOR DE CORRIMIENTO DE FASE . . . . . . . . 69
3.10.EL OSCILADOR PUENTE DE WIEN . . . . . . . . . . . . . . 71
4. LABORATORIOS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 73

4.1. EL SCR EN CORRIENTE ALTERNA . . . . . . . . . . . . . . 75
4.2. EL DIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.3. EL TRIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.4. EL TRIAC CON DIAC Y DOBLE RED RC . . . . . . . . . . . 85
4.5. CONTROL DEL TRIAC CON OPTOACOPLADOR . . . . . . 87
5. ANEXOS 89
5.1. TRANSISTOR DE MEDIANA POTENCIA BD135 . . . . . . . 91
5.2. TRANSISTOR DE MEDIANA POTENCIA TIP 41 . . . . . . 94
5.3. TRANSISTOR DE POTENCIA 2N3055 . . . . . . . . . . . . . . 96
5.4. TABLA DE DIODOS 1N4XXX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
5.5. PUENTES DE DIODOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.6. TRIACS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.7. EL TIRISTOR SCR 106 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
5.8. EL OPTOACOPLADOR MOC3010 . . . . . . . . . . . . . . . . 113
5.9. TABLA DE TRANSISTORES CARACTERÍSTICAS . . . . . 116
Bibliografı́a 123
ii
INTRODUCCIÓN
El presente documento recoge una serie de experiencias resultado del trabajo

pedagógico en el aula de clase y en los laboratorios de la Universidad del Quindı́o
y la Universidad del Valle, sede Cartago. Es un trabajo enfocado directamente
hacia el desarrollo experimental que busca, ante todo, ampliar y reforzar el nivel
del conocimiento de nuestros estudiantes de los cursos regulares de electrónica
analógica. Todas las guı́as de las prácticas propuestas han sido sometidas a prueba
directamente en las actividades que hemos tenido la oportunidad de dirigir, y por
ello, se han recibido recomendaciones de los mismos estudiantes y de docentes
que han laborado en cursos paralelos, obviamente sugerencias que permitieron el
mejoramiento de este texto.
Son varios años de trabajo laborioso y sistemático para conjugar orgullosamente

un escrito vivencial y experimental. Estamos seguros que es un aporte significativo
y un material de apoyo válido para desarrollar las tareas inherentes al aprendizaje
de la electrónica básica.
En el capı́tulo I, de manera introductoria se presentan las pruebas correspondientes

de los diversos semiconductores a utilizar a lo largo del presente texto.
1
ÍNDICE
De forma similar, se pone a consideración de la comunidad académica, especial-

mente a aquella de los saberes de la electrónica, un compendio de 28 guı́as de
laboratorio dentro de las cuales hay 13 relacionadas con diodos y transistores, con-
densadas en el capı́tulo II, 10 con aplicaciones de los amplificadores operacionales
registradas en el capı́tulo III y 5 direccionadas hacia la operación con los tiristores,
capı́tulo IV.
Esperamos, con humildad, que los docentes y estudiantes que tengan la oportu-
nidad de conocer este escrito se sientan acompañados y asesorados para resolver
sus inquietudes en el laboratorio.
2
CAPÍTULO 1
PRUEBA DE SEMICONDUCTORES CON EL

MULTÍMETRO DIGITAL
3
CAPÍTULO 1. PRUEBA DE SEMICONDUCTORES
4
1.1. PRUEBA DE TRANSISTORES UNIJUNTURA (U JT )
1.1. PRUEBA DE TRANSISTORES UNIJUNTURA (UJT )
Con este procedimiento se puede determinar el estado general de un transistor

U JT , por ejemplo el popular 2N 2646. Se puede detectar el estado del sustrato y
el de la juntura o unión.
Prueba de sustrato: Se deben de identificar los terminales del transistor, las

dos bases, B1 y B2 , y el emisor E. Figura 1.1.
B1
B1
E
E
B2
B2
Figura 1.1: El transistor U JT 2N 2646 visto por encima (Top view) y su sı́mbolo
esquematico
Se coloca el multı́metro en la escala de 20KΩ y se mide la resistencia entre

bases (B1 y B2 ). Si el valor medido está entre 2KΩ y 10KΩ, el sustrato
está en buenas condiciones.
Si la resistencia es muy alta o infinita, el sustrato está abierto.
Prueba de la juntura o unión: En la escala de 200KΩ y con el terminal

positivo en el emisor (E) y el negativo en la base B1 o en la base B2
(Polarización Directa), se proccede a medir la resistencia.
Si dicho valor oscila entre 50KΩ y 150KΩ, el transistor está en buenas

condiciones. Esta aseveración se ratifica si en polarización inversa la resisten-
cia medida tiende a infinito.
Otra forma de verificar el estado de las uniones es colocando el selector de

funciones del multı́metro en prueba de diodos.
5
En la prueba de polarización directa entre el emisor y ambas bases, la medida

debe oscilar entre 500mV y 900mV . Para la polarización inversa, en la escala
debe aparecer sobrerango en ambos casos.
6
1.2. PRUEBA DE TRANSISTORES BIPOLARES (BJT )(N P N Y P N P )
1.2. PRUEBA DE TRANSISTORES BIPOLARES

(BJT )(NP N Y P NP )
Para verificar de manera oproximada el estado del transistor, se procede como si

éste estuviera conformado por dos diodos conectados entre si por extremos de igual
polaridad. Figura 1.2.
P P N N
(E) (C) (E) (C)
N(B) P(B)
Figura 1.2: Modelos de transistores PNP y NPN conformados por diodos
En general se fabrican tres modelos de transistores, por ejemplo, los de baja

potencia, baja corriente, factor de amplificación alto (β ≈ 200) y tamaño re-
ducido, por ejemplo los de los encapsulados T O−18, T O−39 y T O−92. Figura 1.3.
TO-18 TO-39 TO-92
TO-126 TO-3P STO-323 TO-220AC
TO-220AB TO-247AC TO-3
Figura 1.3: Encapsulados diversos para transistores
7
Los de mediana potencia con factor de amplificación mayor a 10 y menor a 100,

con manejo de corriente mas alto, como pueden ser los de las formas T O − 220
y T O − 126. Figura 1.3, y finalmente los transistores de alta potencia, con
encapsulados generalmente metálicos o combinaciones de plástico y metal pero con
baja amplificación de corriente (β < 40). Como ejemplos los de las formas T O − 3.
Cabe recalcar que los transistores bipolares, triacs, tiristores, y otros dispositivos
vienen en muchas presentaciones o encapsulados y esto viene ligado al tipo de
aplicación en que se les va a utilizar.
Cada transistor tiene impreso en el cuerpo del mismo, el tipo de transistor que
es, siendo ası́ muy fácil poder encontrar sus caracterı́sticas técnicas en un manual
como el ECG o NTE.
En estos manuales también se pueden encontrar transistores de caracterı́sticas

similares o muy parecidas a los que se los llama equivalentes.
Entre los encapsulados están: (hay más)
- El TO-92: Este transistor pequeño es muy utilizado para

la amplificación de pequeñas señales. La asignación de pati-
tas (emisor - base - colector) no está estandarizado, por lo
que es necesario a veces recurrir a los manuales de equiva- E
B
lencias para obtener estos datos. C
- El TO-18: Es un poco más grande que el encapsulado
TO-92, pero es metálico. En la carcasa hay un pequeño
saliente que indica que la patita más cercana es el emisor.
Para saber la configuración de patitas es necesario a veces C
B
recurrir a los manuales de equivalencias. E
- El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es

mas grande. Al igual que el anterior tiene una saliente que
indica la cercanı́a del emisor, pero también tiene la patita
del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipación C
B
de calor. E
8
- El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequeña a

mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependien-
do de la aplicación en se este utilizando. Se fija al disipador
por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor.
Se debe utilizar una mica aislante ECB
- El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones
en que se deba de disipar potencia algo menor que con el
encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar
una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por un
BCE
tornillo debidamente aislado.
- El TO-3: este encapsulado se utiliza en transistores
de gran potencia. Como se puede ver en el gráfico es de
gran tamaño debido a que tiene que disipar bastante calor.
Está fabricado de metal y es muy normal ponerle un ”disi-
pador”para liberar la energı́a que este genera en calor. Este
disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del
transistor, pues este estarı́a conectado directamente con el
colector del transistor (ver siguiente párrafo). Para evitar
el contacto se pone una mica para que sirva de aislante y
a la vez de buen conductor térmico. El disipador de fija al
transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados
que se introducen el los orificios que estos tienen. (ver figu-
ra a la derecha). En el transistor con encapsulado TO-3 el
colector esta directamente conectado al cuerpo del mismo
(carcasa), pudiendo verse que sólo tiene dos pines o patitas. C
Estas patitas no están en el centro del transistor sino que
ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se E B
muestra en la figura, al lado izquierdo estará el emisor y la
derecha la base.
Otra forma de identificar los transistores bipolares es atendiendo a la tabla 1.1,

donde aparecen, según código americano, clasificados en baja y alta potencia.
Nota: Los terminos XXXX determinan series de uno o más dı́gitos del 0 al 9 y
HF , LF , alta y baja frecuencia respectivamente (Siglas en inglés).
Para chequeo de transferencia de pequeña señal (baja potencia) se recomienda

colocar el óhmetro en la escala de 200KΩ para evitar posibles daños en la estructura
interna por excesiva corriente de prueba. Para transistores de alta potencia las
pruebas se pueden realizar en una escala menor.
9
CÓDIGO TIPO FRECUENCIA POTENCIA

2SA XXXX PNP HF BAJA
2SB XXXX PNP LF ALTA
2SC XXXX NPN HF BAJA
2SD XXXX NPN LF ALTA
Tabla 1.1: Tabla que hace referencia al código americano para identificación de
transistores bipolares
Prueba de Transistores P N P : Se coloca el terminal negativo en la base (B)

del transistor y se toca con el terminal positivo del emisor (E) y el colector
(C) como si se estuvieran verificando dos diodos. Ver figura 1.4
E C
B B
C E
- + + -
Negro W Rojo Rojo W Negro
Figura 1.4: Prueba de transistores PNP y NPN con el óhmetro
En esta prueba se debe obtener una resistencia de 120KΩ a 180KΩ, para

transistores pequeños y para transistores de potencia entre 80KΩ y 150KΩ.
Cuando se invierten los terminales, para el chequeo, el medidor marca

alta resistencia. Para verificar corto circuito entre emisor y colector se
colocan las sondas de prueba en estos terminales y se debe precisar en la
medida alta resistencia (mayor a 500KΩ), tanto en un sentido como en el otro.
Si se realiza la prueba con el medidor de diodos, colocando el terminal

de prueba negativo en la base y el positivo en el emisor y el colector
consecuentemente, la medida mostrará entre 500mV y 700mV para cada
caso.
10
Prueba de Transistores N P N : Se coloca el terminal positivo en la base del

transistor y se toca con el positivo el emisor y el colector tal como la prueba
de diodos. Figura 1.4. Aqui se tienen medidas de resistencia entre 120KΩ y
180KΩ, muy similares con los obtenidos en la prueba de transmisores P N P .
Al igual que el caso anterior, para utilizar la prueba de diodos, las medidas
oscilan entre 500mV y 700mV cuando se está colocando el terminal positivo
(rojo) en la base y el terminal negativo (negro), primero en el emisor y
luego en el colector. Por último, para la determinación de corto circuito en-
tre colector y emisor, se sigue el proceso detallado para los transistores P N P .
Prueba de Fototransistores: Algunos de estos elementos son sensibles a la luz

visible, por lo tanto, para ellos la prueba se realiza en la escala de 2M Ω, colo-
cando el terminal de prueba positivo en uno de los terminales del transistor
(Colector) y el otro en el emisor. Si la resistencia se presenta alrededor de
300KΩ, el está bien polarizado, por el contrario, si marca muy alta, están in-
vertidos los terminales. Al oscurecer el dispositivo la resistencia debe marcar
muy alta. Figura 1.5
+ 1KW +
Vcc
Rojo Rojo
W W
Negro Negro
- -
Figura 1.5: Prueba del fototransistor con luz visible y con luz infraroja
Otra forma de realizar la prueba es colocando un diodo emisor de luz

infraroja (IRED) correctamente polarizado frente al transistor en su parte
sensible. Con el terminal positivo del medidor en el colector y el negativo en
el emisor, se debe observar baja resistencia (5KΩ) y al colocar un obstáculo
entre ambos la resistencia se hará muy alta. Figura 1.5.
Si se reemplaza el transistor por un diodo IRED se pueden obtener medidas,

en polarización directa, del orden de 200KΩ con luz incidente, y muy alta
11
resistencia en polarización inversa (terminal positivo en el cátodo y negativo

en el ánodo).
Prueba de Transistores de efecto de campo (JF ET ): Se identifican los tres

terminales del F ET a saber: Compuerta (Gate), Fuente (Source) y Drenador
(Drain) representados por las letras G, S y D respectivamente. Figura 1.6
S S
G G
D D
CANAL P CANAL N
Figura 1.6: Sı́mbolos esquemáticos del transistor JFET
• Para el JF ET canal N : Se coloca el cable de prueba positivo en el

terminal de compuerta y el negativo en cada terminal drenaje y fuente.
Se debe leer alrededor de 200KΩ en cada caso. Al invertir los terminales
la resistrencia se hace muy grande.
La medida de resistencia entre el drenaje y la fuente dará un valor de

40KΩ, inclusive intercambiándolos.
• Para el JF ET canal P : Para las medidas se aplica el proceso anterior

por lo que se deben intercambiar los terminales de prueba, pues este tipo
de transistor, tiene la compuerta construı́da con material semiconductor
tipo N . Las medidas de resistencia son muy similares a las realizadas en
el caso anterior.
• Nota: Estas medidas pueden alterarse por la presencia de campos

electrostáticos ya que estos dispositivos son bastantes sensibles a este
fenómeno eléctrico.
12
También, algunos transistores JF ET permiten intercambiar la fuente

y el drenaje en la polarización.
Colocando el selector de funciones del medidor en prueba de diodos, con

el terminal positivo en la compuerta (G), para el JF ET canal N o el
terminal negativo para el JF ET canal P y el otro terminal en el drenaje
(D), luego en la fuente (S), la medida se dá alrededor de 600mV , por
el contrario, si se polariza inversamente, en cada caso, el multı́metro
marcará sobrerango.
Prueba del rectificador controlado de silicio (SCR): Se deben identificar,

primero que todo, los terminales del SCR, que para el caso del dispositi-
vo de la familia C106 están definidos en la empaquetadura T O − 202 de la
figura 1.3. Se sigue el siguiente proceso: Se coloca el terminal positivo del
multı́metro en el Ánodo (A) y el terminal negativo en el Cátodo (K), en este
momento la lectura es de resistencia muy alta (mayor a 20M Ω). Luego se hace
un puente eléctrico entre el anódo y la compuerta (G) y la resistencia áno-
do - cátodo rebaja obstensiblemente (alrededor de 100KΩ). Si se invierten
los terminales del ánodo y el cátodo y si se coloca el puente mencionado
anteriormente, siempre se marcará alta resistencia (mayor a 20M Ω).
Prueba del T RIAC: Los terminales del T RIAC, terminales principales

(T P 1) y (T P 2) y la compuerta (G) están identificados para la forma
T O − 220 en la figura 1.3. Colocando el terminal positivo, del óhmetro,
en T P 2 y el negativo en T P 1, la resistencia entre estos terminales es muy
alta (mayor a 20M Ω), pero una vez se realiza el puente entre T P 2 y la
compuerta, esta resistencia se reduce enormemente (alrededor de 100Ω
solamente).
Si se intercambian los terminales de prueba entre T P 2 y T P 1 se repiten las

mismas medidas anteriores tanto sin el puente como con él, Esto es lógico
porque la mayorı́a de los T RIAC ′ s conducen en los cuatro cuadrantes.
Nota: Los valores de resistencia en Ohmios y voltajes en milivoltios comenta-

dos en este escrito, fueron obtenidos con un multı́metro de 3 12 dı́gitos DT −888
13
marca UNIVOLT. Lógicamente, puede suceder que las medidas y sus resul-
tados variarán si se realizan las pruebas con otro tipo de óhmetro digital por
que ellas se realizan haciendo circular pequeñas corrientes por los dispositivos
sometidos al examen.
14
CAPÍTULO 2
LABORATORIOS ELECTRÓNICA I
15
CAPÍTULO 2. LABORATORIOS ELECTRÓNICA I
16
2.1. CARACTERIZACIÓN DEL DIODO
Los diodos rectificadores son elementos semiconductores que cumplen una fun-
ción de conducir la corriente eléctrica en un sentido (corriente ánodo-cátodo). Esta
propiedad los hace muy apropiados para diferentes aplicaciones en electrónica. Se
pretende en esta práctica conocer algunas caracterı́sticas relacionadas con el com-
portamiento eléctrico de estos dispositivos.
2.1.1. PROCEDIMIENTO:
PARTE A. Tomando en cuenta el esquema de la figura 2.1 se tomarán datos del
voltaje que aparece en el diodo VD y la corriente eléctrica que circula por él.
Como hay que tomar alrededor de 50 datos (V , I), lo mejor es colocar un
potenciómetro P de 50Ω (ó de 100Ω) en la salida de la fuente de c.c fijada
en 1,5V . Una vez instalados todos los elementos y verificadas las conexiones
correctamente, proceder a variar el voltaje con pequeños recorridos del
potenciómetro ubicando cada una de las parejas en la tabla 2.1
Tabla 2.1
VD (V )
ID (mA)
Figura 2.1: Circuito para analizar el comportamiento del diodo
Finalmente se elabora una gráfica I → V (papel milimetrado) y a partir de

ella identificar el voltaje de conducción en directo del diodo, denominado Vf .
¿Qué sucede con el voltaje y la corriente a partir de allı́?
17
En esta segunda parte se construirá una gráfica caracterı́stica del diodo

aprovechando las bondades del osciloscopio, pero esta vez, caracterizando
las polarizaciones directa e inversa.
Teniendo en cuenta el esquema de la figura 2.2 y colocando el osciloscopio

en la posición X-Y (se debe centrar el punto de la traza), con el canal 1
en la escala 0,5V /div y el canal 2 en 1V /div, y colocando ambos canales en
entrada dc, se consigue una curva i = f (v), la cual es fácilmente observable en
la pantalla del osciloscopio. Cuando la gráfica esté bien definida, identificar
valores de Vf y de Imáx . Se recomienda cambiar el valor deR para obtener
otra gráfica un poco diferente.
CH 1
CH 2
1N4148
120 VRMS 9 VRMS R 100 W
Figura 2.2: Análisis del comportamiento del diodo utilizando el osciloscopio
NOTA: Si la curva presenta fenómeno de histéresis, se cambia el transfor-

mador por un generador de señal en la escala de 100Hz, 5V p
Finalmente, se remplaza el diodo de silicio por uno de germanio y de nuevo

relacionar los detalles más relevantes.
PARTE B. Por un procedimiento similar al anterior se encontrarán las curvas

caracterı́sticas de los diodos:
B.1. Diodo Zener.
B.2. Diodo Led.
B.3. Diodo Ired.
18
Para ello solamente basta con cambiar el diodo del circuito en la figura 2.2
por cada uno de los anteriores, y de hecho, intentar identificar caracterı́sti-
cas propias en cada uno. Para estos dispositivos se hace evidente, a voltajes
menores a 20V , el voltaje de pico inverso VR .
19
20
2.2. EL DIODO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
2.2. EL DIODO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
El diodo semiconductor tiene una aplicación bien interesante al utilizarlo como

rectificador de señales de corriente alterna, ca, aprovechando su comportamiento
unidireccional. Existen básicamente dos tipos de rectificación:
Media onda y onda completa, ambas con un sinnúmero de aplicaciones y soluciones

electrónicas.
PARTE A. Rectificador de media onda
Implementar el circuito de la figura 2.3 en el cual se utilizará un diodo
IN 4004, un transformador 506 ó 508 (muy popular en el mercado local)
y una resistencia fija (RL de 200Ω). Definir la salida del transformador con
12VRMS .
Figura 2.3: Circuito tı́pico rectificador de media onda
Con el osciloscopio, observar las formas de onda con el canal 1 en el punto A

y canal 2 en el punto B, identificando el punto C como la referencia común
(GN D). Se recomienda invertir el canal 2 para tener una visión más real del
fenómeno y analizar cada señal por separado, y luego simultáneamente en el
modo dual tomando en cuenta los valores del voltaje pico y del periodo.
Con el botón que posiciona la traza, superponer estas dos señales para tratar
de recuperar la señal de la fuente (salida del transformador). También, medir
los voltajes en el diodo y en la resistencia RL utilizando el multı́metro y com-
21
parándolos con los valores obtenidos por medio del osciloscopio. Finalmente
medir el valor de la corriente ILRMS.
PARTE B. Diseño del filtro

Definir un valor del factor de rizado (FR ) del 5 % al 10 %. Con dicho
parámetro, calcular el valor del condensador que se utilizará como filtro pasa-
1
bajos, en dónde FR = f RL C , una vez establecido, colocarlo en paralelo con
RL , figura 2.4 (tener cuidado con la polaridad). Observar la señal VL en la
salida, y allı́ mismo, midiendo ∆VL se puede hallar el valor del factor de
∆VL ∆V L
rizado utilizando F R = VCC en donde VCC = VP − 2 . Es importante
confrontar este valor con el definido inicialmente para determinar el grado de
confiabilidad del filtro diseñado.
Figura 2.4: Rectificador de media onda con filtro
22
2.3. EL DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
2.3. EL DIODO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
En una de sus funciones, el diodo semiconductor puede operar como recortador,

en este caso, como rectificador de onda completa, que es un tratamiento sobre la
señal de ca para convertirla en cd con mayor eficiencia, tal como se estudiará a
continuación.
PARTE A. Rectificación de onda completa
Figura 2.5: Rectificador de onda completa utilizando dos diodos y un transfor-

mador con tap central
De nuevo, se construirá el circuito de la figura 2.5 con diodos 1N 4004

y transformador 506 ó 508, pero utilizando su tap central y las salidas
simétricas de ±9VRMS .
Colocar una resistencia de carga RL de 200Ω (1W). Con el terminal GN D del

osciloscopio colocado en C, figura 2.5, observar y medir los voltajes pico, VP
de las formas de onda en los puntos A, D, y B. Igualmente con el multı́metro
tomar el valor de dichos voltajes y la corriente ILRMS .
PARTE B. Diseño del filtro

Definiendo un factor de rizado, FR , entre el 5 % y el 10 %, calcular la fracción
5VP
del voltaje de salida, ∆V L .Con la ecuación C = 2π∆VL f RL y con f = 120HZ
calcular el valor del condensador para implementar el filtro pasa-bajos
23
que se colocará en la salida del rectificador de onda completa (en paralelo

con RL , figura 2.5), teniendo la precaución de conservar la polaridad correcta.
Finalmente, refiriéndonos al circuito de la figura 2.5, medir el valor del

voltaje en la salida con el osciloscopio lo mismo que el voltaje de riza-
do ∆VL (osciloscopio en modo ca). Realizar las mismas medidas con el
multı́metro e igualmente la medida de la corriente en la carga, IL .
Se propone, por último, colocar una nueva resistencia de 100Ω (1W) y

repetir todo el proceso realizado anteriormente. De seguro se encontrarán
resultados bien interesantes.
¿Por qué la señal en esta rectificación es de 120Hz?
24
2.4. EL DIODO COMO RECORTADOR
2.4. EL DIODO COMO RECORTADOR
Aprovechando el comportamiento unidireccional del diodo, se puede utilizar para

realizar tratamientos muy sencillos a señales ca y limitar estas señales a unos
valores predeterminados. Su funcionamiento se basa en el hecho de que un diodo
no conduce hasta que no está polarizado directamente.
Existen los limitadores en serie, figuras 2.6 (a) y (c), y los limitadores en paralelo,
figuras 2.6 (b) y (d).
Figura 2.6: Circuitos con el diodo como recortador o limitador
Para las prácticas que se desarrollarán a continuación, se utilizará el generador

de audio a frecuencia de 1kHz, onda senoidal o triangular y 10VP P , la resisten-
cia limitadora R = 10kΩ y el diodo rectificador D1 , 1N 4004. Opcionalmente se
necesitará de una fuente adicional (pila seca de 1.5V).
25
Construir los circuitos relacionados en la figura 2.6 y en cada caso observar y
medir las señales en la entrada Ven , en el diodo y en la salida,VO , utilizando
el osciloscopio. Ven es la señal que proporcionará el generador de audio.
Se invita a proponer otros circuitos semejantes a los anteriores pero invirtien-

do el diodo o la pila seca o ambos y se encontrarán resultados que se pueden
predecir y confrontar.
Finalmente, se pide observar la función de transferencia (VO → Ven ) en cada

circuito, utilizando el osciloscopio en el modo X − Y , colocando la referencia,
GN D en el punto A y los canales 1 y 2 respectivamente en los puntos B y
C. Estas funciones de transferencia muestran el comportamiento del sistema
en el plano cartesiano y en los 4 cuadrantes.
26
2.5. FIJADORES DE NIVEL (SUJETADORES)
2.5. FIJADORES DE NIVEL (SUJETADORES)
Son otras de las aplicaciones del diodo rectificador, en las cuales, él añade un valor
de nivel cc a una señal de corriente alterna ca ayudándose de otros elementos como
pilas y/o condensadores. Existen tanto fijadores positivos como negativos, figuras
2.7 (a) y (b).
Figura 2.7: Circuitos aplicando el diodo como fijador
Para estas prácticas se utilizarán:
Ven , generador de audio, salida senoidal o triangular, 1KHZ y 10VP P
C = 0,1µf .
R = 1M Ω.
Pila seca de 1,5V .
Diodo 1N 4004
Armar los circuitos presentados en la figura 2.7 (a) y (b). Observar y medir
las señales en la entrada, Ven , y en la salida, VO , con el osciloscopio en modo
dual.
Luego, ubicar el osciloscopio en modo X-Y para obtener la función de trans-

ferencia en cada caso, teniendo la precaución de colocar GN D en el punto
27
A, el canal 1 en B y el canal 2 en C. Observar y medir las formas de onda

obtenidas.
Se sugiere proponer nuevas versiones de estos circuitos invirtiendo la polaridad

del diodo, o de la pila o de ambas. Los resultados darán puntos de discusión bien
importantes.
28
2.6. EL REGULADOR ZENER
El diodo zener es un semiconductor muy singular que aunque se puede eventual-

mente utilizar como rectificador, su gran aplicación es la de servir como recortador
o tı́picamente regulador de voltaje. El voltaje zener es realmente el voltaje de
conducción en inverso, VR , que en esta práctica se denominará como voltaje de
regulación. En el comercio de la electrónica se consiguen diodos zener de voltajes
diversos desde 2V hasta 36V , con potencias que varı́an desde 0,1W hasta 5W .
En esta práctica se utilizará el diodo zener como regulador de voltaje.
PARTE A. Voltaje zener
Lo primero es identificar el voltaje del diodo zener, VZ . Una forma es aten-
diendo su referencia y observando las parámetros en el manual ECG. Otra,
es montar el circuito de la figura 2.8 Se varia el voltaje VS desde 0V hasta
encontrar el voltaje VZ que es el voltaje estacionario en el diodo, ası́, el voltaje
de la fuente se siga incrementando. Estos datos obtenidos se consignarán en
la tabla 2.2.
Figura 2.8: Circuito para hallar el voltaje zener
PARTE B. Resistencia en serie alta (para voltajes razonablemente

regulados)
Aquı́ se calculará RS , resistencia en serie necesaria para activar el diodo
zener a voltajes mayores según el circuito de la figura 2.9, recurriendo a la
ecuación:
VS − VZ
RS =
IZK + IL
29
Tabla 2.2
Vs Vz
Con: IZK > 4mA. IL según la carga RL .
Una vez realizado el cálculo recomendado, implementar el circuito de la figura

2.9 y medir VS , VZ , IZ , IS .
Figura 2.9: Circuito regulador de voltaje con diodo zener
PARTE C. Resistencia en serie baja

Otra forma de calcular RS es colocando el zener a trabajar a 50 % de su
potencia nominal y ası́ RS tomará un valor bajo, según la ecuación:
VS − VZ
RS =
0,5IZMAX
Realizar el cálculo e implementar el circuito con este valor de RS , tomando

las medidas de las variables pertinentes.
30
PARTE D. Fuente zener con transistor.

Como el regulador anterior maneja poca potencia (0.5W, 1W), se pretende
implementar un circuito que pueda aceptar resistencias de carga de mayor
potencia (Bombilla de 6V -5W, por ejemplo). Ver figura 2.10.
Figura 2.10: Regulador zener con transistor
Montar el circuito de la figura 2.10 con un transistor 2N 3904 o similar. Si se

requiere mayor potencia, utilizar un transistor de mediana potencia como el
BD 135 teniendo en cuenta el montaje con disipador de calor.
Tomar las medidas de VZ , VC , V CE , V E , IS , Ib , I Z e IL. Con cálculos muy

sencillos se pueden confrontar los resultados experimentales de voltajes, co-
rrientes y potencia disipada en el transistor y en la bombilla.
31
32
2.7. EL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN (EC)
2.7. EL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN (EC)
Una de las aplicaciones más importante del transistor bipolar es su utilización como
amplificador de voltaje. La configuración emisor común ofrece esta posibilidad de
una manera eficiente ya que presenta alta ganancia de voltaje, AV . La práctica
siguiente permitirá un conocimiento mas preciso sobre el comportamiento eléctrico
de esta configuración.
PARTE A. Curvas caracterı́sticas
Figura 2.11: Análisis del amplificador a transistor
Elaborar el circuito de la figura 2.11 alimentado con una señal de ca de 9V ,

observar y medir las señales individualmente en el osciloscopio. Luego, en
la configuración X − Y observar y medir los valores más relevantes de la
curva caracterı́stica de IC en función de VCE ; el proceso se repite, primero,
cambiando R2 (10kΩ) y luego cambiando RC (1kΩ). Se debe tener en cuenta
el cambio de parámetro para la corriente de colector,IC , ya que el osciloscopio
solo mide voltajes.
33
PARTE B. Máxima excursión de salida y amplificación de voltaje
Figura 2.12: Circuito tı́pico para un amplificador emisor común (EC)
Montar el circuito de la figura 2.12 sin considerar los condensadores. Para

voltajes de entrada del orden de los milivoltios, tomar los valores de los
respectivos voltajes en la salida y calcular la ganancia de voltaje, AV , en
cada caso. Consignar dichos valores en una tabla de tres columnas. Medir,
con el multı́metro, los valores ICQ , VCEQ , VBB y IBQ .
Tomando en cuenta los condensadores (C1=10µf, C2=10µf, C3=1000µf),

realizar de nuevo las mediciones anteriores para varios valores de Ven . Es
importante analizar el comportamiento de la señal en los dos últimos casos
y como cambia la ganancia de voltaje. Con los valores de los parámetros
medidos en la polarización y con los valores de las resistencias, calcular la
ganancia de voltaje y comparar con los resultados experimentales.
¿Son congruentes estos resultados?
34
2.8. AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN (EC) SEGUNDA PARTE
2.8. AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN (EC) SEGUNDA

PARTE
Figura 2.13: Circuito emisor común conectado para amplificar voltaje
PARTE A. Amplificación y ángulo de fase
Conectar el circuito de la figura 2.13 con S1 y S2 abiertos variando el valor
del potenciómetro P hasta que VCE =6V.
Cerrar S1 y aplicar una entrada Ven = 50mV pp (1kHz-senoidal). Con el

osciloscopio medir el voltaje de salida, VO , para este caso en particular y
luego, variando el voltaje de entrada obtengan medidas respectivas del voltaje
de salida. Escribir estos valores en una tabla hasta llegar al valor de Ven , en
el cual, VO se distorsiona (aquı́ se tiene la máxima excursión de salida). Para
cada situación de amplificación se calcula la ganancia de voltaje, AV , y se
debe revisar la relación de fase entre la entrada, Ven , y la salida, VO .
35
a) b)
Figura 2.14: Circuito para medir las impedancias de entrada y de salida en un
amplificador emisor común
PARTE B. Impedancias de entrada y de salida
Conectar un potenciómetro de 10kΩ en serie con la entrada (figura 2.14a.) y

con el osciloscopio, medir la señal en el generador y en la base del transistor
simultáneamente. Variar el potenciómetro hasta que la señal en la base sea la mitad
de la proporcionada por el generador. El valor de la resistencia del potenciómetro
es el valor de la impedancia de entrada del amplificador, Ren .
Levantar el potenciómetro y conectar de nuevo el circuito original. Medir de nuevo

VO y colocar un potenciómetro de 2kΩ en la salida (figura 2.14b.). Variar el valor
del mismo hasta que VO sea la mitad del valor antes mencionado. Midiendo el
valor óhmico de este potenciómetro se obtiene el valor de la impedancia de salida
del amplificador, RO . Con los valores de estas impedancias obtenidas, calcular las
ganancias de voltaje, AV , y de corriente, AI , del amplificador.
36
2.9. AMPLIFICADOR COLECTOR COMÚN (CC)
Este tipo de amplificador es un excelente amplificador de corriente debido entre

otras caracterı́sticas, a su moderada resistencia de entrada y su baja resistencia
de salida. Por lo anterior se le usa para las etapas de salida de amplificadores de
potencia, en las fuentes de poder y en sistemas de suicheo de potencias, por ejemplo,
los inversores.
PARTE A. Ganancia de voltaje y ganancia de corriente
Figura 2.15: Circuito tı́pico de un amplificador colector común (CC)
Implementar el circuito de la figura 2.15, previamente hay que calcular R1

y R2 teniendo como referencia que se colocará el voltaje colector-emisor,
VCE , en la mitad de la recta de carga. Se revisan los voltajes y corrientes
de polarización y toman en cuenta los valores de: VCE , VE , VBB , IB e IE
comparándolos con los valores teóricos.
Luego, asignarle una señal senoidal en Ven y medir el valor respectivo de VO

ubicando los valores en una tabla con el correspondiente cálculo de ganancia
de voltaje.
37
Igualmente se debe calcular la ganancia de corriente AI , inicialmente

colocando una resistencia de 100Ω − 1W en la salida VO y midiendo las
corrientes en la entrada y en la salida del amplificador. El proceso se repite
para una nueva resistencia de 47Ω − 2W .
¿Qué valores de las ganancias de voltaje y de corriente se consiguieron?
¿Son consistentes dichas ganancias con las caracterı́sticas del amplificador

diseñado?
PARTE B. Fuente de voltaje regulada
Figura 2.16: Diagrama de bloques de una fuente regulada
La figura 2.16 muestra el diagrama de bloques de una fuente regulada implementada

con transistores. Enumeremos las etapas que la conforman:
1. Elemento de muestreo.
2. Elemento de referencia.
38
3. Elemento comparador.
4. Amplificador de error.
5. Elemento de control.
Estos elementos se pueden identificar de una manera precisa en el circuito de la

figura 2.17. Construir el circuito allı́ descrito donde T1 es un transistor de mediana
potencia con su respectivo disipador de calor (T IP 31, T IP 41, BD135 etc.). T2 es
un transistor de pequeña señal (BC 548, 2N 3904, P N 2222, etc.).
Figura 2.17: Fuente regulada implementada con transistores
Este tipo de fuente muestra un voltaje en la salida, VO , que depende del voltaje
colocado en la base B2 . Ven , es un voltaje rectificado y filtrado que puede ser de
bajo o alto valor dependiendo de los transistores.
La corriente de salida, IO , puede ser de un valor alto si se tiene un buen transistor

de potencia . ¿Qué configuración forman los transistores T1 y T2 ?
Para medir la máxima corriente de salida, se conecta una resistencia variable de por
lo menos 50W en la salida con un amperı́metro en serie, se reduce el valor de ésta,
hasta que el voltaje VO llegue a 0,9 de su valor en vacı́o. Allı́ se tiene precisamente
una buena medida de esta corriente.
39
40
2.10. AMPLIFICADOR COLECTOR COMÚN (CC). SEGUNDA
PARTE
2.10. AMPLIFICADOR COLECTOR COMÚN (CC). SE-

GUNDA PARTE
Figura 2.18: Circuito amplificador colector común
Conectar el circuito de la figura 2.18, y variando el potenciómetro P , obtener el
voltaje colector- emisor, VCE = 6V .
Posicionar el generador de señal, Ven , en 100mV pp, senoidal y con el osciloscopio,

medir el valor del voltaje de salida, VO . Repetir este proceso para diferentes
valores de voltajes en la entrada. Con estas parejas hallar el valor de la ganancia
de voltaje, Av .
También se medirán la impedancia de entrada, Ren , y la impedancia de salida,

RO , utilizando el procedimiento planteado en el laboratorio 2.8 (amplificador EC
segunda parte), solo que el potenciómetro en la salida debe ser de 100Ω y de alambre
enrollado (10W o más). Con los datos tomados anteriormente calcular la ganancia
de corriente, AI .
41
42
2.11. EL TRANSISTOR COMO SUICHE O INTERRUPTOR
2.11. EL TRANSISTOR COMO SUICHE O INTERRUP-

TOR
Figura 2.19: Circuitos sencillos para utilizar el transistor como suiche (interrup-
tor)
CASO A. Interruptor on-off
Conectar el circuito de la figura 2.19, y con S1 abierto, medir, con el
multı́metro, el voltaje colector-emisor, VCE , y la corriente de colector IC .
Repetir el proceso cuando S1 está cerrado. Modificar el circuito para obtener
la conexión de la derecha de la figura 2.19 y realizar todo el procedimiento
anterior.
CASO B. Medida del tiempo de conmutación
Para medir el tiempo de conmutación, se conecta el circuito de la figura 2.20

con un voltaje de entrada proporcionado por el generador de onda cuadrada
de 5V pp y 1kHz. Observar y medir las formas de onda sincronizadas de Ven
y VO .
Variar la frecuencia hasta 100kHz y ajustar la base de tiempo del osci-

loscopio para obtener un solo ciclo en salida. Si se requiere se debe
43
Figura 2.20: Circuito para medir el tiempo de conmutación de un transistor
agrandar, aun más, la base de tiempo para medir luego el tiempo total
de conmutación, tc, el tiempo de encendido, ten, y el tiempo de apagado, tap.
Comparar el tiempo total del pulso en la salida con el tiempo total del pulso
en la entrada, el cual se ha medido previamente.
Repetir el procedimiento para una frecuencia mayor.
44
2.12. AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B
2.12. AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B
Figura 2.21: Circuito amplificador de potencia clase B
Para realizar esta práctica, los transistores Q1 y Q2 deben estar montados
mecánicamente en sendos disipadores, o en uno solo, si están aislados. Los resis-
tores de 1Ω deben tener una potencia de trabajo de 2 a 5W (alambre bobinado).
Conectar el circuito de la figura 2.21, ajustando el potenciómetro P hasta que el

voltaje en el punto A sea igual a 6V . Tomar las medidas recomendadas en la tabla
2.3 sin conectar el generador de audio, Ven , (situación estática).
45
Tabla 2.3
Ic VCE1 VBE1 VE1 VCE2 VBE2 VE2
Seguidamente se conecta el voltaje de entrada y se ajusta su valor a VP P = 0

(1kHz). Se aumentan poco a poco estos valores de voltaje hasta obtener un va-
lor máximo en la salida sin distorsión. Para ello se puede reajustar P , si es necesario.
Condensar las medidas en la tabla 2.5. Observar y dibujar las formas de onda
obtenidas con el osciloscopio, para Ven y VO . Igualmente, realizar lo mismo para
completar la tabla 2.5.
Tabla 2.4
I(fuente)
I reposo (Ven = 0)
V en(máx)
Tabla 2.5
Ven Vo Av Av (dB)
Remplazar RL por un parlante de 8Ω(5W). Realizar un barrido de frecuencia desde

10Hz hasta 30kHz y en cada caso (con voltaje de entrada constante) tomar los
valores de VO observando si la señal se distorsiona. Detallar el ancho de banda para
el cual el oı́do humano escucha estas señales de audio frecuencia y para ampliar el
volumen, se aumenta el valor de Ven .
46
2.13. AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR J-FET
2.13. AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR J-FET
Figura 2.22: Amplificador de dos etapas con transistor J-FET
En este laboratorio, se diseñará e implementará el amplificador de dos etapas según
la figura 2.22. Las condiciones dadas para cada amplificador son las siguientes:
J-FET 1: VDD = 24V , RL = 400Ω, Vp1 = −6V , IDSS1 = 30mA, gmo1 = 10000µs
y Ai = 15
J-FET 2: ID2 = 5IG , VDS2 = 4V , Rin2 = 100kΩ, IDSS2 = 15mA y Vp2 = −2V
La tarea es hallar, analı́tica y experimentalmente, la ganancia total de voltaje
AV 12 y la ganancia total de corriente AI12 .
Se recomienda utilizar el transistor J − F ET canal N K30A o uno similar.
En las notas de clase aparece un cálculo similar de un amplificador de doble etapa.
47
48
CAPÍTULO 3
LABORATORIOS ELECTRÓNICA II
49
CAPÍTULO 3. LABORATORIOS ELECTRÓNICA II
50
3.1. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
3.1. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
En esta práctica analizaremos el comportamiento del amplificador diferencial

diseñado con dos transistores en conexión emisor común (señal de salida por el
colector) según como lo enseña la figura 3.1
+ Vcc
Vo 1 Vo 2
+ +
Vi1
Vi2
- -
RE
- VEE
Figura 3.1: Amplificador diferencial con transistores
Para implementarlo se pueden usar 2 transistores muy populares como el 2N3904

y con caracterı́sticas muy similares con RE = 20kΩ, RC = 5kΩ y fuente dual de
+12V y −12V .
Medir los parámetros en cc como son las corrientes de emisor y de colector
lo mismo que los voltajes en el colector y en el emisor.
Con una fuente de señal conectada (Vi1 ) y la otra entrada aterrizada, realizar
la medida de la ganancia en modo diferencial. Para ello se definen varios
valores en la entrada y el respectivo valor en la salida. Diseñar una tabla de
datos.
Con la misma fuente de señal conectada simultáneamente a ambas entradas

(modo común) hacer el barrido para varios valores de entrada y su respectivo
valor en la salida. Diseñar una segunda tabla de datos.
51
Es importante observar, en el osciloscopio, qué tipo de señal nos muestra cada una
de las salidas para una entrada en particular (modo diferencial) y además para
qué valor de Vi se satura la salida.
52
3.2. CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS AO
3.2. CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS AMPLIFI-

CADORES OPERACIONALES
Ahora, en esta segunda práctica, estudiaremos como es la amplificación de señales

en un amplificador operacional configurado de 3 maneras diferentes: INVERSOR,
NO INVERSOR y SEGUIDOR UNITARIO. Ver las figuras 3.2a, b y c.
Rf Rf
V R1 Vo R1 Vo
R1 Rf
R1 Rf
(a) V (b)
Vcc
-VEE
2 - 7
IN- 4
6
LM 741
3
IN+ + 5
Vo
V 1
(c)
Figura 3.2: El amplificador operacional y sus configuraciones básicas
Definir una ganancia de voltaje en cada circuito para elegir R1 y Rf .
Montar en el protoboard cada uno de los circuitos de la figura 3.2. Ini-

cialmente, en cada caso, hay que revisar si el amplificador tiene voltaje
OF F − SET , el cual deberá corregirse antes de empezar a utilizarlo como
amplificador de voltaje. El AM P − OP 741 tiene forma de corregirlo
utilizando los pines 1 y 5 y un potenciómetro trimmer de 10K, figura 3.2(d).
53
Una vez se ha logrado equilibrar el voltaje de salida en cero voltios para

entradas en cero voltios, ahora si, proceder a analizar como es la señal en
la salida,VO ,para un voltaje en la entrada. Revisar el tamaño y la forma de
ambas señales, tanto a la entrada,V1 como en la salida.
Finalmente, para cada caso, se hará un barrido de voltaje en diferentes

frecuencias entre 50Hz y 500KHz y para cada situación se tomarán los
valores de V1 y VO y frecuencia, que serán consignados en una tabla de
datos, además de plasmar allı́ el valor de la ganancia de voltaje.
La tarea final es lograr construir una gráfica de ganancia de voltaje contra

frecuencia en papel semilogarı́tmico, identificando las frecuencias para
ganancia unitaria y caı́da de 3 dB.
Recordar, finalmente, que muchas veces se deben confrontar datos o cálculos

teóricos con datos o resultados experimentales.
54
3.3. APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
3.3. APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERA-

CIONALES
He aquı́ unas aplicaciones bien interesantes de las amplificaciones operacionales

usándolos para realizar el cálculo matemático necesario para transformar una señal,
realizando sobre ella, la integral y la derivada.
R1 C1
C
R
V1 R C
Vo V1 R Vo
R1 ll R
R ll R
(a) (b)
Figura 3.3: El amplificador operacional (a) como integrador y (b) como derivador
PARTE A. EL INTEGRADOR
Definir C(0,47µf − 0,22µf − 0,1µf ) y seleccionar una señal V1 cuadrada,

simétrica con el eje del tiempo de 5Vp ; además, una frecuencia compren-
dida entre 500Hz y 5kHz. Figura 3.3(a).
Calcular el valor de R con los parámetros VP de la señal de entrada, la
frecuencia de la señal cuadrada y el voltaje pico de la señal de salida
deseada, VO .
Hallar el valor de R1 teniendo en cuenta la limitación del circuito de la
figura 4.1(a), el cual se comporta como un filtro pasa-bajas. Se puede
10
definir R1 = 2πf C . Con esta resistencia se limita la ganancia de voltaje
en cc.
Con los elementos definidos y el amplificador operacional a utilizar, por
ejemplo LM 741, proceder a montar el circuito de la figura 4.1(a).
55
Observar las señales en la entrada y en la salida y confrontar los re-

sultados obtenidos con los esperados según los cálculos. Si la señal de
salida no tiene el voltaje pico esperado, buscar una frecuencia a la cual
se obtiene el resultado admitido dentro de los cálculos.
Finalmente identificar la frecuencia a la cual la señal de salida a decaı́do
al 70 % de su valor calculado, de otra manara, cuando la ganancia de
voltaje a decrecido −3dB.
Definir, ahora, una señal senoidal en la entrada y observar la salida.
¿Qué se puede concluir? ¿Si se realizó la integral a la señal de entrada?
Tomar todos los detalles en la bitácora de apuntes para lograr consolidar
un buen informe.
PARTE B. EL DERIVADOR
Ahora, como en el caso anterior, definir C de la figura 3.3(b) y definir

V1 como una señal triangular de 5Vp y simétrica con el eje del tiempo y
con una frecuencia mayor a 5KHz.
Nota: Se sugiere C = 0,01µf o más pequeño.
Aplicando Vo = −RC dV
dt se puede calcular R conociendo la ecuación de
1
la pendiente positiva de la función de entrada o simplemente, conociendo

la pendiente de dicho tramo de la forma de onda y definiendo el valor
de VO , por ejemplo de 5Vp .
Finalmente, antes de proceder a realizar el montaje, el condensador de
compensación C1 se puede calcular de una manera aproximada con:
1
C1 = 2πf R .
Ya con todos los elementos definidos, armar el circuito de la figura 3.3(b)

y observar los resultados obtenidos comparando con los esperados.
¿Qué tipo de filtro es el del circuito montado?
Finalmente, colocar en V1 una señal senoidal y observar la salida. ¿Qué se
espera encontrar? ¿Se realizó la operación derivación sobre la onda posi-
cionada en la entrada?
56
3.4. COMPARADORES
3.4. COMPARADORES
De nuevo tenemos la oportunidad de trabajar con los amplificadores operacionales

usándolos en aplicaciones no lineales, los COMPARADORES. En estos casos se
recomienda utilizar un circuito integrado comparador como el LM 311 o el LM 339,
aunque sigue siendo válido el amplificador LM 741.
+Vcc
Vref
Vo
Vo
V1
V1 -VEE
10K Ω
(a) (b)
Vref
Vo
V1
47 KΩ
10K Ω
(c)
Figura 3.4: Diferentes configuraciones para el comparador
Definir V1 como una señal senoidal de 1 a 3 Vp simétrica y no olvidar, además, que
hay que polarizar a +VCC la salida del comparador LM 311 con una resistencia
de 5,1K (su construcción interna es open collector). La posición X − Y del
osciloscopio permite observar una función de transferencia conectando la señal de
entrada en el canal X y la señal de la salida del comparador, en el canal Y .
Inicialmente se realiza el montaje del circuito de la figura 3.4(a) (comparador

con cero) polarizándolo con +VCC y −VEE . Observar las señales de entrada y de
salida tanto en forma de onda como en voltajes pico. Luego observar la gráfica de
57
transferencia VO → V1 . ¿Si se invierten las entradas, qué sucederá con el voltaje

en la salida y con la gráfica de transferencia?
Implementar ahora el circuito de la figura 3.4(b) (comparador de nivel) usando

un potenciómetro trimmer de 10KΩ como fuente de voltaje variable. Igualmente,
como en el caso anterior, observar las señales de entrada y de salida y la gráfica
de transferencia. Repetir el proceso cambiando el voltaje de referencia a un valor
positivo y luego a un valor negativo. Todas las observaciones se deben consignar
en la bitácora.
Finalmente, se hará el montaje del circuito de la figura 3.4(c) (comparador con

histéresis) con VREF de 1 a 3V . Calcular el voltaje de centro,VC , el voltaje
umbral superior, VUT , el voltaje umbral inferior, VLT y el voltaje de histéresis,
VH . Observar y medir los voltajes de entrada y de salida y la gráfica de trans-
ferencia y comparar con los valores obtenidos en el cálculo para VC , VH , VUT y VLT .
¿Qué sucederá si se intercambian las entradas en este modelo de comparador?
58
3.5. FILTROS ACTIVOS 1
En esta práctica se tiene la oportunidad de utilizar el amplificador operacional

como un filtro activo. Aunque estos dispositivos no funcionan a altas frecuencias,
para frecuencias menores a 100KHz se comportan aceptablemente.
Rf
Rf
RA Vo RA Vo
R C
V
C V
R
(a)
(b)
Figura 3.5: Filtros activos (a) Pasa-bajas, (b) Pasa - altas
PARTE A. Filtro Pasa-Bajas
Definir una ganancia de voltaje en cc para el circuito amplificador filtro

de la figura 3.5(a).
Definir, igualmente, una frecuencia de corte para el mismo circuito y

seleccionar un condensador menor o igual a 0,47µf para calcular el valor

1
de R WC = RC (WC = 2πfC ).
Es importante tener presente que el valor de R es igual al paralelo entre

RA y RF (R = RA ||RF ).
Con estas condiciones se pueden calcular los valores de RA y RF .
Una vez hallados los valores de los elementos del circuito, se procede a
realizar el montaje, utilizando una fuente dual para polarizar el ampli-
ficador operacional. (No olvidar verificar el voltaje OF F − SET antes
de empezar a conectar la señal V1 ).
59
Conectar la señal V1 (señal senoidal entregada por el generador de au-

diofrecuencia). Realizar un barrido tomando valores de V1 y VO des-
de frecuencias muy bajas (20Hz), hasta frecuencias altas, pasando por
la frecuencia de corte previamente elegida. Escribir estos datos en una
tabla.
PARTE B. Filtro Pasa-Altas
De nuevo se define la ganancia a altas frecuencias para el circuito de

la figura 3.5(b). Igualmente definir la frecuencia de corte que puede
ser la misma seleccionada anteriormente. Con ella se puede calcular R
definiendo previamente el valor de C.
Aquı́ también es válido que (R = RF ||RA ) y por lo tanto con esta condi-
ción y con la ganancia de voltaje para el amplificador no inversor se
pueden hallar los valores de RA y RF .
Con todos los elementos realizar el montaje de la figura 3.5(b) revisando
previamente el voltaje OF F SET .
Aplicar la señal de entrada, haciendo un barrido amplio en diferentes
frecuencias y en cada caso tomar los valores de los voltajes a la entrada
y a la salida. Es importante escribir estos datos en una tabla construida
para tal fin.
Finalmente, graficar, usando papel semilogarı́tmico, los valores del volta-
je de salida en función de la frecuencia utilizando los resultados ex-
perimentales e identificando en cada caso la frecuencia a la cual hay
decaimiento de −3dB. Emitir juicios alrededor de los resultados y las
gráficas.
60
ACERCAMIENTO A UN PROBLEMA REAL

Con un transformador de pequeña señal (VRMS ≤ 5V ) y un generador de au-
diofrecuencia, conectados a las entradas de un amplificador de doble entrada se
puede verificar el comportamiento de los filtros Pasa-Bajas y Pasa-Altas. Figura
3.6.
Rf
T
RA
V
110 R
+
V
-
Figura 3.6: Amplificador para superponer dos señales
Implementar el circuito de la figura 3.6 seleccionando Rf = RA y
(R = RF ||RA ) verificando previamente el voltaje OF F − SET del ampli-
ficador. T1 es un transformador de 110Vac con salida de bajo voltaje.
Definir la señal de entrada,V1 , como una señal senoidal de 200mV y 1KHz.

Observar la salida del amplificador (VO ) ¿Qué tipo de señal se ha construido?.
Ahora, la idea es identificar la señal que se ha de eliminar en la superposición

obtenida en la salida del amplificador, ya sea la de 60Hz o la de 1KHz, y para
ello se apoyará en los procedimientos y resultados obtenidos en la práctica
sugerida en el laboratorio 3.5. Independientemente seleccionar un filtro Pasa-
Bajas o un filtro Pasa-Altas. El circuito seleccionado se conectará a la salida
del amplificador de la figura 3.6.
61
Montar el sistema completo, primero para experimentar con filtro pasa-bajas

y luego con pasa-altas y en cada caso escribir los resultados obtenidos.
62
3.7. EL PLL
3.7. EL PLL
Los P LL (Phase Locked Loop) bucles de enganche de fase son circuitos muy
versátiles. Se les emplea en regulación de velocidad de motores, en instrumentación
industrial, demodulación de señales F M , sintetizadores de frecuencia, decodifi-
cadores de tono, para multiplicar y dividir frecuencias, para demodular señales
SCA, en receptores de telemetrı́a, para la fabricación de alarmas y controles ul-
trasónicos, en control de sintonı́a fina, etc.
SEÑAL DE 4 +V
ENTRADA
Filtro Pasa-bajos
del loop
Entrada 3 Detector 2
vco DETECTOR de fase
DE FASE C2
R1
TENSIÓN DE
5 vco
CONTROL SEÑAL DE 6 +Vcc
ERROR
Detector 8
FILTRO PASO de Carga
C1 Vref
BAJO Cuadratura
7 1
C3 Filtro de
salida
AMPLIFICADOR (b)
SALIDA
(a)
Figura 3.7: (a)Bloques de un PLL, (b) Bloques internos del PLL LM567
El P LL está conformado básicamente por 3 elementos. Figura 3.7(a). Un

comparador de fase o detector, un filtro pasa-bajas y un oscilador controlado
por voltaje V CO (Voltage Controlled Oscillator). El detector de fase compara
la fase de la señal de entrada con la fase de la señal del V CO y genera un
voltaje que es proporcional a la diferencia de fase de ambas señales. Si no se
aplica señal a la entrada, el V CO genera una frecuencia que se conoce como
central o frecuencia propia.
63
Cuando hay señal de error, efecto causado por una señal de entrada con fase distinta
a la fase instantánea del V CO, el voltaje de salida del detector es llevado a un filtro
pasabajas para eliminar el ruido y componentes de alta frecuencia. Ya filtrada la
señal se hace llegar de nuevo al V CO, de tal forma que éste tienda a reducir la
diferencia de fase de ambas señales aumentando o disminuyendo su frecuencia de
oscilación. Este proceso se repite muchas veces hasta que el voltaje de control,
(señal de error) haga que la frecuencia del V CO se “estacione” en un punto igual
al promedio de la frecuencia de la señal de entrada. En este momento el Loop
(cı́rculo o anillo vicioso) es Locked (fijado, enganchado). Los P LL más populares
son: LM 563, LM 564, LM 561, LM 565 y el LM 567, entre otros.
3.7.1. PROCEDIMIENTO: PRÁCTICA PARA IDENTI-

FICAR SU FUNCIONAMIENTO
Primero se debe montar el circuito de la figura 3.8(a) que es un generador
de señal de forma de onda cuadrada cuya frecuencia se puede variar con el
1+β R2
TRIMMER P1 . Ası́, T = 2RCLn 1−β (1) β = R1 +R2 (2) (relación del divisor)
F = 5KHz.
OUT
C
R’ P GND R 20KΩ 0.01
R
Vo 8 7 6 5
C
R1 PLL LM567
• 1 2 3 4
+ + Vcc
R2 2.2µf
1µf IN
(a) (b)
Figura 3.8: (a) Generador de onda cuadrada, (b) Conexión del PLL (567)
Determinar el valor de R con la ecuación (1) teniendo definido a β previa-

mente y con C = 0,1µF . Se puede intentar con β = 0,5.
64
3.7. EL PLL
Una vez diseñado el circuito, implementarlo en el protoboard y observar la

señal de salida en el osciloscopio. ¿Cómo eliminar la componente negativa de
la misma?
Cuando se ha logrado eliminar la componente negativa del oscilador, se monta

el circuito de la figura 3.8(b) que es un P LL, decodificador de tono. La salida
del oscilador se conecta a la entrada del P LL (pin 3). Observar la señal de
salida del PLL mirando la frecuencia de la señal de entrada. La frecuencia
central de oscilación del P LL se calcula ası́: F = 1.1RC
¿En qué valor de frecuencia se engancha el P LL y qué valor toma la salida

del P LL allı́?
¿Cómo diseñar un control remoto utilizando led’s infrarrojos y un P LL?

Presentar una propuesta.
65
66
3.8. EL UJT
3.8. EL UJT
El transistor monojuntura (UNIJUNTION TRANSISTOR) es un dispositivo de

tres terminales que actúa por la predisposición de un voltaje entre el terminal
emisor, E, la base 1, B1 , de tal manera que cuando este voltaje es mayor que un
valor VP o valor pico de voltaje del emisor, se habilita un camino de conducción
de baja impedancia entre el emisor y la base 1 y a la vez, también, se permite otro
camino de conducción entre la base 2, B2 , y la base 1.
+ Vcc + Vcc
470Ω
RE 470Ω
E B2
E B2
B1
B1
+
+
Vf CE
- - 100Ω
100Ω
(a) (b)
Figura 3.9: (a) UJT con fuente de voltaje a la entrada, (b) Configuración tı́pica
del UJT
PARTE A. Identificar los terminales del transistor UJT 2N2646. A la vez,
utilizando el manual, tomar nota de las caracterı́sticas del mismo dis-
positivo. Con el óhmetro medir la resistencia estática internase RBB .
Montar el circuito de la figura 3.9(a), en el cual Vf es una fuente cc,
y variando muy lentamente el valor de Vf identificar el valor VP para el
cual se ha activado el transistor. ¿Cómo se evidencia este hecho? Tratar
de llegar a una solución en consenso entre todo el grupo. Para dar mayor
seguridad a la toma del valor de VP , se debe repetir el proceso.
67
PARTE B. Para construir un oscilador de relajación con un U JT se

aprovecha el circuito de la figura 3.9(b).
Definir una frecuencia de trabajo entre 100Hz y 1KHz.
Usando un condensador, CE , electrolı́tico de 100uf o 220uf, calcular el
valor de RE para obtener el valor de la frecuencia esperada.
Ya con el circuito en funcionamiento, observar y medir las señales que
se producen en el emisor y ambas bases, cuando el U JT se usa como
oscilador de relajación.
68
3.9. EL OSCILADOR DE CORRIMIENTO DE FASE
3.9. EL OSCILADOR DE CORRIMIENTO DE FASE
Muchas configuraciones circuitales generan una forma de onda sinusoidal o prácti-

camente ella misma sin señal de entrada y se usan como fuente de señal en todo tipo
de aplicaciones. El principio de operación de los osciladores se basa en el concepto
de realimentación positiva; en donde una parte de la señal de salida se realimenta a
la entrada de modo que refuerza, sosteniendo ası́ una señal a la salida permanente.
En particular, en esta práctica se implementará un oscilador de desplazamiento o
corrimiento de fase utilizando un amplificador LM 741. Figura 3.10.
Rf
C C C
R R R
Figura 3.10: Conexión de un oscilador de corrimiento de fase
Para el circuito de la figura 3.10, definir C de 100pf y para una frecuencia de
30KHz, calcular el valor de R según la ecuación de la frecuencia para este
tipo de oscilador:
1
f0 = √
2π 6R.C
1
Recordando que la ganancia de la red de atenuación es β = 29 y para que,
además, exista oscilación es necesario que |BA| = 1, calcular el valor deRF
con estas consideraciones.
Montar el circuito de la figura 3.10 aprovechando el amplificador operacional

LM 741 o el LF 351, polarizándolo con fuente dual de ±12V . Observar la
señal en la salida determinando su forma de onda, su valor de voltaje pico
y su frecuencia. Realizar lo mismo con la señal en la entrada del amplifi-
69
cador operacional. ¿Cómo determinar el valor de β o ganancia de la red de

realimentación?
¿Qué podrá suceder en la señal de salida si se cambiara el valor del conden-

sador o el valor de la resistencia?
¿Qué utilidades se le podrán dar a este tipo de circuito?
70
3.10. EL OSCILADOR PUENTE DE WIEN
3.10. EL OSCILADOR PUENTE DE WIEN
Este tipo de oscilador es muy utilizado como elemento básico en generadores de

audiofrecuencia. El dispositivo es un amplificador operacional (LM 741) que ampli-
fica la señal diferencial entre dos nodos del puente, que a su vez es el resultado de
realimentar la salida a los otros dos nodos del mismo (Figura 3.11).
R1
C
Vo
R2
R
C
Figura 3.11: Oscilador puente de WIEN
Definir el condensador C alrededor de 1000pf y definir, además, una frecuen-
cia de trabajo entre 1Khz. y 20Khz. Con estos valores hallar R según la
ecuación:
1
fr =
2πRC
También hay que dar valores a R1 y R2 a partir de las ecuaciones:
R1
A≥3 A= +1
R2
71
Esta última es la ecuación de ganancia de voltaje de un amplificador

NO INVERSOR. Se recomienda R2 con valores entre 5KΩ y 10KΩ.
Una vez encontrados los valores de los elementos, proceder a montar el circuito
de la figura 3.11 utilizando una fuente dual para polarizar el amplificador.
Con la ayuda del osciloscopio medir los valores de frecuencia y amplitud de

las señales de entrada (IN +), de salida (VO ) y con estos valores calcular la
ganancia de la red de realimentación, β.
¿Cómo está relacionado este valor con el de la ganancia de voltaje?
¿Qué forma de onda produce este oscilador?
¿Cómo se podrı́a cambiar la frecuencia de la señal de salida?
¿Cómo mejorar el auto arranque de este oscilador?
72
CAPÍTULO 4
LABORATORIOS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
73
CAPÍTULO 4. LABORATORIOS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
74
4.1. EL SCR EN CORRIENTE ALTERNA
El SCR (Silicon Controlled Rectifier), rectificador de silicio controlado, es un

dispositivo de tres terminales, CÁTODO, ÁNODO Y GATE, del grupo de los
TIRISTORES (figura 4.1(a)), muy utilizado en circuitos de control de cargas de
mediana y alta potencia. En esta práctica se analizará su comportamiento en
corriente alterna (ca)
Primero que todo se deben conocer las caracterı́sticas eléctricas del dispositivo
C106 utilizado en los desarrollos experimentales consecuentes. Por ejemplo la
corriente mı́nima de compuerta, IGMIN , el voltaje de pico inverso, VR , corriente
máxima ánodo-cátodo, IAK , y la disipación de potencia.
NOTA: Para utilizar el osciloscopio en esta práctica y las siguientes se recomienda

aislar el polo de tierra, del mismo, con un adaptador de tres a dos terminales en la
toma de ca.
PARTE A. Implementar el circuito de la figura 4.1(b) calculando R1 + R2
para un ángulo de conducción del SCR de 90o y con una corriente
IG de 2mA, además, teniendo en cuenta que RL es una bombilla de
100W . R2 puede ser un reóstato necesario para encontrar otros ángulos
de disparo. Si R2 es baja, la corriente de compuerta (GATE ) será lo
suficientemente grande para disparar el SCR cuando el voltaje de ca
sea bajo. Por lo tanto, el ángulo de retardo de disparo será pequeño y
la corriente promedio en la carga, grande.
Con el osciloscopio, sondas ×10, observar y medir las señales entre ánodo
y cátodo y en la carga RL , simultáneamente, a medida que el reóstato
R2 cambie su valor. Es importante registrar el valor de R2 para ángulos
de retardo de disparo mı́nimo y máximo, e igualmente el valor de dichos
ángulos.
¿Cuál es el valor máximo del ángulo de retardo de disparo.
PARTE B. Para aumentar aun más el ángulo de retardo de disparo, por ejemplo
75
(a) (b)
Figura 4.1: (a) Terminales del SCR, (b) Conexión en ca para ángulos de retardo
menores a 90 grados
100o, se usa la red (R1 + R2 )C del circuito de la figura 4.2(a). A mayor valor
de R2 , mayor es el tiempo que tarda la placa superior del condensador en
cargarse positivamente, y por tanto el disparo del SCR se retarda.
Aprovechando el diseño de la figura 4.2(a), determinar el valor de (R1 +

R2 ) para seleccionar un ángulo de retardo de disparo de 10o y, luego, un
ángulo de retardo de disparo de 100o. Definir el valor de C.
¿Qué valores comerciales potenciómetro + resistencia fija, se seleccionarán?
Con el osciloscopio, sondas ×10, observar y medir las señales entre ánodo
y cátodo y en la carga RL , simultáneamente, a medida que el reóstato
R2 cambie su valor. Es importante registrar el valor de R2 para ángulos
de retardo de disparo mı́nimo y máximo, e igualmente el valor de dichos
ángulos.
¿Realmente aumenta el valor del ángulo de retardo de disparo?
El circuito de la figura 4.2(b) posee doble red RC utilizado para aumentar

un poco más el ángulo de retardo de disparo. C1 y C2 son condensadores de
0,1µf (250V ).
Con los valores de R1 , R2 y C1 escogidos en la parte A se puede imple-

mentar la primera etapa de la red de disparo. Para la segunda constante
76
de tiempo de retardo de disparo, R3 C2 , se puede seleccionar un ángulo

de retardo de disparo equivalente a 5 mS. Con este parámetro calcular
el valor de R3 y asumirlo como un resistor fijo más un potenciómetro
con cierto valor amplio ( 100KΩ). De nuevo con el osciloscopio verificar
las señales entre ánodo y cátodo y en la carga RL . Se evidencia que si
realmente el ángulo de retardo de disparo aumentó.
(a) (b)
Figura 4.2: (a) SCR con red RC a la entrada (b) SCR con doble red RC a la
entrada
¿Qué valor máximo del ángulo de retardo de disparo se consigue al ajustar el

valor de R2 , primero, y luego el de R3 ?
77
78
4.2. EL DIAC
4.2. EL DIAC
El DIAC es un dispositivo considerado dentro del grupo de los TIRISTORES.

Es un elemento simétrico que no posee, por tanto polaridad. Su nombre proviene
de la contracción de DIODE ALTERNATIVE CURRENT. Estos elementos tienen
rango de conmutación desde ±20V hasta ±80V . Cuando el voltaje aplicado en sus
extremos excede los valores de los voltajes de ruptura directo o inverso (±VBO ), el
DIAC conmuta a conducción en cualquiera de los dos sentidos.
DIAC DIAC
(a) (b)
Figura 4.3: (a) El DIAC alimentado con una fuente cc, (b) el DIAC con fuente
de voltaje ac
Revisar las caracterı́sticas eléctricas y parámetros del DIAC a utilizar,
aprovechando el manual ECG.
Montar el circuito de la figura 4.3(a), en donde V , es una fuente dual (para

aumentar el voltaje) y RS una resistencia de 5.1 KΩ. Aumentar lentamente
el voltaje en la fuente observando el voltaje en el DIAC hasta que se logre
llegar al estado de conmutación y encendido. Tomar en cuenta este valor de
voltaje, lo mismo que la tensión en el DIAC, cuando ya se encuentra en
estado “ON ′′ .
Invertir el DIAC y repetir el procedimiento anterior apuntando los valores

de voltajes de conmutación y encendido.
79
Ahora, se utilizará una fuente de ca (figura 4.3(b)) que puede ser una fuente
que produzca una señal mayor a 40VP , o en su defecto, la red de corriente
alterna con una resistencia RS adecuada según la tolerancia de potencia del
DIAC. (Para la red de ca su valor puede ser del orden de 20KΩ y si se usa
una fuente de menor tensión, se debe reducir el valor de esta resistencia).
Colocando los canales del osciloscopio en los puntos definidos en la figura

4.3(b), observar la curva caracterı́sticas del DIAC (modo X-Y) y centrar la
atención en los valores de los voltajes de conmutación y de encendido.
¿Cómo son estos valores con los obtenidos cuando se polarizo el DIAC en cc?
¿Qué se puede concluir sobre el funcionamiento del DIAC?
¿Cuáles podrı́an ser las aplicaciones más comunes del los DIAC?
80
4.3. EL TRIAC
4.3. EL TRIAC
Los T RIACS se comportan en general como los SCR, excepto que los primeros
pueden conducir corriente en ambas direcciones, pero, ambos son miembros de la
familia de los TIRISTORES. El término TIRISTOR incluye a todos los dispositivos
de conmutación regenerativa y no pueden operar de una manera lineal, o sea, son
de comportamiento de encendido y apagado inherente. Por tanto, un transistor no
es un tiristor porque, aun cuando puede operar en encendido y apagado no es su
naturaleza única, porque existe la posibilidad de que él opere de manera lineal.
RL
RL
(a) (b)
Figura 4.4: (a) El TRIAC en ca, (b) El TRIAC con red RC a la entrada
En este laboratorio se estudiará el comportamiento del T RIAC aprovechando al-

gunos circuitos de disparo de compuerta en ca.
PARTE A. Primero que todo identificar algunos valores caracterı́sticos del
T RIAC como:IGT , IRMS , VGT MAX , VON MAX y cuadrantes de opera-
ción; datos del manual ECG o manual N T E. Se recomienda el T RIAC
Q4015L5 y señal de ca de 117VRMS .
Para un ángulo de retardo de disparo de 10o calcular el valor de R1

conociendo IGT MIN y el valor de V (t) en dicho valor del ángulo. La
señal de voltaje se representa matemáticamente como V (t) = V0 Senwt
(1). Seguidamente se calcula el conjunto (R1 + R2 ) para el ángulo de
disparo de 90o , asumiendo a R2 como un potenciómetro.
81
Implementar el circuito de la figura 4.4(a), en el cual, RL puede ser una

bombilla o un motor universal o de fase partida de 100W . Recordar que
se debe aislar la toma de tierra del osciloscopio utilizando un adaptador
de tres a dos terminales.
Colocando la tierra de la sonda del osciloscopio en el punto a y cada uno
de los dos canales (x10) en los puntos c y b respectivamente, observar y
medir las señales en el T RIAC y en la carga RL . Tener presente cada
detalle y medir el tiempo de encendido y apagado en cada uno de estos
elementos.
¿Cómo se pueden variar estos tiempos de conmutación?
¿Cuál será el tiempo de retardo máximo que se puede controlar? ¿Por qué?
¿Cómo lograr convertir estos tiempos a ángulos en grados?
¿Serán iguales los ángulos de retardo, tanto en la semionda negativa como

en la semionda positiva? ¿Por qué?
Veamos a continuación algunas mejoras en el ángulo de retardo de disparo:
PARTE B. Según la figura 4.4(b), determinar un valor de VC , alrededor de

unos 20V, para lograr encontrar el valor de R3 teniendo en cuenta la
corriente de compuerta IGT mı́n y valor de VGT máx .
Asignar el valor de C1 alrededor de 0,1µf (250V ) y retomando la
ecuación 1, determinar el valor del ángulo de retardo de disparo (Este
es un valor muy aproximado).
Con este resultado calcular el tiempo de retardo de disparo para encon-
trar el valor de R1 teniendo en cuenta que: (t = R1 C).
Finalmente encontrar el valor de (R1 + R2 ) para un tiempo de retardo
de disparo cerca a 8ms.
Implementar el circuito de la figura 4.4(b) colocando las sondas de me-
dida, tal como se explicó en la parte A. Analizar y escribir cada detalle
82
4.3. EL TRIAC
y plantear los mismos cuestionamientos presentados allı́.

Tener en cuenta que un buen informe está sustentado en los detalles y datos
percibidos, medidos y analizados en el transcurso de la práctica. No olvidar
condensar todo en la bitácora.
83
84
4.4. EL TRIAC CON DIAC Y DOBLE RED RC
4.4. EL TRIAC CON DIAC Y DOBLE RED RC
Ahora se mostrará un circuito como el de la figura 4.5(a), en el cual, en la rama

de la compuerta, se ha colocado un dispositivo de transición conductiva, en este
caso un DIAC.
Un elemento como éste ofrece ventajas importantes sobre los circuitos de control
de compuerta RC sencillos ya que ellos entregan un pulso de control de corriente
de compuerta en lugar de una corriente de compuerta senoidal.
c RL a c RL a
(a) (b)
Figura 4.5: (a) TRIAC con DIAC y red RC, (b) TRIAC con DIAC y doble red
RC
PARTE A. En el laboratorio No. 4.2, de este capı́tulo, se encontró el voltaje
de conmutación del DIAC propuesto (±VBO ). Con este valor se calcula
el ángulo de retardo de disparo conociendo el voltaje de conmutación
del DIAC. De nuevo se tiene en cuenta que: V (t) = VO Sen̟t, y con-
secuentemente VC = VBO . De hecho también se hallará R1 .
Para calcular (R1 + R2 ), con C1 = 0,1µf (250V ), se puede tomar un
valor del tiempo de retardo de disparo cercano a 8ms.
Montar el circuito de la figura 4.5(a), colocar las sondas de medida del
osciloscopio, tal como se explicó en prácticas anteriores, tomando nota
de cada detalle y solucionando las mismas inquietudes planteadas allı́.
85
¿Presenta este montaje el fenómeno de HISTÉRESIS? Es importante verifi-

carlo.
PARTE B. Como los circuitos anteriores presentan eminentemente el fenómeno

de HISTÉRESIS, la cual hace, que para una misma potencia, el ajuste del
potenciómetro R2 difiera según se esté reduciendo o aumentado la potencia
en la carga. Es la carga residual, en cada semiperiodo en el condensador, la
que da lugar a este fenómeno. Para eliminar este tipo de inconsistencias de
funcionamiento del T RIAC o SCR se recurre al montaje de la figura 4.5(b)
en la cual C1 y C2 son condensadores de 0,1µf (250V ) y el circuito de disparo
se denomina con doble red RC.
Con los valores de R1 , R2 y C1 , el T RIAC y el DIAC escogidos en

la primera parte se puede implementar la primera etapa de la red de
disparo. Para la segunda constante de tiempo de retardo de disparo,
R3 y C2 , la experiencia ha demostrado que un tiempo de 5ms es el
más cercano a la realidad. Con este parámetro calcular el valor de R3
y asumirlo como un resistor fijo más un potenciómetro con cierto valor
amplio (50KΩ)
Montar el circuito de la figura 4.5(b) y revisar todas las medidas
planteadas en las prácticas anteriores, y además, observar si el fenómeno
de Histéresis persiste aún.
Corregirlo, serı́a en principio, realizar ajustes experimentales de R2 y

R3 dejando finalmente a R3 en una posición que se considera como la
más eficiente.
NOTA: Cuando RL es un motor, por ejemplo del tipo universal, aparecerán

señales espúreas o ruidosas producto de la desactivación de la carga cuando el
T RIAC pasa del estado ON al estado OF F . Estas señales se pueden observar

fácilmente en el osciloscopio y a la vez el cálculo de la pendiente dV /dt se
puede lograr midiendo los valores de ∆V y ∆t. Se sugiere cambiar la carga por
un motor de este tipo, teniendo en cuenta que se debe utilizar un disipador
de calor adherido al T RIAC para lograr su estabilidad térmica.
86
4.5. CONTROL DEL TRIAC CON OPTOACOPLADOR
4.5. CONTROL DEL TRIAC CON OPTOACOPLADOR
Para el manejo de los T RIACS, se utilizan con gran preferencia los

OP T OT RIACS, los cuales poseen como receptor un T RIAC con acoplamiento
óptico a un IRED (Emisor). Se cuenta en el mercado con una gran variedad, en
particular, las referencias comprendidas entre el M OC3009 al M OC3041. Para
acoplamiento entre señales cc, niveles T T L, a señales ca de 120V o más, ellos
ofrecen una aceptable garantı́a debido a la posibilidad de manejar señales de este
tamaño y su alta resistencia de aislamiento entre la entrada y la salida.
RL
Figura 4.6: Optotriac controlando el circuito de compuerta del TRIAC
Se desea a implementar el diseño plasmado en la figura 4.6, en la cual, se tiene
un OP T OT RIAC controlando un T RIAC y éste a su vez, controlará el motor
universal, RL , alimentado por la red ca del laboratorio.
Primero que todo encontrar las caracterı́sticas eléctricas del OP T OT RIAC

y del T RIAC ayudándose del manual ECG o del manual N T E.
También es importante reconocer los parámetros eléctricos del motor (voltaje

de operación, potencia, tipo de motor, etc.) y con ellos se definirá si el T RIAC
relacionado está en capacidad de controlarlo.
Conociendo la máxima corriente que puede soportar el OP T OT RIAC en la
87
salida y con la corriente mı́nima de gatillado del T RIAC, se puede calcular

el valor y potencia de R2 .
Para calcular R1 , se puede tomar un valor de IF del emisor, en el

OP T OT RIAC, de unos 5mA a 10mA, obviamente, identificando el valor
del pulso de control P de la figura 4.6
Una vez realizados todos los cálculos, montar el circuito y verificar y medir
con el osciloscopio las señales en el T RIAC , OP T OT RIAC y en la carga
RL en los estados de encendido y apagado.
Emitir algunos juicios a manera de conclusiones.
NOTA: Los T RIAC se pueden instalar en cascada, esto es, el T RIAC de la figura
4.6 podrı́a controlar otro T RIAC de mayor potencia realizando los cálculos prece-
dentes. Esto permite optimizar un diseño existente de una manera más práctica.
88
CAPÍTULO 5
ANEXOS
89
CAPÍTULO 5. ANEXOS
90
5.1. TRANSISTOR DE MEDIANA POTENCIA BD135
91
92
93
5.2. TRANSISTOR DE MEDIANA POTENCIA TIP 41
94
5.2. TRANSISTOR DE MEDIANA POTENCIA TIP 41
95
5.3. TRANSISTOR DE POTENCIA 2N3055
96
5.3. TRANSISTOR DE POTENCIA 2N3055
97
5.4. TABLA DE DIODOS 1N4XXX
98
99
100
101
5.5. PUENTES DE DIODOS
102
5.5. PUENTES DE DIODOS
103
5.6. TRIACS
104
5.6. TRIACS
105
106
5.6. TRIACS
107
108
5.7. EL TIRISTOR SCR 106
109
110
111
112
5.8. EL OPTOACOPLADOR MOC3010
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MOC3010/D
[IFT = 15 mA Max]
GlobalOptoisolator
]
[IFT = 10 mA Max]
[IFT = 5 mA Max]
(250 Volts Peak)
*Motorola Preferred Device
The MOC3010 Series consists of gallium arsenide infrared emitting diodes,
optically coupled to silicon bilateral switch and are designed for applications
requiring isolated triac triggering, low–current isolated ac switching, high
electrical isolation (to 7500 Vac peak), high detector standoff voltage, small STYLE 6 PLASTIC
size, and low cost.
To order devices that are tested and marked per VDE 0884 requirements, the
suffix ºVº must be included at end of part number. VDE 0884 is a test option.
6
Recommended for 115 Vac(rms) Applications: 1
Solenoid/Valve Controls STANDARD THRU HOLE

CASE 730A–04
Lamp Ballasts
Interfacing Microprocessors to 115 Vac Peripherals
Motor Controls
Static ac Power Switch COUPLER SCHEMATIC
Solid State Relays 1 6
Incandescent Lamp Dimmers
2 5
MAXIMUM RATINGS (TA = 255C unless otherwise noted)
Rating Symbol Value Unit 3 4
INFRARED EMITTING DIODE
1. ANODE
Reverse Voltage VR 3 Volts
2. CATHODE
Forward Current — Continuous IF 60 mA 3. NC
Total Power Dissipation @ TA = 255C PD 100 mW 4. MAIN TERMINAL
Negligible Power in Transistor 5. SUBSTRATE
Derate above 255C 1.33 mW/5C DO NOT CONNECT
6. MAIN TERMINAL
OUTPUT DRIVER
Off–State Output Terminal Voltage VDRM 250 Volts
Peak Repetitive Surge Current ITSM 1 A
(PW = 1 ms, 120 pps)
Total Power Dissipation @ TA = 255C PD 300 mW
Derate above 255C 4 mW/5C
TOTAL DEVICE
Isolation Surge Voltage (1) VISO 7500 Vac(pk)
(Peak ac Voltage, 60 Hz, 1 Second Duration)
Total Power Dissipation @ TA = 255C PD 330 mW
Derate above 255C 4.4 mW/5C
Junction Temperature Range TJ – 40 to +100 5C
Ambient Operating Temperature Range (2) TA – 40 to +85 5C
Storage Temperature Range (2) Tstg – 40 to +150 5C
Soldering Temperature (10 s) TL 260 5C
1. Isolation surge voltage, VISO, is an internal device dielectric breakdown rating.
1. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4, 5 and 6 are common.
2. Refer to Quality and Reliability Section in Opto Data Book for information on test conditions.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
GlobalOptoisolator is a trademark of Motorola, Inc.
(Replaces MOC3009/D)
113
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
INPUT LED
Reverse Leakage Current IR — 0.05 100 µA
(VR = 3 V)
Forward Voltage VF — 1.15 1.5 Volts
(IF = 10 mA)
OUTPUT DETECTOR (IF = 0 unless otherwise noted)

Peak Blocking Current, Either Direction IDRM — 10 100 nA
(Rated VDRM(1))
Peak On–State Voltage, Either Direction VTM — 1.8 3 Volts
(ITM = 100 mA Peak)
Critical Rate of Rise of Off–State Voltage (Figure 7, Note 2) dv/dt — 10 — V/µs
COUPLED
LED Trigger Current, Current Required to Latch Output IFT mA
(Main Terminal Voltage = 3 V (3)) MOC3010 — 8 15
MOC3011 — 5 10
MOC3012 — 3 5
Holding Current, Either Direction IH — 100 — µA
1. Test voltage must be applied within dv/dt rating.
2. This is static dv/dt. See Figure 7 for test circuit. Commutating dv/dt is a function of the load–driving thyristor(s) only.
3. All devices are guaranteed to trigger at an IF value less than or equal to max IFT. Therefore, recommended operating IF lies between max
3. IFT (15 mA for MOC3010, 10 mA for MOC3011, 5 mA for MOC3012) and absolute max I F (60 mA).
TYPICAL APPLICATION CIRCUITS
114
TYPICAL APPLICATION CIRCUITS
NOTE: This optoisolator should not be used to drive a load directly.

It is intended to be a trigger device only. Additional
information on the use of the MOC3010/3011/3012 is
available in Application Note AN–780A.
ZL
RL
VCC Rin 1 180 2.4 k
VCC Rin 1 180 6
6 120 V 120 V
MOC3010
MOC3010 60 Hz 2 MOC3011 60 Hz
2 0.1µ F C1
MOC3011 MOC3012
MOC3012 4 4
Figure 7. Resistive Load Figure 8. Inductive Load with Sensitive Gate Triac
(IGT
ZL
VCC Rin 1 180 1.2 k
6 120 V
MOC3010 60 Hz
2 MOC3011 0.2µ F C1
MOC3012 4
115
5.9. TABLA DE TRANSISTORES CARACTERÍSTICAS
Orden Código Tipo Ic Vceo Pd hFE fT Encapsulado

(A) (V) (W) (Mhz)
1 2N7002D FET 0.2 60 0.2 (CANAL N) - SMD SOT23

2 40841 FET 0.05 18 0.3 (CANAL N) - TO-18
3 2N4220 FET 0.015 30 0.3 (CANAL N) - TO-18
4 2N4416 FET 0.015 30 0.3 (CANAL N) - TO-18
5 2N4393 FET 0.005 40 1.8 (CANAL N) - TO-18
6 2N4093 FET 0.008 40 1.8 (CANAL N) - TO-18
7 2N4092 FET 0.015 40 1.8 (CANAL N) - TO-18
8 2N4091 FET 0.03 40 1.8 (CANAL N) - TO-18
9 2N4856A FET 0.05 40 0.4 (CANAL N) - TO-18
10 2N4392 FET 0.075 40 1.8 (CANAL N) - TO-18
11 2N4858 FET 0.08 40 0.3 (CANAL N) - TO-18
12 2N4391 FET 0.15 40 1.8 (CANAL N) - TO-18
13 2N3686 FET 0.001 50 0.5 (CANAL N) - TO-18
14 2N4339 FET 0.001 50 0.3 (CANAL N) - TO-18
15 2N3823 FET 0.01 50 0.3 (CANAL N) - TO-18
16 3N163 FET 0.05 40 0.3 (CANAL P) - TO-71
17 U406 FET 0.01 50 0.3 DUAL FET N - TO-71
18 MPF102 FET 0.01 15 0.2 (CANAL N) - TO-92
19 2N3819 FET 0.02 25 0.4 (CANAL N) - TO-92
20 J309 FET 0.03 25 0.4 (CANAL N) - TO-92
21 J308 FET 0.06 25 0.4 (CANAL N) - TO-92
22 J310 FET 0.06 25 0.3 (CANAL N) - TO-92
23 2N5640 FET 0.005 30 0.3 (CANAL N) - TO-92
24 BF245A FET 0.006 30 0.3 (CANAL N) - TO-92
25 2N5951 FET 0.007 30 0.3 (CANAL N) - TO-92
26 J270 FET 0.02 30 0.3 (CANAL P) - TO-92
27 2N5639 FET 0.025 30 0.3 (CANAL N) - TO-92
28 2N5638 FET 0.05 30 0.3 (CANAL N) - TO-92
29 VN0300L FET 0.4 30 0.4 (CANAL N) - TO-92
30 2N5460 FET 0.005 40 0.3 (CANAL P) - TO-92
31 U1899 FET 0.008 40 0.3 (CANAL N) - TO-92
32 PN4858 FET 0.08 40 0.3 (CANAL N) - TO-92
33 2N5463 FET 0.005 60 0.3 (CANAL P) - TO-92
34 2N5464 FET 0.009 60 0.3 (CANAL P) - TO-92
35 ECG326 FET 0.009 60 0.3 (CANAL P) - TO-92
36 2N5465 FET 0.016 60 0.3 (CANAL P) - TO-92
37 2N7000 FET 0.28 60 0.8 (CANAL N) - TO-92
38 MPQ2222 NPN 0.8 40 0.5 50 (typ) 250 DIL-14
39 BUV98 NPN 30 400 150 5 MINIMO 5 ISOTOP
40 ESM3045AV NPN 24 450 125 - - ISOTOP
41 MMBTA13 NPN 0.3 30 0.2 5K MINIMO 125 SMD SOT23
42 MMBT3904 NPN 0.2 40 0.2 100 - 300 300 SMD SOT23
43 MMBT2222A NPN 0.6 40 0.2 3 (typ) 300 SMD SOT23
44 MMBT4401 NPN 0.6 40 0.2 100 - 300 250 SMD SOT23
45 MMBTA06 NPN 0.5 80 0.2 50 MINIMO 100 SMD SOT23
46 2N5642 NPN 3 35 30 5 MIN 250 STX-8
47 2N3643 NPN 0.5 30 0.3 2.5 (typ) 250 TO-105
48 2N3567 NPN 0.5 40 0.3 40 - 300 60 TO-105
49 2N3569 NPN 0.5 40 0.3 3 (typ) 60 TO-105
50 2N3568 NPN 0.5 60 0.3 40 - 300 60 TO-105
51 2N5134 NPN 0.1 10 0.2 - 250 TO-106
52 2N3563 NPN 0.05 12 0.2 6 (typ) 600 TO-106
53 2N5129 NPN 0.5 12 0.3 20 - 250 150 TO-106
54 2N3646 NPN 0.2 15 0.2 30 (typ) 350 TO-106
55 2N3565 NPN 0.05 25 0.2 120 (typ) 40 TO-106
56 2N4945 NPN 0.5 40 0.2 - 300 TO-106
57 BD329 NPN 3 20 15 85 - 375 130 TO-126
58 MJE200 NPN 5 25 15 45 - 180 65 TO-126
59 ECG295 NPN 1 40 5 20 MIN 150 TO-126
60 MJE180 NPN 3 40 12 50 - 250 50 TO-126
61 2N5190 NPN 4 40 40 25 - 100 2 TO-126
62 BD135 NPN 0.5 45 6.5 40 - 250 50 TO-126
63 BD675 NPN 4 45 40 750 MINIMO 10 TO-126
64 BD137 NPN 0.5 60 6.5 40 - 160 50 TO-126
65 BD677 NPN 4 60 40 500 (typ) 1 TO-126
66 MJE800 NPN 4 60 40 750 MINIMO 1 TO-126
67 BD139 NPN 0.5 80 6.5 40 - 160 50 TO-126
68 2N4923 NPN 1 80 30 20 - 100 3 TO-126
69 BD237 NPN 2 80 25 40 - 250 3 TO-126
70 MJE182 NPN 3 80 12 50 - 250 50 TO-126
71 2N5192 NPN 4 80 40 20 - 80 2 TO-126
72 2N6039 NPN 4 80 40 750 - 18K 25 TO-126
73 BD679 NPN 4 80 40 750 MINIMO 10 TO-126
74 MJE270 NPN 2 100 15 1.5K MIN. 6 TO-126
75 BD681 NPN 4 100 40 750 MINIMO 10 TO-126
76 BF457 NPN 0.1 160 1.2 25 - 50 90 TO-126
77 ECG373 NPN 1.5 160 1 100 (typ) 140 TO-126
78 BF458 NPN 0.1 250 1.2 25 - 50 90 TO-126
79 MJE340 NPN 0.5 300 20 30 - 240 - TO-126
80 MJE13002 NPN 1.5 300 40 8 - 40 10 TO-126
81 MJE3439 NPN 0.3 350 15 50 - 200 15 TO-126
82 2N5657 NPN 0.5 350 20 30 - 250 10 TO-126
83 2N3011 NPN 0.2 12 0.3 30 - 120 400 TO-18
84 2N708 NPN 0.1 15 0.4 30 (typ) 300 TO-18
85 2N2368 NPN 0.5 15 0.4 20 (typ) 400 TO-18
86 2N2369A NPN 0.5 15 0.4 20 - 120 500 TO-18
87 BC109C NPN 0.1 20 0.3 600 (typ) 300 TO-18
88 BC108C NPN 0.2 25 0.6 420 (typ) 150 TO-18
89 2N4013 NPN 0.5 30 0.4 30 - 150 300 TO-18
90 BCY58 NPN 0.2 32 0.3 - 150 TO-18
91 2N2221A NPN 0.8 40 0.5 40 - 120 250 TO-18
92 2N2222A NPN 0.8 40 0.5 3 (typ) 300 TO-18
93 BC107B NPN 0.1 45 0.3 330 (typ) 300 TO-18
94 BCY59 NPN 0.2 45 0.3 125 (typ) 280 TO-18
95 2N4014 NPN 0.5 50 0.4 150 (typ) 300 TO-18
116

(A) (V) (W) (Mhz)
96 2N2484 NPN 0.05 60 0.4 100 - 500 60 TO-18

97 2N3700 NPN 1 80 0.5 80 (typ) 100 TO-18
98 2SC1226 NPN 3 20 10 30 - 220 150 TO-202
99 MPSU01 NPN 2 30 1 50 - 100 50 TO-202
100 ECG268 NPN 2 50 10 1000 MIN - TO-202
101 MPSU10 NPN 0.5 300 1 25 MINIMO 60 TO-202
102 2N6559 NPN 0.5 350 10 40 - 180 45 TO-202
103 D44C3 NPN 4 30 30 40 - 120 50 TO-220
104 D40C5 NPN 0.5 40 6.5 40K MINIMO 100 TO-220
105 2N6103 NPN 16 40 75 15 - 60 - TO-220
106 D44H5 NPN 10 45 50 60 MINIMO 50 TO-220
107 D40K2 NPN 2 50 10 1K MINIMO 75 TO-220
108 2N6551 NPN 1 60 2 80 - 300 75 TO-220
109 TIP120 NPN 5 60 75 1K MINIMO 4 TO-220
110 BD243A NPN 8 60 65 15 (typ) 3 TO-220
111 2N6387 NPN 10 60 65 1K - 20K 20 TO-220
112 D44H8 NPN 10 60 50 40 MINIMO 50 TO-220
113 MJE2801T NPN 10 60 75 25 - 100 - TO-220
114 MJE3055T NPN 10 60 75 20 - 100 2 TO-220
115 2N5298 NPN 4 70 36 20 - 80 0.8 TO-220
116 D40E7 NPN 2 80 8 10 MINIMO 75 TO-220
117 2N6123 NPN 4 80 40 20 - 80 2.5 TO-220
119 2N6044 NPN 8 80 2.2 1K - 20K 4 TO-220
120 BD647 NPN 8 80 62 750 MINIMO 0.1 TO-220
121 BDX53B NPN 8 80 60 750 MINIMO 20 TO-220
122 2N6388 NPN 10 80 65 1K - 20K 20 TO-220
123 D44H11 NPN 10 80 50 60 MINIMO 50 TO-220
124 2N6488 NPN 15 80 75 20 - 150 5 TO-220
125 D44VH10 NPN 15 80 83 20 MINIMO 50 TO-220
126 TIP29C NPN 1 100 30 40 MINIMO 3 TO-220
127 TIP112 NPN 2 100 50 500 MINIMO - TO-220
131 2N6045 NPN 8 100 2.2 1K - 20K 4 TO-220
132 BDX53C NPN 8 100 60 750 MINIMO 20 TO-220
133 TIP102 NPN 8 100 80 1K - 20K 4 TO-220
134 BDX33C NPN 10 100 70 750 (typ) 20 TO-220
135 BDW93C NPN 12 100 80 750 - 2K 20 TO-220
136 TIP29D NPN 1 120 30 40 MINIMO 3 TO-220
137 TIP31D NPN 3 120 40 25 MINIMO 3 TO-220
138 2N6533 NPN 8 120 26 100 - 5K 20 TO-220
139 BU807 NPN 8 150 60 375 (typ) - TO-220
140 MJE15030 NPN 8 150 50 40 MINIMO 30 TO-220
141 BU406 NPN 7 200 65 10 MINIMO 4 TO-220
142 BU406D NPN 7 200 60 DAMPER 10 TO-220
143 BU406F NPN 7 200 18 AISLADO 4 TO-220
144 BU806 NPN 8 200 60 375 (typ) - TO-220
145 BU408 NPN 10 200 60 5 10 TO-220
146 BU408D NPN 10 200 60 DAMPER 10 TO-220
147 TIP48 NPN 1 300 40 30 - 250 10 TO-220
148 BU407 NPN 7 330 60 10 MINIMO 10 TO-220
149 BU407D NPN 7 330 60 DAMPER 10 TO-220
150 MJE2360T NPN 0.5 350 30 25 - 200 10 TO-220
151 TIP50 NPN 1 400 40 30 - 250 10 TO-220
152 BUX84 NPN 2 400 40 50 MINIMO 20 TO-220
153 MJE13005 NPN 4 400 75 6 - 30 4 TO-220
154 2SC4418 NPN 5 400 30 10 MINIMO 20 TO-220
155 MJE13070 NPN 5 400 80 8 MINIMO - TO-220
156 2SC2335 NPN 7 400 40 15 - 80 - TO-220
157 2SC2810 NPN 7 400 40 15 - 80 - TO-220
158 2SC3039 NPN 7 400 50 14 (typ) 20 TO-220
159 2SC4242 NPN 7 400 60 10 MINIMO - TO-220
160 MJE13007 NPN 8 400 80 8 - 40 4 TO-220
161 MJE13009 NPN 12 400 100 6 - 30 4 TO-220
162 2SC4053 NPN 5 450 50 10 MINIMO 20 TO-220
163 BUT11A NPN 5 450 100 28 MINIMO - TO-220
164 MJE13071 NPN 5 450 80 8 MINIMO - TO-220
165 BUT12AF NPN 8 450 23 30 MINIMO - TO-220
166 BUT12A NPN 10 450 125 30 MINIMO - TO-220
167 MJE12007 NPN 2.5 750 65 - 4 TO-220
168 2SC3150 NPN 3 800 50 10 MINIMO 15 TO-220
169 2SC3457 NPN 3 800 50 10 - 40 15 TO-220
170 BUT56A NPN 10 1000 100 4 MINIMO 10 TO-220
171 2N3771 NPN 30 40 150 15 - 60 0.2 TO-3
172 2N3713 NPN 10 60 150 25 - 75 0.03 TO-3
173 2N3715 NPN 10 60 150 50 - 150 4 TO-3
174 MJ3000 NPN 10 60 150 1K MINIMO 1 TO-3
175 2N3055H NPN 15 60 115 20 - 70 0.8 TO-3
176 2N3772 NPN 20 60 150 15 - 60 - TO-3
177 2N5885 NPN 25 60 200 20 - 100 4 TO-3
178 BUW38 NPN 30 60 150 20 - 60 8 TO-3
179 2N5685 NPN 50 60 300 15 - 60 2 TO-3
180 2N3055 NPN 15 70 115 20 - 70 0.01 TO-3
181 2N3448 NPN 7.5 80 115 40 - 120 10 TO-3
182 2N6056 NPN 8 80 100 750 - 18K 4 TO-3
183 MJ1001 NPN 8 80 90 1K MINIMO 4 TO-3
184 2N3716 NPN 10 80 150 50 - 150 4 TO-3
185 2N6385 NPN 10 80 100 1K - 20K 20 TO-3
186 MJ3001 NPN 10 80 150 1K MINIMO 1 TO-3
187 2N5970 NPN 15 80 85 20 - 60 4 TO-3
188 2N5886 NPN 25 80 200 20 - 100 4 TO-3
189 BUW39 NPN 30 80 150 20 - 60 8 TO-3
190 2N5686 NPN 50 80 300 15 - 60 2 TO-3
117

(A) (V) (W) (Mhz)
191 2N3236 NPN 15 90 150 17 - 60 0.02 TO-3

192 2N5038 NPN 20 90 140 20 - 100 60 TO-3
193 MJ802 NPN 30 90 200 25 - 100 2 TO-3
194 2N6059 NPN 12 100 150 750 - 18K 4 TO-3
195 MJ4035 NPN 16 100 150 3500 (typ) - TO-3
196 2N6284 NPN 20 100 160 750 - 18K 4 TO-3
197 2N6338 NPN 25 100 200 30 - 120 40 TO-3
198 BDX65C NPN 12 120 117 1K MINIMO 7 TO-3
199 2N6578 NPN 15 120 120 2K - 20K 40 TO-3
200 MJ15015 NPN 15 120 180 20 - 70 1 TO-3
201 2N5630 NPN 16 120 200 20 - 80 1 TO-3
202 2N6339 NPN 25 120 200 30 - 120 40 TO-3
203 MJ11016 NPN 30 120 200 1K MINIMO 4 TO-3
204 2N6033 NPN 40 120 140 10 - 50 50 TO-3
205 MJ11032 NPN 50 120 300 1K - 18K - TO-3
206 ECG281 NPN 12 140 100 70 MIN 6 TO-3
207 MJ15001 NPN 15 140 200 25 - 150 2 TO-3
208 2N3773 NPN 16 140 150 15 - 60 4 TO-3
209 2N5631 NPN 16 140 200 15 - 60 1 TO-3
210 MJ15003 NPN 20 140 250 25 - 150 4 TO-3
211 2N6340 NPN 25 140 200 30 - 120 40 TO-3
212 MJ11018 NPN 15 150 175 400 - 15K 3 TO-3
213 2N6259 NPN 16 150 250 15 - 60 - TO-3
214 2N6277 NPN 50 150 250 30 - 120 30 TO-3
215 2N3442 NPN 10 160 117 20 - 70 - TO-3
216 IR410 NPN 7 200 100 30 - 90 2.5 TO-3
217 BU606 NPN 10 200 90 7.7 MINIMO 10 TO-3
218 BUX41 NPN 15 200 120 15 - 45 8 TO-3
219 MJ15022 NPN 16 200 250 60 (typ) 5 TO-3
220 BUX11 NPN 20 200 150 20 - 60 8 TO-3
221 2N6249 NPN 10 225 100 10 - 50 2.5 TO-3
222 MJ3029 NPN 5 250 125 30 MINIMO - TO-3
223 2N6306 NPN 8 250 125 15 - 75 5 TO-3
224 MJ15011 NPN 10 250 200 5 - 100 - TO-3
225 MJ11022 NPN 15 250 175 400 - 15K - TO-3
226 MJ15024 NPN 16 250 250 15 - 60 4 TO-3
227 BUX12 NPN 20 250 150 20 MINIMO 8 TO-3
228 2N5838 NPN 3 275 57 8 - 40 5 TO-3
229 2N3739 NPN 0.25 300 20 40 - 200 10 TO-3
230 BU126 NPN 3 300 30 15 - 60 8 TO-3
231 2N5240 NPN 5 300 100 20 - 80 5 TO-3
232 2N6575 NPN 10 300 125 7 - 21 5 TO-3
233 IR519 NPN 10 300 125 25 - 75 5 TO-3
234 BUV62A NPN 40 300 250 - - TO-3
235 MJ3030 NPN 5 325 125 3.75MINIMO - TO-3
236 2N5840 NPN 3 350 100 10 - 50 5 TO-3
237 MJ10002 NPN 10 350 150 30 - 300 10 TO-3
238 MJ10006 NPN 10 350 150 30 - 300 10 TO-3
239 PTC6251 NPN 10 350 150 10 - 120 - TO-3
240 2N6251 NPN 15 350 175 6 - 50 2.5 TO-3
241 IR5060 NPN 20 350 125 20 MINIMO 8 TO-3
242 MJ10004 NPN 20 350 175 50 - 600 - TO-3
243 PTC6060 NPN 20 350 175 30 - 120 - TO-3
244 2N5241 NPN 5 400 125 15 - 35 2.5 TO-3
245 2N6543 NPN 5 400 100 7 - 35 6 TO-3
246 IR401 NPN 5 400 100 20 - 100 2.5 TO-3
247 IR403 NPN 7 400 125 - - TO-3
248 IR409 NPN 7 400 125 15 MINIMO 2.5 TO-3
249 RCA423 NPN 7 400 125 30 - 90 4 TO-3
250 2N6308 NPN 8 400 125 12 - 60 5 TO-3
251 2N6545 NPN 8 400 125 7 - 35 6 TO-3
252 2N6673 NPN 8 400 150 10 - 40 15 TO-3
253 BU326A NPN 8 400 60 30 (typ) 6 TO-3
254 BU526 NPN 8 400 86 15 - 45 10 TO-3
255 BUX44 NPN 8 400 120 15 - 45 8 TO-3
256 BUX47 NPN 8.5 400 107 7 7 TO-3
257 2N6580 NPN 10 400 71 7 - 35 13 TO-3
258 BUY69A NPN 10 400 100 15 MINIMO 6 TO-3
259 MJ10003 NPN 10 400 150 30 - 300 10 TO-3
260 MJ10007 NPN 10 400 150 30 - 300 10 TO-3
261 MJ10012 NPN 10 400 175 100 - 2K - TO-3
262 MJ12010 NPN 10 400 100 4.2 MINIMO - TO-3
263 MJ413 NPN 10 400 125 20 - 80 2.5 TO-3
264 MJ423 NPN 10 400 125 30 - 90 2.5 TO-3
265 MJ431 NPN 10 400 125 15 - 35 2.5 TO-3
266 2N6547 NPN 15 400 175 6 - 30 6 TO-3
267 2N6675 NPN 15 400 175 8 - 20 15 TO-3
268 2N6678 NPN 15 400 175 8 MINIMO 3 TO-3
269 BUX37 NPN 15 400 35 20 MINIMO - TO-3
270 IR4040 NPN 15 400 125 250 MINIMO 8 TO-3
271 IR4045 NPN 15 400 125 500 MINIMO 8 TO-3
272 PTC6001 NPN 15 400 175 40 - 160 - TO-3
273 IR5061 NPN 20 400 125 20 MINIMO 8 TO-3
274 MJ10001 NPN 20 400 175 50 - 600 - TO-3
275 MJ10005 NPN 20 400 175 40 - 400 10 TO-3
276 PTC6061 NPN 20 400 125 30 MINIMO 8 TO-3
277 MJ10015 NPN 50 400 250 10 MINIMO 4 TO-3
278 MJ13071 NPN 5 450 125 8 (typ) - TO-3
279 BUX81 NPN 10 450 100 30 MINIMO 6 TO-3
280 PTC6253 NPN 10 450 150 10 - 120 - TO-3
281 BUX48A NPN 15 450 175 8 MINIMO 5 TO-3
282 MJ16012 NPN 15 450 175 7 MINIMO - TO-3
283 PTC6002 NPN 15 450 175 40 - 160 - TO-3
284 IR5062 NPN 20 450 125 20 MINIMO 8 TO-3
285 PTC6062 NPN 20 450 125 30 MINIMO 8 TO-3
118

(A) (V) (W) (Mhz)
286 BUF420M NPN 30 450 200 - 0.1 TO-3

287 BUX98A NPN 30 450 250 - 5 TO-3
288 2N5157 NPN 3.5 500 100 30 - 90 2.8 TO-3
289 BU536 NPN 4 500 50 5.5 MINIMO - TO-3
290 IR4050 NPN 15 500 125 100 MINIMO 8 TO-3
291 IR4055 NPN 15 500 125 200 MINIMO 8 TO-3
292 MJ10009 NPN 20 500 175 30 - 300 8 TO-3
293 MJ10016 NPN 50 500 250 10 MINIMO 4 TO-3
294 BU204 NPN 2.5 600 10 2 MINIMO 7.5 TO-3
295 BU207 NPN 5 600 13 2.2 MINIMO 4 TO-3
296 IR4065 NPN 15 600 125 15 MINIMO 8 TO-3
297 BU205 NPN 2.5 700 10 2 MINIMO 7.5 TO-3
298 BU208 NPN 5 700 13 2.3 MINIMO 7 TO-3
299 BU208A NPN 5 700 125 2.2 MINIMO 4 TO-3
300 BU208D NPN 5 700 60 DAMPER 7 TO-3
301 BUX98C NPN 30 700 250 - 8 TO-3
302 BU105 NPN 2.5 750 10 - 7.5 TO-3
303 MJ12004 NPN 5 750 100 - 4 TO-3
304 IR701 NPN 1 800 50 20 MINIMO 1.5 TO-3
305 BU206 NPN 2.5 800 10 1.8 MINIMO 7.5 TO-3
306 MJ8503 NPN 5 800 150 7.5 MINIMO - TO-3
307 2SC3156 NPN 6 800 120 8 MINIMO - TO-3
308 MJ16018 NPN 10 800 175 4 MINIMO - TO-3
309 MJ8505 NPN 10 800 175 7.5 MINIMO - TO-3
310 PTC9001 NPN 15 900 175 20 MINIMO - TO-3
311 BUS48A NPN 15 1000 175 - 10 TO-3
312 BU546 NPN 8 1300 100 5 MINIMO 10 TO-3
313 MJ12002 NPN 2.5 1500 75 1.11 MIN. 4 TO-3
314 MJ12005 NPN 8 1500 100 5 MINIMO - TO-3
315 TIP33A NPN 10 60 80 20 MINIMO 3 TO-3P
316 TIP3055 NPN 15 60 90 5 - 70 2.5 TO-3P
317 TIP142 NPN 10 100 125 500 MINIMO - TO-3P
318 TIP33C NPN 10 100 80 20 MINIMO - TO-3P
319 TIP35C NPN 25 100 125 10 - 50 - TO-3P
320 TIP33D NPN 10 120 80 20 MINIMO 3 TO-3P
321 BU124 NPN 10 150 50 10 (typ) 6 TO-3P
322 2SC3281 NPN 15 200 150 55 - 160 30 TO-3P
323 TIP52 NPN 3 300 3.5 30 - 150 2.5 TO-3P
324 TIP54 NPN 3 400 3.5 30 - 150 2.5 TO-3P
325 BU426A NPN 6 400 70 40 (typ) 6 TO-3P
326 BU826A NPN 6 400 115 100 - TO-3P
327 TIP58A NPN 7.5 400 50 10 - 100 - TO-3P
328 BUW12 NPN 8 400 125 6 MINIMO - TO-3P
329 2SC2625 NPN 10 400 100 10 MINIMO - TO-3P
330 2SC3320 NPN 15 400 100 10 MINIMA - TO-3P
331 BUV48 NPN 15 400 150 5 MIN 10 TO-3P
332 BUW11A NPN 5 450 100 6 MINIMO - TO-3P
333 BUV48A NPN 15 450 150 5 MINIMO 10 TO-3P
334 BUW13A NPN 15 450 175 30 MINIMO - TO-3P
335 MJW16010 NPN 15 450 135 5 MINIMO - TO-3P
336 BUF420A NPN 30 450 200 - 0.1 TO-3P
337 BU2508A NPN 8 700 125 6 - 26 - TO-3P
338 BU2508AF NPN 8 700 45 6 - 26 - TO-3P
339 BU2508D NPN 8 700 125 23 MAXIMO - TO-3P
340 BU2508DF NPN 8 700 45 23 MAXIMO - TO-3P
341 BU508A NPN 8 700 125 2.25 MIN 7 TO-3P
342 BU508AF NPN 8 700 34 15 MINIMO 7 TO-3P
343 BU508D NPN 8 700 125 DAMPER 7 TO-3P
344 BU508DF NPN 8 700 34 - 7 TO-3P
345 2SC3460 NPN 6 800 100 10 - 40 15 TO-3P
346 BU2520AF NPN 10 800 45 6 - 26 - TO-3P
347 MJH12005 NPN 10 800 175 - - TO-3P
348 BU2525AF NPN 12 800 45 6 - 26 - TO-3P
349 2SC3883 NPN 5 1500 50 - - TO-3P
350 2N5179 NPN 0.05 12 0.2 25 (typ) 900 TO-5
351 2N3013 NPN 0.2 15 0.4 30 (typ) 350 TO-5
352 MRF227 NPN 0.6 16 8 20 - 200 225 TO-5
353 2N4252 NPN 0.05 18 0.2 50 (typ) 600 TO-5
354 2N6255 NPN 1 18 5 5 MINIMO 175 TO-5
355 2N4427 NPN 0.4 20 2 10 - 200 500 TO-5
356 2N5109 NPN 0.4 20 2.5 40 - 120 1200 TO-5
357 2N5188 NPN 1 25 0.8 25 (typ) 400 TO-5
358 2N3866 NPN 0.4 30 5 10 - 200 500 TO-5
359 2N3724 NPN 0.5 30 0.8 60 - 150 300 TO-5
360 2N2218A NPN 0.8 30 0.8 25 (typ) 250 TO-5
361 2N1711 NPN 1 30 0.8 100 - 300 70 TO-5
362 2N2297 NPN 1 35 0.8 40 (typ) 60 TO-5
363 2N3553 NPN 0.35 40 7 15 - 150 350 TO-5
364 2N3053 NPN 0.7 40 5 50 - 250 100 TO-5
365 2N2219A NPN 0.8 40 0.8 3 (typ) 300 TO-5
366 BC140-16 NPN 1 40 0.7 30 (typ) 50 TO-5
367 BC107C NPN 0.2 45 0.6 - 150 TO-5
368 2N2270 NPN 1 45 1 50 - 200 100 TO-5
369 2N5786 NPN 3.5 45 10 20 - 100 1.5 TO-5
370 2N3725 NPN 0.5 50 0.8 60 (typ) 300 TO-5
371 2N1613 NPN 1 50 0.8 30 (typ) 60 TO-5
372 2N3507 NPN 3 50 1 30 - 150 60 TO-5
373 BC141-16 NPN 1 60 0.7 - 50 TO-5
374 BSX46-10 NPN 1 60 5 63 - 160 50 TO-5
375 BSX46-6 NPN 1 60 5 40 - 100 50 TO-5
376 2N2102 NPN 1 65 1 40 - 120 60 TO-5
377 2N5320 NPN 2 75 10 30 - 130 50 TO-5
378 2N699 NPN 0.15 80 0.6 40 - 120 50 TO-5
379 2N1893 NPN 0.5 80 0.8 30 (typ) 50 TO-5
380 2N2243 NPN 1 80 0.8 30 (typ) 50 TO-5
119

(A) (V) (W) (Mhz)
381 2N3019 NPN 1 80 0.8 5 (typ) 100 TO-5

382 2N3020 NPN 1 80 0.8 30 (typ) 80 TO-5
383 2N3666 NPN 1 80 1 100 - 300 60 TO-5
384 BSX47-10 NPN 1 80 5 63 - 160 50 TO-5
385 2N5784 NPN 3.5 80 10 20 - 100 1.5 TO-5
386 2N4305 NPN 5 80 1.5 50 - 150 - TO-5
387 2N5339 NPN 5 100 10 60 - 240 30 TO-5
388 2N5682 NPN 1 120 1 40 - 150 30 TO-5
389 2N3500 NPN 0.3 150 1 40 - 120 150 TO-5
390 2N3440 NPN 1 250 1 40 - 160 15 TO-5
391 2N5058 NPN 0.15 300 1 35 - 150 30 TO-5
392 2N3439 NPN 1 350 1 40 - 160 15 TO-5
393 2N5010 NPN 0.5 500 2 30 - 180 20 TO-5
394 2N3054 NPN 4 60 25 25 - 150 0.03 TO-66
395 2N3879 NPN 7 75 35 12 - 100 40 TO-66
396 2N3767 NPN 1 80 20 40 - 160 10 TO-66
397 2N6295 NPN 4 80 50 750 - 18K 4 TO-66
398 2N6534 NPN 8 80 14 100 - 5K 20 TO-66
399 2N3441 NPN 3 140 25 25 - 100 - TO-66
400 2N4240 NPN 2 300 35 10 - 100 15 TO-66
401 2N3585 NPN 5 300 35 8 - 80 10 TO-66
402 2N6079 NPN 7 375 25 12 - 50 1 TO-66
403 2N4294 NPN 0.2 12 0.2 30 (typ) 400 TO-92
404 2N5770 NPN 0.05 15 0.7 40 (typ) 900 TO-92
405 2N2714 NPN 0.2 18 0.2 80 (typ) - TO-92
406 2A254 NPN 0.03 20 0.2 35 MINIMO - TO-92
407 2A255 NPN 0.03 20 0.2 35 MINIMO - TO-92
408 BF254 NPN 0.03 20 0.1 100 (typ) 260 TO-92
409 BF255 NPN 0.03 20 0.2 67 (typ) 200 TO-92
410 BF495 NPN 0.03 20 0.3 67 (typ) 200 TO-92
411 2A216 NPN 0.05 20 0.3 140 - 510 - TO-92
412 2A217 NPN 0.05 20 0.3 140 - 510 - TO-92
413 2N3706 NPN 0.8 20 0.4 30 - 600 100 TO-92
414 BF199 NPN 0.025 25 0.5 115 (typ) 550 TO-92
415 MPSH10 NPN 0.04 25 0.3 60 (typ) 650 TO-92
416 2N2923 NPN 0.1 25 0.2 90 (typ) - TO-92
417 2N2925 NPN 0.1 25 0.2 150 - 300 160 TO-92
418 2N3391 NPN 0.1 25 0.2 250 (typ) - TO-92
419 2N3398 NPN 0.1 25 0.2 55 - 800 - TO-92
420 2N5172 NPN 0.1 25 0.2 100 (typ) - TO-92
421 2N5225 NPN 0.1 25 0.3 25 MINIMO 50 TO-92
422 BC238B NPN 0.1 25 0.3 240 - 500 150 TO-92
423 BC239B NPN 0.1 25 0.3 240 - 500 150 TO-92
424 2N4124 NPN 0.2 25 0.4 120 (typ) 300 TO-92
425 2N5305 NPN 0.2 25 0.4 2K - 20K 60 TO-92
426 2N5306 NPN 0.3 25 0.4 7K - 70K 60 TO-92
427 2N3415 NPN 0.5 25 0.3 180 - 540 - TO-92
428 BC338-25 NPN 0.8 25 0.6 - 100 TO-92
429 BF198 NPN 0.025 30 0.2 60 (typ) 400 TO-92
430 2N3711 NPN 0.03 30 0.4 180 - 680 - TO-92
431 2N5088 NPN 0.05 30 0.4 300 - 900 50 TO-92
432 2N3859 NPN 0.1 30 0.6 100 - 200 90 TO-92
433 BC548 NPN 0.1 30 0.5 125 MINIMO 300 TO-92
434 BC549 NPN 0.1 30 0.5 240 MINIMO 200 TO-92
435 2A258 NPN 0.2 30 0.3 110 MINIMO 150 TO-92
436 2A259 NPN 0.2 30 0.3 110 MINIMO 150 TO-92
437 2N4123 NPN 0.2 30 0.4 50 - 150 250 TO-92
438 2N3416 NPN 0.5 30 0.3 75 - 225 - TO-92
439 2N3417 NPN 0.5 30 0.4 180 - 540 - TO-92
440 2N4953 NPN 0.5 30 0.3 75 MINIMO 250 TO-92
441 MPSA13 NPN 0.5 30 0.7 5K MINIMO 125 TO-92
442 MPSA14 NPN 0.5 30 1 10K MINIMO 125 TO-92
443 PN2222 NPN 0.6 30 0.6 35 MINIMO 250 TO-92
444 2N3704 NPN 0.8 30 0.4 100 - 300 100 TO-92
445 2N3705 NPN 0.8 30 0.4 50 - 150 100 TO-92
446 2N5089 NPN 0.05 35 0.4 400 - 1200 50 TO-92
447 MPSA20 NPN 0.1 40 1 40 (typ) 125 TO-92
448 2N3903 NPN 0.2 40 0.4 50 (typ) 250 TO-92
449 2N3904 NPN 0.2 40 0.4 100 - 300 300 TO-92
450 MPSA10 NPN 0.2 40 0.3 40 - 400 50 TO-92
451 TIS97 NPN 0.2 40 0.4 250 - 700 200 TO-92
452 PN3569 NPN 0.5 40 0.6 100 - 300 60 TO-92
453 2N4400 NPN 0.6 40 0.3 50 - 150 200 TO-92
454 2N4401 NPN 0.6 40 0.4 100 - 300 250 TO-92
455 2N6724 NPN 2 40 1 25K (typ) - TO-92
456 2N5962 NPN 0.05 45 0.6 1400 MAX - TO-92
457 BC237 NPN 0.1 45 0.3 120 MINIMO 200 TO-92
458 BC414 NPN 0.1 45 0.3 330 (typ) 250 TO-92
459 BC547 NPN 0.1 45 0.5 125 MINIMO 300 TO-92
460 BCX59 NPN 0.2 45 0.5 - 250 TO-92
461 BC337-25 NPN 0.8 45 0.6 - 100 TO-92
462 2N5209 NPN 0.05 50 0.4 150 (typ) 30 TO-92
463 2N5210 NPN 0.05 50 0.4 200 - 600 30 TO-92
464 2SC945 NPN 0.1 50 0.2 200 (typ) 250 TO-92
465 2N4409 NPN 0.25 50 0.6 60 - 400 60 TO-92
466 ECG293 NPN 1 50 0.7 - 200 TO-92
467 TIS98 NPN 0.2 60 0.4 100 - 300 200 TO-92
468 MPSA05 NPN 0.5 60 0.6 50 MINIMO 100 TO-92
469 2N6716 NPN 2 60 2 50 - 250 50 TO-92
470 BC546 NPN 0.1 65 0.5 125 MINIMO 300 TO-92
471 ECG85 NPN 0.4 70 0.6 - 200 TO-92
472 2N4410 NPN 0.25 80 0.6 60 (typ) 60 TO-92
474 2N6718 NPN 0.25 100 0.9 50 - 250 50 TO-92
475 ECG382 NPN 1 100 0.9 200 (typ) 140 TO-92
120

(A) (V) (W) (Mhz)
476 2N5550 NPN 0.6 140 0.4 50 (typ) 100 TO-92

477 2N5551 NPN 0.6 160 0.3 50 (typ) 100 TO-92
479 2N6517 NPN 0.5 350 0.6 2 (TYP) 40 TO-92
480 MPQ3906 PNP 0.2 40 0.4 100 - 300 250 DIL-14
481 MPQ2907 PNP 0.6 40 0.6 100 - 300 200 DIL-14
482 MPQ3467 PNP 1 40 1 40 - 125 175 DIL-14
483 MMBT3906 PNP 0.2 40 0.2 100 - 300 250 SMD SOT23
484 MMBT4403 PNP 0.5 40 0.2 50 - 150 200 SMD SOT23
485 MMBT2907A PNP 0.6 60 0.2 100 - 300 200 SMD SOT23
486 MMBTA56 PNP 0.5 80 0.2 50 (typ) 50 SMD SOT23
487 2N3638 PNP 0.5 25 0.3 25 (typ) 100 TO-105
488 2N3644 PNP 0.5 45 0.3 80 MINIMO 200 TO-105
489 2N3645 PNP 0.5 60 0.3 80 (typ) 200 TO-105
490 2N4354 PNP 0.5 60 0.3 25 MINIMO 500 TO-105
491 2N4356 PNP 0.5 80 0.3 25 MINIMO 500 TO-105
492 2N3639 PNP 0.08 6 0.2 5 (typ) 500 TO-106
493 2N4258 PNP 0.05 12 0.2 - - TO-106
494 2N5139 PNP 0.1 20 0.5 40 - 350 300 TO-106
495 2N5138 PNP 0.1 30 0.2 40 (typ) 30 TO-106
496 2N4250 PNP 0.1 40 0.2 250 MINIMO - TO-106
497 BC307A PNP 0.1 45 0.2 125 - 160 - TO-106
498 2N4249 PNP 0.1 60 0.2 100 - 300 - TO-106
499 MJE210 PNP 5 25 1.5 45 - 180 65 TO-126
500 MJE170 PNP 3 40 12 50 - 250 50 TO-126
501 MJE371 PNP 4 40 40 40 MINIMO - TO-126
502 BD136 PNP 1.5 45 8 40 - 250 75 TO-126
503 BD138 PNP 0.5 60 6.5 40 - 160 75 TO-126
504 2N4919 PNP 1 60 30 20 - 100 3 TO-126
505 BD678 PNP 4 60 40 750 MINIMO 10 TO-126
506 MJE700 PNP 4 60 40 750 MINIMO 1 TO-126
507 BD140 PNP 0.5 80 6.5 40 - 160 50 TO-126
508 2N4920 PNP 1 80 30 20 - 100 3 TO-126
509 MJE172 PNP 3 80 12 50 - 250 50 TO-126
510 2N5195 PNP 4 80 40 20 - 80 2 TO-126
511 2N6036 PNP 4 80 40 750 - 18K 25 TO-126
512 BD680A PNP 4 80 40 750 MINIMO 10 TO-126
513 MJE251 PNP 4 80 15 40 - 120 40 TO-126
514 MJE271 PNP 2 100 15 1.5K MIN. 6 TO-126
515 BD682 PNP 4 100 40 750 MINIMO 10 TO-126
516 MJE253 PNP 4 100 15 40 - 180 40 TO-126
517 MJE350 PNP 0.5 300 20 30 - 240 - TO-126
518 2N2894 PNP 0.2 12 1.2 40 - 150 400 TO-18
519 BC179B PNP 0.1 20 0.3 290 (typ) 200 TO-18
520 2N3209 PNP 0.2 20 1.2 30 - 120 400 TO-18
521 BC178B PNP 0.1 25 0.3 290 (typ) 200 TO-18
522 2N3251 PNP 0.2 40 0.4 100 - 300 300 TO-18
523 2N3964 PNP 0.2 45 0.3 250 (typ) 50 TO-18
524 BCY79 PNP 0.2 45 0.3 200 (typ) 200 TO-18
525 2N3250A PNP 0.2 60 0.3 50 (typ) 250 TO-18
526 2N3962 PNP 0.2 60 0.3 100 (typ) 40 TO-18
527 2N2906A PNP 0.6 60 0.4 40 - 120 200 TO-18
528 2N2907A PNP 0.6 60 0.4 100 - 300 200 TO-18
529 2N4026 PNP 1 60 0.5 - 100 TO-18
530 2N3963 PNP 0.2 80 0.4 100 (typ) 40 TO-18
531 MPSU51A PNP 2 40 1 55 MINIMO 50 TO-202
532 D45C1 PNP 4 30 30 10 MINIMO 40 TO-220
533 TIP30 PNP 1 40 30 40 MINIMO 3 TO-220
534 2N6554 PNP 1 60 2 80 - 300 75 TO-220
535 TIP30A PNP 1 60 30 40 MINIMO 3 TO-220
536 TIP115 PNP 2 60 50 500 MINIMO 25 TO-220
537 TIP32A PNP 3 60 40 25 MINIMO 3 TO-220
538 ECG153 PNP 7 60 50 60 (typ) 50 TO-220
539 D45H8 PNP 10 60 50 60 MINIMO 40 TO-220
540 MJE2901 PNP 10 60 90 ENC TO-127 - TO-220
541 MJE2901T PNP 10 60 75 25 - 100 - TO-220
542 MJE2955T PNP 10 60 90 20 - 100 2 TO-220
543 2N6107 PNP 7 70 40 30 - 150 10 TO-220
544 2N6126 PNP 4 80 40 20 - 80 2.5 TO-220
545 BD648 PNP 8 80 63 750 MINIMO 100 TO-220
546 2N6668 PNP 10 80 65 1K - 20K 20 TO-220
547 D45H11 PNP 10 80 50 60 MINIMO 40 TO-220
548 2N6491 PNP 15 80 75 20 - 150 5 TO-220
549 D45VH10 PNP 15 80 83 20 MINIMO 50 TO-220
550 TIP30C PNP 1 100 30 40 MINIMO 3 TO-220
551 TIP117 PNP 2 100 50 1K MINIMO 25 TO-220
553 TIP127 PNP 5 100 75 1K MINIMO 4 TO-220
555 2N6042 PNP 8 100 75 1K - 20K 4 TO-220
556 BDX54C PNP 8 100 60 750 MINIMO 20 TO-220
557 TIP107 PNP 8 100 80 1K - 20K 4 TO-220
558 BDX34C PNP 10 100 70 750 MINIMO 3 TO-220
559 BDW94C PNP 12 100 80 750 - 2K 20 TO-220
560 MJE15031 PNP 8 150 50 40 MINIMO 30 TO-220
561 MJ2500 PNP 10 60 150 1K (typ) 1 TO-3
562 MJ2955 PNP 15 60 115 20 - 70 2.5 TO-3
563 2N4399 PNP 30 60 200 15 - 60 2 TO-3
564 2N6246 PNP 15 70 125 20 - 100 10 TO-3
565 2N6054 PNP 8 80 100 750 - 18K 4 TO-3
566 MJ901 PNP 8 80 90 1K MINIMO 4 TO-3
567 2N3792 PNP 10 80 150 50 - 180 4 TO-3
568 2N6650 PNP 10 80 100 1K - 20K 20 TO-3
569 MJ2501 PNP 10 80 150 1K (typ) 1 TO-3
570 2N5880 PNP 15 80 160 20 - 100 4 TO-3
121

(A) (V) (W) (Mhz)
571 2N5684 PNP 50 80 300 15 - 60 2 TO-3

572 MJ4502 PNP 30 90 200 25 - 100 2 TO-3
573 2N6052 PNP 12 100 150 750 - 18K 4 TO-3
574 BDX66B PNP 16 100 150 1K MINIMO 7 TO-3
575 MJ4032 PNP 16 100 150 3500 (typ) - TO-3
576 2N6287 PNP 20 100 160 750 - 18K 4 TO-3
577 2N6331 PNP 30 100 114 6 - 30 3 TO-3
578 2N6248 PNP 10 110 125 20 - 100 10 TO-3
579 BDX64C PNP 12 120 117 1K MINIMO 7 TO-3
580 MJ15016 PNP 15 120 180 5 - 70 1 TO-3
581 2N6030 PNP 16 120 200 20 - 80 1 TO-3
582 MJ11015 PNP 30 120 200 1K MINIMO 4 TO-3
583 MJ11033 PNP 50 120 300 1K - 18K - TO-3
584 2N6031 PNP 16 140 200 15 - 60 1 TO-3
585 2N6609 PNP 16 140 150 15 - 60 4 TO-3
586 MJ15004 PNP 20 140 250 25 - 150 2 TO-3
587 MJ11021 PNP 15 250 175 400 - 15K 3 TO-3
588 MJ15025 PNP 16 250 250 15 - 60 5 TO-3
589 TIP145 PNP 10 60 125 500 MINIMO 4 TO-3P
590 TIP34A PNP 10 60 80 20 - 100 3 TO-3P
591 TIP2955 PNP 15 60 90 5 - 70 2.5 TO-3P
592 TIP36A PNP 25 60 125 10 - 75 3 TO-3P
593 TIP147 PNP 10 100 125 500 MINIMO 4 TO-3P
594 TIP34C PNP 10 100 80 20 - 100 3 TO-3P
595 TIP36C PNP 25 100 125 10 - 75 3 TO-3P
596 2N1991 PNP 0.6 20 0.6 15 MINIMO 40 TO-5
597 2N5023 PNP 0.5 30 1 40 - 100 200 TO-5
598 2N1132 PNP 0.6 35 0.6 25 MINIMO 60 TO-5
599 2N3134 PNP 0.6 35 0.6 100 - 300 200 TO-5
600 2N2904A PNP 0.6 40 0.6 25 (typ) 200 TO-5
601 2N3467 PNP 1 40 1 40 - 125 175 TO-5
602 2N4037 PNP 1 40 1 50 - 250 60 TO-5
603 BC160-16 PNP 1 40 0.7 100 MINIMO 50 TO-5
604 2N5323 PNP 2 50 10 40-250 50 TO-5
605 2N2905A PNP 0.6 60 0.6 100 - 300 200 TO-5
606 2N4030 PNP 1 60 0.8 30 MINIMO 100 TO-5
607 2N4032 PNP 1 60 0.8 75 MINIMO 150 TO-5
608 BC161-16 PNP 1 60 0.7 100 MINIMO 50 TO-5
609 2N3868 PNP 3 60 1 30 - 150 60 TO-5
610 2N4036 PNP 1 65 0.8 20 - 200 60 TO-5
611 2N5322 PNP 2 75 10 30 - 130 50 TO-5
612 2N3494 PNP 0.1 80 0.6 40 (typ) 200 TO-5
613 2N4031 PNP 1 80 0.8 30 (typ) 100 TO-5
614 2N4033 PNP 1 80 0.8 75 (typ) 150 TO-5
615 2N3224 PNP 0.6 100 0.7 20 (typ) 60 TO-5
616 2N6193 PNP 5 100 10 60 - 240 30 TO-5
617 2N5680 PNP 1 120 1 40 - 150 30 TO-5
618 2N3634 PNP 1 140 1 50 - 150 150 TO-5
619 2N5415 PNP 1 200 5 30 - 150 15 TO-5
620 2N5416 PNP 1 300 5 30 - 120 15 TO-5
621 2N3741 PNP 1 80 25 30 - 100 4 TO-66
622 2N6213 PNP 2 400 20 10 - 100 20 TO-66
623 2N5771 PNP 0.05 15 0.6 35 (typ) 850 TO-92
624 BC309 PNP 0.05 20 0.3 222 (typ) 130 TO-92
625 2N6076 PNP 0.1 25 0.4 100 - 500 200 TO-92
626 2N3702 PNP 0.2 25 0.4 60 (typ) 100 TO-92
627 2N4126 PNP 0.2 25 0.4 120 (typ) 250 TO-92
628 BC328 PNP 0.5 25 0.5 100 MINIMO 100 TO-92
629 2A3244 PNP 1 25 0.7 20 MINIMO - TO-92
630 BF324 PNP 0.025 30 0.2 - 450 TO-92
631 2A38 PNP 0.05 30 0.3 25 MINIMO 50 TO-92
632 2N4058 PNP 0.1 30 0.6 100 - 400 - TO-92
633 2N4062 PNP 0.1 30 0.3 180 - 660 - TO-92
634 2N5227 PNP 0.1 30 0.6 30 MINIMO 100 TO-92
635 BC558 PNP 0.1 30 0.5 75 MINIMO 150 TO-92
636 BC559 PNP 0.1 30 0.5 125 MINIMO 150 TO-92
637 PN5138 PNP 0.1 30 0.6 50 - 800 30 TO-92
638 2A3702 PNP 0.2 30 0.3 50 MINIMO - TO-92
639 2N3703 PNP 0.2 30 0.4 30 (typ) 100 TO-92
640 2N4125 PNP 0.2 30 0.3 50 - 150 200 TO-92
641 MPSA63 PNP 0.3 30 0.6 5K PULSADO 125 TO-92
642 2N4291 PNP 0.5 30 0.2 30 MINIMO 100 TO-92
643 BF451 PNP 0.025 40 0.2 30 MINIMO 325 TO-92
644 2N3905 PNP 0.2 40 0.4 50 - 150 200 TO-92
645 2N3906 PNP 0.2 40 0.4 100 - 300 250 TO-92
646 2N4402 PNP 0.6 40 0.4 50 - 150 150 TO-92
647 2N4403 PNP 0.6 40 0.4 50 - 150 200 TO-92
648 PN2907 PNP 0.6 40 0.6 100 - 300 200 TO-92
649 BC557 PNP 0.1 45 0.5 140 (typ) 150 TO-92
650 BC560 PNP 0.1 45 0.5 125 MINIMO 150 TO-92
651 BCX79 PNP 0.2 45 0.5 - 200 TO-92
652 BC327-25 PNP 0.8 45 0.6 - 100 TO-92
653 2N5086 PNP 0.05 50 0.4 150 - 500 40 TO-92
654 2N5087 PNP 0.05 50 0.4 250 - 800 50 TO-92
655 ECG294 PNP 1 50 0.7 120 MIN 200 TO-92
656 BC556 PNP 0.1 65 0.5 75 MINIMO 150 TO-92
657 ECG290 PNP 0.5 80 0.5 100 MIN 120 TO-92
658 MPSA56 PNP 0.5 80 0.6 50 (typ) 100 TO-92
659 2N5401 PNP 0.6 150 0.4 40 (typ) 100 TO-92
660 MPSA93 PNP 0.5 200 0.6 30 MINIMO 50 TO-92
661 MPSA92 PNP 0.5 300 0.6 25 MINIMO 50 TO-92
662 2N6520 PNP 0.5 350 0.6 20 MINIMO 40 TO-92
663 2N6027 PUT 0.15 40 0.4 UNIJUNTURA - TO-92
664 2N6028 PUT 0.15 40 0.4 UNIJUNTURA - TO-92
665 2N2646 UJT 0.05 35 0.3 UNIJUNTURA - TO-18
668 MU20 UJT 0.05 35 0.3 (2N2646) - TO-18
671 MU10 UJT 0.05 35 0.3 (2A4891) - TO-92
122
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124

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Índice

2.13.AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR J-FET . . . . . . . . . 47

4. LABORATORIOS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 73

El presente documento recoge una serie de experiencias resultado del trabajo

Son varios años de trabajo laborioso y sistemático para conjugar orgullosamente

En el capı́tulo I, de manera introductoria se presentan las pruebas correspondientes

De forma similar, se pone a consideración de la comunidad académica, especial-

PRUEBA DE SEMICONDUCTORES CON EL

1.1. PRUEBA DE TRANSISTORES UNIJUNTURA (UJT )

Con este procedimiento se puede determinar el estado general de un transistor

Prueba de sustrato: Se deben de identificar los terminales del transistor, las

Se coloca el multı́metro en la escala de 20KΩ y se mide la resistencia entre

Si la resistencia es muy alta o infinita, el sustrato está abierto.

Prueba de la juntura o unión: En la escala de 200KΩ y con el terminal

Si dicho valor oscila entre 50KΩ y 150KΩ, el transistor está en buenas

Otra forma de verificar el estado de las uniones es colocando el selector de

En la prueba de polarización directa entre el emisor y ambas bases, la medida

1.2. PRUEBA DE TRANSISTORES BIPOLARES

Para verificar de manera oproximada el estado del transistor, se procede como si

Figura 1.2: Modelos de transistores PNP y NPN conformados por diodos

En general se fabrican tres modelos de transistores, por ejemplo, los de baja

TO-18 TO-39 TO-92

TO-126 TO-3P STO-323 TO-220AC

TO-220AB TO-247AC TO-3

Figura 1.3: Encapsulados diversos para transistores

Los de mediana potencia con factor de amplificación mayor a 10 y menor a 100,

En estos manuales también se pueden encontrar transistores de caracterı́sticas

Entre los encapsulados están: (hay más)

- El TO-92: Este transistor pequeño es muy utilizado para

- El TO-39: tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es

- El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequeña a

Otra forma de identificar los transistores bipolares es atendiendo a la tabla 1.1,

Para chequeo de transferencia de pequeña señal (baja potencia) se recomienda

CÓDIGO TIPO FRECUENCIA POTENCIA

Prueba de Transistores P N P : Se coloca el terminal negativo en la base (B)

Figura 1.4: Prueba de transistores PNP y NPN con el óhmetro

En esta prueba se debe obtener una resistencia de 120KΩ a 180KΩ, para

Cuando se invierten los terminales, para el chequeo, el medidor marca

Si se realiza la prueba con el medidor de diodos, colocando el terminal

Prueba de Transistores N P N : Se coloca el terminal positivo en la base del

Prueba de Fototransistores: Algunos de estos elementos son sensibles a la luz

Otra forma de realizar la prueba es colocando un diodo emisor de luz

Si se reemplaza el transistor por un diodo IRED se pueden obtener medidas,

resistencia en polarización inversa (terminal positivo en el cátodo y negativo

Prueba de Transistores de efecto de campo (JF ET ): Se identifican los tres

Figura 1.6: Sı́mbolos esquemáticos del transistor JFET

• Para el JF ET canal N : Se coloca el cable de prueba positivo en el

La medida de resistencia entre el drenaje y la fuente dará un valor de

• Para el JF ET canal P : Para las medidas se aplica el proceso anterior

• Nota: Estas medidas pueden alterarse por la presencia de campos

También, algunos transistores JF ET permiten intercambiar la fuente

Colocando el selector de funciones del medidor en prueba de diodos, con

Prueba del rectificador controlado de silicio (SCR): Se deben identificar,

Prueba del T RIAC: Los terminales del T RIAC, terminales principales

Si se intercambian los terminales de prueba entre T P 2 y T P 1 se repiten las

Nota: Los valores de resistencia en Ohmios y voltajes en milivoltios comenta-

2.1. CARACTERIZACIÓN DEL DIODO

Figura 2.1: Circuito para analizar el comportamiento del diodo

Finalmente se elabora una gráfica I → V (papel milimetrado) y a partir de