1. Consulte el amplificador de la figura 1 que opera con una sola fuente de alimentación.

(a) Determine los parámetros en cd VB(Q1), VB(Q2), VE, ICQ, VCEQ(Q1), VCEQ(Q2).
(b) Suponiendo que el voltaje de entrada es de 10 V pp, determine la potencia entregada al resistor de
carga.

a)
VB(Q1) = 7.5V + 0.7V = 8.2V
VB(Q2) = 7.5V – 0.7V = 6.8V

15V
V B= =7.5 V
2

V CC −1.4 V 15 V −1.4 V
I CQ = = =6.8 mA
R1 + R2 1 k Ω+ 1 kΩ
VCEQ(Q1) = 15V – 7.5V = 7.5V
VCEQ(Q2) = 0V – 7.5V = –7.5V

b)
Vin = Vout = 10VPP = 3.54Vrms
2 2
V L ( 3.54 VV )
P L= = =167 mW
RL 75 Ω

2. Determine la eficiencia del amplificador clase C descrito en el problema 1 si VCC = 15 V y la resistencia

en paralelo equivalente en el circuito tanque del colector es de 50 ohmios. Considere que el transistor
permanece encendido durante el 10% del periodo.

2 2
0.5 V CC 0.5 ( 15 V )
4 ¿ P ¿ sal = = =2.25 W
Rc 50 Ω
 P D( Prom)= ( )
t enc
I V
T c(sat) ce(sat)
=( 0.1 )( 0.18 V ) ( 25 mA )=45 mW

P sal 2.25 W
η= = =0.9 803=9 8 . 03 %
P sal + P D(prom) 2.25 W +0.45 mW

3. Dado que el voltaje de drenaje a tierra en la figura 2 es de 5 V, determine el punto Q del circuito.

Desde V RD=9 V −5V =4 V

V RD 4V
I D= = =0.85 mA
R D 4.7 k Ω

V S =I D R S=( 0.85 mS ) ( 3.3 k Ω )=2.81 V

V G=
( R2
) (
V =
2.2 M Ω
R1 + R2 DD 12.2 M Ω )
( 9 V ) =1.62V

V GS =V G−V S=1.62 V −2.81 V =−1.19V

El puntoQ esta en : I D =0.85 mA ,V GS=−1.19 V

4. El punto Q de un JFET cambia de VDS = 0.4 V e ID = 0.15 mA a VDS = 0.6 V e ID = 0.45 mA. Determine el
intervalo de valores de RDS.

V DS 0.4 V
Q0 : RDS = = =2.67 k Ω
I D 0.15 mA

V DS 0.6 V
Q 1 : R DS = = =1.33 k Ω
I D 0.45 mA
RDS lo hace de 2.67k a 1.33 k

5. La hoja de datos de un E-MOSFET revela que ID (encendido) = 10 mA con VGS = 12 V y VGS(umbral) =  3 V.
Determine ID cuando VGS =  6 V.
I D (on)
K= ¿ ¿ ¿

I D =K ( V GS−V GS(off ) ) = ( 0.12 mA /V ) (−6V + 3V ) =1.08 mA

2 2 2

6. Si una carga de 1500 ohmios se acopla por ca a la salida en la figura 3, ¿cuál es el voltaje de salida
resultante (rms) cuando se aplica una entrada de 50 mV rms? gm = 5000 microS.

Av = gmRd

Rd = 1.5 k  1.5 k = 750 

Av = gmRd = (5,000 S)(750 ) = 3.75

Vout = AvVin = (3.75)( 50 mV) = 188 mVrms

7. Determine VGS, ID y VDS para el amplificador de la figura 4, ID (encendido) = 18 mA con VGS = 10 V, VGS(umbral) =
2.5 V y gm = 3000 microS.

V GS =
( R2
R1 + R2)( (
V DD )=
6.8 k Ω
24.8 k Ω )
( 20 V ) =5.48V
 I D =K ( V GS−V GS(umbral) )2=0.32mA /V 2 ( 5.48 V −2.5 V )2  = 2.84 mA

VDS = VDD – ID(RD + RS) = 20 V – (2.84 mA)(1.0 k) = 17.2 V

8. Para el amplificador sin carga de la figura 5, encuentre VGS, ID, VDS y el voltaje rms de salida Vds.
ID (enc) = 8 mA a VGS = 12 V, VGS(umbral) = 4 V y gm = 4500 S.

V GS =
( R2
R1 + R2 )
( V DD )=
47 k Ω
94 k Ω( )
( 18 V )=9 V

I D (on) 8 mA 2
K= 2
= 2
=0.125 mA /V
( V GS −V GS (th) ) ( 12V −4 V )

2 2 2
I D (on)=K ( V GS −V GS (umbral) ) =0.125 mA /V ( 9 V −4 V )  = 3.13 mA

VDS = VDD – IDRD = 18 V – (3.125 mA)(1.5 k) = 13.3 V

A v =gm R d =4,500 µS ( 1.5 k )=6.75

V ds= A v V ¿ =6.75 ( 100 mV )=675 mVrms

V ds= A v V ¿ =6.75 ( 100 mV )=675 mVrms

9. Para el seguidor de fuente de la figura 6, determine la ganancia de voltaje y la resistencia de entrada.

IGSS = 50 pA a VGS = 15 V y gm = 5500 microS.
 R S=1.2 K Ω∥ 10 M Ω ≅1.2 K Ω

gm R S ( 5,500 μS ) ( 1.2 K Ω )
AV = = =0.868
1+ g m R S 1+ (5,500 μS )( 1.2 K Ω )

R¿ =
| || |
V GS −15 V
I GSS
=
50 pA
11
=3∗10 Ω

R¿ =10 M Ω ∥ 3∗1011 Ω ≅ 10 M Ω

10. Para un amplificador cascodo como el mostrado en la figura 7, gm = 2800 microS, IGSS = 2 nA con VGS =
15 V. Si R3 = 15 Mohmios y L = 1.5 mH, determine la ganancia de voltaje y la impedancia de entrada. con
f = 100 MHz.

Av  gm (CG)XL = gm(CG)(2fL) = (2800 S)(2 (100 MHz)(1.5 mH) = 2,639

 R¿ =R3 ∥
( )
V GS
I GSS
=15 M Ω ∥ ( )
15 V
2 nA
=14.97 M Ω

11. La salida de un amplificador clase D es de 9 V. Si la señal de entrada es de 5 mV, ¿cuál es la

ganancia de voltaje?
V out 9
A v= = =1,800
V ¿ 5 mV

12. Para una frecuencia de 25 kHz, ¿cuál es la resistencia emulada en un circuito de capacitor
conmutado si C = 0.001 microF?

1 1
R= = =40 k
fC ( 25 kHz ) ( 0.001  F )

13. Un interruptor analógico utiliza un MOSFET de canal n con VGS (umbral) = 4 V. Se aplica un voltaje de + 8
V a la compuerta. Determine la señal de entrada máxima pico a pico que puede ser aplicada si se ignora
la caída de voltaje entre el drenaje y la fuente.

VG - Vp(sal) = VGS (umbral)

Vp(sal) = VG - VGS (umbral) = 8 V - 4 V = 4 V
Vpp(ent) = 2Vp(sal) = 2(4 V) = 8 V

14. Determine la capacitancia Miller de entrada en la figura 8 siguiente.

V E=
( R2
)
R 1+ R 2
V CC −0.7 V = (
4.7 k Ω
37.7 k Ω )
( 20 V −0.7 V )=1.79 V

V E 1.79 V
I E= = =3.2mA
R E 560 Ω

25 mV
r ´e= =7.8 Ω
3.2 mA
 R e 2.2 k Ω∥ 5.6 k Ω
A v= = =202
r ´e 7.8 Ω

C ¿(miller )=C bc ( A v + 1 )=4 pF ( 202+1 )=812 pF

15. Cierto amplificador exhibe una potencia de salida de 5 W con una potencia de entrada de 0.5 W.
¿Cuál es la ganancia de potencia en dB?

Pout 5 W
Ap= = =10
P¿ 0.5 W

P out
A P ( dB )=10 log10 =10 log 10=10 dB
P¿

16. Si el voltaje de salida de un amplificador es de 1.2 V rms y su ganancia de voltaje es 50, ¿cuál es el
voltaje de entrada rms? ¿Cuál es la ganancia en dB?

V out 1.2 V
V ¿= = =24 mVrms
Av 50

A v ( dB )=20 log ( A v ) =20 log 50=34 dB

17. Un amplificador particular tiene las siguientes frecuencias críticas inferiores: 25 Hz, 42, Hz y 136 Hz.
También tiene frecuencias críticas superiores de 8 kHz y 20 kHz. Determine las frecuencias críticas
superior de mayor valor y la inferior de menor valor.

f cl=136 Hz

f cu=8 KHz

18. Una fT = 200 MHz se toma de la hoja de datos de un transistor utilizado en un cierto amplificador. Si
se determina que la ganancia en frecuencias medias es 38 y si fcl es suficientemente baja para ser
despreciada comparada con fcu, ¿qué ancho de banda esperaría? ¿Qué valor de fcu esperaría?

fT = (BW)Av(mid)

fT 200 MHz
BW = = =5.26 MHz
A v (mid ) 38
Por lo tanto, fcu  BW = 5.26 MHz
19. ¿Cuál es la frecuencia crítica inferior dominante de menor valor de un amplificador de tres etapas en
el cual fcl = 50 Hz.

50 Hz 400
f ´ cl= = =98.1 Hz
√ 2 −1 0.510
1
3

20. Determine capacidades valor nominal de potencia mínima del transistor de la figura 9

Rent(base) = dcRE = 90(130) = 11.7k

R2 Rent(base) = 1k11.7k = 921

V B=
( R2 R ¿(base)
R1 + R2 R¿(base) )
V CC=
921 Ω
5.62 kΩ
( 24 V ) =3.93V

VE = VB – VBE = 3.93V – 0.7V = 3.23 V

V E 3.23 V
I CQ ≅ I E = = =24.8 mA
R E 130 Ω

VC = VCC – ICQRC = 24V – (24.8mA)(560) = 13.9 V

VCEQ = VC – VE = 13.9V – 3.23V = 10.7V

PD(min) = PDQ = ICQVCEQ = (24.8mA)(10.7V) = 265mW