Informe Previo 1 EE422N
Informe Previo 1 EE422N
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INFORME PREVIO N° 1
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
AMPLIFICADOR MULTIETAPA
1.-Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET opera en baja frecuencia.
Conocidas las frecuencias de corte inferior ( ) y superior ( ) para una configuración dada solo hay
que ajustar la frecuencia de la señal que se va a amplificar a un valor menor a la frecuencia , es
decir el transistor opera en una zona donde se encuentre linealidad entre las características de la
señal de entrada y salida (Por lo general cuando la señal de entrada presenta una pequeña
amplitud con baja frecuencia, comúnmente menores a 25mV y valores contenidas en la banda de
audio-frecuencia, 100Hz-100kHz, respectivamente). Cuando el transistor se encuentra trabajando
en baja frecuencia se considerará el modelo de parámetros híbridos para su funcionamiento, pero
cuando trabaja en alta frecuencia hay que considerar un nuevo modelo en el que juegan un papel
importante las capacitancias parásitas del transistor. Es decir a estas frecuencias, entra en
consideración las capacidades internas del dispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC,
que con el efecto MILLER forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitantes por
los efectos sobre sintonización de señales, que en esos casos son moduladas.
2.-Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, escriba la ecuación , tal que
y considerando que los BJT son de silicio.
Se sabe que:
Luego:
De Q2 sabemos que:
Derivando respecto a :
[ ]
Finalmente, reemplazando (1) y (2) en (*) tendremos el índice de variación de con respecto a
T:
{ } { }
[ ]
3.- Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia y otros parámetros
de un amplificador independientemente de hfe , hie, etc. del BJT por ejemplo.
|VBE|: Disminuye cerca de 7.5 mV por cada incremento de la temperatura de un grado Celsius (°C).
Cualquiera de estos factores puede ocasionar que el punto de operación se desvíe del punto de
operación determinado. Haciendo así al sistema demasiado inestable e inútil para utilizarlo, de
esta manera se busca la manera de diseñar el sistema independiente de cualquiera de estos
factores para que la ganancia no se vea afectada, o no varíe llegue a ser muy inestable.
Se laa ganancia total 896, nos excedemos del valor de 350 por que el valor de la fuente
continua es muy cercano al valor pico - pico de nuestra señal de salida, optamos por:
Adoptamos hfe=150 para todos los transistores dado que este es su valor sugerido por el manual
Adoptamos : SI = 11 y fa=0.8
Entonces: Rb/R5=10
como Ri=10kΩ y Rb >>40kΩ pero como sabemos que Rb<Zin entonces sea
Rb=39.5kΩ para este valor tendremos R5=3.6kΩ .
asumimos: ICQ1=1.1mA
y R7+R8=2.8/1.11=2.51kΩ
R8=2.51-R7>> 2.4KΩ
y R12>> 1.5kW
Sea Vceq3=4.3v
asumimos Icq4=2mA
V2 R4 R11
12 V 2.2kΩ R9 3.9kΩ
R2 68kΩ C7 R13
100kΩ C6 R6 3.3kΩ
3.3kΩ
1.2nF Q3
C1 1.8nF Q1 C3 C4
R10
R5 2N2222A 22kΩ 2N2222A
3.9kΩ R12
V1 1.5kΩ
R7
10mVrms 01kΩ R14
1kHz 0.1kΩ
R3
0° 68kΩ
R8 C2
2.2kΩ 47µF
R15 C5
0.68kΩ 47µF
Diagrama de Ganancia
X--Trace Y--Trace
1::[V(16)] 1::[V(16)]
10 1,46093281 1258,92541 49,8341009
15,8489319 4,38192252 1995,26231 47,8951328
25,1188643 10,8474658 3162,27766 43,6338121
39,8107171 21,2478131 5011,87234 35,8838119
63,0957344 32,8623248 7943,28235 25,3129748
79,4328235 37,8489657 10000 19,9846262
100 41,8703722 12589,2541 15,2601737
125,892541 44,8948327 19952,6231 8,49355374
199,526231 48,5137182 31622,7766 4,95822399
316,227766 50,0892143 50118,7234 3,36062037
501,187234 50,6330094 79432,8235 2,68593923
100000 2,51600999
X--Trace Y--Trace
X--Trace Y--Trace 1::
1::[V(16)] 1::[V(16)]
[V(16)] 1::[V(16)] 10 -
1000 -6,22002635
160,13832 15,8489319
1258,92541 -10,5000997
175,860324 25,1188643
1995,26231 -20,6571121
145,414652 31,6227766
3162,27766 -33,9117179
128,888173 50,1187234
6309,57344 -58,9085527
95,9386375 79,4328235
7943,28235 -67,0552842
66,5899411 100
54,1844436 125,892541 10000 -73,9559662
43,459785 199,526231 12589,2541 -78,8741175
26,6684675 316,227766 19952,6231 -80,7811039
14,6968958 501,187234 31622,7766 -72,0287536
5,64545379 794,328235 50118,7234 -57,0171803
-2,22897171 79432,8235 -42,0948154
100000 -36,049472
Repuesta del amplificador a la frecuencia de 1KHz
Grafica de V(Q2N2222 ) Y Vi
- Grafica de V(Q4)/ Vi
Magnitud
Fase
Se observa que la relación entre V(Q4)/ Vi se va a mantener casi constante de 10Hz a 100kHz
- Grafica de V(Q2)/ Vi
Magnitud
Fase
Se observa que la relación entre V(Q2)/ Vi se va a mantener casi constante de 10Hz a 100kHz
V13/V12
V3/V12
V14/V3
V4/V12
V16/V8
V16/V12
V8/V4
V9/V8
U7 U6
- + - + U5
4.578 V 5.181 V - +
3.629 V
DC 10MOhm DC 10MOhm
DC 10MOhm U3
V2 R4 U2 R11 + -
12 V 2.2kΩ R9 3.9kΩ 5.683 V
R2 + -
68kΩ C7 R13
100kΩ C6 R6 5.800 V 3.3kΩ
3.3kΩ DC 10MOhm
DC 10MOhm 1.2nF Q3
C1 1.8nF Q1 C3 C4
R10
R5 2N2222A 22kΩ 2N2222A
3.9kΩ R12
V1 1.5kΩ
10mVrms R7
01kΩ R14
1kHz 0.1kΩ
R3
0° 68kΩ
R8 C2 + U1
2.2kΩ 47µF 2.294 V
DC 10MOhm + U4
- 1.309 V DC 10MOhm
R15 C5 -
0.68kΩ 47µF