PRACTICA TRANSISTOR JFET

ELECTRÓNICA ANÁLOGA II

NOMBRE Jaime Alejandro Ramírez García

CÓDIGO 1005036155
NOMBRE PRÁCTICA Polarización de JFET

1. Objetivo de la práctica
Demostrar las técnicas usadas en la polarización de transistores JFET.

2. Resumen

Usando el transistor JFET 2N3819 y utilizando su Datasheet encontramos los valores de

𝐼𝐷𝑆𝑆 y 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 con estos los valores realizamos la gráfica de la curva de transferencia, se
encuentran los valor de 𝑅𝑆 y 𝐼𝐷 con valor de 𝑉𝐺𝑆 proporcionados , por ultimo ubicar el
punto Q de las gráficas.

3. Materiales y equipos
❖ Transistor JFET 2N3819
❖ Hoja de datos (Datasheet) del transistor a utilizar
❖ Fuente de voltaje
❖ Resistencia de 10Mohms
❖ Multímetro
❖ Proteus

4. Desarrollo de la práctica

Paso 1: Determinamos los valores de IDSS y VGSoff para nuestro transistor JFET

Figura 1 : Tabla de datos del Datasheet ( wN3819)

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Paso 2: Ubicamos los datos de IDSS y VGS(off)

❖ IDSS(mA) = 20mA
❖ VGS(off) (V ) = - 8V

Paso 2: Procedemos a trazar la curva de transferencia correspondiente entre V GS Vs IDSS

VGS VS IDSS (CURVA DE TRANSFERENCIA)

25

20 𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑚𝐴)

15
ID

10

−𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 0
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) VGS

Figura 2: curva de transferencia

Paso 3: basándonos en la curva de transferencia procedemos a determinar el valor de

RS y ID necesario para autopolarizar el JFET los datos son:

• Tenemos de tener en cuenta las siguientes dos ecuaciones para determinar RS y

ID :
𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑠 = | 𝐼𝐷 | (1)
𝑉 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝐺𝑆𝐺𝑆 ) (2)
𝑂𝐹𝐹

❖ VGS = -0.3 V
−0.3𝑉
𝑅𝑠 = | |
20𝑥10−3 𝐴

𝑅𝑠 = 15 𝛺

−0.3𝑉 2
−3
𝐼𝐷 = 20𝑥10 𝐴 (1 − )
−8𝑉

𝐼𝐷 = 18.53𝑚𝐴 (3)

❖ VGS = -0.7 V
−0.7𝑉
𝑅𝑠 = | |
20𝑥10−3 𝐴

𝑅𝑠 = 35 𝛺

−0.7𝑉 2
−3
𝐼𝐷 = 20𝑥10 𝐴 (1 − )
−8𝑉

𝐼𝐷 = 16.65𝑚𝐴 (4)
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Paso 4: Realizamos el siguiente circuito con un VDD = 12V

Figura 3: Montaje del circuito

Paso 6: Se tiene que VDD = 12 V y debemos determinar la corriente ID y los valores de

RS y RD para obtener un punto de operación en la curva de transferencia
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − )
𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓

𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 2
𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − 3.4 ) = 0.5 ∙ 𝐼𝐷𝑠𝑠
𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓

𝐼𝐷 = 0.5 ∙ 𝐼𝐷𝑆𝑆 (5)

❖ Fórmula para hallar RS

𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑠 = | 𝐼𝐷 | (6)

❖ Fórmula para hallar RD

𝑉𝐷 −𝑉𝐷𝐷 /2
𝑅𝐷 = (7)
𝐼𝐷

Usando la ecuación (5) reemplazamos y encontramos:

𝐼𝐷 = 0.5 ∙ (20𝑚𝐴)

𝐼𝐷 = 0.01𝐴

𝐼𝐷 = 10𝑚𝐴

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Usando la ecuación (6) reemplazando los valores encontramos RS utilizamos un -2.5V
centrado en la curva de transferencia

−2,5𝑉
𝑅𝑠 = | |
8𝑋10−3 𝐴

𝑅𝑠 = 312.5Ω

Usamos la ecuación ( 7 ) reemplazamos los valores y encontramos RD :

12𝑉
12𝑉 − 2
𝑅𝐷 =
8𝑋10−3 𝐴

𝑅𝐷 = 750 Ω

Paso 7: Indicamos los valores del punto Q centrado ( VGS e ID ) , el punto Q

seleccionado es el siguiente :

𝑄 = [𝑉𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 ] → 𝑄 = [−2,5𝑉 , 8𝑚𝐴]

Paso 8: Indicamos el punto Q centrado sobre la curva obtenida en el punto N1

VGS VS IDSS (CURVA DE TRANSFERENCIA)

25

20 𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑚𝐴)

15
ID

Q =[-2.5V , 8mA]
10

−𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 0
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) VGS

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Armamos el circuito y realizamos lo que se nos indica, teniendo en cuenta que V DD = 12V,
RD = 1KΩ, RS =470 Ω

Paso 9: Determinamos gráficamente el punto Q de operación realizando la recta de carga

sobre la curva de transferencia

CURVA DE TRANSFERENCIA (VGS vs ID)

25

20 𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑚𝐴)

15
ID

10

−𝑉𝐺𝑆 (𝑉)
0
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) VGS

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Paso 10: Determinamos el punto Q de operación midiendo VGS e ID

ID = 1.48mA

𝑉𝐺𝑆
ID = IDSS (1 - 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 )2

𝑉𝐺𝑆
ID = ( VGSoff2 – 2VGS * VGSoff + VGS2)
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 2

0.02
0.00148 = ( (-8) 2 – 2*VGS * (-8) + VGS2)
(−8)2

1
0.00148 = 3200 (64+16*VGS + VGS 2)

4.736 = 64 + 16 * VGS + VGS 2

VGS 2 +16 * VGS + 64 – 4.736 = 0V

VGS 2 +16V * VGS + 59.264V 2 = 0V

+
−16 √162 −4 (1)(59.264)
−
VGS = 2(1)

VGS = -5.82376V

Entonces VGS = -5.82376V y ID = 1.48mA

CURVA DE TRANSFERENCIA (VGS vs ID)

25

20 𝐼𝐷𝑆𝑆 (𝑚𝐴)

15
ID

10

−𝑉𝐺𝑆 (𝑉) 0
-9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) VGS

Paso 11: Comparamos los resultados de los puntos A y B e indicamos las conclusiones.

En el punto A observamos un punto ideal con una recta de carga con máximo a VGS = -4V
y ID = 20mA.
En el punto B observamos una corriente obtenida mediante la simulación y mediante las
ecuaciones hallamos el VGS y notamos que el punto de carga esta mas hacia
VGS= -5.82376V y ID = 1.48mA.
Concluimos que los valores no son del 100% reales.

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 5. Solución del cuestionario

1. Indique el objetivo que se persigue al polarizar un transistor JFET

El objetivo de la polarización de un transistor JFET es la selección del voltaje DC

de compuerta a fuente (VGS) deseado para establecer un valor deseado de la
corriente en el drenaje (ID) y por lo tanto un punto Q apropiado.
La polarización del JFET se realiza mediante tensión continua y esta consiste en
preparar un circuito para que circule una cantidad de corriente ID por el drenaje y
a su vez se obtiene una tensión entre el drenaje y la fuente VDS para esa
cantidad de corriente ID.

2. Mencione al menos dos métodos de polarización del JFET

Existe 3 tipos de polarización: la autopolarización, polarización mediante divisor

de voltaje y la polarización mediante fuente de corriente.

❖ Divisor de voltaje: Esta configuración es muy utilizada como fuente de

corriente, también se conoce como circuito amplificador, la idea principal
de este circuito es proporcionar una corriente de Drenador (o Surtidor)
constante e independiente.
❖ Autopolarizacion: La autopolarización es el tipo de polarización más
común en los JFET. Recordando que un JFET debe ser operado de tal forma
que la unión compuerta-fuente siempre esté polarizada en inversa. Esta
condición requiere un 𝑉𝐺𝑆 negativo para un JFET de canal N y un 𝑉𝐺𝑆
positivo para un JFET de canal P.

3. Indique para que sirve polarizar un JFET en el punto medio

Normalmente se desea polarizar un JFET cerca del punto medio de su curva de

transferencia, donde ID = IDSS / 2.
En condiciones de señal la polarización en el punto medio nos permite que la
cantidad máxima de corriente en el drenaje oscile entre IDSS y cero, ya que esto
permite que exista una aproximación mas apropiada y muestro transistor JFET
trabaje de una manera eficiente debido a que se acercan a sus valores de punto
de operación.

4. Indique que elemento de un circuito de Autopolarizacion puede variar el

punto Q del JFET

Los elementos que se pueden variar son las resistencias de Drenador y Surtidor
con esto podemos cambiar el valor del punto Q del JFET ya que obtenemos un
valor distinto de corriente de Drenaje (ID) y de VDS.

5. Indique en que método de polarización es más estable la corriente en el

drenaje del JFET, en la autopolarización o en la polarización por divisor de
voltaje
La polarización por divisor de voltajes es la forma más segura de saber que el
punto de funcionamiento Q va a estar en el punto que se estabilice.

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 6. Conclusiones
❖ Evidenciamos que algunos métodos de polarización son mas efectivos que los
demás.

❖ Se conoció el método por divisor de voltaje el cual encontramos los valores

necesarios de las resistencias para determinar un punto medio en la curva de
transferencia.

❖ Se conoce los métodos de polarización mas usados para el transistor JFET y

todas sus ecuaciones requeridas.

7. Bibliografía

[1] Unipamplona, «PRÁCTICA TRANSISTOR JFET,» Pamplona, 2021.

[2] Boylestad, Robert L., Nashelsky, Louis. Electrónica: Teoría de
Circuitos. Sexta edición, Ed. Pearson Education, México.
[3] Coughlin, Robert F., Driscoll, Frederick F. Amplificadores
operacionales y circuitos integrados lineales. Tercera edición,
Ed. Prentice Hall.
[4] Malvino, Albert Paul. Principios de electrónica. Séptima edición, Ed.
McGrawHill.
[5] Rashid, Muhammad H. Circuitos microelectrónicos: análisis y diseño.
Ed. International Thomson.

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