UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

ELECTRNICA ANALGICA I
SEGUNDA UNIDAD: EL TRANSISTOR BJT
Felipe Isaac Paz Campos

2,010

AVENIDA

UNIVERSITARIA

24

CAPTULO 2 EL TRANSISTOR BJT (Transistor de unin bipolar) 2.1 Introduccin

C(Colector)

NPN

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia aumenta a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. El transistor es un dispositivo electrnico utilizado en diversas aplicaciones, segn la zona donde ubiquemos su punto de trabajo o operacin (Q). En este captulo se har nfasis en su utilidad como amplificador, para ello se tendr que hacer anlisis de DC y AC. 2.2 Smbolo El smbolo del transistor BJT se muestra en la figura 2.1 y figura 2.2.

B(Base) E(Emisor)
Figura 2.1 Transistor BJT tipo NPN

C(Colector)

B(Base)

PNP

E(Emisor)
Figura 2.2 Transistor BJT tipo PNP

2.3 Funcionamiento Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda figura 2.3) y "Diodo de colector" (el de la derecha figura 2.3).
E
N P N

P N P

B E B NPN Figura 2.3

B E B PNP C

25

2.4 Polarizacin del BJT (NPN) En la figura 2.4 se muestra la polarizacin del transistor BJT tipo NPN para que funcione en la zona activa, aunque con este mismo diagrama se puede polarizar en otras tres zonas, tal como se muestra en la tabla 2.1, conectando las bateras en sus diferentes posibilidades.
N N

Esto es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor". La base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control. A esta forma de polarizacin se le conoce como polarizacin en la zona activa. Un transistor se puede polarizar en cuatro zonas diferentes, mostradas en la Tabla 2.1.
Zona Activa
UE en Directa y UC en Inversa. UE en Directa y UC en Directa. UE en Inversa y UC en Inversa. UE en Inversa y UC en Directa.

Figura 2.4

El negativo de la batera VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona P de la base sin recombinarse. Debido a la batera puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector, figura 2.5.

AMPLIFICADORES

Zona de Saturacin Zona de Corte

CONMUTACIN

CONMUTACIN

Zona Activa Invertida N P N

SIN UTILIDAD

Figura 2.5 Zona activa

Tabla 2.1 En la tabla 2.1 se observan 4 zonas de funcionamiento del transistor bipolar: a. ACTIVA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de

26

corriente o ).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (IC); adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro, pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito. b. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor. c. CORTE: El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic). d. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters ya que no tiene aplicaciones prcticas. En la figura 2.6 se muestran estas 4 zonas de polarizacin indicadas en la tabla 2.1.

Nota: El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Para encontrar el circuito PNP complementario: a. Se sustituye el transistor NPN por un PNP. b. Se invierten todos los voltajes y corrientes. 2.5 Ecuaciones Generales E IE N IB P N C IC B
Figura 2.7

De la figura 2.7 se obtienen las siguientes ecuaciones: I E IC I B (2.1) IC IC IC (2.2)

1
1

(2.3) (2.4)

Figura 2.6

(2.5) IE ( 1) I B (2.6) Ic IE ( 1) (2.7) IC I E (2.8) VBE 0.7V Esta es la cada de voltaje en una unin PN. En la prctica oscila entre 0.95 a 0.99 oscila entre 50 a 500 para transistores de baja potencia, entre 20 a 50 para transistores de mediana potencia y entre 5 y 20 para transistores de potencia. 2.6 Tipos de Polarizacin. Existen diferentes formas de polarizar a un transistor, a continuacin se estudian las formas de polarizar a un transistor BJT tipo NPN, empezando de la peor forma hacia la mejor. 27

2.6.1 Polarizacin fija o por base Este tipo de polarizacin se muestra en la figura 2.8.
VCC

2.6.2 Polarizacin por base estabilizada en el emisor. Se muestra en la figura 2.9

IB RB

RC
+

VCE IE Figura 2.9

VCE IE Figura 2.8

RE

malla2 IC
+ RC

Redibujando circuito resulta figura 2.8.1.

RB

RC
+

VCC

RB IB
+ +

VCC

IB
malla1 IE

VCE
-

VBE malla1

VCE
-

RE

IE

Figura 2.9.1

Figura 2.8.1

En la figura 2.8.1 aplicando LKV en la malla1 se obtiene: VCC I B RB VBE (2.9) Despejando IB resulta: Vcc VBE IB Sustituyendo IB en la RB ecuacin general (2.5) Vcc VBE IC IB ( ) (2.10) RB En la ecuacin anterior (2.10) se observa una fuerte dependencia en la corriente de colector, por parte del parmetro interno del transistor (). Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE (2.11) Despejando VCE resulta: VCE = VCC - ICRC (2.12)

En la figura 2.9.1 aplicando LKV en la malla1 se obtiene: VCC I B RB VBE I E RE (2.13) IE De la ecuacin (2.6) I B y ( 1) sustituyendo en la ecuacin (2.13) se obtiene: IE VCC R B V BE I E R E (2.14) ( 1) VCC V BE Por tanto: I E (2.15) RB RE ( 1) En la ecuacin (2.14) se observa que existe una dependencia de , pero en menor proporcin que el caso anterior. Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.16) Con IC = IE resulta: VCE = VCC IC(RC+RE) (2.17)

28

2.6.3 Polarizacin por retroalimentacin de colector. Este tipo de polarizacin se muestra en la figura 2.10.
VCC

Sustituyendo las ecuaciones (2.20) y (2.19) en la ecuacin (2.18) se obtiene: I 1 (2.21) VCC I C (1 ) RC C RB VBE I C RE Despejando IC se obtiene: VCC V BE IC 1 1 (1 ) RC RB RE

RC IB RB IE Figura 2.10 IC A
+

(2.22)

VCE
-

RE

Redibujando el circuito de la figura 2.10 resulta el circuito mostrado en la figura 2.10.1.

malla1

RC IC A
+

En la ecuacin (2.22) siempre existe una dependencia de . Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC IRC VCE I E RE (2.23) Con IC = IE se obtiene: VCE = VCC IRC-ICRE (2.24) 2.6.4 Polarizacin por divisor de voltaje. Este es uno de los tipos de polarizacin ms usados, por poseer algunas ventajas sobres los otros tipos, dentro de estas ventajas podemos mencionar una menor dependencia de respecto a los casos anteriores. Este tipo de polarizacin se muestra en la figura 2.11.
VCC IC R1 RC

VCC

RB IB

VCE IE
-

RE

malla2

IB IE

VCE
-

Figura 2.10.1

R2

RE

En la figura 2.10.1aplicando LKV en la malla1 se obtiene: VCC IRC I B RB VBE I E RE (2.18) Aplicando LKC en nodo A se obtiene: I = IC + IB (2.19) IC Sustituyendo I B en la ecuacin anterior (2.19) resulta: IC 1 I IC I C (1 )

Figura 2.11

Redibujando el circuito de la figura 2.11 para solucionarlo por Thvenin resulta el circuito mostrado en la figura 2.11.1.

(2.20)

29

RC

IC IB
RTH VTH
+

2.6.5 Polarizacin por emisor. Ese tipo de polarizacin se muestra en la figura 2.12. + VCE RE

VCC
+ Vcc

IC IB

RC

IE

malla2

IE
malla1 Figura 2.11.1

RE

-VEE Figura 2.12

VTH

R2 (VCC ) R1 R2

(2.25)

R2 R1 (2.26) R1 R2 En la figura 2.11.1 aplicando LKV en lamalla1 se obtiene: (2.27) VTH I B RTH VBE I E RE IE Sustituyendo I B en la ecuacin 1 (2.27) resulta: IE VTH RTH VBE I E RE (2.28) 1 Despejando IE se obtiene: VTH VBE (2.29) IE RTH RE 1 En la ecuacin (2.29) se observa que todava existe una dependencia de . RTH

De la figura 2.12 se obtiene: VEE VBE IE (2.32) RE En la ecuacin anterior (2.32) se observa que no existe ninguna dependencia de los parmetros internos del transistor. Aunque este es el mejor tipo de polarizacin no es muy utilizado, porque necesita dos bateras para polarizar al transistor. 2.7 Lnea de carga o Recta de carga Para graficar la recta de carga basta con encontrar los puntos de interseccin y despus unir estos dos puntos mediante una lnea. Estos puntos de interseccin son: Saturacin y corte. Por ejemplo para el circuito de la figura 2.13 se tiene:
RC IC IB

Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.30) Con IC = IE se obtiene: VCE = VCC IE(RC+RE) (2.31)
VTH

VCE

VCC

RTH
+

RE

IE

malla2

malla1 Figura 2.13

30

Para el circuito de la figura 2.13 aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.33) Con IC = IE resulta: VCE = VCC IE(RC+RE) (2.34) La figura 2.14 muestra el punto de operacin (Q) en la lnea de carga.
IC(mA) ICsat IC

2.8 EJEMPLOS 2.A Ejemplo # 1 Para el circuito mostrado en la figura 2.15, calcule el punto de operacin del transistor ( VCE, IE). Dato: = 100.
12V

VCC RC
2.2k +

IC R1

.
VCE

vi
-1/1V

C1

1k

vo

1uF

IB IE

2.2uF

Punto Q VCE (V) VCEcorte

VCE
-

C2

1kHz

R2

1k

Figura 2.14

RE

5.6k

Para graficar la lnea de carga mostrada en la figura 2.14 basta con calcular los interceptos (ICsat y VCEcorte). Para el clculo de ICsat se hace considerando el transistor en la zona de saturacin (VCEsat 0V) a partir de: VCC I C RC VCE sat I E RE (2.35) Con IC = IE VCC I Csat RC VCE sat I Csat RE (2.36) Sustituyendo VCE 0V y despejando ICsat VCC (2.37) I Csat RC R E Para calcular VCEcorte se hace considerando el transistor en la zona de corte (IC 0A) y a partir de: VCC I C RC VCE corte I C RE (2.38) Con IC = 0A se obtiene: VCC VCEcorte (2.39)

Figura 2.15

Solucin: El circuito para DC se muestra en la figura 2.15.1, los capacitores se comportan como circuito abierto para DC1.
R1 IC IB R2 RC
2.2k +

1k +

VCE
1k

12V

VCC

IE

RE
5.6k

Figura 2.15.1

Existen dos mtodos para solucionar este ejercicio, se mostrar ambos mtodos: a.- Mtodo Exacto (mtodo de Thvenin) b.- Mtodo aproximado a.- Mtodo exacto. Aplicando Thvenin, en la figura 2.15.1 resulta el circuito de la figura 2.15.2.

Circuitos Elctricos Dorf capitulo 6.

31

RC

IC IB
RTH VTH
+

2.2k

+ VCE 5.6k
RE

+ Vcc 12V

IE malla2
malla1 Figura 2.15.2

De la figura 2.15.2 se obtiene: R2VCC 12V (1k ) VTH 6V R1 R2 1k 1k

(2.40) (2.41)

En la figura 2.15.2 aplicando LKV en lamalla1 se obtiene: (2.42) VTH I B RTH VBE I E RE IE Sustituyendo I B en la ecuacin 1 (2.42) resulta: IE VTH RTH VBE I E RE (2.43) 1 Despejando IE se obtiene: VTH VBE (2.44) IE RTH RE 1 Sustituyendo valores: 6V 0.7V IE 0.946mA 0.5k 5.6k 100 1 Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.45) Con IC = IE se obtiene: VCE = VCC IE(RC+RE) (2.46) Sustituyendo valores: VCE 12V 0.946 mA (7.8k ) 4.62V Por tanto, el punto de operacin (Q) es: VCE = 4.62V e IE = 0.946mA.

El transistor est funcionando en la zona activa. b.- Mtodo aproximado. Para la utilizacin de este mtodo se debe cumplir con la siguiente condicin2: ( 1) RE (2.47) RTH 10 El significado de esta ecuacin es que la cada de voltaje en el resistor de Thvenin es despreciable comparado con el voltaje de Thvenin, en otras palabras VBVTH. En este caso se cumple VBVTH ya que: (100 1) x5.6k RTH 56.56k 10 Por tanto: R2VCC VCC (1k ) (2.48) VB 6V R1 R2 1k 1k V B V BE 6V 0.7V IE 0.9464 mA (2.49) RE 5 .6 k Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.50) Con IC = IE se obtiene: VCE = VCC IE(RC+RE) (2.51) Sustituyendo los valores se obtiene: VCE 12V 0.9464 mA (7.8k ) 4.62V Por tanto, el punto de operacin es: VCE = 4.62V y IE = 0.9464mA. El transistor est funcionando en la zona activa. Calculando el error relativo con respecto a IE. 0.9464mA 0.946mA Er ( ) x100 0.042% 0.946mA Nota: se observa que la desviacin entre los dos mtodos es de 0.042% por tanto, el mtodo aproximado es vlido. Este mtodo es el ms utilizado en este tipo de polarizacin, pero hay que tener mucho cuidado con la condicin planteada para este mtodo.

Electrnica: Teora de circuitos capitulo 4.

32

Ejemplo # 2 Para el circuito mostrado en la figura 2.16, calcule el punto de operacin del transistor ( VCE, IE). Dato: = 100.
VCC
12V

RC IC IB
+

2.2k

VCE RC

12V

VCC

R1 vi
-1/1V

IC
1M

RTH
vo

2.2k

5.6k -

C1

IE

1uF

IB R2 IE
1M

2.2uF

VCE

C2

VTH

RE

malla2

RE
5.6k

malla1 Figura 2.16.2

1kHz

Figura 2.16

Solucin: El circuito para DC queda de la siguiente forma, figura 2.16.1

De la figura 2.16.2 se obtiene: R2VCC 12V (1M ) VTH R1 R2 1M 1M

6V (2.52)

RTH

RC
2.2k

R2 R1 R1 R2

(1M )(1M ) 500 k 1M 1M

2.53)

IB
R2
1M

+
IE

VCC
12V

VCE

RE
5.6k

Figura 2.16.1

La solucin de este ejercicio ser por los dos mtodos. a.- Mtodo Exacto b.- Mtodo aproximado a.- Mtodo exacto. Aplicando Thvenin, en la figura 2.16.1 se obtiene el circuito de la figura 2.16.2.

Aplicando LKV en la malla1 se obtiene: (2.54) VTH I B RTH VBE I E RE IE Sustituyendo I B en la ecuacin 1 (2.54) resulta: IE VTH RTH VBE I E RE (2.55) 1 Despejando IE se obtiene: VTH V BE (2.56) IE RTH RE 1 Sustituyendo valores: 6V 0.7V IE 0.5023 mA 0.5M 5.6k 100 1 Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.57) Con IC = IE se obtiene: VCE = VCC IE(RC+RE) (2.58) Introduciendo valores se obtiene: VCE 12V 0.523 mA(7.8k ) 8.082V Por tanto, el punto de operacin es: VCE = 8.082V e IE = 0.5023mA.

33

b.- Mtodo aproximado. Para la utilizacin de este mtodo se debe cumplir con la siguiente condicin: ( 1) RE (2.59) RTH 10 En este caso no se cumple ya que: (100 1) x5.6k RTH 56.56k 10 Sin embargo realizaremos los clculos para algunos anlisis. R2VCC 12V (1M ) VB 6V (2.60) R1 R2 1M 1M V B V BE IE (2.61) RE 6V 0.7V IE 0.9464mA 5.6k Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: VCC I C RC VCE I E RE (2.62) Con IC = IE se obtiene: VCE = VCC IE(RC+RE) (2.63) Sustituyendo los valores numricos: VCE 12V 0.9464 mA (7.8k ) 4.62V Calculando el error relativo para IE 0.9464mA 0.5023mA Er ( ) x100 46.93% 0.9464mA Inicialmente sabamos que el mtodo no era vlido, porque no cumpla con la siguiente condicin: ( 1) RE y con el clculo del RTH 10 error relativo lo reafirmamos, ya que existe una desviacin de 46.93% de un mtodo respecto al otro. Por tanto, el punto de operacin para el transistor es: VCE = 8.082V e IE = 0.5023mA. Ejemplo # 3 En la figura 2.17 est representado un amplificador cascodo. Hallar el valor de RC que ajustar la componente de c.c de la tensin de salida a 0V. = 50 para todos los transistores.

15V

I
10k

IB3
Q3

VCC

IB1
Q1

IC1 IE3 IB2

malla3

Vi 18k -1/1V
2.5k 1kHz +

RC
Vo

malla2
1V 4.7k malla1

I Q2 E2

3.3k VEE -7.5V

Figura 2.17

Solucin: Para encontrar el valor de RC necesitamos conocer el voltaje que se cae en dicho resistor y la corriente que circula por ella. El voltaje que se cae en RC es VE3 ya que Vo = 0V y la corriente que circula por RC es IE3 = IC3 = IE2 (2.64) VE 3 Por tanto RC (2.65) I E3 Para calcular IE2 Vamos a utilizar el mtodo aproximado, ya que es vlido. 7.5V (4.7k ) 2.66) V4.7 k 4.896V 4.7k 2.5k Aplicando LKV en la malla1 se obtiene: V4.7 k VBE I E 2 3.3k (2.67) Despejando IE2 se obtiene: V4.7 k VBE (2.68) I E2 3.3k 4.896V 0.7V I E2 1.272mA 3.3k I E3 1.272 mA I B3 24 .94 A (2.69) 1 51 I = IB3 + IC1 (2.70) Para calcular IC1 se aplica LKV en la malla2 y se obtiene: 1V I B118 k VBE (Se apaga Vi) (2.71) Sustituyendo en la ecuacin (2.71): I C1 I B1 (2.72)

34

1V

I C1

18 k

V BE

(2.73)

Despejando IC1 1V 0.7V I C1 0.833mA (2.74) 18k 50 Por tanto: I = 0.833mA+24.94A = 0.858mA Aplicando LKV en la malla3 se obtiene: VCC Ix10 k VBE VE 3 (2.75) Despejando VE3 resulta: VE 3 VCC Ix18 k VBE (2.76) Introduciendo valores: VE 3 15V 0.858 mAx10 k 0.7V 5.72V 5.72V Entonces: RC 4,496.86 1.272mA Ejemplo # 4 Para el circuito de la figura 2.18, calcule el punto de operacin de cada transistor. = 120 para ambos transistores.
VCC
1k

En la figura 2.18.1, aplicando Thvenin en la base de Q1, se obtiene el circuito de la figura 2.18.2. malla4
2.2k

+
malla2

V1 IB1 RTH VTH

RE2 1.5k

RC1

+
Q1

VCE1
-

IE2 Q2 VCE2
+

VCC

12V

5.6k

RE1

RC2
2.2k

IE1
malla1

malla3

Figura 2.18.2

De la figura 2.18.2 se obtiene:

R1

RC1

12V

2.2k

RE2
Q2

1.5k

Q1

C2
1uF

C3
1uF

10uF
1k

C1

R2

vi
1kHz

RC2
2.2k

vo

5.6k -1/1V

RE1

Figura 2.18

Solucin: El circuito para DC queda de la siguiente forma, figura 2.18.1

RC1
2.2k

RE2
1.5k Q2

Q1

R2
1k 5.6k

RC2 RE1
2.2k

R2VCC 12V (1k ) 6V (2.77) R1 R2 1k 1k R2 R1 (1k )(1k ) RTH 500 (2.78) R1 R2 1k 1k Aplicando LKV en la malla1 se obtiene: (2.79) VTH I B1 RTH VBE I E1 RE1 I E1 Sustituyendo I B1 en la ecuacin 1 (2.79) se obtiene: I E1 VTH RTH V BE I E1 R E1 (2.80) 1 Despejando IE1: VTH VBE (2.81) I E1 RTH R E1 1 Sustituyendo los valores numricos en la ecuacin (2.81) se obtiene: 6V 0.7V I E1 0.946m 0.5k 5.6k 120 1 Utilizando las ecuaciones generales IE1 = IC1 y considerando IB2 despreciable comparada con IC1, entonces: V1 = IC1xRC1 = 2.08V (2.82) Aplicando LKV en la malla2 se obtiene: V1 I E 2 RE 2 VBE (2.83) Despejando IE2 resulta: VTH

Figura 2.18.1

35

I E2

V1 V BE R E1

(2.84) b

c
Q1

b = e

rb
+

c
r c gmv rO

Sustituyendo valores en la ecuacin (2.84):

v
-

2.08V 0.7V I E2 0.92mA 1.5k Para calcular VCE1 aplicamos malla4. VCC I C1 RC1 VCE 1 I E1 RE1 (2.85) Despejando VCE1 se obtiene: VCE1 VCC I E1 ( RC1 RE1 ) (2.86) Introduciendo valores numricos en la ecuacin (2.86) se obtiene: VCE1 12V 0.946 mA(7.8k ) 4.62V Por tanto, el punto de operacin de Q1 es: VCE1 = 4.62V e IE1 = 0.946mA. Para calcular VCE2 aplicamos malla3. VCC I E 2 RE 2 VEC 2 I C 2 RC 2 (2.87) Despejando VEC2 resulta: VEC 2 VCC I E 2 ( RC 2 RE 2 ) (2.88) Sustituyendo valores en la ecuacin (2.88) se obtiene: VEC 2 12V 0.92 mA(3.7k ) 8.596V Por tanto, el punto de operacin de Q2 es: VCE2 = -8.596V e IE2 = 0.92mA.

Figura 2.19

Las capacitancias c y c se comportan como circuito abierto, nicamente se van a considerar para el anlisis de frecuencias de corte (FH), la resistencia rb es un dato dado por el fabricante con un valor tpico de 100, r = (+1)re, ro se considera infinita, a menos que se indique lo contrario. Bajo las consideraciones aqu mencionadas el circuito simplificado resultante de la figura 2.19 se muestra en la figura 2.20. b
rb

c
+

v
-

gmv

e
Figura 2.20

2.9 El transistor BJT como amplificador. El transistor es un dispositivo electrnico, para realizar clculos necesitamos un modelo o esquema elctrico, de la misma forma que se hizo para el diodo en el captulo 1. El modelo a utilizar para el transistor BJT NPN o PNP ser el mismo y se muestra en la figura 2.19.
c b
Q1

El circuito de la figura 2.20 es el que vamos a utilizar en este captulo para la solucin de circuitos con BJT. ECUACIONES NECESARIAS.
)I E (2.89) 1 En la ecuacin (2.89) Si >>1 Entonces IC IE (2.90) IC (

b = e

rb

c
+

1
( 1) I B 26 mV re ( ) IE r = (+1)re 1 gm (S ) re IE

(2.91) (2.92) (2.93) (2.94) (2.95)

v
-

r c

gmv

rO

36

ro
AV

Ai
Rm Gm

VBE PN. VA: voltaje de Early: Dato dado por el fabricante. Ri : resistencia de entrada Ro: resistencia de salida Zi: impedancia de entrada Zo: impedancia de salida

V A VCE ( ) (2.96) IC vo ( ganancia de voltaje) (2.97) vi io ( ganancia de corriente) (2.98) ii vo (transresistecia) (2.99) ii io (transconductan cia) (2.100) vi = 0.7V: Cada de voltaje de la unin

Este amplificador se caracteriza porque el emisor ante seal es comn al voltaje de salida y voltaje de entrada.
R1
vi
-1/1V

RC

VCC

C3
+

C1

vO R2 RE

RL

1kHz

C2

Ro

Ri
Figura 2.21 Amplificador Emisor Comn

Para dibujar el circuito ante seal, se har en dos pasos: primero se dibuja el circuito ante seal cortocircuitando los condensadores y apagando la fuente de alimentacin sin incluir el modelo del transistor ante seal y despus se introduce el modelo ante seal para el transistor. Ver figura 2.21.1.
RC vi
-1/1V

Nota: Para la solucin de todos los circuitos ante pequea seal se har: Primero anlisis DC. Se calcular el punto de operacin. Los capacitores se comportan como circuito abierto. Segundo anlisis AC. Los capacitores se comportan como cortocircuito y se apaga la fuente de alimentacin. Dependiendo de la localizacin de las entradas, salidas y tierra, se definen cuatro configuraciones bsicas de un amplificador de una etapa. 2.9.1 Configuraciones bsicas del transistor BJT como amplificador. Existen cuatro configuraciones bsicas del transistor BJT como amplificador, estas son: a.- Amplificador Emisor Comn. b.-Amplificador con resistencia en emisor c.- Amplificador Colector comn. d.- Amplificador Base Comn. a.- Amplificador Emisor comn.

iO ii
+

vO
1kHz -

RL

RTH

Ro

Ri
Figura 2.21.1

Agregando el modelo del transistor para AC, figura 2.21.2.

ib

rb
+

io

1kHz

vi

RTH Ri

v r
-

RC gmv

RL vO
Ro

Figura 2.21.2

Algunos de los parmetros de inters en un amplificador son: v ( o ):Ganancia de voltaje vi

37

io ):Ganancia de Corriente ii Ri : Resistencia de entrada Ro: Resistencia de salida Calculando la ganancia de voltaje: vo g m v xRL ' (2.101)

VCC RC R1 vi
-1/1V

C2 vo

C1

Donde: RL ' RC // RL vi (r ) v (2.102) rb r Sustituyendo (2.102) en (2.101) vo r g m RL ' ( ) (2.103) vi rb r 1 en la ecuacin Sustituyendo g m r (2.103) y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene: vo RL ' (2.104) rb vi re 1 El signo menos en la ecuacin (2.104) significa un desfase de 180 de la seal de salida respecto a la seal de entrada. Ri RTH //(rb r ) (2.105) Ro RL ' RC // RL (2.106) g m v RC io (2.107) RC RL v ib r (2.108) ii RTH ib (2.109) RTH rb r Sustituyendo (2.109) en (2.108) y (2.108) en (2.107) se obtiene: io RC RTH ( 1)( )( ) (2.110) ii RC RL RTH rb r b.- Amplificador con resistencia en emisor. Este se muestra en la figura 2.22.

1kHz

R2 RE Ri Figura 2.22 Ro

El circuito ante seal, se har en dos pasos: primero se dibuja el circuito ante seal cortocircuitando los condensadores y apagando la fuente de alimentacin, sin incluir el modelo del transistor ante seal y despus se introduce el modelo ante seal para el transistor, ver figura 2.22.1 y figura 2.22.2.
RC

vi
-1/1V

vO RTH RE Ro Ri Figura 2.22.1

1kHz

Agregando el modelo del transistor para AC, figura 2.22.2.

RTH Ri

v
-

r RE

RC gmv

vo
-

Ro

Figura 2.22.2

Calculando la ganancia de voltaje: vo g m v xRC (2.111)

38

vi xr (2.112) rb r ( 1) R E Sustituyendo (2.112) en (2.111) resulta: vo r g m RC ( ) (2.113) vi rb r ( 1) RE v

vi
-1/1V

1kHz

RTH Ri Figura 2.23.1

RE

vO

Ro

Agregando el modelo del transistor para AC, en la figura 2.23.1 resulta la figura 2.23.2.
-1/1V

vi

rb ib

1kHz

RTH

v
-

gmv
+

c.- Amplificador Colector Comn o seguidor de emisor. En este amplificador el colector ante seal es comn al voltaje de salida y voltaje de entrada. Tambin se le conoce como seguidor de emisor porque generalmente est seguido de un emisor comn.
VCC R1 vi
-1/1V

Ri

RE

ie

vo
-

Figura 2.23.2

Ro

Calculando la ganancia de voltaje: vo ie xRE (2.117) vi ib xrb ib r ie RE (2.118)

C1 C2 R2 Ri Ro RE
+

vo vi

ie xRE ib xr

ie R E

(2.119) (2.120)

1kHz

vO
-

Figura 2.23 Amplificador Colector Comn

Para el circuito ante seal se cortocircuitan los condensadores y se apaga la fuente de alimentacin, sin incluir el modelo del transistor ante seal. ver figura 2.23.1.

(2.120) en (2.119) se RE (2.121) rb re RE 1 r ( 1) RE (2.122)

r ) (2.123) 1 d.- Configuracin Base comn. En esta configuracin la base es comn al voltaje de salida y al voltaje de entrada. Ro RE //(

rb

39

VCC R1 RC C3 vO C1 R2 RE Ri C2 Ro vi
1kHz

-1/1V

Figura 2.24 Amplificador base comn

El circuito para AC, sin sustituir el modelo del transistor para AC, resulta el circuito de la figura 2.24.1.
R3 vO Ro vi RE Ri Figura 2.24.1
1kHz

Sustituyendo (2.125) en (2.124) resulta: vo r g m RC ( ) (2.126) vi rb r 1 en la ecuacin Sustituyendo g m r (2.126) y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene: vo RC (2.127) rb vi re 1 r r Ri R E //( b ) (2.128) 1 Ro RC (2.129) 2.10 EJEMPLOS 2.B Ejemplo # 1 Para el circuito mostrado en la figura v 2.25, calcule: o , Ri y Ro. vi Datos: = 100 y rb = 100.
R1
vi
-1/1V

-1/1V

RC
2.2k

VCC

12V

Sustituyendo el modelo del transistor para AC, en el circuito anterior, figura 2.24.1 resulta el circuito de la figura 2.24.2.
rb
+ +

C3 vO RL
2.2k

C1

1k

1uF

1uF + -

R2
1kHz 1k

v
-

r gmv

RC vi RE Ri
1kHz

vO

RE

5.6k

C2
10uF

Ro

Ri
Ro Figura 2.25

-1/1V

Solucin: a- El circuito para el anlisis DC se muestra en la figura 2.25.1.

Figura 2.24.2

Calculando la ganancia de voltaje, resistencia de entrada y salida. vo g m v xRC (2.124) vi xr v (2.125) rb r

40

IC
1k

RC
2.2k

R1

IB
R2
1k

VCC
12V

VCE IE
-

RE

5.6k

Figura 2.25.1

Aplicando Thvenin En el circuito de la figura 2.25.1, entre la base del transistor y el punto comn nos queda la el circuito de la figura 2.25.2.
RC IC IB RTH VTH
+ 2.2k +

VCE + VBE 5.6k RE

12V

VCC

IE malla2

malla1 Figura 2.25.2

Del circuito de la figura 2.25.2 se obtiene: R2VCC 12V (1k ) VTH 6V (2.130) R1 R2 1k 1k R2 R1 (1k )(1k ) RTH 0.5k (2.131) R1 R 2 1k 1k Aplicando LKV en la malla1 se obtiene: (2.132) VTH I B RTH VBE I E RE IE Sustituyendo I B en la ecuacin 1 (2.132) se obtiene: IE VTH RTH VBE I E RE (2.133) 1 Despejando IE se obtiene: VTH VBE (2.134) IE RTH RE 1

Sustituyendo los valores en (2.134) 6V 0.7V IE 0.946mA 0.5k 5.6k 100 1 Aplicando LKV en la malla2. VCC I C RC VCE I E RE (2.135) Con IC = IE se obtiene: VCE VCC I E ( RC RE ) (2.136) Sustituyendo los valores numricos en (2.136) se obtiene: VCE 12V 0.946 mA (7.8k ) 4.62V Por tanto, el punto de operacin: VCE = 4.62V e IE = 0.946mA. El transistor est funcionando el la zona activa. Otra forma de comprobarlo es verificando la siguiente condicin: VCEsat<VCE<VCC si se cumple esta condicin el transistor funciona en la zona activa. Para este caso 0V<4.62V<12V . El transistor funciona en la zona activa. b.- Anlisis AC. Dibujar el circuito ante seal, para ello se har en dos pasos: primero dibujar el circuito ante seal cortocircuitando los condensadores y apagando la fuente de alimentacin sin incluir el modelo del transistor ante seal y despus introducir el modelo ante seal para el transistor. Ver figura 2.26.
2.2k

RC

vi
-1/1V +

vO
1kHz -

RL

2.2k

RTH
0.5k

Ro

Ri
Figura 2.26

Agregando el modelo del transistor para AC, figura 2.26.1.

41

vi
-1/1V

rb
+

1kHz

RTH Ri

v
-

RC gmv

RL vO
Ro

Figura 2.26.1

Ejemplo # 2 Para el circuito mostrado en la figura v 2.27, calcule: o , Ri y Ro. vi Datos: = 200 y rb = 50.
R1
1k
Q1

Calculando los parmetros para AC: 26 mV 26 mV re 27 .48 (2.137) IE 0.946 mA r ( 1)re (2.138) r 101x 27 .48 2,775 .48 1 1 gm 36 .4mS (2.139) re 27 .48 Calculando las variables solicitadas. vo g m v xRL ' (2.140) Donde: RL ' RC // RL vi xr v (2.141) rb r Sustituyendo (2.141) en (2.140) resulta: vo r g m RL ' ( ) (2.142) vi rb r 1 en la ecuacin Sustituyendo g m r (2.142) y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene: vo RL ' (2.143) rb vi re 1 Sustituyendo los valores numricos en la ecuacin (2.143) se obtiene: vo 1.1k 38.64 vi 100 27.48 101 Ri RTH //(rb r ) (2.144) Ri 0.5k // 2,875 .48 425 .94 Ro RL ' 1.1k (2.145)

RC
2.2k

RE2
1.8k

VCC

12V

C3
Q2

10uF +

C1
10uF

C2

1uF

1k RS

R2
1k

vi 1kHz

RL vo 10k Ro

RE1
5.3k

Ri
Figura 2.27

-1/1V

Solucin: a.- El circuito para el anlisis DC se muestra en la figura 2.27.1

IE2

RE2

12V

VCC

1.8k

1k

R1

IB2 IE1

Q2

RL
10k

R2
1k

RE1
5.3k

Figura 2.27.1

Aplicando Thvenin entre la base de Q1 y el punto comn en la figura 2.27.1. R2VCC 12V (1k ) VTH 6V (2.146) R1 R2 1k 1k R2 R1 (1k )(1k ) RTH 0.5k (2.147) R1 R 2 1k 1k VTH I B1 RTH VBE I E1 RE1 (2.148) I E1 Sustituyendo I B1 en la ecuacin 1 (2.148) se obtiene: I E1 VTH RTH VBE I E1 RE1 (2.149) 1 42

Despejando IE se obtiene: VTH VBE (2.150) I E1 RTH R E1 1 6V 0.7V I E1 1mA 0.5k 5.3k 200 1 Aplicando LKV en malla que involucra VCE1 y con un valor de IB2 despreciable se obtiene: VCC IRC VCE 1 I E1 RE1 (2.151) Con I = IE1 resulta: VCE 1 VCC I E1 ( RC RE1 ) (2.152) Introduciendo valores numricos en la ecuacin (2.152) se obtiene: VCE 1 12V 1mA(7.5k ) 4.5V El punto de operacin para Q1 es: VCE1 = 4.5V e IE1 = 1mA. El transistor est funcionando en la zona activa, comportndose como un amplificador. Para la segunda etapa se obtiene: V1 IxRC 1mA (2.2k ) 2.2V (2.153) 2.2V 0.7V IE2 0.833mA (2.154) 1.8k VEC 2 12V 0.833 mA (11 .8k ) (2.155) V EC 2 2.2V Entonces: VCE2 = -2.2V. El punto de operacin para Q2 es: VCE2 = -2.2V e IE2 = 0.833mA. El transistor est funcionando en la zona activa, comportndose como un amplificador. 2.- Anlisis AC. Dibujando el circuito para AC, sin sustituir el modelo del transistor para AC, resulta el circuito de la figura 2.27.2.

RC

2.2k Q2 Q1

RS
1k

RL vi

vo
-

10k

RE1
5.3k

1kHz

Ro

Ri Figura 2.27.2

-1/1V

Sustituyendo el modelo del transistor para AC, en el circuito anterior, figura 2.27.2 resulta el circuito de la figura 2.27.3.
rb
+ v1 r1 + +

rb vO1 RC v2 r 2 gm1v1 RS vi RE1

RL

gm2V2 -

vo Ro

vi
-

Ri Figura 2.27.3

Calculando los parmetros para AC: 26 mV 26 mV re1 26 (2.156) I E1 1mA 26 mV 26 mV re 2 31 .21 (2.157) I E2 0.833 mA r 1 ( 1)re1 201 x 26 5,226 (2.158) r2 ( 1)re 2 (2.159) r 2 201 x31 .21 6,273 .21 1 1 g m1 38 .46 mS (2.160) re1 26 1 1 g m2 32 .04 mS (2.161) re 2 31 .21 Calculando las variables solicitadas. vo v v v' ( o )( o1 )( i ) (2.162) vi vo1 vi ' vi Se observa que la ganancia se puede calcular como el producto de las ganancias por etapas.

43

vo

g m 2v 2 xRL
2

(2.163) (2.164) en (2.163) se

v o1 (r 2 ) rb r 2 Sustituyendo (2.164) obtiene: vo r2 g m 2 RL ( ) vo1 rb r 2 v

vi x RE1 //( vi ' rb

rb

(2.165)

g m2 r 2 1 en Sustituyendo la ecuacin anterior y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene:
vO vO1 RL rb 1 re 2

(2.166)

Sustituyendo los valores numricos en la ecuacin (2.166) se obtiene: vo 10k 317.88 vo1 50 31.21 201 vo1 g m1v 1 x RC //(rb r 2 ) (2.167) vi ' xr 1 v1 (2.168) rb r 1 Sustituyendo (2.168) en (2.167) se obtiene: vo1 r1 g m1 RC //(rb r 2 ) ( ) (2.169) vi ' rb r 1 g m1 r 1 1 en Sustituyendo la ecuacin anterior y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene:
vo1 vi ' RC //(rb rb 1 r 2) re1

(2.171) r1 RE1 //( ) RS 1 r r1 RE1 //( b ) vi ' 1 (2.172) vi R //( rb r 1 ) R E1 S 1 Sustituyendo valores numricos en la ecuacin (2.172) se obtiene: vi ' 26 .12 25 .5m vi 26 .12 1k Por lo tanto se puede calcular: vo ( 317 .88 )( 62 .18 )( 25 .5m) 504 .03 vi r r1 Ri RE1 //( b ) (2.173) 1 Ri 5.3k // 26 .25 26 .12 Ro R L 10 k (2.174) Ejemplo # 3 Para el circuito mostrado en la figura i i 2.28, calcule: o , o , Ri y Ro. v i ii Datos: = 100 y rb = 100.
VCC
5V

r1 ) 1

RC1

ii
Vi -1/1V

2.2k

RE2
1.5k
Q2

10uF

C3

C1
Q1

C2 RC2
iO

1uF
1kHz

1uF

RB

1k
4.3k

vO

(2.170)

RE1

Ri

VEE

-5V 10uF

C4

2.7k

RO

Figura 2.28

Introduciendo valores numricos en la ecuacin (2.170) resulta: vO1 2.2k //(50 6,273.21 ) 50 vi ' 26 201 vO1 1,632 .14 62 .18 vi ' 26 .25

Solucin: a.- Anlisis DC VEE I B1 RB VBE Sustituyendo I B1 anteriores obtiene: I E1 VEE RB VBE 1

I E 1 R E1 (2.175) I E1 en la ecuacin 1

I E1 R E1

(2.176)

44

Despejando IE1 se obtiene: VEE VBE (2.177) I E1 RB R E1 1 Sustituyendo valores en la ecuacin (2.177) se obtiene: 5V 0.7V I E1 1mA 1k 4.3k 101 Considerando Ib2 0A. V RC1 I E1 RC1 (2.178) Sustituyendo valores en la ecuacin (2.178) se obtiene: VRC1 1mAx 2.2k 2.2V V RC1 I E 2 R E 2 V BE (2.179) Entonces: V RC1 V BE I E2 (2.180) RE 2 Sustituyendo valores numricos en la ecuacin (2.180) se obtiene: 2.2V 0.7V I E2 1mA 1.5k VEE Vcc I E1 RC1 VCE1 I E1 RE1 (2.181) VCE 1 VCC VEE I E1 ( RC1 RE1 ) (2.182) Sustituyendo valores en la ecuacin (2.182) se obtiene: VCE 1 10V 1mAx 6.5k 3.5V VEE VCC I E 2 RE 2 VEC 2 I E 2 RC 2 (2.183) VEC 2 VCC VEE I E 2 ( RC 2 RE 2 ) (2.184) Sustituyendo valores en la ecuacin (2.184) se obtiene: VEC 2 10V 1mAx 4.2k 5.8V 5.8V Entonces: VCE 2 El punto de operacin es: Para Q1: VCE1 3.5V e I E1 1mA 5.8V e I E 2 1mA Para Q2: VCE 2 Ambos transistores estn funcionando en la zona activa comportndose como amplificadores b.- Anlisis AC.

El circuito para AC, sin sustituir el modelo del transistor para AC, resulta el circuito de la figura 2.28.1.
RC1 vi
-1/1V

ii
Q1 Q2

1kHz

RB Ri Figura 2.28.1

RC2 iO

vO

RO

Sustituyendo el modelo del transistor para AC, en el circuito anterior, figura 2.28.1 resulta el circuito de la figura 2.28.2.
ii
Vi -1/1V

rb
RB Ri v
+
1

vO1 rb RC1
r
1

iC2 iO RC2
+

+ v
2

1kHz

gmv

gmv

vo Ro

Figura 2.28.2

Calculando los parmetros ante para AC: 26 mV re1 re 2 re (2.185) I E1 Sustituyendo valores: 26mV re 26 1mA r1 r2 r ( 1)re (2.186) Sustituyendo valores se obtiene en la ecuacin (2.186) resulta: r 101x 26 2,626 1 g m1 g m 2 g m (2.187) re Introduciendo valores en la ecuacin (2.187) se obtiene: 1 gm 38.46mS 26 Calculando las variables solicitadas. io i v v ( o )( o )( o1 ) (2.188) vi vo vo1 vi

45

vo io xRC 2 Entonces: io 1 1 vo RC 2 2.2k

(2.189)
0.455 mS

(2.190) (2.191) (2.192)

g m v 2 xRC 2 vo1r v 2 rb r Sustituyendo (2.192) obtiene: vo r g m RC 2 ( ) vo1 rb r

vo

en

(2.191)

se

(2.193)

1 en la ecuacin Sustituyendo g m r anterior y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene: vo RC 2 (2.194) rb vo1 re 1 Sustituyendo valores en la ecuacin (2.194) se obtiene: vo 2. 7 k 100 vi 100 26 101 vo1 g m v 1 RC1 //(rb r ) (2.195)

Sustituyendo valores en la ecuacin (2.198) se obtiene: vo1 2.2k //(100 2,626 ) 100 vi 26 101 vo1 1,217 .46 45 .1 vi 26 .99 Por tanto: io (0.455 mS )( 100 )( 45 .1) 2.1S vi Ri R B //(rb r ) (2.199) Ri 1k // 2,726 731 .62 Ro RC 2 2.7 k (2.200) io io i ( o ) Ri (2.201) vi ii vi Ri io (2.1S )( 731 .62 ) 1,536 .4 (2.202) ii PROBLEMAS Problemas y ejercicios propuestos de circuitos de polarizacin con transistores BJT NPN y PNP. 2.1 Para el circuito de la figura P2.1, calcule el punto de operacin (VCE y IC). = 150.
5V

vi ( r ) (2.196) rb r Sustituyendo (2.196) en (2.195) se obtiene: vo1 r g m RC1 //(rb r ) ( ) (2.197) vi rb r v

R1
1k 1uF Vi -1/1V

RE
1.8k

C1
Q

C2
1uF

1 en la ecuacin Sustituyendo g m r (2.197) y dividiendo numerador y denominador por este mismo factor se obtiene: v o1 RC1 //(rb r ) (2.198) rb vi re 1

1kHz

1k

R2

1k

RC

RL
10k

Figura P2.1

46

2.2 Para el circuito de la figura P2.2, calcule el punto de operacin (VCE y IC). = 120.
-5V Q2

10V 1k

R1 C1 vi
-1/1V Q 1k 1uF

RC C2

1k 1uF 10k

1k 100

RL

2k Q1 +

R2
1kHz 1k

RE

1.8k

3V3 -

1k -6V

Figura P2.2.

Figura P2.5

2.3 Para el circuito de la figura P2.3, calcule el punto de operacin para cada transistor. = 120.
VCC R1 C1 vi
-1/1V

2.6 Para el circuito de la figura P2.6, calcule el punto de operacin para cada transistor. Dato: = 200 para todos los transistores.
30V 5.6k Vi 1uF
Q1 Q3 Q2

1k
Q1

RC1
1k
Q2

RE2

-5V

5.6k 1k 10uF 8.2k

1uF

4.7k

1kHz

R2
1k

RE1

RC2
2.2k

-1/1V 1kHz

1.8k

82k 10k

Figura P2.3

2.7k 5.6k

2.4 Para el circuito de la figura P2.4, determinar el valor de RB tal que VC3 = 0VDC. = 100 para todos los transistores.
10V 1k Q2 Q1 3.3k 1kHz 2k 1k 1k -6V

Figura P2.6

vi
-1/1V

1uF

C1

RB

2.7 Para el circuito de la figura P2.7, calcule el punto de operacin para cada transistor. Dato: = 100 para todos los transistores.

Q3

Figura P2.4

2.5 Para el circuito de la figura P2.5, calcule el punto de operacin para cada uno de los transistores. Dato: = 120 para ambos transistores. 47

12V 1k5 2k2

1k5 1k5

1k2 1k2 Q
Q3

2k2 3k9 3k9

1k2 1k2
Q1

1k
Q2

-5V

Figura P2.9
1k 5k6 -12V

Figura P2.7

Problemas y ejercicios propuestos de circuitos de polarizacin y seal con transistores BJT NPN y PNP. 2.10 Para el circuito mostrado en la figura v i P2.10, calcule: o , o , Ri y Ro. vi ii Datos: = 200 rb = 50.
RE2
12V

2.8 Para el circuito de la figura P2.8, calcule el punto de operacin para cada transistor. Dato: = 200 para todos los transistores.
22V

VCC

6k8 6k8

2k2 2k2 3k3 3k3 Q1

R1
1k
Q1

RC

1.8k

2.2k
Q2

100k 100k

Q2

C1
10uF 12k 12k -15V

C2

1uF

1k

RS

vo

RL
10k

10k 10k

1k

R2

vi1kHz

RE1
5.3k

Ro

Figura P2.8

2.9 Para el circuito de la figura P2.9, calcule el punto de operacin para el transistor. Dato: = 100.

Ri Figura P2.10

-1/1V

2.11 Para el circuito mostrado en la figura v p2.11, calcule: o , Ri y Ro. vi Datos: = 200 rb = 50.

48

VCC

12V

RC R1

2.2k 1uF

C4 vO

4.7k 10uF

C1

Q2

vi
-1/1V

4.7k 1uF
Q1

R2

RL

2.14 Para el circuito mostrado en la figura v v i i P2.14, calcule: o , o , o , o Ri y Ro. v i ii v i i i Datos: = 200 rb = 50.
iO

2.2k

Ro
RE C3
10uF

vi
-1/1V

Q3

ii
1k

Q2

10k
Q1

RC2
2.2k

vO

+ RC3
10k

1kHz

C2

2.2k

R3

3k

1kHz

RS

RC1 R E2

12k

1.8k Ro

RE3

RB
2k

RE1

1k

Ri

Figura P2.11

Ri

IE1=IE2=IE3=1mA

Figura P2.14

2.12 Para el circuito mostrado en la figura v v P2.12, calcule: o , o , Ro y Ri. ii vi Datos: = 100 y rb = 100.
VCC
ii
10V

2.15 Para el circuito mostrado en la figura v i P2.15, calcule: o , o Ri y Ro. vs is Datos: = 120 rb = 120.
12V

VCC R1
8.2k

RC
3.3k

RC1

2.2k

RE2
1.5k
Q2

C3

io
+ R L vo 15k Ro

10uF

vi
-1/1V

C1
Q1

is
220

C2
Q

C2
RC2

1uF

C1

1uF
1kHz

1uF

RB
1k
4.3k

vO

RS

1uF

-1/1V

R2 Ri

RE
100

RE1

Ri

VEE -5V

10uF

C4

2.7k

2.7k

iO

RO

1kHz

RE

C3

Figura P2.12

VS

2.7k 10uF

Figura P2.15

2.13 Para el circuito mostrado en la figura P2.13, calcule: Gm, Ri y Ro. Datos: = 200 rb = 50.
VCC ii vi
-1/1V

2.16 Para el circuito mostrado en la figura v P2.16, calcule: o , Ri y Ro. vs Datos: = 120 rb = 120.

15V

C1

R1
10k

RC1
1.8k
Q1

R3
1k

RC2
Q2

C3

1uF

3.3k

1uF

vO Ro C4

C2
1uF

1kHz

10k

R2

R4
1k

RE2
4.7k

RE1
Ri
4.7k

1uF

Figura P2.13

49

VCC
12V

R1

8.2k

3.3k

RC

1uF

C1
Q

C2
1uF

vo

+ RL
15k

RS
1k

C3
10uF

R2
2.7k

Ro
1kHz

RE

2.8k

Ri
Figura P2.16

-1/1V

VS

2.17 Para el circuito mostrado en la figura v p2.17, calcule: o , Ri y Ro. vs Datos: = 120 rb = 120.
12V

VCC

R1
8.2k

RC
3.3k 1uF
Q1

R3
1k
Q2

RC2 C4

1k

1uF

C1

R4
1k

RE2 6.8k

+ R L vo 1k

C3
10uF

R2
2.7k

C2
1uF

RS
1k
1kHz

Ro

RE

2.8k

Ri Figura p2.17

-1/1V

VS

50