Semiconductores (Silicio)

INTEGRANTES:
1.- KEVIN GUSTAVO COLORADO OLIVO

2.- YAEL DE JESUS LOYO SOLANO
3.- LESLY DANIELA BÁEZ TRUJILLO
4.- LUIS MIGUEL LARA BARRIOS
5.- MITZI ESTEFANIA PÉREZ AGUILAR
6.- RAFAEL CANALES CAMPOS
SEMICONDUCTORES (SILICIO)
ELECTROMAGNETISMO EQUIPO 2
En la era paleolítica el hombre hizo uso del pedernal o sílice para la confección de las
HISTORIA primeras herramientas que utilizo el hombre gracias a la abundante cantidad de estas rocas en
la naturaleza su dureza y su facilidad de trabajar.
 Otros materiales utilizados tanto por el hombre en eras pasadas como en la actualidad son la arcilla y el
vidrio, ambos contienen compuestos con silicio. La arcilla está constituida por una colección de silicatos y
ha sido usada por el hombre tanto para alfarería como para la construcción
Hasta 1787 se asumía que el sílice era un elemento; pero, en ese mismo año Lavoisier sugirió que este material
era un óxido de algún otro elemento desconocido. Aparentemente, Gay Lus- sac y Thénard fueron los primeros en
producir silicio en 1811 por reducción de fluoruro de silicio con potasio; pero no se reconoce esto como el
descubrimiento.
Berzelius en 1817 reporta la evidencia de un nuevo elemento como un precipitado en un recipiente de hierro. En
1823 lo obtuvo por reacción de fluorurosilicato de potasio con potasio metálico, al lavar el producto con agua
obtuvo un polvo grisáceo que era silicio amorfo.
El Si es uno de los semiconductores más comunes, sustenta la industria de la microelectrónica, la
revolución de la informática, la era de la información y otras áreas de rápido crecimiento
revolucionadas por la electrónica moderna.
. En la actualidad el silicio es un elemento muy importante en numerosos procesos industriales. El dióxido de

silicio (arena y arcilla) es un importante constituyente del hormigón y los ladrillos y se emplea en la producción de
cemento portland. Por sus propiedades semiconductoras se usa en la fabricación de transistores, células solares y
todo tipo de dispositivos semiconductores.
 El silicio tiene número atómico 14 lo cual significa que un átomo de Si aislado tiene 14 protones
(partículas cargadas positivamente) en su núcleo y 14 electrones (partículas cargadas negativamente)
orbitando alrededor de él como un sistema solar en miniatura. Diez de los 14 electrones
están,estrechamente, ligados al núcleo y tienen menos importancia para las uniones químicas con otros
elementos. Los cuatro electrones restantes determinan cómo los átomos de silicio se organizan entre sí
para formar el material de silicio sólido.
PROPIEDADES DEL SILICIO

 Dado que la electricidad es el“movimiento” de electrones, el Si es un pobre conductor de electricidad cuando todos los
electrones están restringidos en enlaces; por lo tanto, actúa como un aislante(no conduce electricidad). Sin embargo, estos
enlaces pueden romperse si se los excita lo suficiente,por ejemplo con un fotón proveniente del Sol siempre que tenga
suficiente energía. El fotón energético ayudaría o “empujaría” al electrón, liberando el enlace transmitiendo su energía para
que se produzca un movimiento de electrones (corriente eléctrica). Una vez liberados del enlace el electrón puede moverse
a través del Si y contribuir al flujo de la corriente eléctrica, actuando como los conductores.Debido a que en ocasiones el
silicio actúa como aislante y si se lo excita actúa conduciendo electricidad se lo denomina material “semiconductor”. Más
sorprendentemente, los enlaces rotos o huecos que se forman pueden cambiar de posición dando lugar a lo que se denomina
corriente de huecos
 los enlaces rotos o huecos que se forman pueden cambiar de posición
dando lugar a lo que se denomina corriente de huecos. Esto ocurre
porque es muy fácil para un electrón de un enlace vecino saltar
dentro de un silicio vacante dejado por el enlace roto. Este salto
restaura el enlace roto pero deja un nuevo hueco detrás. De esta
manera el flujo de huecos sería contrario al flujo de electrones.
Cuando un fotón rompe un enlace en el silicio se crea un electrón
(carga negativa)y también un hueco al cual se lo puede representar
como una partícula (amicroelectrónico Burbuja) con carga positiva,
estos pares se denominan “par electrón-hueco”.Esta propiedad de ser
semiconductor que tiene el silicio, al igual que el germanio y otros
materiales compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), es
fundamental para el funcionamiento de las celdas solares y para la
microelectrónica.
 El primer paso del proceso de producción es pasar de la arena a lo que se
conoce como silicio grado metalúrgico. Reduciendo el dióxido de silicio
con carbono en grandes hornos de arco eléctrico a una temperatura
superior a los 3000° C. el silicio se produce de acuerdo con la reacción :
 Si2 + Si + 2 CO
PROCESO DE PRODUCCIÓN
MÉTODOS FÍSICOS DE PURIFICACIÓN DEL SILICIO
METALURGICO
 El primero consiste en moler el silicio de forma que las impurezas se acumulen en las superficies de los granos;
disolviendo estos, parcialmente, se obtendría un polvo más puro.
 La fusión por zonas, consiste en fundir el extremo de la barra del silicio y trasladar, lentamente, el foco de calor a
lo largo de la misma de modo que el silicio vaya solidificando con una pureza mayor al arrastrar a la zona fundida
gran parte de las impurezas.
MÉTODOS QUIMICOS
Se aplican a compuestos que sean mas fáciles de purificar.
SE
Los compuestos mas comúnmente usados son:
• Triclorosilano (SiHCl3)
• Tetracloruro de silicio (SiCl4)
• Silano (SiH4)
SE OBTIENE TRICLOROSILANO A PARTIR DEL SILICIO GRADO METALÚRGICO

USANDO ÁCIDO CLORHÍDRICO SEGÚN LA REACCIÓN:
SI + 3HCL SIHCL3 +H2
LO QUE SE PURIFICA ES EL SIHCL3 A TRAVÉS DE VARIOS PROCESOS DE DESTILACIÓN, RECUPERÁNDOSE EL SI. ESTE
SILICIO ES AHORA SILICIO GRADO SEMICONDUCTOR SEGÚN LA REACCIÓN INVERSA. ESTE PROCESO, DENOMINADO
PROCESO SIEMENS, REQUIERE MUCHA ENERGÍA Y NO ES EFICIENTE, LO QUE ELEVA CONSIDERABLEMENTE EL
COSTO DEL MATERIAL A 60 – 7º U$ S/KG.
EL SILICIO PRODUCIDO POR ÉSTE Y OTROS MÉTODOS SIMILARES SE DENOMINA SILICIO POLICRISTALINO Y
TÍPICAMENTE TIENE UNA FRACCIÓN DE IMPUREZAS DE 0,001 PPM O MENOR.
APLICACIONES DEL SILICIO.
• POR SUS PROPIEDADES, EL SILICIO MONOCRISTALINO ES EL MATERIAL BASE DE LA INDUSTRIA

ELECTRÓNICA Y MICROELECTRÓNICA PARA LA FABRICACIÓN DE TRANSISTORES, CELDAS SOLARES Y
TODO TIPO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
• EXISTEN OTROS IMPORTANTES USOS DEL SILICIO QUE NO REQUIEREN DE UN MATERIAL DE ALTA
CRISTALINIDAD Y PUREZA
• ES INERTE Y ESTABLE A ALTAS TEMPERATURAS, LO QUE LA HACE ÚTIL EN GRAN VARIEDAD DE
APLICACIONES INDUSTRIALES, COMO LUBRICANTES, ADHESIVOS, IMPERMEABILIZANTES Y EN
APLICACIONES MÉDICAS, COMO PRÓTESIS VALVULARES CARDÍACAS E IMPLANTES DE MAMAS.
• El dióxido de silicio (arena y arcilla) es un importante constituyente
del hormigón y los ladrillos y se emplea en la producción de cemento
Portland. Se lo emplea, además, como elemento fertilizante en forma de
mineral primario rico en silicio para la agricultura.
• El carburo de silicio es uno de los abrasivos más importantes. Se usa
en la fabricación de láseres para obtener una luz con una longitud de
onda de 456 nm.
• El silicio es el constituyente principal de la silicona. La silicona es un
polímero inodoro e incoloro que se usa en medicina en implantes de
seno y lentes de contacto.
EL SILICIO Y LA MICROELECTRÓNICA
LAS VÁLVULAS, INVENTADAS A PRINCIPIOS DEL SIGLO XX, HABÍAN SIDO

APLICADAS EXITOSAMENTE EN TELEFONÍA COMO AMPLIFICADORES Y,
POSTERIORMENTE, POPULARIZADAS EN RADIOS Y TELEVISORES
ESTAS VÁLVULAS PRESENTABAN UN INCONVENIENTE, CONSUMÍAN
MUCHA ENERGÍA AL FUNCIONAR, SOLÍAN QUEMARSE, O LAS
VIBRACIONES LOGRABAN ROMPERLAS
 El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples aplicaciones fue posible gracias a

la invención del transistor
 Los transistores desarrollados en 1947 por los físicos W. Shockley , J. Bardeen y W.
Brattain, resolvieron los inconvenientes de las válvulas y abrieron el camino que
potenciarían el desarrollo de las computadoras, electrodomésticos y hasta teléfonos
celulares
 Los transistores se basan en las propiedades de conducción eléctrica de materiales
semiconductores como lo son el silicio y el germanio.
 Se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de

campo), basados en distintas propiedades básicas; se emplearon
distintos materiales, inicialmente, el germanio (1948) y, posteriormente,
el silicio (1954) que domina la industria de los semiconductores de la
actualidad; se logró construir una gran cantidad de transistores, otros
elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea
de silicio a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (CI) (1958).
 La integración en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en transistores

en circuitos integrados (CI) o “chip” comenzó en los años ochenta, como parte de
las tecnologías de semiconductores y comunicación que se estaban desarrollando.
Los primeros CI contenían sólo un transistor cada uno. A medida que la tecnología
de fabricación fue avanzando, se agregaron más y más transistores y, en
consecuencia, más y más funciones fueron integradas en un mismo CI.
El microprocesador es un circuito
integrado que procesa toda la
información en la computadora, éste
mantiene un registro de las teclas
que se han presionado y de los
movimientos del mouse, cuenta los
números y corre los programas,
juegos y el sistema operativo
SILICIO Y CELDAS SOLARES
DURANTE LOS SIGLOS XIX Y XX MUCHA GENTE INTENTÓ TRANSFORMAR LA ENERGÍA SOLAR
EN POTENCIA UTILIZABLE
PERO FUE HASTA 1953 GERALD PERSON. UN FÍSICO DE LOS LABORATORIOS BELL, DESCUBRIÓ
QUE CUANDO EL SILICIO ESPECIALMENTE TRATADO, ES PUESTO BAJO LA LUZ DEL SOL, ESTE
PRODUCE SIGNIFICATIVAMENTE, MÁS ELECTRICIDAD QUE EL SELENIO
DESCUBRIMIENTO
 En 1954 se hizo público el descubrimiento, donde se utilizó una batería usando ingrediente de la arena.
Donde se demostró que que se podía transformar la energía solar en electricidad, haciendo que las celdas
solares sean particularmente, confiables y libres de mantenimiento.
GRACIAS¡

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. En la actualidad el silicio es un elemento muy importante en numerosos procesos industriales. El dióxido de

PROPIEDADES DEL SILICIO

• Tetracloruro de silicio (SiCl4)

SE OBTIENE TRICLOROSILANO A PARTIR DEL SILICIO GRADO METALÚRGICO

SI + 3HCL SIHCL3 +H2

• POR SUS PROPIEDADES, EL SILICIO MONOCRISTALINO ES EL MATERIAL BASE DE LA INDUSTRIA

LAS VÁLVULAS, INVENTADAS A PRINCIPIOS DEL SIGLO XX, HABÍAN SIDO

 El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples aplicaciones fue posible gracias a

 Se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de

 La integración en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en transistores

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