Este documento introduce los semiconductores y su evolución desde el descubrimiento del transistor en 1948 hasta los circuitos integrados modernos. Explica la teoría de bandas de energía y cómo los materiales pueden clasificarse como conductores, semiconductores u aisladores dependiendo de la estructura de sus bandas permitidas. Además, describe la estructura cristalina del silicio y cómo el dopaje puede modificar sus propiedades eléctricas al agregar pequeñas cantidades de otros átomos.
0 calificaciones0% encontró este documento útil (0 votos)
69 vistas42 páginas
Este documento introduce los semiconductores y su evolución desde el descubrimiento del transistor en 1948 hasta los circuitos integrados modernos. Explica la teoría de bandas de energía y cómo los materiales pueden clasificarse como conductores, semiconductores u aisladores dependiendo de la estructura de sus bandas permitidas. Además, describe la estructura cristalina del silicio y cómo el dopaje puede modificar sus propiedades eléctricas al agregar pequeñas cantidades de otros átomos.
Este documento introduce los semiconductores y su evolución desde el descubrimiento del transistor en 1948 hasta los circuitos integrados modernos. Explica la teoría de bandas de energía y cómo los materiales pueden clasificarse como conductores, semiconductores u aisladores dependiendo de la estructura de sus bandas permitidas. Además, describe la estructura cristalina del silicio y cómo el dopaje puede modificar sus propiedades eléctricas al agregar pequeñas cantidades de otros átomos.
Este documento introduce los semiconductores y su evolución desde el descubrimiento del transistor en 1948 hasta los circuitos integrados modernos. Explica la teoría de bandas de energía y cómo los materiales pueden clasificarse como conductores, semiconductores u aisladores dependiendo de la estructura de sus bandas permitidas. Además, describe la estructura cristalina del silicio y cómo el dopaje puede modificar sus propiedades eléctricas al agregar pequeñas cantidades de otros átomos.
Descargue como PPT, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
Descargar como ppt, pdf o txt
Está en la página 1/ 42
Introduccin a la
Electrnica
Dispositivos semiconductores
12/08/2008 Introduccin a la Electrnica -
2008 Semiconductores y su evolucin Millikan - la naturaleza discreta de la carga elctrica Planck - la teora quntica Einstein Efecto fotoelctrico Schrondinger Ecuacin de ondas
1948, laboratorios Bell primer transistor Germanio Ganancia de voltaje de 100 Frecuencias de audio 1956 Premio Nobel !! Precio de un transistor 10 $
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores y su evolucin 1961 Primer circuito integrado 4 transistores + 2 resistencias 1969 Primer amplificador operacional Costo: 75 $ 1967 Memoria de 64 bits 1968 Memoria de 1024 bits 1994 Memoria de 256 megabits 2008 - ??
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores - Introduccin Existen dos mecanismos asociados al transporte de partculas cargadas en un slido
Corriente de Corriente de desplazamiento difusin
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores - Introduccin Corriente de desplazamiento
Movimiento aleatorio sin Movimiento aleatorio
un campo elctrico con un campo elctrico aplicado aplicado
Semiconductores - Introduccin Corriente de difusin Si existe una elevada concentracin de partculas en una regin comparada con otra, existir un desplazamiento neto de partculas que ecualizara la concentracin luego de un periodo de tiempo
Concentracin inicial Concentracin final
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008 Semiconductores - Introduccin Corriente de difusin
Flujo de partculas
Constante de difusin Relacin de Densidad de corriente (electrones) Einstein
Densidad de corriente (cargas positivas) Las constantes de difusin y la
movilidad estn relacionadas. Ambas constantes relacionan el movimiento de las partculas y las colisiones
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Teora de bandas de energa Atomo aislado de hidrogeno Modelo de Bohr: la energia de los electrones en sistemas atomicos esta restringida a un limitado set de valores.
Cada nivel de energia corresponde a una orbita del electron alrededor El desplazamiento de un electron de un nivel del nucleo discreto de energia hacia otro de mayor nivel requiere una cantidad de energia extra. Un electron desplazandose hacia un nivel de energia inferior, libera una cantidad discreta de energia
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Teora de bandas de energa Un solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de energia interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los niveles discretos de energia formando bandas de niveles de energia permtidos
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Teora de bandas de energa Diagrama de bandas de energia
Banda de valencia: los electrones
no son moviles, no contribuyendo a la conduccion de corriente electrica. Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de valencia. Se encuentra parcialmente llena. Excitando con una pequena cantidad de energia, se puede iniciar el desplazamiento de los electrones -> corriente electrica. Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y la banda de valencia. Son niveles continuos de energia que no pueden ser ocupados por portadores de carga.
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Teora de bandas de energa Clasificacin de los materiales Existen electrones en la banda de conduccin a temperatura ambiente. semiconductor
conductor aislador Las bandas de conduccin y de Banda de conduccin vaca valencia se solapan.
Banda de valencia llena Existe un gran nmero de electrones en
la banda de conduccin a temperatura Gran cantidad de energa es requerida para ambiente. desplazar un electrn de la banda de valencia a la de conduccin
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Teora de bandas de energa Clasificacin de los materiales
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores: Silicio Estructura cristalina La distribucin espacial de los tomos dentro de un material determina sus propiedades. El silicio puede existir en tres formas diferentes Amorfo -> grafito Policristalino Cristalino -> diamante
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores: Silicio Estructura cristalina
Enlaces covalentes
tomo de silicio
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores: Silicio Portadores Cuando un enlace de Si-Si es roto, el electrn asociado es un portador Sin portadores Remover un de corriente. electrn de la banda Equivalentemente, la de valencia crea un excitacin de un estado vaco. electrn de la banda de Este estado vaco, valencia a la banda de es un segundo tipo conduccin crea electrn de portadores portadores -> denominado Electrones en la lagunas banda de conduccin son portadores Electrones y lagunas son portadores laguna en los semiconductores 29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008 Semiconductores: Silicio Generacin de pares electrones-lagunas
Concentracin de electrones intrnseco
Concentracin de lagunas
A elevar la temperatura algunos enlaces Corriente en un semiconductor
covalentes son rotos, y los electrones asociados al enlace son libres de desplazarse bajo la influencia de un campo elctrico Movilidad de Movilidad de externo. los electrones las lagunas Simultneamente, la ruptura del enlace, deja una carga positiva neta en la estructura de valencia -> lagunas
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores: Silicio Circulacin de corriente en un semiconductor
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Silicio con dopaje El agregado de un pequeo porcentaje de tomos forneos en la estructura cristalina del silicio produce importantes cambios en sus propiedades elctricas. Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son utilizados. 4 electrones de la banda de valencia forman enlaces covalentes con los tomos vecinos de silicio. El electrn restante esta dbilmente ligado al tomo de impureza, actuando como un electrn libre. Impurezas donoras: donan un electrn a la banda de conduccin. Fsforo, arsnico, antimonio
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Silicio Tipo N
Conductividad
Concentracin de tomos donores
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Silicio Tipo P TIPO P Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro, Galio, Indio. Para completar el enlace covalente con tomos de silicio, un electrn es atrado de la banda de valencia dejando una laguna. impureza aceptora: acepta un electrn de la banda de valencia
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Semiconductores Terminologa Semiconductor intrnseco: semiconductor sin el agregado de impurezas Donor: tomos de impurezas que incrementan la concentracin de electrones Aceptor tomos de impurezas que incrementan la concentracin de lagunas Portadores mayoritarios: Los portadores mas abundantes en un semiconductor. Electrones en material tipo N y lagunas en material tipo P. Portadores minoritarios: Los portadores menos abundantes en un semiconductor. Electrones en material tipo P y lagunas en material tipo N
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura P-N La concentracin de tomos donores es mayor que la de aceptores
aislados A temperatura ambiente, Cada electrn de los tomos donores tiene suficiente energa para escapar de su tomo y puede desplazarse libremente. Los tomos aceptores han adquirido un electrn de la banda de valencia, dejando lagunas que circulan libremente
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura P-N en equilibrio Un diodo de juntura consiste de un material Semiconductor tipo P en contacto con un material N.
Consideraciones Region P N_A atomos aceptores Region N N_D atomos donores N_D>N_A No existe potencial externo aplicado
Regin N: Los electrones cercanos a la juntura
se difunden desde la regin con alta concentracin de electrones (regin N) a la Electrones regin con baja concentracin de electrones (region P). Lagunas Regin P: Las lagunas se difunden hacia la regin N.
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura P-N en equilibrio Los electrones que se difunden a la regin P dejan tomos ionizados + en el lado N. Las lagunas dejan tomos ionizados en la regin P.
Regin de deplecin : capa de iones
Densidad sin neutralizar de carga Campo elctrico El campo elctrico desplaza los electrones fuera de la regin de deplecin potencial Corriente de desplazamiento
EQUILIBRIO : otros electrones de la regin
N no pueden migrar hacia la regin P porque Corriente de Corriente de son repelidos por los iones negativos de difusin desplazamiento la regin P y atrados por los iones negativos N P = N P de la regin N
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura PN en equilibrio Campo elctrico Una barrera de potencial es generada para mantener el equilibrio
potencial Potencial de contacto
Representa la barrera de potencial
Concentracin de que debe ser sobrepasada para que portadores un portador de carga se difunda a travs de la juntura
Niveles de energa
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura PN polarizacin directa
Al ser polarizada directamente la
juntura PN, el potencial de juntura disminuye.
Los electrones se difunden
hacia la regin P y las lagunas hacia la regin N
La corriente de difusin es Corriente de difusin la dominante Corriente de desplazamiento 29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008 Juntura PN polarizacin inversa
La barrera de potencial aumenta.
El campo electrico se intensifica. La capa de deplecin se ensancha. La corriente de difusin se hace cercana a cero
Corriente de difusin Corriente de desplazamiento
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura PN
EQUILIBRIO
Polarizacin directa
Polarizacin inversa
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
El diodo La corriente de lagunas y la corriente de electrones son asumidas como corrientes de difusin.
Tensin de ruptura Corriente de saturacin inversa : es funcin del inversa rea de juntura, de las constantes de difusin, concentracin de equilibrio y longitud de difusin de los portadores minoritarios 29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008 Modelo del diodo
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
El diodo Efecto zener Si un voltaje negativo suficientemente elevado es aplicado, la juntura PN experimentara una rpida avalancha y conducir en la direccin inversa. Los electrones de valencia que son liberados bajo la influencia del campo elctrico aplicado, son acelerados colisionando con otros electrones creando una avalancha. Modificando el espesor de la En esta regin, pequeos cambios capa donde el voltaje es en el voltaje aplicado pueden aplicado, el efecto zener causar grandes variaciones de puede ocurrir a tensiones corriente. inversas desde los 4 volts hasta cientos de volts. 29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008 El diodo Aplicaciones Rectificadores Reguladores Circuitos de enclavamiento Circuitos lgicos LEDs, fotodiodos
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Rectificadores Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Rectificadores Rectificador de onda completa
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Rectificadores con filtro RC
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Rectificadores con filtro RC Rizado en filtros RC (ripple)
