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    sur 4

    TP

    PAR
    SIMULATION

    Mohcene Aouadj Djemai Narimane Maria Mekli

    TP DIODE
    Réalisation du montage :
    Les résultats sont représentés dans le tableau ci-dessous :

    E V(v) I(A)

    1 0.601 0.1

    2 0.678 0.331

    3 0.72 0.57

    4 0.753 0.812

    5 0.782 1.055

    6 0.807 1.298

    7 0.831 1.542

    8 0.854 1.787

    9 0.875 2.031

    10 0.896 2.276 L’équation : VF=0.4154IF+0.2986

    -5 -5 -1.015E-06

    -10 -10 -2.001E-06

    2- Résultat de la simulation :

    Le trr est de : 100 ns, il est supérieur au 30 ns mentionner sr le datasheet comme trr.

    TP MOS/IGBT
    MOS IRF540
    1-Mesure de la tension de seuil :

    1.1 On place le ….
    VGS(V 0.5 1 1.5 2 3 4 5 10 12 15
    )
    ID(A) 0.043 0.043 0.043 0.043 0.043 1.865 2.977 2.985 2.985 2.985
    m m m m m m

    La tension de seuil trouvée es de : 4 V


    2-La puissance dissipée :
    Le temps de crossover trouvée : 20 µs
    L’énergie dissipée à l’état OnP=Rdson . Id 2 = 0.055*(
    L’énergie dissipée à l’état OFF:

    IGBT IRGC20F
    1-Mesure de la tension de seuil :

    VGS(V 0.5 1 1.5 2 3 4 5 10 12 15


    )
    ID(A) 6.834 6.821 6.818 6.784 6.771 6.737 6.66µ 2.848 2.856 2.861
    µ µ µ µ µ µ

    La tension de seuil trouvée es de : 10V


    2-La puissance dissipée :
    Le temps de crossover trouvée :
    L’énergie dissipée à l’état On :
    L’énergie dissipée à l’état OFF:

    TP Thyristor
    VG(V) IG(mA) IA(A) VA(A)
    0.5 3840 1.984 0.806
    1
    1.5
    2
    2.5
    3

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