Practica 2.1

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE
FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA

INGENIERIA BIOMEDICA Evaluación
CAMPUS TIQUIPAYA
ELECTRONICA DE POTENCIA
Practica 2
DISPOSITIVOS DE POTENCIA
Grupo “A”
Estudiante: Rojas Lima Cinthia V.
Docente: Ing. Crespo Saucedo

José David
Cochabamba 22 septiembre de 2021
Gestión II – 2021
1.- Mencionar todas las características sobresalientes de los transistores Bipolares.
R.-
 son controlados por el terminal de base, utilizados fundamentalmente para

frecuencias por debajo de 10KHz.
 trabaja en 3 zonas bien diferenciadas en función de la tensión que soporta y la
corriente de base inyectada, estas son: corte, activa y saturación.
2.- - Investigar sobre la importancia de conocer el Trr del diodo de potencia.
R.- El Trr (tiempo de recuperación inverso) es importante debido a que si el tiempo que
tarda el diodo en conmutar no es despreciable: Se limita la frecuencia de funcionamiento
y existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa para altas
frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.
3.- En el cálculo de potencia en un ciclo de trabajo de un transistor BJT, ¿cuáles son las
potencias más sobresalientes y por qué?
R.- Potencia disipada en conmutación con carga resistiva.
5.- El transistor bipolar de la figura tiene un valor nominal de β igual a 200. La resistencia
de carga es RC = 11 [Ω]. El voltaje de alimentación Vcc = 200 V y voltaje de entrada al
circuito de base es VB = 10 V. Si VCEsat = 1.2V y VBEsat = 1.5 V, ¿cuál es el valor de RB
para que el transistor entre en conducción? ¿Cuánta potencia consume el transistor en
conducción?
6.- Explicar el proceso de protección del circuito RC o Snubber en el BJT. ¿Cuál es el
efecto de colocar esta red?
R.- El proceso que realiza la red RC consiste en atenuar las resonancias provocadas por los
elementos parásitos en el circuito de potencia o la corriente de recuperación inversa del
diodo. El efecto de estas seria que las redes snubber en serie están constituidas por una
bobina LS y se usan para limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dIc/dt en
el paso a conducción. Si la corriente Ic crece muy rápidamente, conforme decrece la
tensión VCE puede darse el fenómeno de ruptura secundaria.
7.- Un MOSFET se usa como interruptor. Sus parámetros son VDD = 80[V], ID = 35[A],
RDS = 28 [mΩ], VGS = 10 V, td(enc) = 25 ns, tr= 60 ns, td(apag) = 70 ns, y tf = 25 ns, VTH =
2V y frec = 20 kHz. Asumir el ciclo de trabajo 50%. Se pide:
a) Dibujar las formas de onda del voltaje y corriente vds(t) e id(t) según los datos
mencionados.
b) Calcular la potencia media que consume el MOSFET durante el tiempo de

crecimiento, asumiendo que la corriente y el voltaje tienen comportamiento
lineal.
Circuitos de control de disparo del SCR
Dado el circuito mostrado en la figura, donde R2 es un resistor variable de 100 [KΩ].

Datos: V1 = 200V pico, frecuencia 50Hz. El SCR genérico
a) Utilizando el programa PROTEUS, OrCAD u otro que sepan manejar, armar el
circuito mostrado en la figura para realizar la simulación.
R1(2)
R1
50
U1(A)
V1
VSINE
RV1
R3 R3(1) D1 U1(G) U1
100%
2N6565
2.2k
1N4001
C1(2)
100k U1(K)
C1
680nF
b) Mostrar en graficas separadas las formas de onda de las tensiones en el capacitor

C1, Anodo –Cátodo del SCR y la de carga de 50 [Ω].
C1:
Anodo –Cátodo del SCR
carga de 50 [Ω]
c) Mostrar en graficas separadas las formas de onda de las corrientes por el GATE y
por la carga R1 para distintos ángulos de disparo.
Gate
R1
Otro ángulo de disparo
Gate
R1
d) Comentar los resultados obtenidos
Se logró notar que al cambiar el ángulo de disparo las gráficas de cada uno tenían distintas
variaciones a la original.
2.- Investigar sobre algunos métodos de control de disparo para los SCRs y Triacs.
R.- Métodos para los SCR: Los distintos métodos de disparo de los tiristores son: Por
puerta, por módulo de tensión, por gradiente de tensión (dV/dt), disparo por radiación y
disparo por temperatura. El modo usado normalmente es el disparo por puerta y los de
disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados.
Métodos para los Triacs: Las formas de onda de los Triacs son muy parecidas a las formas
de onda de los SCR, a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo.
Existe un gran número de posibilidades para realizar en la práctica el disparo del TRIAC,
pudiéndose elegir aquella que más resulte adecuada para la aplicación concreta de que se
trate. Se pueden resumir en dos variantes básicas: Disparo por corriente directa y disparo
por corriente alterna.
3.- En el circuito de la figura comentar el funcionamiento del circuito desde 0 a 2π,
determinar el valor de la tensión y corriente eficaz en la carga.
R.- Para el funcionamiento del circuito se tiene una señal senoidal donde el SCR debe estar
polarizado en directo, una vez polarizado en un determinado ángulo se introduce una
señal a través del gate. Si no se realiza este procedimiento el SCR no conduce, por lo
tanto, se queda abierto, no existiría corriente y el voltaje en la carga será cero, entre pi y
2pi esta polarizado en inverso por lo que no conduce
4.- Un SCR conduce una corriente que se muestra en la figura. La frecuencia de

conmutación es fs = 10 Hz. Determine la corriente promedio en estado encendido.
5.- Para el circuito de protección del SCR contra dI/dt de la figura, calcular el valor de la
inductancia L, para limitar la corriente de ánodo a un valor de 5 A/µs. Datos: VS = 300V;
RL = 5Ω
R.-

Practica 2.1

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Practica 2.1

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Practica 2.1

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA

Estudiante: Rojas Lima Cinthia V.

Docente: Ing. Crespo Saucedo

Cochabamba 22 septiembre de 2021

 son controlados por el terminal de base, utilizados fundamentalmente para

b) Calcular la potencia media que consume el MOSFET durante el tiempo de

Dado el circuito mostrado en la figura, donde R2 es un resistor variable de 100 [KΩ].

b) Mostrar en graficas separadas las formas de onda de las tensiones en el capacitor

Otro ángulo de disparo

d) Comentar los resultados obtenidos

4.- Un SCR conduce una corriente que se muestra en la figura. La frecuencia de

También podría gustarte