Electricidad, Electrónica y Automatización

Electrónica
aplicada al control
Objetivos:

Comprobar funciones de dispositivos electrónicos/analógicos, el diodo

Preparado por: Myriam S. Maciel G.

Primavera 2021
1
ESTRUCTURA ATÓMICA – El modelo atómico de Bohr

“Materia es todo aquello

que Ocupa un lugar en el
espacio Y es afectado por
la fuerza de Gravedad”

2
 moléculas simples compuestos

• Todo lo que nos • Compuesta • Compuestas

rodea por átomo por átomos
• parte más pequeña semejantes diferentes
en que puede
dividirse una
sustancia y conserva
las característica
propias
• Ej. Molécula de
agua.
• Átomos Hidrógeno y
oxígeno

Los átomos pueden tener distintos números de partículas sub-atómicas (más

pequeñas que el átomo) que corresponden a los protones, neutrones y
electrónes

3
El protón constituye la carga eléctrica positiva fundamental y
determina el número atómico del elemento. Eje. El silicio 14
protones el cobre 29 protones. Por lo tanto, el N° atómico es 14 y
29 respectivamente.

Los electrones se encuentran girando alrededor del núcleo,

distribuido en órbitas o niveles energéticos. Constituyen la carga
eléctrica negativa fundamental.

Los neutrones no poseen carga eléctrica y al igual que los protones

se encuentran al interior del núcleo.

4
Un átamo estable (neutro) tiene cierta cantidad de energía, que es igual a la
suma de las energías parciales de sus electrones. Entre los distintos
grupos de electrones, existen diferencias de energía que se denominan
niveles de energía. El nivel de energía de un electrón es proporcional a la
distancia que lo separa del grupo.

Por consiguiente los niveles de energía de los electrones en las capas más
alejadas del núcleo son mayores que en los electrones que se encuentran
más cercano a él.

5
Capas electrónicas

Electrones de Valencia: Son los electrones que se encuentran en la capa más

externa del átomo. Responsables de todas las acciones interatómicas de los
diversos elementos.

6
Si a un material se le aplica energía externa (calor, luz o energía
eléctrica) , sus electrones ganan energía y esto puede hacer que se
muevan a un nivel superior de energía y se dice que está en estado
de agitación o excitación y bajo estas condiciones se trata de un
átomo inestable.

Cuando un electrón se ha movido hacia la capa exterior de su átomo,

la atracción producida por los protones es mínima. Si se aplica
suficiente energía al átomo, algunos de sus electrones situados en la
capa exterior (electrones de valencia), lo abandonaran. Esos
electrones reciben el nombre de electrones libres.

7
Si la capa externa no tiene completa su cuota de electrones,
puede adquirirlos o cederlos.

Si un átomo pierde uno o más electrones de su capa exterior, los

protones exceden a los electrones, el átomo adquiere carga
eléctrica neta positiva. En esta condición el átomo se denomina
ión positivo.

Si un átomo recibe electrones, su carga eléctrica neta se hace

negativa y se dice que el átomo es un ión negativo.

El proceso mediante el cual los átomos adquieren o pierden

electrones, reciben el nombre de “ionización”

8
Bandas energéticas
Los átomos están relativamente próximos entre si y el electrón de un
átomo sufre influencias de las cargas vecinas.

Cada nivel de energía se subdivide en números de niveles

secundarios poco separados unos de otros. En lugar de niveles se
puede hablar de “bandas de energía” o “bandas de valencia”.

9
La separación entre la banda de valencia y la banda de conducción,
es el espacio que ocupa la banda prohibida. La anchura que ocupa
la banda prohibida, se mide en unidades electron-volt (Ev)

10
ESTRUCTURA CRISTALINA

Los elementos del grupo IV del sistema periódico de los elementos,

tienen estructura cristalinas idénticos, llamadas estructuras diamante
o diamantinas.

Los elementos que tienen características similares se reúnen en un

mismo grupo. Ya que por sus características de un elemento están
ligadas al número de electrones de valencia, todos los elementos de
un grupo tienen el mismo número de electrones de valencia.

11
TABLA PERIODICA DE LOS ELEMENTOS

12
Enlace covalente

Si diversos átomos, dos o más, comparten sus electrones de valencia se dice

que es un enlace covalente. 13
Una de las ventajas primordiales de este tipo de enlace, es que
debido a esta característica es posible la formación de cristales
semiconductores tales como: diodos, transistores, triacs,
rectificadores, circuitos integrados, etc.

14
Conducción intrínseca:

Los átomo de los materiales semiconductores

forman una red cristalina uniforme, presentando
una conductividad eléctrica menos que los Al aplicar
conductores, pero mayor que los aislantes. Al tensión
calentar el cristal, sus átomos dejan de estar en
posición de reposo y empiezan a efectuar
movimientos de vibración en todas direcciones.

Debido a esto se rompen algunos enlaces con

átomos vecinos y los correspondientes electrones C. Ausencia
de
de valencia se separan y liberan de sus átomos.
Intrínseca electrónes

Cuando se aplica tensión a un cristal

semiconductor, los electrones liberados se
moverán a través del cristal en dirección al polo
positivo de la fuente. En aquellos puntos con
ausencia de electrones, se denomina huecos o Huecos o
lagunas. laguas

15
 La carga positiva de un hueco es de igual valor absoluto que
la carga de un electrón.

Cuando los electrones se mueven a través del cristal (bajo la influencia de

la tensión o las vibraciones al efecto térmico, es posible que algunos de
ellos se encuentren casualmente con los huecos. En estos casos el
electrón llenará el hueco y el átomo volverá a ser eléctricamente neutro.
Este fenómeno se denomina recombinación. 16
Para simplificar, se supone que también los huecos
contribuyen a la conducción a través del semiconductor. Este
tipo de transporte de carga se denomina “conducción por
hueco”.

Resumiendo, la conductividad de un cristal semiconductor

puro puede observarse ya a temperatura ambiente y se
denomina “conductividad intrínseca”.

17
Conducción Extrínseca:
Para la fabricación de componentes semiconductores, se precisan
materiales cuya conductividad sea prácticamente independiente de
la temperatura y de valor mucho mayor que la debida conducción
“intrínseca”. Para ello se introducen en la red cristalina del
semiconductor, átomos extraños llamados “impureza”, que tiene
tres o cinco electrones de valencia.

La adición de impurezas conductoras se denomina

“contaminación”.

18
Conducción Extrínseca:

Al añadir impureza pentavalentes (antimonio, arsénico o fósforo), sólo

precisan cuatro electrones de valencia del átomo pentavalente para
formar enlaces con átomos vecinos. El quinto electrón de valencia
puede desprenderse fácilmente del átomo pentavalente y moverse a
través del cristal bajo flujo de tensión, dando lugar a un “electrón libre”.

Semiconductor tipo N (con impurezas donadoras)

19
Conducción Extrínseca:

Por lo tanto, al contaminar los cristales de silicio con átomos

pentavalentes, se aumenta la conductividad eléctrica, generando
nuevos electrones libres.

Mediante la adición de impureza puede aumentar la

conductividad de los materiales semiconductores.

Un semiconductor contaminado con impurezas pentavalentes se dice

que es del tipo “N”.

En los semiconductores del tipo N, la conducción de la corriente

es debida principalmente a los electrones libres.

20
Conducción Extrínseca:

Cuando se añaden al silicio átomos de materiales “trivalentes”, como

por ejemplo el galio, boro o indio, no todos los electrones de valencia
del semiconductor quedarán integrados en la estructura cristalina,
pues donde exista un átomo de impureza, faltará un electrón para
formar el cuarto enlace, lo que también dará lugar a irregularidades
en la estructura cristalina.

Semiconductor tipo P (con impurezas aceptadoras)

21
Conducción Extrínseca:

Estas imperfecciones debido a las impurezas tienden a aceptar

electrones, por lo que producirán huecos en el cristal. Por lo tanto,
las impurezas trivalentes, aumentan la conductividad eléctrica,
debido a la aparición de “huecos o lagunas”.

El material semiconductor contaminado con impurezas

trivalentes reciben el nombre de cristal tipo P.

En los semiconductores de tipo P, la conducción de la corriente

eléctrica es debido principalmente a los huecos o lagunas.

La conductividad de un semiconductor debido a la adición de

impurezas se denomina “conductividad extrínseca”.

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Conducción extrínseca Conducción intrínseca

Pentavalente Trivalente
(antimonio, arsénico o fósforo) (galio, boro, indio)

Átomos de 5 electrónes de valencia. Átomos de 3 electrónes de valencia.

Es decir, queda un electrón libre Es decir, queda una laguna o hueco

Al aplicar tensión Al aplicar tensión

Se produce la conducción es gracias al Se produce la conducción eléctrica es

electrón libre debido a los huevos o lagunas

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

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 Unión PN

Los semiconductores suelen tener una estructura en la que el material de tipo P está en íntimo
contacto con el material tipo N. Los huecos y electrones tienden a desplazarse a la parte opuesta. La
corriente no puede circular en condiciones normales a través de la unión o zona llama “capa barrera o
barrera de potencial” cuyo espesor es de milésimas de milímetro..

En un diodo de silicio la corriente directa comienza a encender a los 0,5 Volts y puede alcanzar altas
corrientes con 0,7 Volt.
En un diodo de germanio el voltaje de encendido es sobre los 0,2 Volt
24
 El Diodo
❑ Dispositivo electrónico unilineal, capaz de convertir corriente alterna
en corriente continua:
❑ Tiene dos terminales y zonas semiconductoras del tipo P y N. Su
símbolo es el siguiente:

https://www.facilelectro.es/que-es-el-diodo/
https://sites.google.com/site/miprimerawebquesbyeraldin/tipos-de-diodos 25
Antes de diodo,
Válvula de vacío

26
Uso de los diodos

Lámpara alimentada con ca Circuito electrónico alimentado con cc

Introducción
En un circuito sencillo como el de una lámpara podemos alimentarlo con
corriente alterna, es decir, con una corriente que circula alternadamente en
2 direcciones. Mientras más complejos los circuitos electrónicos es
necesario usar corriente directa, es decir, una corriente que circula en una
dirección. Los circuitos electrónicos necesitan de una corriente directa (DC)
porque su principal objetivo es el manejo de señales por lo tanto, necesitan
de una alimentación más estable y predecible para poder realizar su labor.
El componente electrónica responsable en convertir la corriente alterna
(AC) a corriente directa (DC) es el diodo.

28
Parámetros

Frecuencia: Número de veces que una corriente alterna cambia de polaridad en 1 segundo. La
unidad de medida es el Hertz (Hz) y se la designa con la letra F. Número de ciclos completos de
C.A. que ocurren en la unidad de tiempo.

Ej. si en nuestro hogar tenemos una tensión de 220 V 50 Hz, significa que dicha tensión habrá de
cambiar su polaridad 50 veces por segundo,

Fase: Es la fracción de ciclo transcurrido desde el inicio del mismo, su símbolo es la letra griega q.
Período: Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo de C.A. completo se denomina T. La
relación entre la frecuencia y el período es F=1/T

Ej. de una tensión de 220 V 50 Hz su período es de 20 mseg

29
Parámetros

Valor instantáneo: Valor que toma la tensión en cada instante de tiempo.

Valor máximo: Valor de la tensión en cada "cresta" o "valle" de la señal.
Valor medio: Media aritmética de todos los valores instantáneos de la señal en
un período dado.

Valor eficaz: Valor que produce el mismo efecto que la señal C.C. equivalente.

Valor pico a pico: Valor de tensión que va desde el máximo al mínimo o de una
"cresta" a un "valle". 30
Tipos de diodos

Categorías

• Detector o de baja señal

• Rectificador
• Zener
• Varactor
• Emisor de luz
• Láser
• Estabilizador
• Túnel
• Pin
• Backward
• Schottky
• Fotodiodos.

31
Tipos de diodos

32
Polarización del diodo
❑ P. Directa: el diodo permite el paso de corriente.
No posee resistencia.

❑ P. Inversa: el diodo no conduce corriente.

Posee resistencia.

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Curva característica

❑ Cuando el diodo está polarizado en

directa, no hay una corriente significativa Tensión umbral
hasta que la tensión en el diodo sea Para un diodo de silicio:
superior a la barrera de potencial. Vk ≈ 0,7 V
❑ Cuando el diodo está polarizado en Para un diodo de
inversa, casi no hay corriente inversa germanio Vk ≈ 0,3 V
hasta que la tensión del diodo alcanza
la tensión de ruptura. Se produce
entonces una avalancha de electrones
inversa que destruye al diodo. 34
Curva característica del diodo

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Rectificador de media onda

Rectificar una señal alterna consiste en

obtener una tensión unidireccional de
valor medio el que puede ser positivo o
negativo, según las necesidades
requeridas por el circuito al que se le
aplica la alimentación.

La rectificación en media onda consiste

en eliminar un semiperíodo de la tensión
alterna aplicada a la entrada,
obteniéndose a la salida del rectificador
la mitad de la señal.

Despreciando la tensión en el diodo en

polarización directa (unos 0,6 V), la
tensión de salida tiene la forma:
36
Rectificador de media onda

• En el instante en que los valores de tensión alterna senoidal a la entrada

son positivos, y superiores a la tensión de umbral del diodo, este se
polariza directamente y, por tanto, aparece una corriente eléctrica por la
carga.

• En el instante en que la tensión a la entrada se hace negativa, el

diodo queda polarizado inversamente y la corriente se interrumpe.
Por esta razón, este semiciclo no aparece a la salida.

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Rectificador de onda completa
En la rectificación en doble onda o de onda completa, los dos semiperíodos de la tensión
alterna aplicada a la entrada pasan a tener la misma polaridad. El rectificador de onda
completa actúa como dos rectificadores de media onda superpuestos.

La rectificación en doble onda: Es posible realizarla mediante dos sistemas distintos: puente
rectificador de diodos y rectificador de doble onda con toma intermedia,

El puente rectificador de diodos o puente de Graetz: es un circuito formado por cuatro diodos,
independientes o, encerrados en un único componente compacto.

38
Rectificador de onda completa
Con un rectificador de media onda la frecuencia de salida es igual a la de entrada. Pero con un
rectificador de onda completa algo inusual le sucede a la frecuencia de salida y es que el valor
es el doble de la frecuencia de entrada, ya que una salida de onda completa invierte cada
semiciclo negativo, así que se obtienen el doble de semiciclos positivos. El efecto es duplicar la
frecuencia.

La ilustración muestran algunas imágenes comerciales

de rectificadores de OC. La diferencia entre un puente
monofásico y uno trifásico, es el número de patillas o
conexiones (4 el primero y 5 el segundo)

39
Rectificador de onda completa

Análisis: https://youtu.be/y6x-zToySP4
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 Anexo

• Fórmula para obtener Valor Medio

• Fórmula para obtener Valor Eficaz

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• Notación científica

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Concepto de diodo ideal
En polarización directa, la caída de
tensión es nula, sea cual sea el
valor de la corriente directa
i
conducida
i
Ánodo
+
V curva característica

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor de
la tensión inversa aplicada
El diodo semiconductor encapsulado

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
semiconductor
N
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
Encapsulados de diodos

• Axiales

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
Encapsulados de diodos

• Para usar radiadores

Encapsulados de diodos

• Para grandes potencias

DO 5

B 44
Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos

2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

Nombre del dispositivo

Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados para

el mismo dispositivo

Nombre del Encapsulados

dispositivo
Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

Dual in line
Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

+   -
Encapsulados de diodos

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

• Dan origen a módulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida

Electrónica militar
Control de Motores
Ejercicios
Responda las siguientes preguntas en formato Word guarde en Portafolio su
archivo con el nombre Ejercicios1_Diodos:

1.- Qué sucede con un material cristalino si se le aplica un material con átomos
pentavalentes y a otro un material trivalente.

3.- A qué se le denomina enlace covalente

4.- Confeccione los circuitos con un diodo de polarización inversa y directa con
Proteus usando un alternador. Grafique en el osciloscopio. Visto en clase.

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Bibliografía/Webgrafía

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/P
arametros-corriente-alterna.html

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