Materiales Tipo

NyP

DOCENTE; Ing. Alejandro Sánchez Reséndiz

ASIGNATURA; Electrónica Digital

ESTUDIANTE; Miguel Guzmán

GRADO; 2Do Cuatrimestre

2023 1
 Contenido
Introducción. _______________________________________________ ___ _3

¿Qué es un semiconductor?.____________________ ______________ __4

Aplicaciones de los semiconductores ________4

Tipos de semiconductores _ ______________ _5

Semiconductores intrínsecos. ___________________ 5

Semiconductores extrínsecos. ________________ _____________________ __5

Ejemplos de materiales semiconductores. _________________________ __6

Materiales conductores. 6

Materiales aislantes. 6

Silicio, la materia prima de dos revoluciones: la electrónica y la energética, 7

Purificación del silicio. 8

Obtención del cristal de silicio. 10

El silicio en la industria automotriz. 11

Conclusiones. 11

Referencias. 11

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 INTRODUCCIÓN
La gran mayoría de los dispositivos de estado sólido que actualmente hay
en el mercado, se fabrican con un tipo de materiales conocido como
semiconductores.

De ahí que vamos a empezar nuestro estudio examinando las propiedades

físicas de dichos elementos.

Estudiaremos las características de los materiales que nos permiten

distinguir un semiconductor de un aislante y de un conductor.

Veremos, además, el dopado de un semiconductor con impurezas para

controlar su funcionamiento.

El estudio anterior puede abordarse desde dos puntos de vista:

· Basándonos en la estructura cristalina de los semiconductores y, más

concretamente, en el enlace covalente.

· Desde el punto de vista energético, es decir, a través del modelo de las

bandas de energía.

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 ¿Qué es un semiconductor?
Los semiconductores son materiales capaces de actuar como conductores eléctricos o
como aislantes eléctricos, dependiendo de las condiciones físicas en que se
encuentren. Estas condiciones usualmente involucran la temperatura y la presión, la
incidencia de las radiaciones o las intensidades del campo eléctrico o campo
magnético al cual se vea sometido el material.

Los semiconductores están compuestos por elementos químicos muy variados entre
sí, que de hecho provienen de regiones distintas de la Tabla Periódica, pero que
comparten ciertos rasgos químicos (generalmente son tetravalentes), que les
confieren sus particulares propiedades eléctricas. En la actualidad, el semiconductor
más empleado es el silicio (Si), particularmente en la industria electrónica y de
la computación.

Junto con los materiales aislantes, los semiconductores fueron descubiertos en 1727
por el físico y naturalista inglés Stephen Gray (1666-1736), pero las leyes que
describen sus comportamientos y propiedades fueron descritas mucho después, en
1821, por el célebre físico alemán Georg Simón Ohm (1789-1854).

Aplicaciones de los semiconductores

Los semiconductores son especialmente útiles en la industria de la electrónica, dado

que permiten conducir y modular la corriente eléctrica de acuerdo a los patrones
necesarios. Por esa razón, es usual que se empleen para:

· Transistores
· Circuitos integrados
· Diodos eléctricos
· Sensores ópticos
· Láseres de estado sólido
· Moduladores de transmisión eléctrica (como un amplificador de guitarra
eléctrica)

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Tipos de semiconductores
Los semiconductores pueden ser de dos tipos distintos, dependiendo de su respuesta
al entorno físico en que se encuentren:

Semiconductores intrínsecos

Están conformados por un único tipo de átomos, dispuestos en moléculas tetraédricas

(o sea, de cuatro átomos con valencia de 4) y sus átomos unidos por enlaces
covalentes.

Esta configuración química impide el movimiento libre de los electrones alrededor de

la molécula, excepto ante un aumento de temperatura: entonces los electrones toman
parte de la energía disponible y “saltan”, dejando un espacio libre que se traduce
como una carga positiva, que a su vez atraerá nuevos electrones. Dicho proceso se
llama recombinación, y la cantidad de calor requerida para ello depende del elemento
químico del que se trate.

Semiconductores extrínsecos

Estos materiales permiten un proceso de dopaje, es decir, permiten que se incluyan

en su configuración atómica algún tipo de impurezas. Dependiendo de estas
impurezas, que pueden ser pentavalentes o trivalentes, los materiales
semiconductores se dividen en dos:

· Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores). En este tipo de materiales,

los electrones superan en número a los huecos o portadores de carga libre
(“espacios” de carga positiva). Cuando se aplica una diferencia de potencial
al material, los electrones libres se mueven hacia la izquierda del material y
los huecos entonces hacia la derecha. Cuando los huecos llegan al extremo
derecho, los electrones del circuito externo entran al semiconductor, y se
produce la transmisión de corriente eléctrica.

· Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores). En estos materiales, la

impureza añadida, en lugar de aumentar los electrones disponibles, aumenta
los huecos Así, se habla de material aceptor añadido, ya que hay mayor
demanda de electrones que disponibilidad y cada “espacio” libre en donde
debería ir un electrón sirve para facilitar el paso de la corriente.

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Ejemplos de materiales semiconductores

Los semiconductores más comunes y empleados en la industria son:

· Silicio (Si)
· Germanio (Ge), a menudo en aleaciones de silicio
· Arseniuro de Galio (GaAs)
· Azufre
· Oxígeno
· Cadmio
· Selenio
· Indio
· Otros materiales químicos resultantes de la combinación de elementos de los
grupos 12 y 13 de la tabla periódica, con elementos de los grupos 16 y 15
respectivamente.

Materiales conductores
A diferencia de los semiconductores, cuyas propiedades de conducción eléctrica
varían, los materiales conductores se muestran siempre dispuestos a transmitir
la electricidad, debido a la configuración electrónica de sus átomos. Dicha
conductividad puede oscilar y verse afectada en cierto grado por el estado físico del
entorno ya que la conductividad eléctrica no es absoluta.

Son ejemplos de materiales conductores la inmensa mayoría de los metales (hierro,

mercurio, cobre, aluminio, etc.) y el agua.

Materiales aislantes
Por último, los materiales aislantes son aquellos que se resisten a la conducción
de la electricidad, o sea, que impiden el paso de los electrones y son útiles, por lo
tanto, para protegerse de la electricidad, para impedir que siga un curso libre, o que se
produzcan cortocircuitos. Los aislantes tampoco aíslan de manera cien por ciento
eficiente, Poseen un límite (tensión de ruptura) a partir del cual la energía es tan
intensa que no pueden mantener su condición de aislantes y, por lo tanto, transmiten
la corriente eléctrica, al menos en cierto grado.

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 Silicio, la materia prima de dos revoluciones: la
electrónica y la energética

El silicio es un semiconductor, una clase de materiales cuyas propiedades

eléctricas difieren de las de los metales y de los aislantes.

Una singularidad, entre otras, de los semiconductores es que sus propiedades

pueden modificarse drásticamente incorporando átomos de otros elementos
químicos en proporciones muy reducidas.

El lector interesado en conocer más detalles de las propiedades de estos

materiales puede consultar este artículo.

Con silicio se fabrican los circuitos integrados que hacen funcionar los equipos
electrónicos que están presentes en nuestra vida cotidiana vinculados a las
tecnologías de la Información y las Comunicaciones: los ordenadores, los
teléfonos móviles, Internet....También son de silicio más del 90% de las células
solares que hay instalados en los paneles y huertos solares que crecen sin
cesar en todo el mundo y que ya constituyen una nueva y verdadera revolución
verde en el campo energético.

El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre,

después del oxígeno. Ahora bien, el silicio que se utiliza en los circuitos
integrados y en las células solares es extraordinariamente puro, pero en la
naturaleza está mezclado con otros elementos químicos que lo hacen inviable
para esas aplicaciones.

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PurificaciP del silicio

El silicio se encuentra en la naturaleza combinado con oxígeno en forma de cuarcita que es en

un 90% óxido de silicio, SiO2.
El proceso de extracción de la cuarcita y su posterior purificación es laborioso y se realiza en
varios pasos, en cada uno de los cuales se obtiene un silicio con un grado de pureza creciente.

Primer paso: obtención de silicio metalúrgico.

Para ello, se separa del oxígeno mediante una reacción con carbono calentándolo a 1500-2000 °
C en un horno de arco eléctrico.
Allí se somete a campos eléctricos muy elevados que rompen los enlaces químicos que unen al
silicio con el oxígeno.
La reacción química que se produce es la siguiente: SiO2 + C → Si + CO2
El silicio resultante se denomina de grado metalúrgico y tiene una pureza del orden del 99%,
con una importante contaminación de metales tales como Fe, Al, C, B, etc.
Este silicio metalúrgico se produce a un bajo coste económico (3-5 €/kg) y a un coste
energético moderado (~15 kWh/kg). En 2015 la producción total de silicio fue de 8,1 millones
de toneladas.
De esa cantidad, el 3% se destinó a la ImE y alrededor del 15% a la IFV.
El silicio metalúrgico se utiliza en la industria principalmente para la fabricación de metales,
aleaciones de aluminio, etc., pero no vale para la ImE ni para la IFV, ya que en ambos casos, se
requiere un grado de pureza mucho más elevado.

En efecto, en el caso de la ImE, se requiere un silicio con un grado de pureza superior a 1

p.p.m. (una parte por millón) para cualquiera de sus impurezas habituales (C, Al, B, P, Fe, etc.);
esto quiere decir que, de cada millón de átomos de silicio, como mucho uno puede ser una de
las impurezas no deseadas.

Para el silicio destinado a la IFV, el requerimiento de pureza es algo menos estricto de 10

p.p.m. (como máximo, un átomo de impurezas por cada cien mil átomos de silicio).

Por consiguiente, es preciso someter al silicio metalúrgico a procesos de purificación

adicionales.

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Segundo paso:

Obtención de silicio electrónico o de silicio solar.

Se alcanza en dos nuevos pasos: en el primero, el silicio metalúrgico se convierte en gas en un

proceso químico.

Para ello, el silicio metalúrgico sólido se hace reaccionar con HCl a 300 ° C en un reactor para
formar SiHCl3 mediante la reacción: Si + 3HCl → SiHCl3 + H2
La clave del proceso es que, durante la reacción, las impurezas del silicio tales como Fe, Al, y
B reaccionan con el ClH formando haluros (FeCl3, AlCl3, y BCl3).

Estos se pueden separar del silicio realizando un proceso de destilación fraccionada, que
consiste en la separación sucesiva de los líquidos de la mezcla del SiHCl3 y los diversos haluros
de impurezas, aprovechando la diferencia entre sus puntos de ebullición.
Finalmente, el SiHCl3 ya purificado se hace reaccionar con hidrógeno a 1100 ° C durante ~ 200
- 300 horas mediante la siguiente reacción: SiHCl3 + H2 → Si + 3 HCl

El proceso tiene lugar en el interior de grandes cámaras de vacío, en las que el silicio se
condensa y se deposita sobre barras de polisilicio para obtener sobre ellas el silicio ya
purificado.

La técnica fue desarrollada por primera vez por Siemens en la década de los 60 y se refiere a
menudo como el proceso Siemens.

Al final de la destilación, el SiHCl3 sigue teniendo impurezas, pero en una proporción bajísima,
por debajo de 0,001 p.p.m. es decir, menos de un átomo de impureza por cada 1.000 millones
de átomos de silicio. Este silicio ya es adecuado para la ImE y la IFV y las barras resultantes de
silicio se muelen para obtener la materia prima del proceso de fabricación de obleas, que
detallaré en el próximo punto.

Para algunas impurezas, como los metales de transición (Ti, V, Cr,...) el requerimiento es
todavía más estricto, ya que es necesario que la presencia de dichos átomos este por debajo de 1
p.p.b. (una parte en un billón, menos de un átomo de metal por cada billón de átomos de silicio)

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Obtención del cristal de silicio
Una vez purificado el silicio, el siguiente paso es "ordenar" sus átomos formando una oblea (wafer) en
la que los átomos de silicio se colocan en una estructura regular, formando un bloque con propiedades
adecuadas para hacer sobre él los pasos necesarios para fabricar un circuito integrado o una célula
solar.

Los detalles del proceso de obtención de la oblea de semiconductor son los siguientes:

i) El silicio purificado y molido se introduce en un crisol (SiO2 crucible) donde se calienta mediante el Heater y
el Crucible susceptor hasta licuarlo (Si-melt).
ii) A continuación, la superficie del silicio líquido se pone en contacto con una pequeña semilla (seed) sujeta
con una pértiga (seed holder). Esa semilla es un trozo de silicio de elevada calidad, cuya función es hacer de
guía durante el proceso de obtención del cristal semiconductor.
iii) Posteriormente, la pértiga con la semilla fijada en su extremo se gira lentamente y se extrae del crisol, tal y
como muestra la parte superior de la figura; en el proceso, los átomos de silicio se van situando en el bloque de
semiconductor (Si single cristal) siguiendo la orientación marcada por la semilla. Durante el proceso de
extracción, el silicio se enfría y solidifica.
iv) Finalmente, se obtiene un lingote (Si single cristal, se ve en la imagen de la derecha) de forma cilíndrica que
se corta en "rebanadas" (wafers, obleas). Este silicio se denomina en la industria silicio CZ, por las primeras
letras del apellido Czorchalski.
v) Las obleas se someten a diversos procesos adicionales que las dejan preparadas para fabricar en ellas un CI o
una célula solar.
En el caso de la IFV, hay procesos que permiten obtener las obleas de forma más sencilla y económica que
mediante el CZ descrito; en esencia son similares pero sin semilla que oriente el crecimiento; se obtiene así un
multicristal (multi-Si), más imperfecto que el silicio CZ y como consecuencia, las células solares fabricadas con
él son menos eficientes, pero notablemente más económicas.

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 El silicio en la industria Automotriz

El silicio es un semiconductor cuya conductividad se puede controlar añadiendo

pequeñas cantidades de impurezas llamadas dopantes. Esta propiedad, junto con su
abundancia en la naturaleza, han posibilitado el desarrollo y la aplicación de los
transistores y circuitos integrados que se utilizan en la industria electrónica, incluidos
los inversores de los vehículos eléctricos. El uso de semiconductores de potencia
basados en carburo de silicio permite reducir el tamaño del inversor de los
vehículos eléctricos, incrementando la densidad de potencia, aumentando su
eficiencia y cumpliendo con todas las normativas de seguridad existentes. De esta
forma se aumentará el alcance de los vehículos eléctricos en comparación con la que
se logra con la tecnología de silicio estándar actual.
En un vehículo eléctrico, el inversor es el componente encargado de convertir la
corriente continua que sale de la batería de tracción en la corriente alterna que
necesita el motor para su funcionamiento. Además, la electrónica que incorpora,
controla la potencia, la intensidad y la frecuencia de salida de la energía, variando la
velocidad a la que gira el motor según la demanda del conductor en cada momento.

Para aumentar la autonomía de los vehículos eléctricos, además de aumentar la

capacidad de la batería y reducir su peso y volumen, también es necesario trabajar
sobre el sistema de accionamiento eléctrico, aumentando su eficiencia. En este
campo hay un enorme potencial de crecimiento en el futuro. En particular,
la tecnología de carburo de silicio junto con la elevación del voltaje hasta los 800
V supone una contribución significativa para aumentar aún más la eficiencia.

Conclusión:
Podemos afirmar que de momento el silicio es importante en la producción de
componentes electrónicos que al día de hoy esta muy presente en nuestra vida
cotidiana.

Referencias
(1) Craig R. Barrett: Fabricación de un Circuito Integrado, Investigación y Ciencia, Junio 1999. (2) Jim Lesurf: Que Son y
Como Operan los Transistores, New Scientist, Enero 1991. (3) Charles Kittel: Introducción a la Física del Estado Sólido,
tercera edición. (4) Richard Feynman, Robert B. Leighton, Matthew Sands: The Feynman Lectures on Physics, Volumen
III. (5) Marcelo Alonso, Edward J. Finn: Física, Volumen III. (6) Paul A. Tipler: Física, Volumen II, cuarta edición. (7)
Kenneth Krane: Física Moderna. (8) Arthur Beiser: Conceptos de Física Moderna, segunda edición. (9) Ralph H. Petrucci,
William S. Harwood: Química General, séptima edición. (10) Ninoslav Bralic, Miguel Kiwi: Física Contemporánea.

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