LABORATORIO ELECTRONICA 2 1

LABORATORIO #1
ACTIVIDAD DE REPASO
Montoya Jhonier, Solorzano Luis Felipe
Jsmontoyag_1@uqvirtual.edu.co, Lfsolorzanoe@uqvirtual.edu.co

Universidad del Quindío

Resumen – En esta práctica de laboratorio se encuentran Para su análisis se utilizó una constante β=450, se uso este valor de
consignados los resultados obtenidos a partir de los cálculos forma aleatoria dentro del rango proporcionado por el datashett.
realizados para darle solución a los dos circuitos en
configuraciones de emisor común para el transistor BJT y en
dreno común para el transistor FET, también se realizaron a) Análisis en DC
diagramas y esquemáticos que permitieron un mejor análisis de
los mismos, lo anterior fue realizado con el fin de recordar A partir del comportamiento de los capacitores en DC, se procede a
conceptos y procedimientos previamente adquiridos en cursos redibujar el circuito
anteriores y que serán la base para el inicio de la actual asignatura.

I. INTRODUCCIÓN

En este documento se muestra una pequeña introducción al tema de

análisis con transistores, con el fin de recordar y poner en práctica los
conocimientos previos adquiridos en electrónica 1, por otro lado, se
soporto los resultados obtenidos a través de simulaciones, esto con el
fin de dar un análisis comparativo con los resultados matemáticos,
cabe resaltar que fue necesario indagar muy bien el comportamiento
de cada transistor según su configuración, para lo cual se tuvo que
acudir al datasheet de los mismos.
A continuación, se muestran los procesos matemáticos y los resultados
obtenidos a lo largo de esta práctica.

II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS

En este ítem se muestra un paso a paso del proceso matemático

realizado en cada transistor, cabe recordar que la practica consta de dos
circuitos, el primero incluye un transistor en configuración de Fig 2. Circuito equivalente
amplificador emisor común, y otro circuito amplificador dreno común,
a continuación, se muestran los cálculos matemáticos y el paso a paso 𝑅1
en cada circuito: 𝑉𝐵 = 𝑉𝑐𝑐( )
𝑅1 + 𝑅2
1. Amplificador emisor común
Remplazando en lo anterior

4Ω
𝑉𝐵 = 12𝑉 ( )
4Ω + 19Ω

𝑉𝐵 = 2.1𝑉

Luego
𝑅1 𝑅2
𝑅𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2

Remplazando en la ecuación anterior

4Ω 19Ω
𝑅𝐵 =
4Ω + 19Ω

𝑅𝐵 = 3.3𝑘Ω
Fig 1. Amplificador emisor común
 LABORATORIO ELECTRONICA 2 2

Hallamos ICQ corriente de colector 𝐼′𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 (𝐷𝐶) + 𝐼𝐶 (𝐴𝐶) (2)

Se reemplaza la expresión de 𝑉𝐶𝐸 en la ecuación (1)
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝑐𝑄 =
𝑅𝐵 𝑉 ′ 𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 = −500 ∗ 𝐼𝐶 (3)
+ 𝑅𝐸
𝐵
Luego, de la ecuación (2) se despeja 𝐼𝐶 y se reemplaza en (3)
Remplazando en la ecuación anterior

2.08𝑉 − 0.7𝑉 𝐼𝐶 = 𝐼′ 𝐶 − 𝐼𝐶𝑄

𝐼𝑐𝑄 =
3.30𝑘
450
+ 𝑅𝐸 𝑉 ′ 𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 = −500 ∗ 𝐼′ 𝐶 − 𝐼𝐶𝑄

𝐼𝑐𝑄 = 6.65𝑚𝐴 Si V’CE=0V

−𝑉𝐶𝐸𝑄 = −500 ∗ (𝐼′ 𝐶 − 𝐼𝐶𝑄)
Se aplica LVK para VCEQ
−𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼′ 𝐶 = + 𝐼′ 𝐶𝑄
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 −500

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 𝐼′ 𝐶 = 14.59𝑚𝐴

Si I’C=0A
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉 ′ 𝐶𝐸 = (500 ∗ 𝐼𝐶𝑄) + 𝑉𝐶𝐸𝑄
Remplazando en la ecuación anterior
𝑉 ′ 𝐶𝐸 = 7.29𝑉
𝑉𝐸 = 2.08𝑉 − 0.7𝑉
Con estos datos, se procede a graficar el punto de operación con las
𝑉𝐸 = 1.38𝑉 rectas de carga tanto en DC como en AC

𝑉𝐸 1.38𝑉
𝐼𝐸 = = = 6.9𝑚𝐴
𝑅𝐸 200Ω

Se remplaza en VCEQ

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12𝑉 − 6.65𝑚𝐴 ∗ 1𝑘 − 6.9𝑚𝐴 ∗ 200 = 3.97𝑉

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 3.97𝑉

b) Recta de carga en DC

Para encontrar los valores de la recta de carga, se parte se la siguiente

ecuación:

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)

Si IC = 0A
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉

Fig 3. Rectas de carga y punto de operación

Si VCE = 0V
𝐼𝐶 = 10𝑚𝐴
d) Análisis en pequeña señal

c) Análisis en AC
𝑟𝑐 = 𝑅𝐶||𝑅𝐿

𝑟𝑐 = 500Ω

Y conociendo las siguientes ecuaciones, se tiene que

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑟𝑐 ∗ 𝐼𝐶 )

𝑉′𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 (𝐷𝐶) + 𝑉𝐶𝐸 (𝐴𝐶) (1) Fig 4. Modelo hibrido

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𝑉𝑇
𝑟 ′𝑒 =
𝐼𝐸 • Para C2

26𝑚𝑉
𝑟 ′𝑒 = = 3.75Ω
6.9𝑚𝐴 La resistencia equivalente vista desde el capacitor 2 es
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 = 2𝑘
Calculando la impedancia de entrada con referencia a la fuente se
obtiene: 1 𝑅𝑎𝑑
𝑊𝐶2 = = 500 𝑠
𝑍𝑖𝑛 − 𝑅𝐵||𝛽(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸) 𝑅𝑒𝑞 𝐶2

𝑍𝑖𝑛 = 3.18𝑘Ω 𝑊𝐶2 = 79.57𝐻𝑧

Por lo tanto
Calculando la impedancia de salida con referencia a la carga se 𝑠2
obtiene: 𝐻(𝑠) =
(𝑠 + 314.46)(5 + 500)

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 = 1𝑘Ω

Ganancia de voltaje
𝑟𝑐
𝐴𝑉 =
𝑅𝐸
500Ω
𝐴𝑉 =
200Ω

𝐴𝑉 = 2.5

Ganancia de corriente

−𝛽𝑅𝑐 ∗ 𝑅𝐵
𝐴𝑖 =
(𝑅𝐵 + 𝛽𝑟𝑒 + 𝛽𝑅𝐸) ∗ 𝑅𝐸 ∗ 𝑅𝐿
Donde
𝛽𝑉𝑡 450(26𝑚𝑉)
𝛽𝑟𝑒 = =
𝐼𝐶𝑄 6.68𝑚𝐴
Fig 5. Diagrama de bode
𝛽𝑟𝑒 = 1.75𝑘Ω
Se reemplaza en Ai f) Análisis en alta frecuencia
−450(1𝑘Ω)(3.30𝑘Ω)
𝐴𝑖 = 𝐶𝐶𝐸 = 0, 𝐶𝐵𝑐 = 10 𝑝𝑓
3.30𝑘Ω + 1.75𝑘Ω + 450(200)

𝐴𝑖 = −7.81 Para eliminar cap parasitas

Los valores Cbe y Cbc los aporta el fabricante a través de su hoja de

e) Analisis en baja frecuencia datos, y debido a que a veces uno de esos valores puede llegar a ser
muy pequeño, el fabricante lo omite, entonces se tomó con un valor de
0pF, por lo tanto
En este análisis se toman las frecuencias de corte generadas por los
capacitores 𝐶𝑇𝐼 = 𝐶𝑏𝑒 + 𝐶𝑚
Se utiliza el método de las constantes del tiempo 𝐶𝑚𝑖 = 𝐶𝐵𝑐(𝐴𝑉 + 1)
• Para C1 𝐶𝑚𝑖 = 10(2.5 + 1) = 35𝑝𝑓

𝐶𝑇𝐼 = 35𝑝𝑓
Se calcula la resistencia equivalente
1
𝑅𝑖𝑛 = 𝑍𝑖𝑛 = 3.18𝑘Ω 𝑊𝐻1 = = 8.98𝑚𝑟𝑎𝑑
Donde (3.18𝑘)(35𝑝𝑓) 𝑠
1
𝑅𝑒𝑞 = 𝑋𝑐1 = 𝑊𝐻1 = 1.42 𝑀𝐻𝑧
𝑊1𝐶1

Se despeja W1
1 𝑅𝑎𝑑 Para la capacitancia de salida
𝑊1 = = 314.46 𝑠
𝑋𝑐1 𝐶1
𝐴𝑉 + 1
𝐶𝑠𝑎𝑙 (𝑚𝑖𝑙𝑙𝑒𝑟) = 𝐶𝐵𝐶( )
𝑊1 = 50.04𝐻𝑧 𝐴𝑉
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2.5 + 1 𝑉𝐺 = 𝐼𝐺 ∗ 𝑅𝐺 + 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑠 + 𝑉𝑔𝑠
𝐶𝑠𝑎𝑙 (𝑚𝑖𝑙𝑙𝑒𝑟) = 10𝑝𝑓 ( ) = 14𝑝𝑓
2.5 Como IG=0
𝑉𝐺 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑠 + 𝑉𝑔𝑠
1
𝑊𝐻2 = = 142.85𝑀𝑟𝑎𝑑
𝑟𝐶 𝐶𝑠𝑎𝑙 𝑠 Como se observa, se tiene una ecuación con dos incógnitas, y para
poder darle solución se opta por aplicar la característica transferencia
𝑊𝐻2 = 22.73𝑀𝐻𝑧 universal de un JFET
2
𝑉𝑔𝑠
1 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − )
𝐻(𝑠) = 𝑉𝑔𝑠(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
(𝑠 + 8.98𝑀)(𝑠 + 142.85𝑀)
Donde los valores de IDss y Vgs de corte son dadas por el fabricante
en su datasheet, pero se optó por utilizar los valores dados en el
simulador de Vgs y el de IDss se obtuvo a partir de la caracterización
del transistor, donde los resultados fueron

𝐼𝐷𝑠𝑠 = 3.71𝑚𝐴

𝑉𝑔𝑠(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) = −2.98𝑣

𝐼𝐷 = 2.3𝑚𝐴

𝑉𝑔𝑠 = −627𝑚𝐴

Ahora, el voltaje de dreno

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑠

𝑉𝐷𝑆 = 10𝑣 − 2.3𝑚𝐴 ∗ 2𝑘Ω

𝑉𝐷𝑆 = 5.4𝑣
Fig 6. Diagrama de bode
Se redibuja el circuito equivalente en AC y se tiene que:

2. Amplificador dreno común

Figura 8. Circuito equivalente en AC para el JFET

𝑅𝑝 = 𝑅𝑠||𝑅𝐿

𝑅𝑝 = 1.66𝑘Ω
Fig 7. Amplificador dreno común Analizando la malla de salida

Como primer paso, se procede hallar el valor de RG, donde: 𝑉𝐷𝑆(𝑎𝑐) = 𝑉 ′ 𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆(𝑑𝑐)

𝑅𝐺 = 𝑅1||𝑅2 𝐼𝐷𝑆(𝑎𝑐) = 𝐼′ 𝐷𝑆 − 𝐼𝐷𝑆(𝑑𝑐)

1.3𝑀Ω ∗ 840𝑘Ω Reemplazando en la ecuación de malla de salida

𝑅𝐺 =
1.3𝑀Ω + 840𝑘Ω
𝑉 ′ 𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆(𝑑𝑐) = −𝐼′ 𝐷𝑆 − 𝐼𝐷𝑆(𝑑𝑐) ∗ 𝑅𝑝
𝑅𝐺 = 510.28𝑘Ω
Si V’DS=0
Aplicando un lvk en la malla de entrada se tiene 𝑉𝐷𝑆(𝑑𝑐)
𝐼′ 𝐷𝑆 = + 𝐼𝐷𝑆(𝑑𝑐)
𝑅𝑝
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𝑉𝑖 = 𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠 ∗ 𝑅𝑝
𝐼′ 𝐷𝑆 = 5.55𝑚𝐴
Si I’DS=0 𝑉𝑖 = −2.70𝑉
𝑉 ′ 𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆(𝑑𝑐) + 𝐼𝐷𝑆(𝑑𝑐) ∗ 𝑅𝑝
−2.70
𝐼𝑖𝑛 = = −5.30µ𝐴
𝑉 ′ 𝐷𝑆 = 9.218𝑣 510.28𝑘

Para el análisis en pequeña señal se parte desde el modelo hibrido Entonces la ganancia de corriente sería igual a

𝐴𝑖 = 39.43

Ahora se procede hacer el análisis en baja frecuencia, donde

Para C1
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝑅𝐺 = 510.28𝑘Ω
1
𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝑉𝑐1 =
𝑊𝑐1 ∗ 𝐶1

Se despeja Wc1
Fig 9. Modelo hibrido
1 1
𝑊𝑐1 = =
Para determinar la ganancia de voltaje se tiene que 𝑅𝑒𝑛𝑡(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) ∗ 𝐶1 510.28𝑘Ω ∗ 1µ𝐹

𝑉𝑜 𝑊𝑐1 = 1.95𝑟𝑎𝑑/𝑠 = 0.31𝐻𝑧

𝐴𝑣 =
𝑉𝑖 Para C2

Donde 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑠 + 𝑅𝐿 = 12𝑘Ω

𝑉𝑜 = 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠 ∗ 𝑅𝑝
𝑉𝑖 = 𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠 ∗ 𝑅𝑝 1 1
𝑊𝑐2 = =
𝑅𝑒𝑞 ∗ 𝐶2 12𝑘Ω ∗ 1µ𝐹
Por lo tanto
𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠 ∗ 𝑅𝑝 𝑊𝑐2 = 83.33𝑟𝑎𝑑/𝑠 = 13.26𝐻𝑧
𝐴𝑣 =
𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠 ∗ 𝑅𝑝
Para determinar gm Entonces

𝑉𝑔𝑠 1
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 − ) 𝐻(𝑠) =
𝑉𝑔𝑠(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) (5 + 1.95)(5 + 83.33)

2𝐼𝐷𝑠𝑠
𝑔𝑚𝑜 =
𝑉𝑔𝑠(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) Después se hace el análisis en alta frecuencia

2(3.71𝑚𝐴) 𝐶𝑀𝑖 = 𝐶𝐺𝑆(1 − 𝐴𝑣)

𝑔𝑚𝑜 = Donde
−2.98𝑣

𝑔𝑚𝑜 = 2.56𝑚𝑠 𝐶𝐺𝑆 = 𝐶𝑖𝑠𝑠 − 𝐺𝑟𝑠𝑠

Reemplazando el valor de gmo en gm, se tiene Los valores tanto de Ciss como Grss los suministra el
fabricante en la hoja de datos del transistor, por lo que
−627𝑚𝑉
𝑔𝑚 = 2.56𝑚𝑠 ∗ (1 − ) 𝐶𝐺𝑆 = 4.0𝑝𝐹 − 1.2𝑝𝐹 = 2.8𝑝𝐹
−2.89𝑉
Entonces
𝑔𝑚 = 2𝑚𝑠 𝐶𝑀𝑖 = 2.8𝑝𝐹(1 − 0.76) = 0.672𝑝𝐹
Por lo tanto, Por último,
𝐶𝑇𝑖 = 𝐶𝑀𝑖 + 𝐶𝐺𝐷
𝐴𝑣 = 0.76 Donde
𝐶𝐺𝐷 = 𝐶𝑖𝑠𝑠 = 4.0𝑝𝐹
Ahora se procede a hallar la ganancia de corriente
𝐼𝑜 Reemplazando:
𝐴𝑖 =
𝐼𝑖𝑛
Donde 𝐶𝑇𝑖 = 0.672𝑝𝐹 + 4.0𝑝𝐹
𝑅𝑠
𝐼𝑜 = 𝑔𝑚𝑉𝑔𝑠 ∗
𝑅𝑠 + 𝑅𝐿 𝐶𝑇𝑖 = 4.672𝑝𝐹
𝐼𝑜 = −209µ𝐴

𝑉𝑖 III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

𝐼𝑖𝑛 =
𝑅𝐺
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1. Amplificador emisor común

Para la ganancia en corriente se realizó el mismo procedimiento, pero
con puntas de prueba de corriente, dando como resultado la siguiente
gráfica

Fig 10. Medición del punto de operación en DC Fig 12. Ganancia en corriente

En la figura se puede apreciar que el voltaje colector emisor y la Tabla 3. Ganancia en corriente
corriente de colector se aproximan a los valores obtenidos Teórico Simulado %Error
matemáticamente Ai -7.81 -7.65 2.09
Tabla 1. Comparación punto de operación
Teórico Simulado %Error 2. Amplificador dreno común
VCEQ 3.97v 3.99v 0.50
ICQ 6.65mA 6.67mA 0.29

Ahora, se pasará a la corroboración de ganancias de corrientes y

voltajes:

Para la ganancia en voltaje, se colocaron dos puntas de prueba, una a

𝑉𝑜
la entrada y una a la salida, haciendo la relación de para la
𝑉𝑖
determinación de la ganancia en voltaje

Fig 13. Punto de operacion

En la anterior figura se puede observar el voltaje compuerta fuente, la

corriente dreno y el voltaje en la compuerta. Contrastando con lo
obtenido teóricamente, se tiene:

Tabla 4. Datos

Teórico Simulado % Error

Vgs -627mV -687mV 8.73
Fig 11. Ganancia en voltaje Id 2.3mA 2.31mA 0.43
Vg 3.92V 3.90V 0.51

Tabla 2. Ganancia en voltaje

Teórico Simulado %Error
Av 2.5 2.4 4.16
 LABORATORIO ELECTRONICA 2 7

Para la ganancia en voltaje, se colocaron dos puntas de prueba, una a

𝑉𝑜
• Como se puedo observar en los resultados obtenidos, los
la entrada y una a la salida, haciendo la relación de para la amplificadores según su tipo y configuración nos pueden
𝑉𝑖
determinación de la ganancia en voltaje otorgar ganancias en voltaje y en corriente.

• El uso de transistores en el campo de la electrónica permite

facilitar la implementación de grandes circuitos con
diferentes funcionalidades, por ejemplo, los amplificadores
de sonido o también conocidos como plantas de sonido
utilizan una configuración circuital con transistores de alta
ganancia, esto con el fin de garantizar una ganancia muy
grande a la salida del circuito aumentando la potencia del
sonido.

Fig 14. Ganancia en voltaje

Tabla 5. Datos Ganancia V

Teórico Simulado %Error
Av 0.76 0.745 2.01

Para la ganancia en corriente se utilizaron dos puntas de prueba, una a

𝐼
la entrada y la otra a la salida, haciendo la relación: 𝑜 , obteniendo
𝐼𝑖𝑛
como resultado:

Fig 15. Ganancia en corriente

Tabla 6. Datos Ganancia I

Teórico Simulado %Error
Ai 39.43 37.75 4.43

IV. CONCLUSIONES
• Con base a los resultados obtenidos se puede concluir los
transistores se pueden usar como amplificadores y como
interruptores.