SEMANA X – NOMBRE DE LA ASIGNATURA

ELECTRÓNICA I

SEMANA 2

Transistores BJT

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APRENDIZAJE ESPERADO
• Analizar características estáticas de
funcionamiento y funcionamiento básico
de circuitos con BJT.

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APRENDIZAJE ESPERADO.................................................................................................................... 2
INTRODUCCIÓN .................................................................................................................................. 4
1. EL TRANSISTOR BJT..................................................................................................................... 5
1.1 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BJT........................................................................... 6
1.1.1 ZONA DE CORTE, ACTIVA Y DE SATURACIÓN .............................................................. 8
1.1.2 TRANSISTOR NPN ....................................................................................................... 9
1.1.3 TRANSISTOR PNP ...................................................................................................... 10
1.2 CARACTERÍSTICA ESTÁTICAS DEL BJT................................................................................ 10
1.2.1 PARÁMETROS DEL TRANSISTOR ............................................................................... 10
1.2.2 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN .......................................................................... 11
1.2.3 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN ............................................................................... 12
1.2.4 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN ...................................................................... 13
1.3 ANÁLISIS BÁSICO DE CIRCUITOS CON BJT ......................................................................... 13
COMENTARIO FINAL ........................................................................................................................ 16
REFERENCIAS.................................................................................................................................... 17

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INTRODUCCIÓN
Lo que se ha llegado a considerar como “el junto a sus dos colegas, experimentó con un
mayor invento del siglo XX”, el transistor, se rudimentario transistor hecho de dos púas
hizo comercialmente viable a mediados de la de metal (oro) que se presionan de forma
década de los años 50 del siglo pasado, muy próxima sobre la superficie de un
gracias a tres brillantes científicos: Shockley, material semiconductor (germanio), dando
Bardeen y Brattain, a quienes más origen al primer transistor de la historia.
adelante, se les otorgaría el Premio Nobel
Lo que en un principio era la creación de un
de Física, gracias a este logro.
dispositivo que pretendía entregar
Como reza el dicho: la necesidad es la madre mejores prestaciones que las válvulas de
de todo invento. A comienzos del siglo vacío, a la hora de amplificar las señales
pasado, la telefonía y en general, las de voz, terminó siendo la piedra angular
comunicaciones constituían un mercado de la electrónica hasta la fecha. Al
exigente y cada vez mejor situado, siendo dispositivo creado se le considera un
que los componentes clave como los tubos o resistor de transferencia (transfer resistor),
válvulas de vacío, utilizadas en la abreviándolo como transistor.
amplificación de señales, exigían ser
mejorados a fin de disminuir su consumo El impacto de los transistores en la
energético, incrementar su vida útil y vida moderna ha sido enorme,
disminuir su generación de calor, entre otras llegando a transformar nuestro entorno,
disminuyendo el tamaño de dispositivos
cosas.
electrónicos de uso diario y aumentando
Es en ese momento en el que Shockley cada vez más su velocidad.
consideró los materiales semiconductores
como elementos base en el diseño y
fabricación del sustituto del tubo de vacío y,

“El transistor es el ingrediente principal de todo circuito electrónico, desde el amplificador u

oscilador más simple hasta la computadora digital más sofisticada”.
Mijarez (2014, p. 53).

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1. EL TRANSISTOR BJT
En el contenido de la semana anterior, se puso de manifiesto cómo ciertos elementos de la
tabla periódica manifiestan un comportamiento denominado semiconductor y
cómo tal comportamiento es la base de la electrónica que hoy día está inserta en cada aspecto de
la vida de todos. También se conoció el componente electrónico más simple, el diodo. Esta semana
se estará tratando un componente de mayor complejidad y que es un pilar en los desarrollos
tecnológicos: el transistor.

Usualmente se define al transistor BJT como un elemento de tres terminales, no lineal y de estado
sólido, donde el flujo de corriente eléctrica entre dos de sus terminales está determinado por la
corriente aplicada en el tercero de ellos. Inicialmente creado en los años 50 en los laboratorios de
la Bell Telephone para la amplificación de señales de voz, ha protagonizado la revolución
tecnológica del último siglo.

Si bien es cierto que existen en la actualidad otros tipos de transistores (de efecto de campo o FET
y los llamados fototransistores), en este contenido se tratará únicamente lo relacionado con el
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor o transistor de unión bipolar).

Figura 1. Símbolos y empaques diferentes para transistores BJT

Cirovic (2003) explica que el transistor BJT “es un dispositivo de tres terminales y contiene dos
diodos PN uno a continuación del otro en sentidos opuestos. Las tres zonas correspondientes a los
tres terminales tienen nombres que indican la función que realizan” (p. 51). Las tres zonas a las
que se refiere este autor son:

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• Emisor: es la parte del transistor que lanza o emite portadores de carga hacia la base.
• Base: es donde se ejerce el gobierno de los portadores en cuestión.
• Colector: es el lugar del transistor donde se recogen los portadores de la base.

Figura 2. Partes de un
transistor BJT
Fuente: Cirovic (2003, p. 55)

1.1 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BJT

El transistor BJT es conocido por su capacidad de regular una corriente alta, basado en la
regulación de una corriente baja, efecto conocido como amplificación y que justificó el origen
de su creación. En la figura 3, pueden observarse los símbolos utilizados para denotar los
transistores NPN y PNP, una regla nemotécnica para recordarlos es utilizar las frases “No
Penetra N” para el NPN y “PeNetra P” para el PNP, pues ello da una indicación clara de la
dirección de la flecha en el respectivo símbolo.

Figura 3. Símbolos para los transistores NPN y PNP

Fuente: https://www.freepng.es/png-sg30t9/

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El paso de una corriente entre base y emisor, llamada corriente de base I B, dará origen a una
corriente entre colector y emisor de mayor tamaño, llamada corriente de colector IC. La relación
entre una y otra se denomina ganancia o amplificación, llamada β1.

La figura 4 muestra la relación de dicha corriente de colector I C respecto a la corriente de base IB.
Nótese, por ejemplo, que si se considera la corriente de base IB = 100 µA, para un voltaje VCE = 8V,
la corriente de colector es IC = 12 mA. Esto supone una ganancia de β = 120, esto último puede
verse con la siguiente ecuación:

IC = β * I B

β = IC / IB

β = 12x10-3 / 100x10-6

β = 120

Nótese que la figura 4 corresponde a los valores de corriente y voltaje para una configuración de
emisor común, aunque es la que usualmente se utiliza para la obtención de las curvas de
corriente-voltaje en su uso como amplificador. Esta gráfica se conoce como curva característica de
salida en emisor común para un transistor BJT, tipo NPN.

Figura 4. Curva característica VCE/CE de un transistor BJT, tipo NPN,

en emisor común
Fuente: López (2015, p. 54)

1
En las hojas técnicas de fabricantes, se denota como hFE.

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• Un trabajo conjunto de IBM Research, GlobalFoundries y Samsung

plantea la fabricación de transistores de 5 nanómetros, con lo cual se
podrían colocar 30.000 millones de transistores en un chip no más
grande que una uña.

1.1.1 ZONA DE CORTE, ACTIVA Y DE SATURACIÓN

El transistor posee un comportamiento no lineal, que hace que presente tres zonas de
funcionamiento: corte, saturación y activa.

En la región de corte, el transistor puede visualizarse como un suiche abierto, de forma análoga,
cuando el transistor se encuentra en la región de saturación puede visualizarse como un suiche
cerrado, pero la región activa reviste un funcionamiento especial, por lo que se tratará en detalle.

López (2015) explica que en la región activa “cuanto mayor sea la intensidad por la base, mayor
será la intensidad por el colector. Esta región tiene especial relevancia en la fabricación de
amplificadores” (p. 55).

Figura 5. Zonas de corte, saturación y activa en la curva característica

de un transistor
Fuente: López (2015, p. 55)

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También existe una cuarta zona llamada ruptura. Esta zona no es más que un
comportamiento práctico, en el que el transistor no es capaz de soportar más de una
determinada corriente especificada, conllevando a la destrucción del componente. El valor de
dicha corriente viene dada por características constructivas del mismo.

1.1.2 TRANSISTOR NPN

Según explica Cirovic (2003) “en un transistor NPN, los electrones son portadores mayoritarios en
el emisor. Para que atraviesen la unión base-emisor y penetren en la base, se aplica una tensión
exterior entre los terminales de base y de emisor” (p. 52). Para que esto ocurra, es necesario que
el diodo formado por la base-emisor sea polarizado directamente y de esta forma lograr que los
portadores mayoritarios, que en este caso son electrones, atraviesen la unión.

Figura 6. Polarización para el funcionamiento normal de un transistor NPN

Fuente: Cirovic (2003, p. 54)

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1.1.3 TRANSISTOR PNP

Según explica Cirovic (2003), “su funcionamiento es totalmente análogo al del NPN. Los
portadores mayoritarios (en este caso huecos) del emisor tipo P se inyectan en la base polarizando
favorablemente el diodo base-emisor” (p. 58).

Figura 7. Polarización para el funcionamiento normal de un transistor PNP

Fuente: Cirovic (2003, p. 56)

1.2 CARACTERÍSTICA ESTÁTICAS DEL BJT

Tal como se ha mencionado, un transistor puede ser utilizado para amplificar señales de una
frecuencia o conjunto de frecuencias particulares. Sin embargo, antes de analizar este punto
resulta interesante observar el funcionamiento del mismo bajo condiciones estáticas, valga decir,
con corrientes y voltajes invariables en el tiempo.

1.2.1 PARÁMETROS DEL TRANSISTOR

Los transistores presentan una serie de características particulares, dependiendo el modelo y
fabricante, pero en general los parámetros de interés se listan a continuación:

• Tensión colector-base VCBO: corresponde a la tensión inversa máxima que el transistor

puede soportar entre base y colector, por sobre este valor el transistor sufrirá daño
irreversible. Se establece para el emisor en circuito abierto.
• Tensión colector-emisor VCEO: corresponde a la tensión inversa máxima que el transistor
puede soportar entre colector y emisor, con la base en circuito abierto. Por sobre este
valor, el transistor sufrirá daño irreversible.
• Corriente de colector IC: es la corriente máxima que el transistor puede manejar en su
colector.

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• Potencia máxima Ptot: corresponde a la potencia máxima que el transistor puede disipar
en forma de calor
• Ganancia de corriente HFE: es la ganancia que proporciona el transistor, también
llamada β.
• Frecuencia de transición fT: es la frecuencia máxima que puede manejar el transistor
para operar como amplificador.
• Tiempo de conmutación toff: corresponde al tiempo que tarda en transistor para
conmutar el colector con el emisor.

Enríquez (1981) explica que “estos nombres se derivan de los asignados a las tres terminales
(emisor, base, colector), según cada una sea, común a ambos a la entrada y salida del
amplificador” (p. 112). Como puede observarse en la figura 7, el transistor puede funcionar en tres
condiciones diferentes cuando se desea utilizarlo como amplificador, sin embargo, la
configuración de emisor común es la más utilizada dada las ventajas que presenta.

Figura 8. Conexiones al circuito para un transistor NPN

Fuente: elaboración propia.

Aunque, como se mencionó antes, las configuraciones son útiles para su uso en amplificadores de
señal y esto será tratado en las siguientes semanas, se plantearán a continuación los conceptos
básicos de estas tres configuraciones.

1.2.2 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

En este caso, el emisor es común entre la etapa de entrada y la de la salida. Una de las principales
características de esta configuración es el desfasaje cercano a los 180° entre la señal de entrada y
la obtenida a la salida y que, de las tres configuraciones mostradas, es la que ofrece a la
salida la mayor ganancia de voltaje. Se utiliza con frecuencia para el diseño de amplificadores clase
A2 .

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Son amplificadores cuyas etapas de potencia consumen corrientes considerables y de forma continua,
independientemente de si existe o no señal a amplificar.

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La corriente de entrada es la corriente de base I B y la de salida la de colector IC., por lo que en esta
configuración se tiene la mayor ganancia de corriente. La impedancia 3 de entrada es menor que
para la configuración de colector común, pero mayor que para la configuración de base común.
Para la impedancia de salida, esta configuración también se encuentra en un punto intermedio
respecto al resto de las configuraciones.

Figura 9. Configuración típica de emisor común para un

transistor NPN
Fuente: elaboración propia.

1.2.3 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

Esta configuración se denomina de esta manera, porque los circuitos de entrada del emisor y
de salida del colector tienen ambos retornos por la conexión de la base. La impedancia de
entrada viene dada por la resistencia del diodo formado entre base y emisor, la cual es muy baja,
del orden de algunos ohmios4; por otro lado, la impedancia de salida es muy alta.

Es interesante mencionar que la señal de salida de esta configuración estará en fase con la señal
de entrada.

Figura 10. Configuración típica de base común para un

transistor PNP
Fuente: elaboración propia.

3
Se conoce como una medida de la resistencia que opone el circuito al paso de corrientes resistivas y
reactivas.
4
Va desde unos cuantos ohmios hasta un máximo de cerca de 50 ohmios.

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1.2.4 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN

En este caso, el colector es común tanto a la entrada como a la salida. La corriente de entrada es la
corriente de base IB y la corriente de salida corresponde a I E, y de las tres configuraciones es la que
entrega más corriente a la salida. Por otro lado, el voltaje de salida es siempre menor que el de
entrada, esto ocurre debido a que el voltaje de salida se toma en el emisor del transistor.

En cuanto a la impedancia, esta configuración posee a la entrada una alta impedancia mientras
que a la salida la misma es baja. Esto ocurre ya que la corriente de entrada es la corriente de base,
que por lo general es más baja que las de colector y emisor, aunado al hecho de que el voltaje a la
entrada es más alto que el de salida, lo cual hace que entre ambos elementos la impedancia de
entrada sea mucho más alta que la de salida.

Figura 11. Configuración típica de colector común para un

transistor NPN
Fuente: elaboración propia.

Lo anterior conlleva a establecer que la ganancia de corriente es siempre superior a uno y que la
ganancia de voltaje es siempre inferior a uno. También es de notar que esta configuración no
desfasa la señal de entrada, es decir, si la señal entra positiva entonces sale positiva.

1.3 ANÁLISIS BÁSICO DE CIRCUITOS CON BJT

Como se mencionó antes, una de las configuraciones más utilizadas a nivel de transistor BJT, es
ladenominada configuración en emisor común. En esta, el transistor actúa como amplificador de
corriente y voltaje, invirtiendo además a la salida la señal de entrada.

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Figura 12. Circuito básico con transistor NPN, en configuración emisor común
Fuente: elaboración propia.

Del circuito de la figura 12, se desprenden las siguientes ecuaciones:

VIN = IB * RB + VBE, y asumiendo que el voltaje de alimentación es conocido y que el transistor es de

silicio, para lo cual VBE = 0.7V, se tiene:

RB = (VIN - 0,7) / IB

Por otro lado, se sabe que IC = β * IB

De la malla de salida se tiene:

VCC = IC * RC + VCE

VCE = VCC – IC * RC, que viene a ser la ecuación de la recta de carga.

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EJEMPLO

Para el circuito con emisor común

mostrado se desea obtener el valor del
voltaje de salida Vo, sabiendo que la
ganancia del transistor es de 120.

Asuma que el transistor es de germanio.

Utilizaremos la ecuación para la malla de entrada:

VIN = IB * RB + VBE, y despejaremos IB, ya que el resto de los valores de la ecuación

son conocidos, por lo que se tiene:

IB = (VIN - VBE) / RB, dado que se trata de un diodo de germanio VBE = 0.3V, entonces:
IB = (5V - 0,3V) / 10KΩ
IB = 0.47 mA
Con esta se puede obtener la corriente de colector, de la siguiente manera:
I C = β * IB
IC = 120 * 0.47 mA
IC = 56.4 mA
Y con esta corriente se obtiene el voltaje Vo, que no es más que el voltaje VCE de la
malla de salida:
VCC = IC * RC + VCE, de la cual se despeja VCE
VCE = VCC – IC * RC
VCE = 12V – 56.4 mA * 100 Ω
VCE = 6.36V

Vo = 6.36V

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COMENTARIO FINAL
La historia de la creación del transistor, no es más que el producto del trabajo independiente de
un gran número de personas, confluyendo en tres investigadores del Bell Labs. Su creación
significó la sustitución de las válvulas de vacío, por un dispositivo que permitía hacer en
esencia el mismo trabajo, pero sin necesidad de esperar un calentamiento para su
funcionamiento, con un bajo tamaño, un reducido consumo y con el tiempo, un reducido costo.

Este invento supuso una nueva era en la civilización moderna, con dispositivos cada vez más
pequeños, portátiles, de larga vida y de bajo consumo. Son pocas las aplicaciones en las que el
transistor no haya sustituido a los tubos de vacío, aunque es justo decir que hay desarrollos donde
estos últimos se prefieren por su manejo de altos voltajes, para los cuales los semiconductores
aún no son adecuados.

Sin lugar a dudas, que el transistor y su aplicación en la electrónica de consumo ha sido lo que
ha sentado las bases de la era de la información y a generaciones dispuestas todas a
consumir electrónica.

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REFERENCIAS
Cirovic, M. (2003). Electrónica fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas. España:Editorial
Reverté.

Enríquez, G. (2003). El ABC del control electrónico de las máquinas eléctricas. México:Editorial
Limusa.

Fink, D., Beaty, H. & Caroll, J. (1981). Manual práctico de electricidad para ingenieros.
España: Editorial Reverté.

López, J. (2015). Módulo 4. Fundamentos de electrónica. España: Ediciones Paraninfo.

Mijarez, R. (2014). Electrónica. México D.F., México: Grupo Editorial Patria.

PARA REFERENCIAR ESTE DOCUMENTO, CONSIDERE:

IACC (2018). El transistor BJT. Electrónica I. Semana 2.

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