Clase 1 - Unidad 3

UNIDAD 3.
IRREGULARIDADES
DEL ARREGLO ATÓMICO
El arreglo de los átomos o iones en los

materiales tiene imperfecciones o defectos; con
frecuencia estos defectos tienen un efecto
profundo sobre las propiedades de los
materiales.
Existen cuatro tipos básicos de defectos en los
materiales:
a) Defectos puntuales
b) Defectos lineales (dislocaciones)
c) Defectos superficiales
d) Defectos volumétricos
El efecto que estos tienen, no siempre es

deseable, pero hay casos donde las
imperfecciones son útiles.
3.1 IRREGULARIDADES PUNTUALES
3.1.1 Definición de monocristal
Hay materiales para ingeniería que están

formados por un solo cristal, estos son llamados
monocristalinos.
Estos materiales son más resistentes por ejemplo

a elevadas temperaturas comparados con lo
materiales que poseen mucho cristales.
Esto se debe a que a elevadas temperaturas, por
encima de la mitad de la temperatura absoluta de
fusión de un metal, los limites de grano se hacen
más débiles que en el centro de los granos.
Un ejemplo de la utilización de mono cristales se

da en el silicio monocristalino utilizado en
circuitos electrónicos integrados.
3.1.2 Definición de material policristalino
Después que se forman los núcleos estables en

un metal en solidificación, crecen hasta formar
cristales la orientación de cada cristal varía.
Cuando finaliza la solidificación, los cristales se

juntan unos con otros en diferentes orientaciones
y forman límites cristalinos.
Un metal solidificado que contenga muchos
cristales se llama policristalino.
En el metal solidificado los cristales se llaman
granos y las superficies entre ellos, límites de
grano.
La mayoría de los metales y aleaciones en
ingeniería se funden con una estructura de grano
fino, dado que es el tipo de estructura más
deseable para conseguir resistencia y
uniformidad en productos metálicos acabados.
Se producen normalmente dos tipos de

estructuras de grano principalmente:
a) Granos equiaxiales
b) Granos columnares
3.1.3 Defectos puntuales
Son interrupciones localizadas en arreglos

atómicos o iónicos.
Estas imperfecciones se pueden producir por el
movimiento de los átomos al aumentar la energía
por calentamiento.
Un punto importante acerca de los defectos es
que, su presencia es sentida en distancias
mayores.
Algunos defectos puntuales en los materiales
cristalinos son:
a) Vacantes
b) Sitios intersticiales
c) Impurezas sustitucionales
A pesar de que a estas se les llama defectos o

imperfecciones, hay que aclarar que el material
en su totalidad no se considera defectuoso en su
aplicación.
3.1.3.1 Vacantes
Se produce cuando falta un átomo o ion en un

sitio normal de la estructura cristalina.
vacante.
Las vacancias se producen en los metales durante
la solidificación a temperaturas elevadas.
Estas desempeñan un papel importante en la

determinación de la rapidez con que pueden
difundirse los átomos o iones en un material
sólido.
La concentración de vacancias aumenta en forma
exponencial con el aumento de la temperatura
según la ecuación de Arrhenius:
Donde:
nv: Cantidad de vacancias por cm3
n: cantidad de átomos por cm3
Qv: Energía necesaria para producir un mol de
vacancias, en cal/mol o J/mol
R: Constante de los gases 1.987 cal/mol.K o
8.31 J/mol.K
T: Temperatura en kelvin
3.1.3.2 Sitios intersticiales
Se forma cuando se inserta un átomo o ion

adicional en la estructura cristalina en un
posición normalmente desocupada.
Los átomo o iones intersticiales son menores que

los átomos de punto de red, pero son mayores
que el espacio intersticial que ocupan por tanto,
la estructura queda comprimida y distorsionada.
Átomo intersticial
Son ejemplos de átomos intersticiales los de

hidrogeno así como los de carbono, estos
últimos en la estructura cristalina del hierro.
Si hay deformaciones en los cristales al tratar de
mover estos defectos, se encuentra con
resistencia a su movimiento, con lo que se
vuelve difícil crear deformaciones permanentes
en metales y aleaciones.
Esta es una forma importante de aumentar la

resistencia mecánica de los materiales metálicos.
Por ejemplo:
En el hierro FCC los átomos de carbono están
ubicados en el centro de cada arista de la celda
unitaria y en el centro de la misma.
En el hierro BCC los átomos de carbono se
ubican en los sitios
Sitios intersticiales de las
diferentes estructuras cristalinas
Localización de los sitios intersticiales
3.1.3.3 Impurezas sustitucionales
Se produce cuando un átomo o ion es sustituido

con otro tipo distinto de átomo o ion.
Los átomos o iones ocupan un sitio normal en la
red.
Los átomos sustitucionales pueden ser mayores o

menores a los átomos de punto de red; en ambos
casos producen perturbación al cristal.
a) Átomo sustitucional b) Átomo sustitucional
menor que el de mayor que el de
punto de red punto de red
Como ejemplo de defectos sustitucionales están:
a) La adición de dopantes como fosforo (P) o

boro (B) en el silicio.
b) Adición de cobre al níquel, los átomos de
cobre ocupan los sitios normales
cristalográficos donde normalmente habría
átomos de níquel
Nota: los átomos sustitucionales suelen aumentar
la resistencia mecánica de los metales.
Otros tipos de defectos puntuales:
a) Defecto Frenkel: b) Defecto Schottky:

ion salta de un punto falta un numero igual
normal a uno de cationes y
intersticial aniones.
Ejercicio.
Calcular el número de vacantes (Nv) por metro
cubico en el aluminio a 660°C. La energía de
activación para la formación de vacantes es 0.76
eV/átomo. La densidad y masa atómica del
aluminio son 2.70 Mg/m3 y 26.98 g/mol,
respectivamente.
3.2 IRREGULARIDADES
LINEALES
3.2.1 Dislocaciones: Definición y tipos
Son imperfecciones lineales o en una dimensión

alrededor del cual algunos átomos están
desalineados en un cristal.
Se suelen introducir durante la solidificación del
material o cuando el material se deforma
plásticamente.
Se identifican tres tipos de dislocaciones:
a) Dislocación de borde
b) Dislocación de tornillo
c) Dislocación mixta
3.2.1.1 Dislocación de borde o arista
Se puede ilustrar haciendo un corte en un cristal

perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte
el corte con un plano adicional de átomos.
Si se sigue una trayectoria que inicia en X en
sentido de las manecillas del reloj se observara
que se termina en un punto Y distinto de X , y
para cerrar el circuito es necesario una distancia
b adicional, esta distancia lleva por nombre:
Vector de Burgers.
Nota: línea de dislocación y b son

perpendiculares en materiales metálicos.
Vector de Burgers y campos de tensión
alrededor de una dislocación de arista o borde.
Dislocación positiva
Dislocación negativa
3.2.1.2 Dislocación de tornillo
Se puede ilustrar haciendo un corte en un cristal

perfecto y torciendo ese cristal una distancia
atómica, es decir aplicando esfuerzos cortantes.
Vector de Burgers y campos de tensión
alrededor de una dislocación de tornillo
helicoidal.
Si se recorre una trayectoria que comience en el
punto X y avanzando distancias atómicas
iguales, se observara que se termina en un punto
Y distinto de X, es decir una distancia atómica
abajo del punto de partida.
El vector necesario para cerrar el circuito es el

vector de Burgers b.
Nota: línea de dislocación y b son paralelos en

materiales metálicos.
3.2.2 Deslizamiento
Es el proceso por el cual se mueve una

dislocación y hace que se deforme un material
metálico.
La dirección del deslizamiento la da el vector de

Burgers para la dislocación de borde
En el caso del deslizamiento de la dislocación de
borde, el vector de Burgers forma un plano que
es recorrido por esta.
a) Cuando un esfuerzo
cortante se aplica a la
dislocación, se
desplazan los átomos.
b) se mueve un vector de
Burgers en la dirección
de deslizamiento.
c) Continuación del
movimiento de la
dislocación.
d) El cristal se deforma
Sistema de deslizamiento:
Es la combinación de la dirección de
deslizamiento y el plano de deslizamiento.
Se requiere el esfuerzo de Peierls-Nabarro para

mover la dislocación desde un lugar de
equilibrio hasta el siguiente:
τ: Esfuerzo cortante para mover la
dislocación.
d: Distancia interplanar entre planos
de deslizamiento adyacentes.
b: Magnitud del vector de Burgers
c y k: Constantes del material.
Nota: las dislocaciones no se mueven en el

silicio y los polímeros. Se fracturan antes de
llegar al valor τ necesario.

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UNIDAD 3.

El arreglo de los átomos o iones en los

El efecto que estos tienen, no siempre es

3.1.1 Definición de monocristal

Hay materiales para ingeniería que están

Estos materiales son más resistentes por ejemplo

Un ejemplo de la utilización de mono cristales se

Después que se forman los núcleos estables en

Cuando finaliza la solidificación, los cristales se

Se producen normalmente dos tipos de

Son interrupciones localizadas en arreglos

A pesar de que a estas se les llama defectos o

Se produce cuando falta un átomo o ion en un

Estas desempeñan un papel importante en la

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Esta es una forma importante de aumentar la

Se produce cuando un átomo o ion es sustituido

Los átomos sustitucionales pueden ser mayores o

a) La adición de dopantes como fosforo (P) o

a) Defecto Frenkel: b) Defecto Schottky:

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Se identifican tres tipos de dislocaciones:

Se puede ilustrar haciendo un corte en un cristal

Nota: línea de dislocación y b son

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El vector necesario para cerrar el circuito es el

Nota: línea de dislocación y b son paralelos en

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