TRANSISTOR BJT

DEFINICIÓN:
Un BJT (Bipolar Junction Transistor) es un componente electrónico semiconductor de tres
terminales utilizado en electrónica para amplificar o controlar señales eléctricas.

Está compuesto por tres capas semiconductoras: emisor (E), base (B) y colector (C).

TIPOS:
1. Transistor BJT NPN:

En un transistor BJT NPN, la corriente fluye desde el emisor hacia el colector cuando una pequeña
corriente se aplica a la base.

2. Transistor BJT PNP:

En un transistor BJT PNP, la corriente fluye desde el colector hacia el emisor cuando una pequeña
corriente se aplica a la base.

REGIONES DE FUNCIONAMIENTO
1. Región de corte: no se aplica suficiente voltaje o corriente en la base-emisor para activar el
transistor. El transistor está "apagado" y no hay flujo de corriente entre el emisor y el
colector. Se comporta como un interruptor abierto.

-En un transistor NPN: el voltaje aplicado en la base es menor que el voltaje umbral de
base-emisor necesario para que fluya una corriente colector-emisor.

-En un transistor PNP, el voltaje aplicado en la base es mayor que el voltaje umbral de
base-emisor necesario para que fluya una corriente colector-emisor.

2. Región activa: se aplica un voltaje o corriente adecuada en la base-emisor para activar el

transistor y permitir el flujo de corriente amplificado entre el emisor y el colector.

-En un transistor NPN: cuando se aplica un voltaje positivo en la base-emisor y se supera el

voltaje umbral, la corriente que fluye entre el colector y emisor se amplifica

-En un transistor PNP: cuando se aplica un voltaje negativo en la base-emisor y se supera el

voltaje umbral, la corriente que fluye entre el emisor y colector se amplifica

3. Región de saturación: se aplica un voltaje o corriente alto en la base-emisor, lo que

permite un flujo máximo de corriente entre el emisor y el colector. En esta región, el
transistor BJT se satura en términos de amplificación. Se comporta como un interruptor
cerrado.
 -En un transistor NPN: cuando se aplica un voltaje positivo en la base-emisor y se supera el
voltaje umbral, la corriente que fluye entre el colector y emisor se amplifica

-En un transistor PNP: cuando se aplica un voltaje negativo en la base-emisor y se supera el

voltaje umbral, la corriente que fluye entre el emisor y colector se amplifica

CONFIGURACIONES COMUNES:
1. Emisor común (CE): el emisor se conecta comúnmente a la referencia de voltaje mientras
que la señal de entrada se aplica a la base y la señal de salida se toma del colector.

-Características de la configuración CE:

• Amplificación de voltaje: Esta configuración proporciona una amplificación de voltaje

significativa. La señal de entrada se amplifica en términos de voltaje en la salida.

• Inversión de fase

• Impedancia de entrada baja: permite que la señal de entrada se acople eficientemente con
el transistor.

• Impedancia de salida alta: facilita la conexión con cargas de alta impedancia.

2. Base común (CB): la base se conecta comúnmente a la referencia de voltaje, mientras que
la señal de entrada se aplica al emisor y la señal de salida se toma del colector.

-Características de la configuración CB:

• Amplificación de corriente: Esta configuración proporciona una amplificación de corriente

significativa. La señal de entrada se amplifica en términos de corriente en la salida.

• Sin inversión de fase

• Impedancia de entrada alta: permite que la señal de entrada se acople eficientemente con
el transistor.

• Impedancia de salida baja: facilita la conexión con cargas de baja impedancia.

3. Colector común (CC): el colector se conecta comúnmente a la referencia de voltaje,

mientras que la señal de entrada se aplica a la base y la señal de salida se toma del emisor.

-Características de la configuración CC:

• Amplificación de voltaje: Esta configuración proporciona una amplificación de voltaje

moderada.

• Sin inversión de fase

• Impedancia de entrada alta: permite que la señal de entrada se acople eficientemente con
el transistor.

• Impedancia de salida baja: facilita la conexión con cargas de baja impedancia.

CARACTERÍSTICAS BJT:
1. Ganancia de corriente (β o hfe): Se define como la relación entre la corriente de colector
(Ic) y la corriente de base (Ib).

2. Ganancia de voltaje (α o hie/hoe): Se define como la relación entre la variación de tensión

de colector-emisor (ΔVce) y la variación de tensión de base-emisor (ΔVbe), cuando la
corriente de colector es constante. La ganancia de voltaje está relacionada con la ganancia
de corriente a través de la ecuación α = β / (1 + β).

3. Corriente de fuga de base (Iceo o Ibo): corriente que fluye desde la base hacia el emisor
cuando el transistor está en estado de corte.

4. Tensión máxima de ruptura (Vceo o Vcbo): La tensión máxima de ruptura del transistor

5. Tiempo de conmutación: tiempo requerido para que el transistor pase de un estado de

conducción a otro.

POTENCIA BJT:
Continua

Alterna

MODELO TÉRMICO:
Ley Ohm Térmica

PUNTO DE OPERACIÓN Q
El punto Q representa el estado de operación estática de un transistor bipolar en ausencia de
señales de entrada, y se caracteriza por la tensión base-emisor y la corriente de base elegidas para
lograr un funcionamiento lineal y estable, dado por el circuito de polarización del transistor

-El punto Q se define mediante dos parámetros principales:

1. Tensión base-emisor (VBEQ): Es la tensión aplicada entre la base y el emisor del

transistor en el punto Q.

2. Corriente de base (IBQ): Es la corriente que fluye hacia la base del transistor en el
punto Q.
MODELOS EN TRANSISTORES BJT:
-Modelo empleado para análisis de continua y gran señal. Establecimiento punto Q

1. Modelo General por regiones de operación: Ecuaciones precisas y simplificadas

2. Modelo Ebers-Moll: El modelo Ebers-Moll divide al transistor bipolar en dos diodos: el

diodo de unión base-emisor (BJE) y el diodo de unión base-colector (BJC). Estos diodos
representan las uniones p-n presentes en el transistor. El modelo asume que las corrientes
de colector y emisor del transistor son proporcionales a las corrientes inversas de los
diodos, y utiliza estas relaciones para describir el comportamiento del transistor.

3. Modelo Gummel-Poon: Extensión del modelo de Ebers-Moll mucho más complejo

-Modelo empleado para análisis de pequeña señal (establecido un punto de funcionamiento Q)

altas y bajas frecuencias

1. Modelo parámetros h:

-Las variables y parámetros del modelo h-parámetros son:

• hie (h11): resistencia de entrada en la base.

• hre (h12): retroalimentación de la resistencia de salida.

• hfe (h21): ganancia de corriente de base a colector.

• hoe (h22): resistencia de salida.

-Este modelo se utiliza principalmente para el análisis de pequeña señal y cálculos de ganancia
de voltaje y corriente en un rango de frecuencia limitado.

-No hay ecuaciones para este modelo, es específico para cada transistor

2. Modelo híbrido-pi:

-Las variables y parámetros del modelo híbrido-pi son:

• hie (πe): resistencia de entrada en la base.

• hre (πr): retroalimentación de la resistencia de salida.

• hfe (πf): ganancia de corriente de base a colector.

• hoe (πo): resistencia de salida.

-El modelo híbrido-pi se caracteriza por utilizar una red de impedancias, incluyendo una
resistencia de entrada (hie), una resistencia de retroalimentación (hre), una ganancia de
corriente (hfe) y una resistencia de salida (hoe).
ANÁLISIS EN FRECUENCIA:
-Modelo hibrido-pi

-Baja frecuencia: Método de las constantes de tiempo

-Alta frecuencia: Método de Miller

 TRANSISTOR MOSFET
DEFINICIÓN:
Un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) es un dispositivo
electrónico semiconductor de tres terminales utilizado en electrónica para amplificar o controlar
señales eléctricas.

Está compuesto por tres capas semiconductoras: fuente (S), compuerta (G) y drenador (D).

TIPOS:
1. Transistor MOSFET de canal N (NMOS): En un transistor MOSFET de canal N, este se activa
si se aplica una tensión positiva a la compuerta

2. Transistor MOSFET de canal P (PMOS): En un transistor MOSFET de canal P, este se activa si

se aplica una tensión negativa a la compuerta

REGIONES DE FUNCIONAMIENTO
1. Región de corte: no se aplica una tensión suficiente en la compuerta para formar un canal
conductor entre el drenaje y la fuente. En el caso de un transistor NMOS, la tensión de
compuerta (Vgs) es inferior al umbral de voltaje (Vth), mientras que en un transistor
PMOS, la tensión de compuerta es mayor que el umbral de voltaje. En la región de corte, el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto y no hay flujo de corriente entre el
drenaje y la fuente.

2. Región de triodo: se aplica una tensión en la compuerta que forma un canal conductor
entre el drenaje y la fuente, pero la tensión entre el drenaje y la fuente (Vds) es lo
suficientemente pequeña como para que el campo eléctrico en el canal sea lineal. En esta
región, el MOSFET opera en modo de amplificación lineal y la corriente entre el drenaje y
la fuente (Id) es proporcional a la tensión entre el drenaje y la fuente.

3. Región de saturación: se aplica una tensión en la compuerta que forma un canal

conductor entre el drenaje y la fuente, y la tensión entre el drenaje y la fuente (Vds) es lo
suficientemente grande como para que el campo eléctrico en el canal sea saturado. el
MOSFET permite un flujo máximo de corriente entre el drenaje y la fuente y opera como
un interruptor cerrado.
CONFIGURACIONES COMUNES:
1. Compuerta común (CG): La compuerta se conecta comúnmente a la referencia de voltaje,
mientras que la señal de entrada se aplica al drenaje y la señal de salida se toma de la
fuente.

• Características de la configuración CG:

• Alta impedancia de entrada: Permite que la señal de entrada se acople

eficientemente con el MOSFET.

• Baja impedancia de salida: Facilita la conexión con cargas de baja impedancia.

• No hay inversión de fase en la señal.

2. Drenaje común (CD): El drenaje se conecta comúnmente a la referencia de voltaje,

mientras que la señal de entrada se aplica a la compuerta y la señal de salida se toma de la
fuente.

• Características de la configuración CD:

• Baja impedancia de entrada: Permite que la señal de entrada se acople

eficientemente con el MOSFET.

• Alta impedancia de salida: Facilita la conexión con cargas de alta impedancia.

• Inversión de fase en la señal.

3. Fuente común (CS): la fuente se conecta comúnmente a la referencia de voltaje, mientras

que la señal de entrada se aplica a la compuerta y la señal de salida se toma del drenaje.

• Características de la configuración CD:

• la impedancia de entrada es alta: permitiendo que la señal de entrada se acople

eficientemente con el MOSFET.

• La impedancia de salida, por otro lado, depende del diseño y características del
MOSFET.

• Inversión la fase de la señal.

CARACTERÍSTICAS MOSFET:
1. Ganancia de corriente (gm): Es la relación entre la variación de la corriente de drenaje
(ΔId) y la variación de la tensión de compuerta (ΔVg), cuando la tensión de drenaje es
constante.

2. Resistencia de salida (rd): Es la resistencia equivalente vista desde el drenaje hacia la

fuente.

3. Capacidad de compuerta (Cg): Es la capacidad que existe entre la compuerta y la fuente

del MOSFET.

POTENCIA MOSFET:
1. Continua

2. Alterna

MODELO TÉRMICO:
Ley Ohm Térmica

MODELOS EN TRANSISTORES MOSFET:

-Modelo empleado para análisis de continua y gran señal. Establecimiento punto Q

1. Modelo General por regiones de operación: Ecuaciones precisas y simplificadas

-Modelo empleado para análisis de pequeña señal (establecido un punto de funcionamiento Q)

altas y bajas frecuencias

3. Modelo parámetros h:

-Las variables y parámetros del modelo h-parámetros son:

• hie (h11): resistencia de entrada en la base.

• hre (h12): retroalimentación de la resistencia de salida.

• hfe (h21): ganancia de corriente de base a colector.

• hoe (h22): resistencia de salida.

-Este modelo se utiliza principalmente para el análisis de pequeña señal y cálculos de ganancia
de voltaje y corriente en un rango de frecuencia limitado.

-No hay ecuaciones para este modelo, es específico para cada transistor
 4. Modelo híbrido-pi:

-Las variables y parámetros del modelo híbrido-pi son:

• hie (πe): resistencia de entrada en la base.

• hre (πr): retroalimentación de la resistencia de salida.

• hfe (πf): ganancia de corriente de base a colector.

• hoe (πo): resistencia de salida.

-El modelo híbrido-pi se caracteriza por utilizar una red de impedancias, incluyendo una
resistencia de entrada (hie), una resistencia de retroalimentación (hre), una ganancia de
corriente (hfe) y una resistencia de salida (hoe).

ANÁLISIS EN FRECUENCIA:
-Modelo hibrido-pi

-Baja frecuencia: Método de las constantes de tiempo

-Alta frecuencia: Método de Miller