Práctica 4: CONVERTIDOR CD/CD ELEVADOR NO

AISLADO
William Mauricio Rodríguez Sánchez 1091481
Erick Mauricio Ureña Moriano 1091406

RESUMEN: En el siguiente informe de laboratorio II. OBJETIVOS

Se especifican los pasos para el diseño e
implementación de un convertidor boost, basado en Diseñar un convertidor CD/CD, no aislado de las
cálculos y simulación previas al montaje, para unas siguientes características: Voltaje de entrada 12
especificaciones de carga requeridas, así como el ± 25% lo que permite trabajar con una batería. El
control automático para mantener el voltaje fijo en voltaje de salida es de +24 V ± 50 mV, el cual debe
la salida del convertidor. permanecer aún en condición de vacío, la potencia
de salida es de 20W y el rizado de la corriente de
PALABRAS CLAVE: convertidor boost, ciclo de salida debe ser menor a 200 mA, se permite una
trabajo, circuito de control, circuito de potencia. tierra común para la entrada y la salida y el rango de
operación de temperatura es entre 10°C y 40°C.).

ABSTRACT: In the next lab report the steps for the

design and implementation of a boost converter, OBJETIVOS ESPECIFICOS:
based on calculations and simulation prior to
assembly, for required load specifications are  Garantizar un voltaje de salida de 24v
specified, as well as automatic control to maintain  Simular el circuito de control y de disparo
the fixed voltage at the converter output. en el programa simulink y en proteus para
verificar conexiones previo al montaje
KEYWORDS: boost converter, duty cycle, control físico.
circuit, power circuit.  Asegurar una relación de trabajo (ciclo útil)
óptima para minimizar pérdidas por
conmutación.
I. INTRODUCCIÓN
III. ANÁLISIS PRELIMINAR
Con la creciente demanda de energía, los seres
humanos nos hemos dado a la tarea de la búsqueda I. CONVERTIDORES CD/CD
de nuevas fuentes de energías que puedan abastecer
nuestras necesidades; esto nos ha llevado a Los convertidores DC/DC son circuitos capaces de
soluciones complejas e ingeniosas, con transformar niveles de voltaje en otros usando
características más deseables, una mayor eficiencia y elementos como bobinas y capacitores, almacenando
una menor contaminación al momento de generar la temporalmente energía en ellos y descargándola de
energía; para procesar la energía de una forma tal forma que los niveles de voltaje final son los
eficiente, encontramos aplicaciones donde se buscados.
requieren convertidores que ayudan a modificar y La figura a continuacion muestra un diagrama de
manipular la energía. bloques del convertidor no aislado. El voltaje alterno
Los convertidores CD/CD son una de las se rectifica, y se reduce el rizado mediante un filtro
“herramientas” dentro de la electrónica de potencia, capacitivo, el cual también reduce la impedancia
con las que podemos alcanzar altas ganancias de interna de la fuente, o se utiliza una batería. La
voltaje y son usadas para llevar a cabo la generación entrada al convertidor es un voltaje CD no regulado.
de energía con fuentes renovables. El convertidor regula (controla) el voltaje y lo
De la misma manera se evidenciará en el informe, el transforma al nivel deseado.
comportamiento de un convertidor no aislado,
empleando para ello un controlador PWM con
frecuencia fija o variable según sea el caso.
 fuente, a la vez la carga (R) es alimentada
por el condensador (C).

 Cuando el interruptor mosfet está abierto en

un tiempo toff, el único camino para la
corriente es atreves del diodo, y circula por
el condensador C y por último por la carga.

Parámetros de diseño del convertidor DC-DC

BOOST:

1. Se asume que el convertidor opera en

Figura 1. Diagrama en bloques del convertidor modo continuo. Del grafico del voltaje en el
transistor, para condición cerrada y abierta se
A continuación, la tabla ilustrada muestra la relación obtiene el valor medio del voltaje en el transistor:
entre las topologías de los convertidores y la
potencia suministrada a la salida: ¿ v 1 ≥ D1 I L Rds (on )+(1−D1 )(V OUT + I L R D +V D )

Tabla 1. Comparativa entre las diferentes topologías 2. La aplicación de la Ley de Kirchoff con
de convertidores CD-CD valores medios, a la malla conformada por la fuente,
el inductor y el transistor, permite escribir:

¿ V 1≥V M −I L R L
3. La aplicación de la Ley Kirchoff de
corriente en el nudo de la carga permite escribir:

¿ I d ≥=( 1−D1 ) I L =I LOAD

Estas ecuaciones determinan el comportamiento del
convertidor. Como no se conocen algunos valores de
los parámetros de las ecuaciones, se den proponer
IV. CONVERTIDOR CD-CD DIRECTO valores aproximados.
ELEVADOR
V. EJECUCIÓN (DISEÑO)
Para el diseño del convertidor CD-CD tipo BOOST
Selección de los dispositivos semiconductores:
(elevador) se hace un análisis del modelo dinámico
de este, basado en las leyes de Kirchhoff, aplicadas a
El nivel de potencia y los requerimientos de voltaje
todos los estados del circuito, se muestra el modelo
se ajustan a la utilización de un MOSFET, y se
circuital del convertidor:
asume como frecuencia de conmutación 93KHz; la
topología a utilizar será convertidor cd-cd directo
elevador. Se selecciona para el transistor, el
MOSFET IRFZ44N considerando los valores
mostrados a continuación:

PRODUCT IRFZ44N
SUMMARY

V DS 55

Figura 2. Convertidor CD-CD Directo Elevador R DS (ON ) (Ω) V GS =20V

 Cuando el mosfet está cerrado en un tiempo -55℃ - 175℃

ton la bobina (L) almacena energía de la
 Figura 3. Datos Tecnicos del IRFZ44N

Figura 5. Datos técnicos del SF54

Figura 4. Datos técnicos del IRFZ44N

Para el diodo se selecciona, un diodo SF54 con un

V max =4 00 V , I max=4 A .
 ¿ v t >¿ V ¿ - I L R L

aplicando de la ley de Kirchhoff de corriente en el

nodo de la carga permite escribir:

¿ i d >¿ =¿) I L = I load

I L= I load = 0.833
1−D (1− D)

Figura 6. Configuración e Implementación de

interruptores convertidor elevador 0,033 D 0,25
V ¿= +(1- D )(25,25 ¿+0,023+
(1−D) (1−D)

Diseño del convertidor Se selecciona una potencia de lastre del 5% de la

potencia nominal en la carga.
Asumiendo una eficiencia del 85%
Plastre =0.05 Pnom =0.05 ( 2 )=1 W
PO V 2 242
n= R Latsre= O = =576 Ω
P¿ P Lastre 1
20
P¿ = =23.53W
0.85 Definiendo un rizado de corriente de ± 200 mA
A plena carga, y el peor de los casos para el voltaje Ldi L ∆ I
de entrada (9V) V L= ≅
dt ∆t
23.53 Para 0 ≤ t ≤ DT
I ¿= =2.61 A
9 V ¿ DT 12∗0.55
L= = =1.1 mH
De las características del fabricante, se puede
∆I 30∗10 3( 0.2)
modelar el diodo por una fuente de 1,25 V (V d ), en Inductancia critica
serie con un resistor de 0,028Ω ( Rd ¿ ¿.
(1−D) D V 1 T ( 1−0.512 )∗0.512∗12.
LC = = =1.89 mH
de esta forma se plantea el modelo del circuital del 2i min 2∗8.33 m
convertidor boost con elementos reales Se selecciona L=10 LC =18.89 mH

C dv C ∆ V
iC= ≅
dt ∆t
Para máxima y carga y relación de trabajo máxima

i c DT 0.83∗0.654
Figura 7. Diagrama circuital de convertidor boost C> = −3
=54.47 uF
con elementos reales ∆V 100 ¿ 10

Del análisis del voltaje en el transistor para

condición cerrada y abierta, se obtiene su valor Simulación del circuito sin control
medio:

¿ v t >¿ DI L R ds(on) +¿)(V out + I L Rd +V d ¿ ¿

Aplicando la ley de Kirchhoff con valores medios, a

la malla conformada por la fuente, el inductor y el
transistor, permite escribir:
 Io= I L *D’ y Iin= I L por tanto Io/Iin = D’

Vo Ro∗D'2
ƞ= ∗D' =
Vin '
R L + Rds∗D+ Rd∗D + Ro∗D
'2

Vo
d( )
Vin
=0
dD
'2
Figura 8. Simulación del convertidor boost sin R L + Rds−Ro∗D =0

√
control en proteus RL + Rds
Dcrit=1 ±
Ro

Dcrit=1 ±
√ 0.02+0.022
22
=0.6 54

Figura 9. Onda de tensión de salida del convertidor

boost en proteus

Figura 10. Pulsos en Vds del transistor

Figura 11. Señal de PWM de salida del convertidor

boost

Determinación del D crítico

Para deducir el valor del punto crítico de esta

topología se determina el valor máximo de la
función ganancia de voltaje expresada en términos
de la relación de trabajo. igualándola a 0 para poder
conocer el valor D crítico.

Vo
∗Io Tabla 1. Datos del Duty
Po Vin
ƞ= =
Pin Iin
 Voltaje voltaje de carga
Ciclo útil
entrada (A)
7v 21 0.39
9V 24.5 0.33
12V 25.2 0.32
15V 25.5 0.32
A continuación, se presenta el montaje físico del Tabla 2. Cuadro de cargas obtenido
convertidor DC-DC directo elevador con control. experimentalmente
CONCLUSIONES

 Los resultados obtenidos en la práctica

varían de los calculados, esto se debe a las
pérdidas que se obviaron en el análisis
matemático.

 El control solo es eficiente en un pequeño

rango de 8V a 10.5v

 La selección de los dispositivos se hizo

mediante la realización de cálculos teóricos
a partir de la teoría de los convertidores
directos elevadores vista en clase y tomando
Figura 12. Simulación del control en proteus como datos iniciales los datos técnicos de
los dispositivos usados.

 Para el inductor, calculamos y analizamos el

valor necesario para el circuito de potencia,
se embobino un núcleo tipo E, con alambre
calibre 20, el cual nos dio un valor de 6.2
mhz.

 Dado que en el mercado local no fue posible

adquirir un diodo schottky, cuya caída de
Figura 13. Montaje convertidor cd/cd elevador no tensión es baja, se utilizó un diodo
aislado. MUR460, cuya caída es más alta,
disminuyendo la eficiencia del sistema, para
ello se usaron 2 diodos en paralelo para
minimizar esta situación.

REFERENCIAS

 Muhammad H, Rashid. “Electrónica de

potencia: Circuitos, dispositivos y
aplicaciones”, 2da. edición, Prentice Hall
Hispanoamérica, S.A. México, 1995.

Figura 14. Señal de activacion del mosfet  Octavio Cruz Rodríguez. “Validación De
Circuitos del Laboratorio De Electrónica de
 Potencia”. Proyecto de Graduación.
Universidad de Costa Rica. Junio del 2006.

 Gólcher Luis A “Notas del curso de

electrónica de potencia”.Universidad de
Costa Rica, 2006.

 James, Glyn y colaboradores. “Matemáticas

avanzadas para ingeniería”, 2da edición,
Pearson Educación, México, 2000.

Anexos

ETAPA DE CONTROL

Modo Encendido

di L
−v ¿ + R L i L + L =0 Ecuación 1
dt

Nodo A

V out d d V d −V out
ic + =0 →i c =C Vc →C Vc + out =0 →C Vc = Ecuación 2
Rload dt d t Rload dt R load

C
d Vc
dt
+
(
v c R load
ESR+ Rload )( ) 1
Rload
=0 → C
d Vc
+
Vc
d t ESR+ Rload
=0 Ecuación 3
Reemplazando la ecuación 2 en la ecuación 3

v c Rload
v out =
ESR+ R load

Espacio de estados de 1

di L di di v R i
−v ¿ + R L i L + L =0→ L L =v¿ −R L i L → l = ¿ − L L
dt dt dt L L

Espacio de estados de 2

d Vc Vc d −V c d −V c
C + =0 → C Vc = → Vc =
d t ESR+ R load d t ESR+ Rload dt C( ESR+ R load )

Modelo modo encendido

[ ][ ][ ] [ ]
di L −R L
0 1
dt iL
= L + L v¿
dv c −1 vc
0 0
dt C (ESR+ Rload )

Modo Apagado

di L dv c
−v ¿ + R L i L + L +C ∗ESR +v c =0 Ecuación 1
dt dt

Nodo A

dv c Vc V c R load
i c =C ; i o= ; V c =V o ; V o =
dt Rload ESR+ Rload

dv c V o dv c V c R load 1
i L −i c −i o=0→ i L −C − =0 → →i L −C −( )( )=0
d t R load dt ESR+ Rload R load
 dv c Vc
i L −C − =0 Ecuación 2
d t ESR+ R load

Modelo modo apagado

[ ][ ]
di L −R L −Rload

[ ][ ]
1
− 1
dt
dv c
= L L( Rload ∥ R c )
R
L( R load + Rc ) i L +
−1 vc
L v¿
0
v o=[ 0 1 ]
[]
iL
vc
dt C(R + Rc ) C ( R+ Rc )

Función de transferencia

Modelo de las matrices A y B espacio de estados tomando en cuenta d.

A=A on d+ A off (1−d ) ;

B=Bon d +B off (1−d )

[ ][ ]
−RL −R L 1 −Rload
0 −
L L( R load ∥R c ) L( R load + R c )
A= L d+ (1−d )
−1 R −1
0
C (Rload + R c ) C ( Rload + Rc ) C( R load + Rc )

[ ][ ]
−RL d −R L 1 −R load (1−d)
0 −( 1−d )( − )
L L ( Rload ∥ Rc ) L( Rload + Rc )
A= L +
−d Rload (1−d) −(1−d)
0
C ( Rload + R c ) C (Rload + R c ) C (Rload + Rc )

Sumando las matrices

A=¿

[] [] []
1 1 1
B= L d+ L ( 1−d ) = L
0 0 0

Modelo

ẋ= Ax+ Bv

[ ][ ] [ ]
−R L ( Rload ∥ Rc )−(1−d) −Rload ( 1−d )
1
[]
ẋ1
ẋ2
= L(R load ∥ Rc )
Rload
L( R load + R c ) x 1 +
−1 x2
L v¿
0
C (Rload + Rc ) C(R load + Rc )
Salidas

[ ] [ ][ ] [ ]
y1
y2
=
1 0 iL 0
+ v¿
0 1 vc 0

Con valores

R L=0.02 d=0.5128 R load =22 R c =0.002 L=5.8 mH

Rload ∥ R c =0.0019C=70 μF

A B

[][
ẋ1
ẋ2
=
44207 −83.99 i L 172.41
14284.41 −649.29 v c
+
0 ][ ] [
v¿ ]
Salidas C D

[ ] [ ][ ] [ ]
y1
y2
=
1 0 iL 0
+ v
0 1 vc 0 ¿

Calculamos la función de transferencia G(s)

G ( s )=C (sI −A )−1 B+ D

[ ][
sI− A=s 1 0 − 44207
0 1
−83.99
14284.41 −649.29 ]
sI − A=[ ] −[
14284.41 −649.29 ]
s 0 44207 −83.99
0 s

sI − A=
[−14284.41
s−44207
s+649.29 ]
83.99

Ahora (sI − A)−1

(sI− A) =
−1 1
[ s+649.29 83.99
( s−44207 ) ( s +649.29 ) +( 83.99)(14284.41) 14284.41 s−44207 ]

C (sI −A )−1 B= 1 0
[ ] 1 s+ 649.29
[
83.99
0 1 ( s−44207 )( s+649.29 ) +(83.99)(14284.41) 14284.41 s−44207
172.41
0 ][ ]

C (sI −A ) B=
−1 1
[
( s−44207 ) ( s +649.29 ) +( 83.99)(14284.41)
s+649.29
0
0
s−44207 ][
172.41
0 ]
 1
C (sI −A ) B=
−1
[ 172.41(s +649.29)]
( s−44207 ) ( s +649.29 ) +(83.99)(14284.41)

172.41(s+ 649.29)
C (sI −A )−1 B=
( s−44207 ) ( s +649.29 ) +( 83.99)(14284.41)

−1 172.41 s+111944
C (sI −A ) B= 2
s −649.29 s−44207 s−28703163+ 1199747.7

−1 172.41 s+ 111944
C (sI −A ) B= 2
=G(s)
s −44856.3 s−27503415.3

CONTROL PI

κi
G ( s )=κ p +
s

κi
G ( s )=κ p (1+ )
κp s

(
G ( s )=κ p 1+
1
τi s)→ Analogo

Donde

κp
τi= → Constante de tiempo integral
κi
 1
Z1 =R 2+
C1 s
v n−0 0−V (s)
=
R3 R4

R2 C1 s +1
Z1 =
C1 s
v n −V (s)
=
R3 R4
i 1−i 2=0

( ( ))
1 −R2 C1 s +1 1 −v(s)
F ( s )=
i 1=i 2 R3 C1 s R1 R4

F ( s )−0 0−v n v(s ) R 4 R 2 C 1 s+1

= = ( )
R1 z1 F (s) R 3 C 1 R1 s

F ( s ) −v n v(s ) R 4 R2 1
= = (1+ )
R1 z1 F (s) R3 R 1 C 1 R2 s

−Z 1 R4 R 2
v n= F (s) κ p=
R1 R3 R 1

( )
−R 2 C 1 s+1 1 κ i=C 1 R2
v n= F ( s)
C1 s R1