TRANSISTORES

• Símbolo. Características
• Clasificación de los transistores
• Transistores bipolares
• Transistores unipolares

PED 2002-03 4.1

 Características. Símbolo
• Elemento triterminal: Terminal de control
• Magnitud control: tensión o corriente terminal de i A
• Funcionamiento específico: dos uniones PN control i +
• Funcionamiento en régimen permanente: T.C.
componentes de los circuitos digitales vAB
+
vT.C. –
– B
i
IQ 3
IQ 2
IQ 1

v
VQ
PED 2002-03 4.2
 Clasificación de los transistores
Transistores bipolares: BJT
• Corriente: movimiento de electrones y huecos.
• Magnitud de control: corriente
• Dos tipos: NPN y PNP

Transistores unipolares o de efecto de campo: FET

• Campo eléctrico influye en el comportamiento
• Corriente: movimiento sólo de electrones o huecos, según el tipo
de transistor
• Magnitud de control: diferencia de potencial
• JFET
• FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

Transistores uniunión: UJT

• Muy especiales. No los veremos

PED 2002-03 4.3

 TRANSISTORES BIPOLARES
• Magnitud de control: corriente
• Terminal central: corriente de control. Terminal base: B
• Terminal izquierda: emisor, E
• Terminal derecha: colector, C

A i
i T.C.
+
vAB i  f (v AB , iT .C . )
–
B
P N P N P N

PED 2002-03 4.4

 Tipos de transistores bipolares

transistor bipolar NPN transistor bipolar PNP

C C
colector colector

B B
base base
emisor emisor
E E

• Sentido flecha: de P hacia N

PED 2002-03 4.5

 Magnitudes en los transistores bipolares
• Seis magnitudes a relacionar
• Corriente en cada terminal: IC, IB , IE

• Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE

• Dos ecuaciones de comportamiento
• Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones

NPN IC PNP
+ IC
VBC –C + VCB C
–
IB + IB –
VCE VEC
B + B
–
VBE VEB
– E – + E
+
IE IE

PED 2002-03 4.6

 Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

RC IC
IC IC
VBC –
+ + +
RB VCC
VCE –
IB + –
VBB + VBE –
– IE
IB IC

PED 2002-03 4.7

 Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares

I E  I B  IC V BC  V BE  V CE

V BB  R B I B  V BE V CC  R C IC  V CE

IC  f ( V CE , I B ) I B  g( V BE , V CE )
• Ecuaciones comportamiento: análisis experimental

• Simplificando: punto operación del transistor Q(IB, IC, VBE, VCE)

PED 2002-03 4.8

 Curvas características: dos

I B  g( V BE , V CE )

• VCE poca influencia. Se simplifica. IB  g(VBE )

IB IB

VBE VBE

PED 2002-03 4.9

 IC  f ( V CE , I B )
mA
IC IB 100 A
12

IB 80 A
10

8 IB 60 A

6
IB 40 A
4

IB 20 A
2

0 VCE
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V

PED 2002-03 4.10

 Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

• Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:

unión BE IP IP DP DP
unión BC IP DP IP DP
• Distinguir entre E y C?
• Polarización relativa determina quién funciona como E y quién como C
• E y C no son exactamente iguales a nivel físico
• Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC
• Funcionamiento inverso (NPN): VBE< VBC
• Habitualmente: funcionamiento directo
• Posible con tres de las cuatro opciones
• Tres zonas de funcionamiento
– Corte
– Región Activa Normal (R.A.N.)
– Saturación

PED 2002-03 4.11

 1. Corte

• BE y BC en I.P.
• Por tanto VBE ≤ 0,7 V y VBC ≤ 0,7 V (se suele comprobar sólo VBE ≤ 0,7 V)

• En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)

• Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
• Resumiendo:

condición ecuación
VBE ≤ 0,7 V  IC = 0 , IB = 0

PED 2002-03 4.12

 2. Región Activa Normal (R.A.N.)

• BE en D.P., BC en I.P
• Sólo una unión en D.P. pero corriente en ambas. Aún así IB << IC

• BE en D.P., por tanto, VBE = 0,7 V (una ecuación más)

• Otra ecuación: analizando las curvas características del transistor
• Conclusión análisis: IC/IB = ß ( nueva ecuación, ß “ganancia de corriente”)
• Varía según el tipo de transistor. Consideraremos 100
• Verificación de esta zona implica comprobar unión BC en I.P: comprobar VBC
≤ 0,5 V (no 0,7 como en una unión aislada). Equivalente: VCE  0,2 V

condición ecuación I
C
VCE  0,2 V  VBE = 0,7 V ,I  
B

PED 2002-03 4.13

 3. Saturación

• BE y BC en D.P.
• Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes

• Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V

• No relación constante anterior
• Verificación de esta zona implica comprobar IC/IB ≤ ß

condición ecuación
IC  VBE = 0,7 V

IB
VCE = 0,2 V

PED 2002-03 4.14

 Zonas de funcionamiento en la curva característica

mA IC IB  100 A
12
IB  80 A
10
Saturación

8 IB  60 A
R.A.N.
6
IB  40 A
4
IB  20 A
2
Corte
0 VCE V
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

PED 2002-03 4.15

 Aproximación realizada

IC
IB4
IB3
IB2
IB1
VCE
0,2 V

PED 2002-03 4.16

 Resolución gráfica de circuitos con transistores

• Conocemos curvas (IB ,VBE) y (IC ,VCE) del transistor

• Circuito de entrada
IB
B
V BB "carga" del
RB + circuito de
V BE entrada
– E

V BB  RB I B  V BE
V BB 1
IB   V BE
RB RB RECTA DE CARGA de entrada

PED 2002-03 4.17

 • Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (I B ,VBE)

• Obtenemos punto de operación de entrada: (IBQ ,VBEQ)

IB

VBE

PED 2002-03 4.18

 • Circuito de salida
V CC
IC
RC
C +
"carga" del
circuito de V CE
salida
E –

V CC  RC IC  VCE

VCC 1 RECTA DE CARGA de salida

IC    VCE
RC RC

PED 2002-03 4.19

 • Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)

• Obtenemos punto de operación de salida

• Con ambos puntos, tenemos el punto de operación del transistor

IC IB5
IB4
IB3

IB2 =IBQ

IB1

VCE

PED 2002-03 4.20

 TRANSISTORES UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO

• Campo eléctrico influye en el comportamiento

• Corriente: movimiento sólo de electrones o huecos, según tipo
• Magnitud de control: diferencia de potencial
• JFET
• FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)

A
i
+
i  f (v AB , v T.C. )
T.C. v AB
+
vT.C. –
–
B

PED 2002-03 4.21

 JFET, transistores de efecto de campo de unión

transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P

D drenador D drenador

G G
puerta puerta
S fuente S fuente
• Otros símbolos

transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P

PED 2002-03 4.22

 Magnitudes de los JFET
• Tres magnitudes para analizar comportamiento: I D, VDS y VGS (t. control)
• Funcionamiento adecuado: dos uniones PN en I.P
• Canal N: VGS < 0. Canal P: VGS > 0
• Portadores de carga de fuente hacia drenador, generan I D
• Corriente IG =0. Por tanto: IS= ID

canal N canal P
(> 0)
D ID + VGS – S +
IG  0 IG  0 +
G
VDS VSD
+ G
ID
VGS – –
(< 0)
– S D

PED 2002-03 4.23

 Curvas de transferencia en los JFET
• Punto de operación: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
• Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)

• Circuito para analizar el funcionamiento

ID
RD
D
IG  0 +
G
VDS + VDD
+ –
VGG +– VGS – (variable)

(variable)
–S

PED 2002-03 4.24

 • Dos curvas

* Curva 1: manteniendo VDS, ID sat= f(VGS)

ID
IDSS 2
 VGS 
I Dsat  I DSS  1  
 VGSoff 
IDsat
V GS
V GSoff (< 0 siempre) V GSQ
IDSS  corriente de saturación (VGS=0)
VGSoff  tensión de estrangulamiento (canal desaparece, ID = 0)

PED 2002-03 4.25

 * Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

ID
IDSS V GS  0 V
i ca
óhm

V GS  1 V
Saturación
zona

IDsat V GS  2 V
Vgs=-2
V GS  VGSoff (  0 )
Corte V DS
VDSsatVDSS
Vgs=-2

IDSS  corriente de saturación (VGS=0)

VGSoff  tensión de estrangulamiento (canal desaparece, ID = 0)

PED 2002-03 4.26

 Tres zonas de funcionamiento:
condición ecuación

CORTE: VGSQ VGSoff ID = 0

ZONA OHMICA: VGSoff  VGSQ  0 ID = VDSS / RDS

VDSQ VDSsat RDS = VDSS / IDSS

SATURACIÓN: VGSoff  VGSQ  0 ID = K IDSS

VDSQ  VDSsat 2
 VGSQ 
K  1  
VDSS  tensión para estrangular el canal : |V GSoff|
 VGSoff 
VDSsat  frontera entre zona óhmica y saturación (no constante)

2
 VGSQ 
V DSsat  1   VGSoff
 V GSoff 
PED 2002-03 4.27
 MOS, transistores metal-óxido-semiconductor

NMOS de enriquecimiento PMOS de enriquecimiento

D D
drenador drenador
B B
G sustrato G sustrato
puerta puerta
S S
fuente fuente

NMOS de empobrecimiento PMOS de empobrecimiento

D D
drenador drenador
B B
G sustrato G sustrato
puerta puerta
S S
fuente fuente
PED 2002-03 4.28
 • Otros símbolos

transistores de enriquecimiento transistores de empobrecimiento

NMOS PMOS NMOS PMOS

• Enriquecimiento: D y S físicamente separadas

• Empobrecimiento: entre D y S siempre hay canal
• B, sustrato (bulk). No es un terminal, sino la base física sobre la que se
ha construido el MOS. Normalmente se conecta a S

PED 2002-03 4.29

 Magnitudes de los MOS
• Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)
• Corriente IG =0 siempre, no dependiendo de la polarización
• Polarización adecuada para crear canal entre S y D (enriquecimiento) o
para estrechar el canal existente (empobrecimiento)

NMOS de enriquecimiento PMOS de enriquecimiento

(< 0)
D ID VGS – S
+
IG  0 + IG  0 +
G VSD
VDS G
+V –
GS
(> 0) – S – D ID

PED 2002-03 4.30

 Curvas de transferencia en los MOS
• Punto de operación: Q( IDQ, VDSQ, VGSQ)
• Corriente ID depende de las dos tensiones: ID = f(VGS,VDS)
• Obtenemos esa curva experimentalmente, al igual que antes, con un circuito similar

* Curva 1: manteniendo VDS, ID = f(VGS) (transistor en saturación)

NMOS de enriquecimiento
ID
2
IDon  V GS  V T 
I D  I Don   
V GSon  VT 
V GS
VT V GSon

PED 2002-03 4.31

 * Curva 2: para distintos valores de VGS, ID = f(VDS)

ID NMOS de enriquecimiento
V GS  15 V
ica

V GSQ
IDsat
óh m

V GS  10 V
Saturación
a

V GS  5 V
Zon

V GS  VT
Corte V DS
V DSsat

PED 2002-03 4.32

 MOS enriquecimiento, tres zonas de funcionamiento:
condición ecuación

CORTE: VGSQ VT ID = 0

ZONA OHMICA: VGSQ  VT ID = VDSS / RDS

VDSQ VDSsat

SATURACIÓN: VGSQ  VT ID = K IDon

2
VDSQ  VDSsat  VGS  VT 
K   
V
 GSon  V T 

PED 2002-03 4.33