Tema 1.

Dispositivos
semiconductores
básicos

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Objetivos (1)
• Conocer y comprender el funcionamiento del
diodo semiconductor básico.
• Conocer los distintos modelos de los diodos y
saber aplicarlos al análisis de circuitos digitales
con diodos.
• Conocer y comprender las aplicaciones de los
diodos en circuitos digitales.
• Conocer y comprender el funcionamiento básico
y alguna aplicación de diodos especiales, como
los Schottky, LED y fotodiodos.
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Objetivos (y 2)
• Conocer y comprender el funcionamiento del
transistor bipolar de unión (BJT).
• Conocer y comprender las distintas regiones de
funcionamiento de un BJT.
• Conocer y comprender el funcionamiento de un
transistor BJT como interruptor.
• Aplicar el conocimiento sobre BJT para la
formación de puertas lógicas elementales.

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Contenidos
• 1.1 El diodo de unión. Fundamentos
• 1.2 Comportamiento en régimen estático
• 1.3 Circuitos con diodos
• 1.4 Tipos especiales de diodos (Schottky, LED, fotodiodo)
• 1.5 El transistor bipolar. Fundamentos
• 1.6 Curvas características de salida. Recta de carga
• 1.7 Regiones de funcionamiento
• 1.8 El transistor en conmutación
• 1.9 Puertas lógicas elementales con transistores

Este tema complementa lo estudiado en la asignatura Fundamentos

Físicos de la Informática (FFI).
En FFI se aborda el estudio de la unión PN desde un punto de vista físico
(semiconductores tipo P y tipo N, portadores mayoritarios y minoritarios,
corrientes de difusión y desplazamiento, etc.)
En TCO, nos centramos más bien en el aspecto funcional a nivel
electrónico. Por tanto, partiendo de la curva característica de los
dispositivos I = f(V), se plantean unos modelos simplificados que
permitirán el análisis de algunos circuitos con diodos sencillos.

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Bibliografía
TEORÍA:
 A.R. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2002. (Cap. 3)
 R. L. Boylestad, Electrónica. Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, Pearson, 2009. (Cap. 1..3)
 N.R. Malik. Circuitos electrónicos. Análisis, simulación y diseño, Cap. 3,
Prentice Hall, 2000. (Cap. 4)
 John F. Wakerly, “Digital Design. Principles and Practices”. Prentice
Hall; 4th Ed., 2005 (Cap. 3)
 Randy H. Katz and Gaetano Borriello, “Contemporary Logic Design”,
Prentice Hall; 2nd Ed., 2004

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1.1 El diodo de unión. Fundamentos

• La unión P-N conduce más
Material tipo Material tipo
fácilmente en el sentido directo
p n (de p hacia n) que en sentido
inverso.
Unión P-N

• Nombre del dispositivo: DIODO

VD = VA -VK
• Terminales:
Anodo Cátodo  Ánodo: material tipo p
(A) (K)
 Cátodo: material tipo n
ID = IAK

Símbolo del diodo 6

El diodo, a diferencia de otros elementos conocidos de dos terminales,

como las resistencias, no es simétrico. Esto es, conduce más fácilmente
en el sentido directo que en sentido inverso.
Este comportamiento da lugar al fenómeno de la rectificación.

A la hora de caracterizar el comportamiento del diodo se definen sus

valores de tensión y corriente:
VD = VA-VK es la tensión entre los terminales del diodo
ID es la corriente por el diodo en el sentido de ánodo (A) a cátodo (K)

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1.1 El diodo de unión. Fundamentos

VD
• Es un dispositivo NO LINEAL I D  I S (e ηVT
 1)
ID

Curva
característica
REAL del diodo
Sabías que…?

VD
V
IS : Corriente inversa -Is V : Tensión umbral
de saturación Silicio: 0.6 a 0.7V 7

Cuando se representa la curva ID = f(VD) se observa un relación

exponencial donde:
VT = KT/q, o tensión de temperatura, es una constante cuando lo es la
temperatura T (25 mV a 25ºC). K es la cte. de Boltzmann, q la carga
elemental del electrón y T, la temperatura en grados Kelvin
 es una constante que depende del material semiconductor (Si o Ge),
típicamente entre 1 y 2 para el Si.
Is es la corriente inversa de saturación. Su valor es prácticamente nulo,
del orden de nanoamperios (10-9 A) o picoamperios (10-12 A) . Es
despreciable frente a la corriente directa, y también depende de la
temperatura. Incluye corrientes térmicas y debidas a defectos del
material. Se suelen denominar también corrientes de fuga (leakage
currents)
V es la tensión de codo, a partir de la cual comienza a conducir el diodo.
También se le llama “tensión gamma”. Su valor para un diodo normal es
de unas décimas de volt, tal y como se muestra en la transparencia.
En resumen:
ID> 0 para V >= V, con un crecimiento exponencial con VD
ID  0 para V < V

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1.2 Recta de carga

Cuando polarizamos el diodo con un generador de tensión
(Vs) y una resistencia (Rs), estos elementos condicionan
el comportamiento del mismo.
RS

VS
ID VD I D  f (VD )

VS  I D RS  VD  0
Aplicando la 2ª ley de Kirchoff, se
tiene: VS VD
ID  
RS RS
8

¿Cómo averiguar la ID y VD del diodo en un circuito?

Un método posible es el de la recta de carga. Se trata de un método de
análisis gráfico, empleado cuando existen dispositivos no lineales, como
es el caso del diodo. La solución analítica, con la expresión exponencial
anterior, es muy compleja y requeriría métodos numéricos.

Hay que advertir que el circuito de la figura, aparentemente muy sencillo y

carente de generalidad, incluye implícitamente circuitos mucho más
complejos. Pensemos que cualquier circuito lineal, independientemente
de su complejidad, se puede reducir, aplicando el teorema de Thevenin,
a un generador de tensión en serie con una resistencia, que es
precisamente lo que muestra la figura. Por tanto, el ejemplo de la figura
es más general de lo que pudiera parecer. En principio permitiría calcular
el punto de trabajo Q de un diodo conectado a cualquier circuito lineal.

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1.2 Recta de carga

V V Para obtener los puntos de corte con los ejes:
ID  S  D Si ID = 0 → VD = VS
RS RS Si VD = 0 → ID = Vs / Rs

La RECTA de CARGA depende de los elementos añadidos

al circuito con diodo.
ID

VS /RS
Recta de carga
VD
VS 9

La recta de carga no depende de la característica del dispositivo. Sólo

depende de la tensión de alimentación (Vs) y del valor de la resistencia
serie del generador (Rs).

Cuando igualamos las variables VD e ID a cero, obtenemos

respectivamente la abscisa en el origen (puntos de corte con el eje x), y la
ordenada en el origen (puntos de corte con el eje y).

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1.2 Punto de trabajo

• El diodo ha de cumplir necesariamente su CURVA CARACTERÍSTICA.

• La intersección de la curva característica del diodo con la recta de

carga del circuito define el PUNTO DE TRABAJO del diodo.

ID Curva
característica
REAL del diodo
Recta de carga
Punto de trabajo
Q (VDQ,IDQ)
VD

10

La curva característica del diodo representa el lugar geométrico con todo

el conjunto de pares tensión-corriente posibles (VD, ID).
La recta de carga y la ecuación no lineal del diodo deben satisfacerse
simultáneamente.
Gráficamente se corresponde con el punto de intersección de la recta con
la curva característica del diodo.

El punto Q indica la tensión y la corriente del diodo en continua

(obsérvese que el generador de tensión es de continua)

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1.2 Aproximaciones del diodo

• Se definen MODELOS que aproximan el

comportamiento del diodo real, con precisión
creciente:
1. Modelo ideal
2. Modelo ideal con tensión umbral
3. …

11

Como hemos visto, el método de la recta de carga necesita disponer de la

curva real del diodo, suministrada por el fabricante, lo cual no es siempre
posible. Además, el método es poco operativo cuando hay varios diodos.

Para resolver analíticamente circuitos con diodos, se suele realizar una

aproximación basada en el uso de modelos lineales para el diodo. De
esta manera, se pueden aplicar las leyes de Kirchhoff y los teoremas
derivados para circuitos lineales (mallas, nodos, Thevenin, superposición,
etc.).
Típicamente se introducen 4 modelos lineales para el diodo, que
representan aproximaciones cada vez más próximas al comportamiento
real del dispositivo. En nuestro caso, se abordará el estudio de los dos
primeros, que son los que más se utilizan.

11
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1.2 Aproximaciones del diodo

1. Diodo ideal Diodo ideal
Diodo real

ID ID
Se comporta como un interruptor:
• Polarización directa: cerrado (ON) ID
VD = 0 para toda ID>0
VD
• Polarización inversa: abierto ( OFF)
ID = 0 para toda VD <0
Curva característica
1ª aproximación del diodo
12

El modelo 1 (diodo ideal) aproxima el comportamiento del diodo con el

de un interruptor.
Se trata del modelo más sencillo.
Aproximaciones en los parámetros:
V  0, Is  0, la curva exponencial se aproxima por una semirrecta
vertical (de pendiente infinita)

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1.2 Aproximaciones del diodo

2. Diodo ideal con tensión umbral V
Diodo real Diodo ideal + pila V

A K A K
V
ID ID

• VD = V para toda ID > 0 ID

VD
V

Curva característica
2ª aproximación del diodo 13

Modelo 2, es el más usado.

Diferencias respecto al modelo 1: V  0.7 (para el Si)
Esto se refleja en el circuito añadiendo en serie con el diodo ideal (modelo
1) un generador (pila, batería) de valor V.

En polarización directa: VD  0.7V , ID> 0 (independientemente del valor

de la corriente)
En polarización inversa: el diodo se comporta como un interruptor abierto
e ID=0

Obsérvese la respuesta lineal ID = f (VD), igual a la del modelo 1 pero

desplazada a la derecha V

El modelo 3 trata de modelizar la Resistencia en directo del diodo,

mientras que el modelo 4, también su Resistencia inversa.

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1.3 Protección de entradas digitales

• Diodos recortadores (Clipping diodes): protegen

las entradas de los circuitos con MOSFET ante
sobretensiones.
VDD

D1 D • D1 conduce si Ve  VDD + 0.7V

Ve R VG G
• D2 conduce si Ve ≤ - 0.7V
D2 S

MOSFET • - 0.7V ≤ VG ≤ VDD + 0.7V

14

El circuito se denomina recortador porque mantiene la tensión VG en un

intervalo acotado, como indica la última inecuación. Por supuesto, esto
mientras no se “fundan” los diodos por encontrarnos fuera de las
especificaciones de los dispositivos.
La resistencia R limita la corriente por los diodos e impide que se
destruyan por excesiva disipación de potencia.

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1.3. Aplicaciones digitales

VCC A B S
0 0 0
Puerta AND (Y) 0 1 0
A S 1 0 0
B 1 1 1

A B S
A
0 0 0
B
S
Puerta OR (O) 0 1 1
1 0 1
1 1 1
15

A continuación se estudian dos puertas lógicas diseñadas con diodos y

resistencias. Son las puertas AND y OR.
Su funcionamiento es fácil de deducir a partir del modelo 1 ó 2 del diodo
AND: cuando hay uno o más ceros lógicos en las entradas, los diodos
correspondientes conducen, y la salida es un nivel bajo de tensión (“0” lógico).
Sólo cuando todas las entradas son “1”, los diodos están cortados y la salida es
“1”
OR: ocurre lo contrario. Cuando hay uno o más unos lógicos en las entradas, los
diodos correspondientes conducen, y la salida es un nivel alto de tensión (“1”
lógico). Sólo cuando todas las entradas son “0”, los diodos están cortados y la
salida es un “0”.
Estos esquemas (AND, OR) aparecen generalizados en memorias de solo
lectura, como ROM, PROM, PLAs y PALs (se verá en el tema 5 - Memorias).
Hay que advertir que con diodos y resistencias no se puede diseñar la puerta
NOT, y por tanto tampoco la NAND ni la NOR. Para esto hace falta usar un
dispositivo nuevo: el TRANSISTOR, que veremos al final de este tema (BJT) y
en el tema 2.(MOSFET).

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1.4 Diodos Schottky

Símbolo:
Curva
• Diodos especiales para VD = VAK I
característica D
conmutación (A) (K)

• Basados en la unión metal

(Al)-semiconductor (“n” ID VD
poco dopado) -Is V=0.4V
• Alta Is (1000 veces
Ejemplo: 74LS00
mayor) 4 * NAND 2E
• Baja V (0,4V aprox.)
• Muy rápidos en
conmutación
• Aplicación en circuitos
digitales de alta velocidad
16

Los Schottky son diodos especiales para aumentar la velocidad de conmutación

de las puertas lógicas. Para conseguir este objetivo, no son diodos
semiconductores normales, sino que se construyen mediante una unión de un
metal (aluminio) y de un semiconductor de tipo N muy poco dopado.

Este tipo de diodos tienen un tiempo de recuperación inversa (paso de

conducción a corte) mucho menor de lo normal y, en consecuencia, una mayor
velocidad de conmutación.
También tienen la ventaja en conducción de una menor V, por lo tanto, de una
menor caída de tensión y menor potencia disipada.

Como inconveniente, en la zona de funcionamiento inversa, la corriente de

saturación es bastante mayor (alrededor de 1000 veces más), que en un diodo
normal de Silicio.

Los Schottky se utilizan en las puertas lógicas TTL Schottky, que son puertas
TTL especiales de alta velocidad. En estas puertas, la asociación de un diodo
Schottky y de un transistor bipolar dan lugar a un transistor Schottky (ver figura).
La característica principal de este tipo de transistores es que no se llegan a
saturar, por lo que aumenta considerablemente su velocidad de conmutación.

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1.4 Fundamentos de los LED

• LED : Diodo emisor de luz (Light Emitting Diode)

• Al polarizar en directo la unión P-N, se inyectan portadores

mayoritarios. Para restablecer el equilibrio, se recombinan los
portadores, desprendiendo energía en forma de calor o de luz.

• Este último caso (emisión de luz), se produce eligiendo materiales

semiconductores adecuados: GaAs, GaAsP, SiC, ...

A ID

Curva
característica
K VD
Símbolo V  1.5V 17

Al polarizar en directo la unión P-N, se inyectan portadores mayoritarios. Para

restablecer el equilibrio, los portadores se recombinan desprendiendo
energía en forma de calor o de luz.
Este último caso (emisión de luz) se produce eligiendo materiales
semiconductores adecuados:
GaAs, GaAsP, SiC, ...
El color de la luz emitida (longitud de onda) depende del material empleado.
Obsérvese que la curva ID-VD es exponencial, como la de un diodo normal, pero
el valor de la tensión de codo es aproximadamente el doble (entre 1.5V y
2V) para LED estándar.
La tensión de codo aumenta con la frecuencia de la radiación.
Para LED de color azul o ultravioleta (la de mayor frecuencia, menor longitud de
onda) la tensión de codo puede llegar a 4V.

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1.4 Características de los LED

• La luminancia emitida es proporcional a la
Luminancia (lumen)
20
corriente en directo
 (para una buena visibilidad se requieren
de 10 a 20mA)
 Los actuales de alta potencia (1 W o
más), necesitan más corriente
4
5 35 • La radiación es casi monocroma (de un
Corriente directa (mA) solo color).

• Existen diodos de:

IR: Infrarrojos (muchas aplicaciones)
Color rojo (el más típico)
Color amarillo
Color verde
Últimos en llegar
Color azul
UV: Ultravioletas
18
• V entre ≈ 1,5V y 4V, según color.

El LED conduce para VD >= V, pero esto no es suficiente para que se
ilumine.

La intensidad luminosa emitida es proporcional a la corriente en

polarización directa. Para una buena visibilidad se requieren
típicamente de 10 a 20 mA en diodos estándar. Sin embargo, para
LED de alta potencia de color azul o ultravioleta para generar, con la
ayuda de un filtro, luz blanca, la corriente es mucho mayor. Por
ejemplo, si el LED es de 1W y su tensión de codo es de 4V, la
corriente será de (1W/4V)= 250 mA.

2 parámetros fundamentales del LED:

VF (forward) = V
IF = I necesaria para una buena visibilidad

18
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1.4 Circuitos con LED

Encendido con salida a nivel bajo Encendido con salida a nivel alto
+Vcc=5V

A R A

R K K

Vcc  VOL  V VOH  V

R R
I NECESARIA I NECESARIA
19

Las figuras muestran un par de circuitos que utilizan el encendido de un

LED para identificar los niveles lógicos de salida de un circuito lógico
VOL = tensión de salida a nivel bajo de la puerta (“0” lógico)
VOH = tensión de salida a nivel alto de la puerta (“1” lógico)
Inecesaria se refiere al valor de corriente que proporciona una buena
visibilidad del LED.
La R controla la corriente por el LED
Se suele emplear más el circuito de la izquierda, pues en determinadas
familias lógicas (como TTL), la capacidad de dar corriente a nivel bajo es
mayor que a nivel alto.

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1.4 Visualizadores de 7 segmentos

Juego de caracteres

f g b

e c
d
(Juego opcional)

a bcde f g

a bcde f g
Configuración de cátodo común Configuración de ánodo común
20

Los visualizadores (o displays) de 7 segmentos son dispositivos

constituidos por 7 LED, configurados en cátodo común o en ánodo
común, tal y como se muestra en la figura.

El encendido selectivo de los LED permite representar caracteres

numéricos o alfabéticos.

Para encender los LED hace falta un circuito lógico de control

(decodificador BCD-7segmentos) y típicamente 7 resistencias (una por
LED). También se puede hacer con una sola R para simplificar el diseño.

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1.4 Fotodiodos

• Funcionamiento • Símbolo
inverso a los LED
Ánodo Cátodo
 A partir de la luz se (A) (K)
obtiene corriente
eléctrica ID

• Fotodiodos reales
• La luz accede a la
unión del diodo
 Encapsulado
translúcido
21

Los fotodiodos tienen el funcionamiento inverso a los LED. En este caso, a partir
de una radiación de luz, el fotodiodo generará una corriente inversa, que será
proporcional a la intensidad luminosa. El material utilizado para fabricar un
fotodiodo depende de la frecuencia de la radiación luminosa incidente que deba
detectar. Los fotodiodos pueden ser sensibles a la luz visible, pero son mucho
más comunes los sensibles a las radiaciones infrarrojas.

El símbolo del fotodiodo es el de un diodo normal, al que se añaden unos rayos

de luz incidentes, como se ve en la figura.

Para que un fotodiodo pueda funcionar, la luz debe acceder a la unión del
fotodiodo. Es por ello que, como se ve en la figura, los fotodiodos reales deben
tener un encapsulado traslúcido que deje pasar la luz. El cuadrado de la figura,
que se ve a través de un cristal traslúcido, es el fotodiodo, con su unión PN
accesible a la luz.

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1.4 Fotodiodos

• Funcionamiento en inversa
• Corriente inversa (ID =-IS) Curvas características
proporcional a la intensidad
luminosa
 H: Intensidad luminosa ID
(fotones/s) (mW/cm2)
• Circuito de prueba
RS -IS0 VD
H0
-IS1
VS H1
VD -IS2
ID H2
-IS3
H3
-IS4
H4
22

Los fotodiodos deben pues, polarizarse en la zona inversa, siendo su corriente

inversa de saturación (IS), proporcional a la intensidad luminosa incidente. El
circuito de prueba muestra que el diodo está polarizado en su zona de
funcionamiento inversa.

Las curvas características muestran la relación Intensidad-Voltaje. Puede verse

que estas curvas son similares a las de un diodo normal en su polarización en
directo. Sin embargo, en inverso puede verse la gran influencia que tiene la
energía de la radiación luminosa incidente en la corriente inversa de saturación
(IS). IS0 representa la corriente inversa para oscuridad, en tanto que IS1 a IS4
representan corrientes inversas para intensidades luminosas crecientes.

Los fotodiodos se utilizan en numerosas aplicaciones, por ejemplo en las

siguientes relacionadas con la informática:
- En los lectores de CD/DVD/Blu-ray: para detectar la información grabada de
forma digital en el disco.
- En la transmisión por fibra óptica: para detectar el tren de pulsos de luz que
llegan por la fibra desde el emisor y obtener los niveles altos y bajos de
tensión para el receptor.

22
 1.4 Aplicaciones LED y fotodiodos
• Transmisión de datos por fibra óptica

23

Se utilizan LED o diodos láser para emitir la señal luminosa. El láser tiene más
potencia y direccionalidad (menos dispersión).

La señal luminosa se transmite por fibra óptica, que es un fino tubo de vidrio
(cubierto de plástico) por el que el rayo luminoso va reflectándose hasta llegar al
fotodiodo.
Ventajas sobre la transmisión eléctrica a través de cables metálicos: menos
pérdidas de señal y menos problemas de interferencias electromagnéticas.
Adecuada cuando la distancia de la transmisión es grande. Permite más
velocidad (ancho de banda) que la transmisión por cable.

El fotodiodo convierte la señal luminosa en señal eléctrica.

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1.5 El transistor bipolar. Fundamentos

BJT: Bipolar Junction Transistor

• Un Transistor Bipolar de Unión es un dispositivo de tres

terminales que, en la mayoría de los circuitos lógicos, trabaja
como un interruptor controlado por corriente.

• Si circula una pequeña corriente por uno de los terminales,

llamado la base, entonces el interruptor está en ON:
La corriente puede circular entre los otros dos terminales, llamados el
emisor y el colector.
• Si no circula corriente por la base, entonces el interruptor
está en OFF:
No circula corriente entre el emisor y el colector.
24

24
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1.5 El transistor bipolar. Fundamentos

TRANSISTOR N-P-N
B: Base
C C: Colector
IC

E B C B E: Emisor

IB
IE
I B + IC = IE
E
CBE
• Nótese que el símbolo contiene una pequeña flecha en la dirección del
flujo de corriente (unión base-emisor, como en un diodo)
• También es posible fabricar transistores PNP. Sin embargo, los
transistores PNP apenas se usan en circuitos digitales.

25

El transistor NPN es el más habitual en los circuitos, aunque también se usan

los PNP en algunos circuitos. Para intentar simplificar su estudio, siempre que
sea posible, nos referiremos por defecto al NPN.

En cualquier caso, hay que recordar que las corrientes se definen siempre en
su sentido real para los transistores, mientras que las tensiones de las uniones
en los PNP serán de signo opuesto a las equivalentes en los NPN.

Así, la tensión Base-emisor de un NPN en activa será positiva, al igual que la

tensión Colector-emisor, mientras que en un PNP en activa, las dos tensiones
serán negativas.

25
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1.6 Curvas características de salida

La corriente IC en función del voltaje VCE y la corriente IB

IC
RC
IC
C Vcc IB=50μA
RB
VBB B +
+ - IB=40μA
IB 20mA
- E

IB=30μA

Datos:
IB=20μA
β=500 10mA
(ganancia del
IB=10μA
transistor)
RB=100k
RC=0.4k
VCC=8V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V
VCE
Polimedia sobre “Polarización del transistor bipolar” (G.Benet): 26
https://media.upv.es/player/?id=d0a5f9f5-2a3e-a04f-a5d1-d2e6a5028f86

Se recomienda visualizar el polimedia referenciado para reforzar los conceptos

de polarización del transistor.

La curvas características de salida muestran la corriente del colector IC de la

malla de salida. Esta corriente depende de VCE, así como de la corriente de base
IB, por ello hay varias curvas, cada una para una corriente de base diferente.

Para corriente de base igual a ‘0’, el transistor está en CORTE (no conduce),
correspondiendo a la curva pegada al eje horizontal.

Obsérvese que en la zona central de cada curva, los valores de corriente IC son
mucho mayores que los correspondientes de IB. Por ejemplo, para IB=40μA ,
IC=20mA (se puede obtener esta corriente proyectando sobre el eje de
ordenadas). A este efecto de le denomina efecto transistor o de amplificación
de corriente. En este caso, la ganancia de corriente es β=(IC/IB)=
(20mA/40μA)=500. ¡El transistor tiene una ganancia de corriente de 500!. Esto
sucede en la zona casi horizontal de cada curva, que se encuentra en la región
denominada ACTIVA. En esta zona es donde sucede el efecto transistor.

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1.6 Recta de carga

Datos
β=500; VBE ON=0.7V IC
Recta de carga: VCC = RC x IC+ VCE RB=100k; RC=0.4k RC
IC = f(VCE) VCC=8V; VBB=2.7V
C Vcc
IB= (VBB-0.7) / RB = 20μA RB +
VBB B
-
El punto de trabajo se determina por +
IB
la intersección de la curva - E
característica asociada a IB=20μA
con la recta de carga. IB=50μA
IC
IB=40μA
20mA
IB=30μA

IB=20μA
10mA
IB=10μA

1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V V 27
CE

Gráficamente, se puede resolver empleando la ecuación ya conocida del circuito

de colector:
VCE = VCC - RC x IC

Esta ecuación muestra la relación lineal entre VCE e IC y sólo depende del
circuito externo. Se le denomina Recta de Carga.

El punto de trabajo será el cruce de la recta de carga con la curva característica

del transistor, correspondiente a IB=20μA

Para dibujar la recta de carga IC = VCC/RC – VCE/RC

debe tenerse en cuenta que cortará a los ejes en dos puntos:

La tensión VCC (cuando IC=0mA)

Y la corriente de corto-circuito ICMAX = VCC/RC (correspondiente a
VCE=0V).

(en nuestro ejemplo, son 8V y 20mA, respectivamente)

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1.7 Regiones de funcionamiento. Corte

VCE=VCC
IC IB = 0, IC = 0, IE = 0
RC
VBB

C El interruptor
RB Vcc
+
B está en OFF
-
+

- IB E

28

Zona de CORTE

Si en nuestro anterior ejemplo hacemos que VBB<0.7V, la unión base-emisor no

podrá conducir, y la IB será cero. A esta situación se la denomina CORTE.

En esta situación, todas las corrientes del transistor serán nulas. El modelo del
transistor en esta zona es un circuito abierto en todos sus terminales.

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1.7 Regiones de funcionamiento. Activa

IC
RC IB > 0  IC =  IB
C
Vcc
RB +
VBB B
-
+ La corriente IC
IB
- E es proporcional a la IB
(zona lineal)

29

Si VBB > 0.7V, el diodo B-E estará en directo (ON).

Por tanto,
VB = VBE = 0.7V
IB = (VBB-0.7V)/RB

Si está en zona activa, se cumplirá que:

IC = β.IB , por lo que:
VCE = VC = VCC - IC . RC (importante)
Sustituyendo, obtendremos:

(VBB  0.7V).β.R C
VC  VCC 
RB
Si la tensión VBB fuera variable y VCC constante, esta fórmula nos indica que la
tensión en VC depende linealmente de la tensión VBB multiplicada por un
coeficiente constante, en función de β, de RC y de RB y que en general suele
tener un valor grande (obsérvese el signo negativo).

Por tanto, pequeñas variaciones de VBB producirán grandes variaciones en VC

(aunque de signo contrario). En esto se basa el efecto de la amplificación, que
es una de las principales aplicaciones del transistor en esta zona de trabajo
(zona activa o zona lineal).

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1.7 Regiones de funcionamiento. Saturación

IC
RC El interruptor está en ON
0.5V C Vcc
RB +
B
0.2V -
+
VBB IB 0.7V
- E

• IC
no puede aumentar más, se dice que el transistor
está SATURADO
IC < β.IB ; VCE ≈ 0.2V ; donde IB > IBmínSAT
• La saturación ocurre porque el circuito de salida (VCC
y RC) limita IC a un valor máximo.
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Zona de SATURACIÓN

Si en el circuito de nuestro ejemplo fuera aumentando VBB, la IB iría creciendo,

así como la IC. Según nos indicaba la anterior ecuación VCE = VC = VCC-RC.IC , la
tensión VCE irá disminuyendo conforme aumentamos IB.

En el momento que se alcance una tensión que aproximadamente es: VCE =

VCESAT = 0.2V, ya no puede aumentar más la corriente IC, por lo que se pierde la
linealidad entre IB e IC, y el transistor entra en SATURACIÓN.

La saturación se produce porque el circuito de salida (formado por VCC y RC)

impide el paso de más corriente, aunque la IB aumente.

ICSAT=(VCC-0.2V)/RC
IBMINSAT=ICSAT/ β
IBMINSAT =(VCC-0.2V)/RC)/ β

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1.8 El transistor BJT en conmutación (1)

• Los transistores trabajan bien en corte (OFF) o en
saturación (ON):
 Se trata de dos estados muy diferentes
 El consumo de potencia es mínimo
 Son muy apropiados para circuitos digitales

• El colector y el emisor forman los dos terminales

del interruptor y la base es su terminal de control.

• En otras palabras, la pequeña corriente por la

base permite controlar una corriente mucho mayor
entre el colector y el emisor.
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Un transistor se dice que trabaja en CONMUTACIÓN cuando se

encuentra exclusivamente en el corte o en la saturación, que
son dos estados claramente diferenciados; pasando de un
estado al otro lo más rápidamente posible.

Con ello, se evita trabajar en la zona lineal, reduciendo el

consumo de potencia, ya que en el corte y en la saturación la
potencia disipada es mínima.

En este modo de funcionamiento se basan los circuitos

digitales.

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1.8 El transistor BJT en conmutación (y 2)

IC
Sat.

0.2V
Corte (VCE)

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La gráfica muestra las curvas características del transistor, la recta de carga y

dos puntos sobre ésta, que marcan las zonas donde el transistor trabaja en corte
o en saturación.

Así se dice que el transistor trabaja en CONMUTACIÓN porque pasa de uno de

esos dos estados al otro (circuitos digitales, relacionado con los conceptos
de 0 y 1).

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1.9 Puertas lógicas. El inversor

Fuente: LaMeres, B.J. (2017). Digital Circuitry

and Interfacing. In Introduction to Logic Circuits & Logic Design with Verilog (pp 68). 33
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007%2F978-3-319-53883-9_3.pdf

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1.9 Puertas lógicas. El inversor

Si VBB es una tensión que varía entre 0 y 5V, la
salida será:
Datos: β=500
RB=200k; Vcc
RC=1k • Estado OFF:
VCC=5V;
RC
VBB=variable cuando VBB = 0; IC = 0; VC= 5V (BJT está
(Output)
C OFF)
VBB RB
(Input)
B  P = IC * VCE = 0 (pues IC es nula)
• Estado ON:
E
cuando VBB = 5V; VC ~ 0
(suponiendo que el BJT está SAT)
 P = IC * VCE ~ 0
ya que VCE es ~ 0 entonces la potencia
disipada es muy pequeña

34

Tomemos de nuevo nuestro circuito de ejemplo, cambiando la alimentación VCC

a 5V y los valores de las resistencias tal como se muestran.

Si suponemos que la entrada VBB es una tensión que conmuta entre 0V y 5V,
podemos comprobar fácilmente que la salida VC también conmutará entre 5V
(Corte) y 0.2V (SAT).

De hecho,

• Cualquier tensión de entrada VBB que esté por debajo de 0.7V hará que el
transistor esté cortado, por lo que la tensión de salida será de 5V.

• Y cualquier tensión VBB de entrada que esté por encima de 2.62V producirá
la saturación del transistor, por lo que VC=0.2V

Comprobación de la saturación:

Para que el transistor esté SATURADO, Será necesaria una IBminSAT que valdrá:

IBminSAT = ((VCC-VCESAT)/RC)/β = (5-0.2)/1k)/500 = 9.6μA

Por tanto, la tensión VBBminSAT será:

VBBminSAT = 0.7V+RB. IBminSAT = 0.7V+200k x 9.6μA = 2.62V

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1.9 Puertas lógicas

Vcc Vcc

RC RC

Output 2
C C

Output
Input
RB RB
B B

E E

5V

2.62V
Input
0.7V
0V
5V

Output
0.2V
0V
5V

Output 2
0.2V
0V 35

En la figura se puede apreciar la salida cuando la entrada es un

tren de pulsos de 0V a 5V.

Por tanto, este circuito funcionará como una puerta lógica

inversora elemental.

Si a su vez, tomáramos la salida de este circuito para alimentar

otro idéntico, sería totalmente compatible, por lo que acabamos
de descubrir el punto de partida para una posible familia
lógica.

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Tema 1. Resumen (1)

En este tema hemos repasado primero el funcionamiento de la unión PN, que
hemos aproximado mediante distintos modelos. Estas aproximaciones nos han
permitido simplificar el análisis de circuitos con diodos.
A continuación, hemos introducido algunos de los más importantes circuitos
con diodos, en su aplicación en los circuitos digitales. Como ejemplo, se ha
descrito un circuito para protección de las entradas MOSFET, y varios que
implementan puertas lógicas digitales.
Posteriormente, se ha descrito el diodo Schottky, que consigue mayor
velocidad y menor V que el diodo normal, siendo por ello de especial
importancia para aplicaciones de conmutación.
Del mismo modo, hemos descrito las particularidades del LED y hemos
mostrado algunas de sus circuitos de aplicación, como los que nos permiten
identificar el nivel lógico de salida en circuitos digitales. También se ha descrito
otros tipos especial de diodo: el fotodiodo, que consigue el efecto contrario que
el LED: transforma una radiación luminosa en una corriente eléctrica.

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Tema 1. Resumen (y 2)
Después de estudiar el diodo, nos hemos centrado en el transistor BJT,
explicando el fundamento de su funcionamiento y sus curvas características de
salida.
A continuación, se ha introducido las regiones de funcionamiento, corte cuando
no conduce, y zona lineal y de saturación cuando conduce. Se ha introducido
también la recta de carga, que dependiendo de los componentes externos al
transistor, determina su punto de trabajo.
Conocidas las regiones de funcionamiento, se ha hecho hincapié en las dos
zonas utilizadas en aplicaciones digitales (corte y saturación), en las que se
hace trabajar al transistor en conmutación.
Finalmente, se ha descrito circuitos con transistores en aplicaciones digitales,
poniendo ejemplos relacionados con puertas lógicas, como el del inversor.

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