Universidad Nacional Autónoma de Honduras

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Laboratorio de electrónica 2
Práctica #4

Amplificador con MOSFET

Estudiante:
José Alonzo Madrid Sevilla 20171002095

UNAH Valle de Sula, San Pedro Sula, Cortés

Jueves 25 de Julio de 2024

LIE-414-Laboratorio de Electrónica II 1
 PRÁCTICA N◦ 4
AMPLIFICADOR CON MOSFET

Introducción
Los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son un tipo de
transistor FET. En este transistor, los terminales de la puerta están aislados eléctricamente del canal
portador de corriente, por lo que también se conocen como FETS de puerta aislados (IG-FET). Debido
al aislamiento entre la puerta y el terminal de la fuente, la resistencia de entrada de los MOSFET puede
ser muy alta (normalmente alrededor de 1014 ohmios).

Al igual que los JFET, los MOSFET también actúan como resistencias controladas por voltaje cuando
no fluye corriente a través de los terminales de la puerta. Un pequeño voltaje en el terminal de la puerta
controla el flujo de corriente a través del canal entre el terminal de la fuente y el terminal de drenaje.
Actualmente, los transistores MOSFET se utilizan principalmente en aplicaciones de circuitos
electrónicos en lugar de JFET.

Objetivos

1. Estudiar el funcionamiento del transistor MOSFET en corriente alterna.

2. Diseñar y montar un circuito amplificador utilizando un transistor MOSFET en configuración

divisor de voltaje.

3. Analizar el impacto de un capacitor de desacople, en la resistencia de surtidor, sobre la ganancia de

voltaje del amplificador.

4. Comparar las ganancias de voltaje obtenidas en las dos configuraciones (con y sin capacitor de

desacople en la resistencia de surtidor).

5. Conocer las ventajas de los transistores MOSFET y sus aplicaciones particulares.

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 Materiales y Equipos

 Simulador multisim
 Osciloscopio
 Generador de funciones
 Resistencias
 Capacitores
 Multímetro
 Transistor 2N7000

Marco Teórico

Operación de un amplificador con mosfet

La polarización de un transistor es estrictamente una operación de DC. El propósito de la polarización es
establecer un punto de operación Q sobre el cual las variaciones de corriente y voltaje puedan ocurrir en
respuesta a una pequeña señal de entrada AC. Y este efecto sucede de la misma forma que los
amplificadores basados en transistores BJT. Los amplificadores diseñados para manejar estas señales
pequeñas de AC a menudo se conocen como amplificadores de pequeña señal.

Punto Q en amplificadores con MOSFET

En el caso de los MOSFET la curva característica no es lineal como en el caso de los BJT, si no que esta
toma forma de una parábola. Al igual que para los BJT el punto de operación Q se obtiene al trazar una
recta que contienen dos puntos que se intersecan sobre los ejes. [1]

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 25
V DD
RD +RE

20

15
VGS=3.4V
Q
VGS=3.8V
10
VGS=4.2V
VGS=4.6V
5
VGS=5V
VCC

2 4 6 8 10 12
VDS V
Figura 1: Recta de Carga MOSFET

VGS = VG

Y su curva característica:
ID = k(VGS − VGS(th))2

Modelo Híbrido
El mosfet tipo de enriquecimiento (E-MOSFET) puede ser tanto de canal n (nMOS) como canal p
(pMOS). El circuito del modelo híbrido se muestra en la figura.

ID
G D
+

V GS gm V gs

− S

Figura 2: Equivalente Híbrido

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La resistencia rd es una resistencia interna de los MOSFET asociado entre las terminales de drenaje y
surtidor. Este es un parámetro que se encuentra en la hoja de datos que depende de la construcción interna
del transistor.
Por lo tanto, cada modelo de MOSFET cuenta con un valor de resistencia rd distinto.[1]

Amplificador por divisor de voltaje con MOSFET

La polarización por divisor de voltaje con MOSFET se analiza de manera similar que un amplificador
con BJT. Pero tomando la consideración de que IG ≈ 0A el análisis por equivalente de Thévenin de
convierte en un simple divisor de voltaje visto desde la compuerta del MOSFET.
Por lo tanto, el voltaje en la compuerta VG esta definido por:

(1)

VDD

RD
R1 C2
Vo

Vi Q

C1
R2 RS CS

Figura 3: Amplificador por divisor de voltaje MOSFET

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Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla conformada por R2, mosfet y RS se obtiene.

VGS = VG − IDRS (2)

Análisis AC del amplificador

La ganancia de este amplificador Av se determina mediante la siguiente ecuación:

Av = −gmRD (3)

Donde gm es el parámetros de transconductancia que relaciona el cambio en el corriente del drenaje que
resulta de un cambio en el voltaje de la compuerta a la fuente, la transconductancia para los MOSFET
tipo enriquecimiento encuentra definida por la ecuación 4.[2]

(4)
Y su unidad son Siemens.
Para obtener la constante k, se aplica la siguiente relación:

(5)

Tanto ID(encendido) y VGS(encendido) son valores medidos en un punto donde el MOSFET se encuentra en
operación.

1. Procedimiento Experimental

1. En la siguiente tabla usted debe anotar información técnica importante sobre el transistor que esta

utilizando. La información que se le solicita la encontrara en la hoja de datos.

MOSFET
Modelo 2N7000
Tipo Canal N

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 Pin 1 Gate (G)
Pin 2 Drain (D)
Pin 3 Source (S)
Parámetros Valor
ID 0.2A
VDSS 60V
VGS(th) 0.8V
IGSS ± 10nA
Tabla 1: Características del MOSFET

2. En la siguiente tabla encontrar los valores correspondientes para cada resistencia del circuito.

Utilizando el multímetro mida cada resistencia para identificarla y conocer su valor real.

Componente Valor Valor

Teórico Medido
R1 15kV 15kΩ

R2 4.7kV 4.7Ω

RD 780kV 780Ω

RS 100kV 100KΩ

Ci = Co 100µF
CS 100µF
Fuente VDD 12V
Generador de Senoidal - 40mVp -
función 10kHz
Tabla 2: Componentes y equipos

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 1.1. Análisis DC

3. A continuación realice el montaje del circuito de la figura 4.

VDD

RD
R1

R2
RS

Figura 4: Polarización divisor de voltaje MOSFET

4. Realice una captura del montaje y adjúntela en el apartado de anexos.

5. Realice las siguientes mediciones y anótelas en la siguiente tabla.

Parámetro valor
Vgs 2.013v
Id 8.479µA

Tabla 3: Mediciones en DC

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 1.2. Análisis AC

6. Conecte los capacitores de acople Ci y Co al circuito.

7. Ahora conecte el generador de función al circuito por medio de la sonda al capacitor Vi. Para

graficar la señal de salida en el osciloscopio utilice una sonda y conéctela al capacitor Vo

8. Finalmente grafique ambas señales en el osciloscopio utilizando otra sonda y conectándola al

capacitor Vi.

9. Tome una captura de la pantalla del osciloscopio donde se pueda apreciar con claridad la señal de

salida Vo, el V/div, el t/div y los voltajes mínimo y máximo de cada onda, señalados con los
cursores.

VDD

Os

RD
R1 C2
Vo

Vi Q

C1
GF R2 RS

Figura 5: Amplificador DV MOSFET sin CS

10. Conecte el capacitor CS.

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 11. Vuelva a realizar el paso 9 con el capacitor CS en paralelo a la resistencia RS.

VDD

Os

RD
R1 C2
Vo

Vi Q
C1
GF R2 RS CS

Figura 6: Amplificador DV MOSFET

12. Tome una captura de la pantalla del osciloscopio donde se pueda apreciar con claridad la señal de

salida Vo, el V/div, el t/div y los voltajes mínimo y máximo de cada onda, señalados con los
cursores.

2. Análisis de Resultados

1. Realice el cálculo de la ganancia de voltaje Av experimental para el circuito de la figura 5, tomando

en cuenta la relación de ganancia. Utilice como voltajes experimental los voltajes obtenidos de la
lectura del osciloscopio.

183.83 𝑚𝑉
𝐴𝑣 = = 6.49
28.28𝑚𝑉

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 2. Encuentre un valor experimental para la constante gm y k utilizando la ecuación 4 y 5 y las

mediciones en DC.

𝐼𝐷 8.497µ𝐴 𝐴
𝐾= = = 5.77µ
(𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡ℎ)2 (2.013𝑣 − 0.8𝑣)2 𝑣2

𝑔𝑚 = 2√𝐾 ∗ 𝐼𝐷𝑄 = 2√(5.77µ)(8.497µ) = 14µ

3. Realice el cálculo de la ganancia de voltaje Av teórica para el montaje utilizando la ecuación 3 y la

constante gm calculada en el inciso anterior.

𝐴𝑣 = −(14µ)(780𝐾) = 10.92

4. Utilizando el error relativo porcentual (ERP), compare el resultado de la ganancia teórica y

experimental.

𝐸𝑅𝑃 = (10.92 − 6.49)(100) = 44%

5. Explique qué comportamiento observó en la señal de salidad y la ganancia de voltaje al conectar el

capacitor CS en paralelo a la resistencia RS. Compare cualitativamente la ganancia con el capacitor

y sin el capacitor.

 Con el capacitor notamos una mayor salida y también notamos una onda distorsionasada, debido
a que el capacitor crea un cortocircuito y la corriente ira a tierra sin presencia de una diferencia
de potencial en el resistor. Lo que hará que la salida Vo aumente significativamente.
 Sin el capacitor notamos que la corriente y el resistor crean una diferencial de potencial lo cual
me disminuye la salida en mi arreglo, pero crea una onda senoidal pura.

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 Investigación

1. Investigue las posibles razones de la distorsión de la señal de salida con el aumento de la

ganancia de oltaje al conectar el capactor CS.

Condiciones permanentes que están relacionadas con armónicas de estado estable. En los sistemas
eléctricos es común encontrar que las señales tendrán una cierta distorsión que cuando es baja,
no ocasiona problemas en la operación de equipos y dispositivos. Existen normas que establecen
los límites permisibles de distorsión, dependiendo de la tensión de operación y de su influencia
en el sistema.

2.Investigue qué ventajas brindan los transistores MOSFET y en qué aplicaciones son
particularmente útiles.

 Es compatible con aplicaciones industriales donde se requiera grandes potencias

 Dispositivos médicos
 En industrias dedicadas a la fabricación de productos tecnológicos
 Para la fabricación de vehículos eléctricos
 Aplicaciones relacionadas con la ingeniería electrónica, como por ejemplo la robótica.
 Son un aliado en las industrias dedicadas a la fabricación de electrodomésticos
 Son compatibles con los motores sin escobillas
 Funcionan perfectamente en fuentes de alimentación conmutadas

3.Investigue y explique detalladamente el funcionamiento de los transistores MOSFET de

empobrecimiento.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo,
que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual

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 ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la
conductividad.

Una placa de material tipo p se forma en una base de silicio y se le denomina sustrato. Es el cimiento
sobre el que se construirá el dispositivo. En algunos casos el sustrato se conecta internamente con
la terminal fuente, sin embargo, muchos dispositivos discretos suministran una terminal adicional
denominada SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales, como aparece en la figura. Las
terminales de fuente y drenaje se conectan a través de contactos metálicos a las regiones con dopado
tipo n unidas mediante un canal n. La compuerta también se conecta a una superficie de contacto
metálico pero permanece aislada del canal n por una capa muy delgada aislante de dióxido de silicio
(SiO2) conocido como un dieléctrico. El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante revela
el hecho siguiente: no hay una conexión eléctrica directa entre la terminal de compuerta y el canal
para un MOSFET. Además la capa aislante de SiO2 en la construcción del MOSFET es la que
cuenta para la muy conveniente alta impedancia de entrada del dispositivo

Conclusiones
Por el hecho de que el MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje se puede decir que es
más estable en cuanto a la temperatura que se origina debido a que la corriente que circula por la
compuerta es casi despreciable, esto es una ventaja puesto que los dispositivos electrónicos trabajan de
mejor forma cuando no generan tanta temperatura.

EL transistor tipo MOSFET tiende a saturarse más rápido en la configuración compuerta común, lo
contrario que cuando está conectado en la configuración fuente común esto permite que el transistor
pueda soportar una mayor entrada de voltaje antes de poder distorsionar la señal de salida.

Si queremos aumentar la potencia usando mosfet debemos implementar capacitores. A esto le llamamos
meter reactivos a la red lo cual viene relacionado con generadores de alta potencia.

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 Referencias

[1] R. L. Boylestad, Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Pearson Educación,

2009.

[2] D. L. Schilling, C. Belove et al., Circuitos electrónicos: discretos e integrados. Barcelona:

Marcombo, 1985.

[3] L. Espinal, Manual de Laboratorio Electrónica II, Universidad Nacional Autónoma de Honduras en

el Valle de Sula, 2024.

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