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ELECTRÓNICA ANALÓGICA I

DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

Manual de Prácticas
Electrónica Analógica I
Grado en Ingeniería Electrónica Industrial y Automática
3er Curso, 1er Cuatrimestre
Curso académico 2020-2021

PRÁCTICA 1
EL TRANSISTOR: FUENTE DE CORRIENTE. EL DIODO: RECTIFICADOR

DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA


Campus de Leganés
Avenida del Universidad 30
28911 Leganés

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ELECTRÓNICA ANALÓGICA I
DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

1.1. OBJETIVO DE ESTA PRÁCTICA

El objetivo de esta práctica es que el alumno ejercite los conceptos


explicados en las clases de teoría sobre los componentes semiconductores
básicos: el transistor y el diodo, aprendiendo a interpretar la información
suministrada en los catálogos y manuales por los fabricantes. Asimismo, a
través de la realización de la misma se pretende que recuerde el manejo de los
instrumentos electrónicos de medida más comunes de laboratorio: el
multímetro, la fuente de alimentación, el generador de funciones y el
osciloscopio.

La práctica constará del análisis del Transistor Bipolar como fuente de


corriente.

Se aconseja que el alumno lea con detenimiento la práctica completa y


a continuación resuelva las cuestiones teóricas, en los formularios que a tal
efecto se encuentran, que debe traer completados al comenzar la práctica.

En el laboratorio se rellenará el informe de medidas, comparando


sus resultados con lo que espera obtener según sus cálculos teóricos.
Debe traer una copia de los cálculos teóricos para poder hacer el
seguimiento.

Presentación del alumno a la práctica del laboratorio:

El alumno debe presentare a las prácticas con puntualidad a la hora


establecida por los horarios publicados a tal efecto. Asimismo, para la
realización de las prácticas, es obligatorio e imprescindible la asistencia a
las mismas portando el material requerido.

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1.2. MATERIAL PARA REALIZAR ESTA PRÁCTICA

La relación del MATERIAL que precisa cada GRUPO para realizar la


práctica de laboratorio es la siguiente:

1 placa protoboard de montaje.

1 transistor bipolar tipo npn: BC547B.

1 diodo de potencia 1N4007 (se recomienda adquirir más de uno).

1 condensador de 100µF/35V.

9 resistencias: RB1, RB2, RC, RE, RC1, RC2, RC3, RC4 y R:

RB1 = 20k , ¼ W.
RB2 = 3,3k , ¼ W.
RC = 3,9k , ¼ W.
RE = 750 , ¼ W.

RC1 = 1k , ¼ W.
RC2 = 4,7k , ¼ W.
RC3 = 7,5k , ¼ W.
RC4 = 10k , ¼ W.

R = 1k , 1 W.

5 metros de cable rígido unipolar (0.5mm2 de sección) para trabajar


sobre placa protoboard (a ser posible de 3 ó 4 colores diferentes). Los
cables deberán traerse de casa preparados, tanto cortados como
pelados en ambos extremos.

El transformador necesario para la realización del circuito rectificador lo


suministrará el laboratorio, por lo que no debe ser adquirido por los
alumnos. En el secundario del transformador, se tendrá una tensión
cuyo valor oscilará entre 12 y 15 Vrms, según el puesto del laboratorio en
el que se encuentre realizando las prácticas, y de frecuencia 50Hz.

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1.3. HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS COMPONENTES

En este apartado del manual se suministra un listado de algunos enlaces a


las páginas de los fabricantes donde se incluyen las hojas de características de
los componentes que se van a emplear en las sesiones prácticas.

Es conveniente que el alumno se familiarice con la búsqueda de este tipo


de hojas de catálogo (datasheets) a través de internet. Se recomienda a los
alumnos buscar y consultar los catálogos de los componentes como trabajo
preparatorio para las prácticas en las siguientes direcciones u otras
alternativas.

National Semiconductor www.national.com/catalog


www.fairchildsemi.com/technical_information/d
Fairchild Semiconductor
atasheets.html
www.semiconductors.philips.com/catalog/219/2
Philips Semiconductors
82/index.html
Analog Devices http://www.analog.com/en/index.html
http://www.freescale.com/webapp/sps/library/pr
Motorola
od_lib.jsp
ST Microelectronics
http://eu.st.com/stonline/products/index.htm
(SGS Thomson)
Texas Instruments http://focus.ti.com/general/docs/techdocs.tsp

Dallas Semiconductors www.maxim-ic.com/products.cfm

Panasonic www.semicon.panasonic.co.jp/ds/e-index.html
Enlace a múltiples
www.bgs.nu/sdw/a.html
fabricantes

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ELECTRÓNICA ANALÓGICA I
PRÁCTICA 1: EL TRANSISTOR: FUENTE DE CORRIENTE. EL DIODO:
RECTIFICADOR

1.4. PRÁCTICA 1: Cálculos Teóricos (CT.1)

GRUPO: 24

PUESTO DE LABORATORIO:
ALUMNOS (NOMBRE Y APELLIDOS) : ÁLVARO MARTINO ORTIZ

1.4.1. (CT1.1) EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO FUENTE DE CORRIENTE


En la primera parte de la práctica se analiza el comportamiento de un transistor
autopolarizado funcionando como una fuente de corriente. El esquema eléctrico
se muestra en la Figura 1.

RB1 RC Datos:

Transistor bipolar: BC547B


VCC = 15V
VCC RB1 = 20k
RB2 = 3,3k
RC = 3,9k
RB2 RE RE = 750

Figura 1. Fuente de corriente con transistor


bipolar

a) Complete la tabla adjunta con los valores que se solicitan identificando a


partir de las hojas de catálogo del fabricante del transistor cada uno de los
parámetros. No olvide indicar las unidades de todos los parámetros.

ó hFE VBE(ON) VCE(SAT)

D- r 950 [ X ] 660 [ mV ] 255 [ mV ]


Parámetros del transistor BC547B

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b) Complete la tabla adjunta. Para ello, calcule las corrientes de colector y de


base del transistor bipolar en el punto de trabajo (ICQ, IBQ respectivamente).
Calcule también la tensión colector-emisor y la tensión en la base (VCEQ,
VBQ respectivamente). No olvide indicar las unidades de todas las
magnitudes.

ICQ IBQ VCEQ VBQ

1,90 [ mA ] 9,5 [ µA ] 6,16 [ Y ] 2112 [ V ]


Resumen del punto de polarización del transistor

la

le
=P
=
.
IB
(Bett ) IB
4B=§BI.kc=2i1
RBZ RBI
2,83kt
-

Rtn = -
=

RBZTRBI

• Malla interior , o Malla exterior,

VB = VBELON) t Rth -

ibt (Btt) RE ib . -
VCE VC VE
-
= VCC -
K RC
-
-
IE RE
-

= ib =
0,0-95 mA
kE YVCECSAT )

Rtut (Btt ) RE -

ZoNAAtNA
k=B-lB=1,9mA

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c) El transistor bipolar de la Figura 1 se comporta como una fuente de


corriente, ICQ. Si la resistencia de colector RC se redujera primero a RC1 =
1k l ego se aumentara a RC3 = 7,5k , calcule el valor de las magnitudes
que se indican en la tabla.

RC ICQ IBQ VCEQ VBQ

RC1 = 1k 1,90 [ mA ] 9,5 [ µA ] 11,67 [ V ] 2,12 [ V ]

RC3 = 7,5k 1,79 [ mA ] 9,5 [ µA ] 0,79 [ V ] 2,12 [ V ]

Casos particulares de funcionamiento de la fuente de corriente

Solscambiaelvalsrdelkeo
Cas - 1

VCE = VC Ve - = VCC -
k.RU -
le RE - = 11,674

- Cas- 2

VCE = VC -
VE = VCC -
lcrcz -
IERE = -
0,675 VCVCECSAT ) ND ACTIVA → SATURACIÓN
-
Recalculauuss las corrientes para
el segundo caso ,

VCC - K -
Rcz -
IE RE
- = VCECSAT ) IEIK

0,2 t 15
K 1,79mA
-

= -
=

7,51-0,75

d) ¿Qué observa en los valores de la intensidad de colector IC para cada caso?


¿Son valores esperados?

A la hora de calcular los valores de RU se obtienen resultados esperados. IKER sigue siendo
mayor que HCESAT y por tanto, se mantiene en zona activa concluyendo que el cambio de valor de la
resistencia no afecta a los diferentes parámetros.
Sin embargo, al usar Rcz con la corriente IC calculada en el primer apartado observamos que el
transistor cambia su zona de funcionamiento al ser mayor la caída de tensión por la
resistencia Rcz , teniendo que calcular de nuevo la corriente K.

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ELECTRÓNICA ANALÓGICA I
PRÁCTICA 1: EL TRANSISTOR: FUENTE DE CORRIENTE. EL DIODO:
RECTIFICADOR
1.5. PRÁCTICA 1: Medidas Experimentales (ME.1)

GRUPO: 24

PUESTO DE LABORATORIO: 04 DER

ALUMNOS (NOMBRE Y APELLIDOS) : ÁLYARA MARTINA ORTIZ

1.5.1. (ME1.1) MEDIDAS SOBRE EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO FUENTE DE


CORRIENTE

Monte el circuito de la Figura 4 con los componentes que se indican. Tenga


especial cuidado en la correcta conexión de los terminales del transistor
(emisor, base y colector) y con la identificación de las resistencias
mediante el código de colores impreso sobre ellas.

RB1 RC Datos:

Transistor bipolar: BC547B


VCC = 15V
VCC RB1 = 20k
RB2 = 3,3k
RC = 3,9k
RB2 RE RE = 750

Figura 4. Fuente de corriente con transistor


bipolar

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a) Mida los valores reales de las corrientes y tensiones en el punto de trabajo y


complete la tabla adjunta.

ICQ IBQ β VCEQ VBQ

TEÓRICO 1,90mA 9,5µA 20


6,164 2,1211

MEDIDO 1,95mA 7,6µA 256 5,9811 2,1611

b) Comente las diferencias encontradas entre estos valores reales y los


valores teóricos.

Según los datos obtenidos los valores teóricos coinciden con los reales salvo que la corriente
Ic no sale tan similar al cálculo teórico.
Aparte el valor de la corriente Ib varía bastante porque está directamente influenciada por Beta.
La obtención de Beta no es muy similar a la teórica.
Esto puede deberse a las condiciones del transistor o a algún fallo de medición.
No obstante, la beta obtenida permanece en el rango que indica la datasheet.

c) Sustituya la resistencia RC del circuito de la Figura 4 por cada una de las


resistencias de la tabla adjunta: RC1, RC (medido previamente), RC2, RC3 y
RC4 y mida, para cada caso, la diferencia de potencial en bornas de la
resistencia RC (VRC). Calcule a partir de esta medida, la corriente de colector
del transistor (IC). Indique la zona de funcionamiento del transistor en cada
caso.

RC [k ] VRc [V] VCE [V] IC [mA] IB [µA] Zona


RC1 = 1k 1,93 11,5 1,97 59 333 ACTIVA

RC = 3,9k 7,69 5,85 1,89 6,1 309 ACTIVA

RC2 = 4,7k 8,97 4,3 1,96 6,4 306 ACTIVA

RC3 = 7,5k 13,27 73,1 1,69 40,5 41,7 SATURACIÓN

RC4 = 10k 13,8 40 1,38 100,3 13,7 SATURAUÓN

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d) Represente, en la siguiente gráfica, IC frente a RC y señale en ella las zonas


de funcionamiento por las que pasa el transistor:

IC(mA)

Z

÷n


1

1 3,9 4,7 7,5 10 RC(k )

e) Explique cómo depende IC del valor de la resistencia de colector (Rc).


Justifique las zonas de funcionamiento por las que pasa el transistor y cómo
afecta a la fuente de corriente que implementa el circuito de la Figura 4.

La corriente Ic se mantiene constante mientras nos encontramos en la zona ACTIVA del transistor.
Según aumentamos el valor de la resistencia se produce una mayor caída de tensión pasando a zona de saturación
y que según vayamos aumentando el valor de Rc la corriente Ic tenderá a 0 mA llegando a la zona de corte.

Cuando está en activa el transistor funciona como fuente de corriente y cuando está en saturación como un conmutador.

NO DESMONTE EL CIRCUITO, SE EMPLEARÁ EN LAS


PRÓXIMAS PRÁCTICAS
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