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    Amplificador de Voz en Base A BJTs

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    El documento describe el diseño y funcionamiento de un amplificador de voz de dos etapas utilizando transistores BJTs. Explica el proceso de investigación, diseño, simulación y construcción del circuito, incluyendo los cálculos de los componentes y parámetros. Finalmente, compara los resultados obtenidos en la simulación y en la práctica, concluyendo que los valores medidos difieren debido a factores como la colocación de LEDs.

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    Amplificador de Voz en Base a BJTs

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    El documento describe el diseño y funcionamiento de un amplificador de voz de dos etapas utilizando transistores BJTs. Explica el proceso de investigación, diseño, simulación y construcción del circuito, incluyendo los cálculos de los componentes y parámetros. Finalmente, compara los resultados obtenidos en la simulación y en la práctica, concluyendo que los valores medidos difieren debido a factores como la colocación de LEDs.

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    Universidad Tcnica Particular de Loja Escuela de Electrnica y Telecomunicaciones

    Electrnica Bsica

    Amplificador de voz en base a BJTs


    Esteban Briceo#1, Jackson Flores#1, Daro Ochoa#1 Daniel Aguirre#2
    #1

    Profesional en formacin de la EET, Universidad Tcnica Particular de Loja #2 Docente de la EET, Universidad Tcnica Particular de Loja Loja- Ecuador 2011
    epbriceno@utpl.edu.ec#1, jfflores2@utpl.edu.ec#1, daochoa2@utpl.edu.ec#1, daguirre@utpl.edu.ec#2

    RESUMEN: El presente trabajo tiene la finalidad de describir el funcionamiento y la realizacin de un del diseo de un amplificador de voz que funciona con una alimentacin de 9V Dc. PALABRAS CLAVE: Amplificador, Amplificador de voz.

    Una vez comprendido el funcionamiento, se dio paso a realizar el diseo del circuito con las formulas que se encuentran en los anexos. Una vez realizado el circuito se procedi a su respectiva simulacin

    I.

    INTRODUCCIN

    Como parte del proceso de acreditacin de la materia de Electrnica Bsica hemos realizado este proyecto para describir como se realiza una amplificacin en base a transistores, tanto como en AC y Dc. Adems de la aplicacin de esto de modo prctico. Este amplificador de voz tiene algunas caractersticas como: Est hecho a base de transistores BJTs (npn) La entrada se la realiza por un micrfono y su prueba es con voz humana. La alimentacin est dada por una fuente de 9V El control del volumen de salida est dado por un potencimetro. Cuenta con indicadores de funcionamiento, los cuales son LEDs.

    B. Una vez realizada la simulacin se procedi a hacer el armado del circuito sobre el proto board para su respectiva presentacin y aprobacin.

    Luego de la aprobacin se procedi al armado de la baquela para la presentacin final del trabajo

    III.

    OPERACIONES DE DISEO

    Tras haber realizado la investigacin y de probar algunos amplificadores en el simulador, se pudo comprender el funcionamiento de un amplificador; por lo cual para la realizacin de este proyecto hemos optado por disear un circuito que cumpla con todas la especificaciones. Para realizar el diseo se tuvo que escoger el transistor, el tipo de configuraciones y el nmero de etapas de que va a estar conformado. El amplificador constar de 2 etapas debido a que el agregar ms etapas nos va a limitar ya que slo contamos con una fuente de alimentacin en Dc de 9V. La primera etapa es una configuracin de polarizacin fija y la segunda etapa es una configuracin por medio de divisor de voltaje. La configuracin de polarizacin fija nos garantiza una ganancia de voltaje significativa con una impedancia de entrada baja, en cambio la polarizacin por divisor de voltaje porque nos presta una mayor estabilidad para la entrada de audio y aumente la ganancia de corriente del circuito. El transistor que se va a usar es el BC548b, el cual para clculos ocupa un Beta 1

    II.

    METODOLOGA DE TRABAJO.

    A. Para realizar este trabajo revisamos los diseos de amplificadores de voz existentes en la red y en distintos libros de electrnica. Una vez seleccionados los modelos se procedi a simular cada uno de los amplificadores, para as poder comprobar si estos sirven. Para realizar el diseo se revis el libro del texto base del presente curso

    Universidad Tcnica Particular de Loja Escuela de Electrnica y Telecomunicaciones

    Electrnica Bsica

    de 200 de acuerdo con la hoja de especificaciones que se encuentra en los anexos. Para realizar los clculos de las resistencias en la segunda etapa se ocuparon las siguientes formulas:

    RTh R1 R2 V (R ) ETh CC 2 R1 R2 ETh VBE IB RTh ( 1) RE I C I B

    VE I E (VE ) VC VCC VRC VCE VC VE VBC VB VC I E ( 1) I B

    1 VE Vcc 10 1 V R2 RE RE E 10 IE RV R1 2 CC VC RC VB IC
    Una vez realizados los clculos se seleccion valores estndar dando como resultado RE=0.47K, RC=1.5K, R1=39K y R2=8.2. Para la primera etapa se tom las siguientes frmulas para obtener el valor de las resistencias:

    Para el anlisis Ac se ocuparon las siguientes formulas Primera etapa

    Z i RB re Z o RC AV RL RC re

    RC RB

    VCC VCE IC VCC VBE IB


    Segunda etapa

    De igual forma se tom valores estndar para resistencias los cules dieron como resultado RB=820K, RC=2.2K

    Z i R1 R2 re Z o RC AV R L RC re Z i1 RL

    IV.

    CLCULOS DE LOS PARMETROS.

    Una vez obtenido todos los valores de las resistencias se realizan los clculos de los parmetros para verificar que se cumplan las condiciones establecidas en las hojas de especificaciones para que el transistor trabaje de esa manera. Una vez realizado el anlisis estas son las ecuaciones que sirven para calcular los parmetros en la primera y segunda etapa: Primera etapa.

    AiT AVT

    V.

    FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO

    IB

    VCC VBE RB

    VE VB VBE VC VCC VRC VCE VC VE VBC VB VC

    El circuito presenta una resistencia de entrada de 10K que permite encender el micrfono, El capacitor de la entrada bloquea la componente DC de la seal permitiendo a la AC perteneciente al audio ingresar al transistor amplificador por su base. Existen dos capacitores que dividen las etapas estos sirven para aislar el componente Dc dejando slo que la seal de voz avance a la otra etapa, adems colocar dos capacitores permite cuando el transistor sea removido el LED que indica su funcionamiento se apague inmediatamente y no quede encendido durante un determinado tiempo por el almacenamiento de energa de los capacitores.

    I C I B I E ( 1) I B VB VCC VRB
    Segunda etapa

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    Al igual que entre las dos etapas del circuito existen dos capacitores a la salida de este, esto es porque al colocar los capacitores en serie permite mejorar el filtrado de la seal haciendo que se disminuya el ruido. Al final El circuito alimenta una carga de 8 que corresponde a un parlante de 1W de potencia.

    Una vez soldados todos los dispositivos el ruido se disminuye en comparacin con el circuito armado en el proto board Los valores de los dispositivos (resistencias en su mayora) que se obtienen matemticamente pueden tener variaciones de hasta un 10% en el circuito real sin que se produzcan desviaciones considerables en los resultados finales.

    VI.

    COMPARACIN DE LOS RESULTADOS

    Una vez armado el circuito se procedi a realizar las mediciones prcticas para hacer una comparacin con las tericas, stas ltimas se tomaron a partir del simulador. Datos de la Simulacin Transistor 1 SM CM 2.44V 8.24V 0V 0V 0.668V 0.77V 0.69V 0.75V 2.44V 8.24V -1.77V 8.64V 10.2uA 49.3uA 2.98mA 1.50mA 2.99mA 1.53mA Transistor 2 SM CM 6.24V 3.82V 0.867V 1.63V 1.52V 2.76V 0.7V 0.79V 5.37V 2.19V -4.72V 3.31V 6.24uA 13.5uA 1.84mA 4.2mA 1.85mA 3.47mA

    VIII.

    REFERENCIAS

    [3] Horowitz Paul, The art of Electronics, second edition, Cambridge 1994. [1] Electronica: Teora de circuitos. Boylestad ROBERT, Nashelsky LOUIS. Edit. Prentice Hall. [2] FOROS ELECTRONICA. La beta de un transistor bipolar [en lnea]. www.forosdeelectronica.com/f27/beta-transistorbipolar-7976/ [citado en 1 de julio de 2011].

    VC VE VB VBE VCE VBC IB IC IE

    Datos Reales Transistor 1 SM CM 0,062V 0.28 0.001V 0.0017 0.69V 0.69V 0.7V 0.68V 0.06V 0.17V -0.623V -0.63V 15.56uA 25.64uA 5.43mA 1.23mA 0.86mA 2.4m Transistor 2 SM CM 5.3V 5.92V 1.5V 1.58V 2.2V 2.23V 0.66V 0.63V 3.74V 4.17V -3.12V -3.25V 2.89uA 1.2mA 3.54mA 7.23mA 2.45mA 4.52mA

    VC VE VB VBE VCE VBC IB IC IE

    VII.

    CONCLUSIONES

    Los valores obtenidos en mediciones realizadas en la prctica son muy diferentes a los valores medidos en la simulacin y los clculos. Al colocar los leds en el circuito hacen que se reduzca la amplificacin.

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